KR101089480B1 - 웨이퍼 연마장치 - Google Patents
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- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
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Abstract
Description
도 2는 웨이퍼의 에지부를 도시한 단면도이다.
도 3은 웨이퍼가 연마되는 과정을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3에서 A-C를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3에서 B-C를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
Claims (13)
- 웨이퍼의 상면보다 더 높은 위치에 배치되는 제 1 샤프트;
상기 웨이퍼의 하면보다 더 낮은 위치에 배치되는 제 2 샤프트;
상기 제 1 샤프트를 중심으로 회전하는 제 1 패드;
상기 제 2 샤프트를 중심으로 회전하는 제 2 패드;
상기 제 1 샤프트를 통하여 상기 제 1 패드를 회전시키는 제 1 모터; 및
상기 제 2 샤프트를 통하여 상기 제 2 패드를 회전시키는 제 2 모터를 포함하는 웨이퍼 연마장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 측방에 배치되는 제 3 샤프트;
상기 제 3 샤프트를 중심으로 회전하는 제 3 패드; 및
상기 제 3 샤프트를 통하여 상기 제 3 패드를 회전시키는 제 3 모터를 포함하는 웨이퍼 연마장치. - 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 패드, 상기 제 2 패드 및 상기 제 3 패드는 상기 웨이퍼의 에지부와 직접 접촉하는 웨이퍼 연마장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 에지부는
상기 웨이퍼의 상면으로부터 연장되는 챔퍼 A;
상기 웨이퍼의 하면으로부터 연장되는 챔퍼 B; 및
상기 챔퍼 A 및 상기 챔퍼 B 사이에 위치하는 탑을 포함하고,
상기 제 1 패드는 상기 챔퍼 A에 직접 접촉하고,
상기 제 2 패드는 상기 챔퍼 B에 직접 접촉하고,
상기 제 3 패드는 상기 탑에 직접 접촉하는 웨이퍼 연마장치. - 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 패드, 상기 제 2 패드 및 상기 제 3 패드는 롤러, 디스크 또는 원기둥 형상을 가지는 웨이퍼 연마장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 3 패드의 회전축은 상기 웨이퍼의 상면 및 상기 웨이퍼의 하면 사이에 위치하는 웨이퍼 연마장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 샤프트 및 상기 제 2 샤프트 사이의 간격을 조절하는 구동부를 포함하는 웨이퍼 연마장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 샤프트 및 상기 웨이퍼의 회전축 사이의 간격을 조절하는 구동부를 포함하는 웨이퍼 연마장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 샤프트가 연장되는 방향은 상기 웨이퍼의 상면이 연장되는 방향에 대응되고,
상기 제 2 샤프트가 연장되는 방향은 상기 웨이퍼의 하면이 연장되는 방향에 대응되는 웨이퍼 연마장치. - 웨이퍼의 에지부와 직접 접촉하고, 자체적으로 회전하는 제 1 패드; 및
상기 웨이퍼의 에지부와 직접 접촉하고, 자체적으로 회전하는 제 2 패드를 포함하고,
상기 제 1 패드의 회전축은 상기 웨이퍼의 상면과 평행하고,
상기 제 2 패드의 회전축은 상기 웨이퍼의 하면과 평행한 웨이퍼 에지 연마장치. - 제 10 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 에지부와 직접 접촉하고, 자체적으로 회전하는 제 3 패드를 포함하는 웨이퍼 에지 연마장치.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 패드의 회전축은 상기 웨이퍼의 상면보다 더 높은 위치에 위치하고,
상기 제 2 패드의 회전축은 상기 웨이퍼의 하면보다 더 낮은 위치에 위치하고,
상기 제 3 패드의 회전축은 상기 웨이퍼의 상면 및 상기 웨이퍼의 하면 사이에 위치하는 웨이퍼 에지 연마장치. - 삭제
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
KR20200007302A (ko) * | 2018-07-12 | 2020-01-22 | 주식회사 영도 | 가공대상물의 에지 연마 장치 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5988765B2 (ja) * | 2012-08-13 | 2016-09-07 | ダイトエレクトロン株式会社 | ウェーハの面取り加工方法、ウェーハの面取り加工装置および砥石角度調整用治具 |
JP6045542B2 (ja) * | 2014-09-11 | 2016-12-14 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの加工方法、貼り合わせウェーハの製造方法、及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
CN108436684A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-08-24 | 郑州博钰特超硬材料制品有限公司 | 一种用于石材加工的打磨装置 |
CN115256096A (zh) * | 2022-07-06 | 2022-11-01 | 无锡新瑞驰科技有限公司 | 一种电机冲片表面去毛刺装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010034429A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ周辺部の研磨方法及びその装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH081493A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ面取部の鏡面研磨方法および鏡面研磨装置 |
JP3010572B2 (ja) * | 1994-09-29 | 2000-02-21 | 株式会社東京精密 | ウェーハエッジの加工装置 |
US6622334B1 (en) * | 2000-03-29 | 2003-09-23 | International Business Machines Corporation | Wafer edge cleaning utilizing polish pad material |
JP3510584B2 (ja) * | 2000-11-07 | 2004-03-29 | スピードファム株式会社 | 円板形ワークの外周研磨装置 |
JP2002329687A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Speedfam Co Ltd | デバイスウエハの外周研磨装置及び研磨方法 |
JP2002367939A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Speedfam Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びそのための周辺部不要膜除去装置 |
JP3854844B2 (ja) * | 2001-10-23 | 2006-12-06 | ワイエイシイ株式会社 | ウェーハエッジ研磨装置 |
JP2003151925A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Yac Co Ltd | ウェーハエッジ研磨処理装置 |
US7744445B2 (en) * | 2004-10-15 | 2010-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing apparatus and polishing method |
JP2007088143A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Elpida Memory Inc | エッジ研磨装置 |
-
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010034429A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ周辺部の研磨方法及びその装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200007302A (ko) * | 2018-07-12 | 2020-01-22 | 주식회사 영도 | 가공대상물의 에지 연마 장치 |
KR102126073B1 (ko) * | 2018-07-12 | 2020-06-23 | 주식회사 영도 | 가공대상물의 에지 연마 장치 |
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