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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Einzelwaferätzvorrichtung, bei der ein Wafer, der durch einen Drehteller gedreht wird, nach dem anderen durch eine Ätzlösung geätzt wird, die durch eine Düse gesprüht wird.
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Stand der Technik
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Allgemein wird ein Waferätzprozess durchgeführt, um Beschädigungen zu entfernen, die während der mechanischen Verarbeitung eines Wafers aufgetreten sind.
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In letzter Zeit hat sich der Trend nach einer Vergrößerung des Durchmessers eines Wafers sowie einer Vergrößerung der Integrationsdichte und der Strukturfeinheit eines Halbleiterbauelements in der Halbleiterindustrie abgezeichnet. Es kann sich nicht nur eine Größe einer Batch-Ätzvorrichtung vergrößern, um einen Wafer mit großem Durchmesser zu ätzen, sondern der Verbrauch einer Ätzlösung kann ebenfalls zunehmen. Daher wurde eine Einzelwaferätzvorrichtung, die einen Wafer nach dem anderen verarbeitet, weitgehend verwendet, um einen Wafer mit großem Durchmesser effektiv zu ätzen.
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Typische Einzelwaferätzvorrichtungen sind in den
koreanischen Patentanmeldungen Nr. 2008-0019366 ,
2008-7019037 und
2009-0002214 offenbart, bei denen ein Wafer auf einem Drehteller durch Vakuumsaugen befestigt ist und eine Ätzlösung einer Vorderseite oder einer Rückseite des Wafers aus einer Ätzdüse bereitgestellt werden kann, während sich der Drehteller dreht. Zum jetzigen Zeitpunkt bewegt sich die Ätzdüse durch einen Bewegungsmechanismus und die Ätzlösung, die auf eine Oberfläche des Wafers tropfen gelassen wird, verteilt sich aufgrund der Zentrifugalkraft auf der gesamten Oberfläche des Wafers, während sich der Drehteller dreht.
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Somit wird, was die typischen Einzelwaferätzvorrichtung anbelangt, da die Ätzlösung den gesamten Wafer bedeckt, das Ätzen auf der gesamten Oberfläche des Wafers durchgeführt. Daher kann sich eine große Menge an Gas, das ein Nebenprodukt einer Ätzreaktion ist, nicht nur an der Oberfläche des Wafers anlagern, sondern das Gas kann ebenso verhindern, dass die Oberfläche des Wafers mit einer neuerlich zugeführten Ätzlösung reagiert, und folglich kann sich die Ebenheit des Wafers verschlechtern.
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Unterdessen kann ein Maß des Ätzens, das durch die Ätzreaktion hervorgerufen wird, rasch durch die Temperatur beeinflusst werten. Jedoch bewegt sich, was die typischen Einzelwaferätzvorrichtung anbetrifft, eine Ätzlösung, die in der Mitte eines Wafers bereitgestellt wird, infolge einer Zentrifugalkraft in Richtung einer Umfangsrichtung des Wafers und das Ätzen kann in Richtung der Umfangsrichtung des Wafers gemäß einer Zunahme der Temperatur der Ätzlösung stärker sein, da sich die Reaktion zwischen der Ätzlösung und der Oberfläche des Wafers wiederholt und folglich kann sich die Ebenheit des Wafers verschlechtern.
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Offenbarung der Erfindung
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Technische Aufgabe
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Ausführungsformen stellen eine Einzelwaferätzvorrichtung bereit, die Gas, das ein Nebenprodukt zwischen einer Ätzlösung und einer Oberfläche eines Wafers ist, entfernen kann.
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Ausführungsformen stellen ebenso eine Einzelwaferätzvorrichtung bereit, die die Temperatur einer Reaktion zwischen der Ätzlösung und der Oberfläche des Wafers ungeachtet einer Position auf der Oberfläche des Wafers gleichmäßig aufrechterhalten kann.
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Lösung der Aufgabe
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In einer Ausführungsform umfasst eine Einzelwaferätzvorrichtung: einen Drehteller, der einen darauf fest platzierten Wafer aufweist und einen Durchmesser aufweist, der kleiner ist als der des Wafers; eine Sprühdüse, die eine Ätzlösung auf den fest auf dem Drehteller platzierten Wafer sprüht; einen Antrieb, der den Drehteller dreht; und eine Vibrationseinrichtung, die den Drehteller in Schwingung versetzt, während die Ätzlösung aus der Sprühdüse gesprüht wird.
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Die Einzelwaferätzvorrichtung kann ferner eine Heizvorrichtung umfassen, die jeden Bereich des Drehtellers erwärmt, während die Ätzlösung aus der Sprühdüse gesprüht wird.
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Die Heizvorrichtung kann ein Wärme bereitstellendes Substrat umfassen, das geteilte Bereiche auf dem Drehteller aufweist, mehrere Stromversorgungskabel, die Strom zu jedem Bereich des Wärme bereitstellenden Substrats übertragen, und eine Stromversorgungseinheit, die die Stromversorgungskabel mit Strom versorgen.
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Das Wärme bereitstellende Substrat kann mehrere Wärme bereitstellende Bereiche umfassen, die von einer Mitte des Drehtellers in eine Umfangsrichtung geteilt sind und von der Mitte des Drehtellers in Richtung der Umfangsrichtung bei niedrigeren Temperaturen betrieben werden.
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Die Vibrationseinrichtung kann ein Schwingungserzeuger sein, der in dem Antrieb enthalten ist.
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Die Vibrationseinrichtung kann ein Quarzvibrator sein, der zwischen dem Drehteller und dem Wafer eingefügt ist, oder die Vibrationseinrichtung kann ein Quarzvibrator sein, wobei der Drehteller den Wafer darauf angebracht aufweist.
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In einer anderen Ausführungsform umfasst eine Einzelwaferätzvorrichtung: einen Drehteller, der einen darauf fest platzierten Wafer aufweist; eine Sprühdüse, die eine Ätzlösung auf den fest auf dem Drehteller platzierten Wafer sprüht; einen Antrieb, der den Drehteller dreht; ein Wärme bereitstellendes Substrat, das an dem Drehteller enthalten ist und jeden Bereich des Drehtellers erwärmt; und einen Schwingungserzeuger, der in dem Antrieb enthalten ist und den Drehteller in Schwingung versetzt.
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Das Wärme bereitstellende Substrat kann mehrere Wärme bereitstellende Bereiche umfassen, die von einer Mitte des Drehtellers in eine Umfangsrichtung geteilt sind und von der Mitte des Drehtellers in Richtung der Umfangsrichtung bei niedrigeren Temperaturen betrieben werden.
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Der Schwingungserzeuger kann mit der Sprühdüse und dem Wärme bereitstellenden Substrat gekoppelt sein.
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In einer weiteren anderen Ausführungsform umfasst eine Einzelwaferätzvorrichtung: einen Drehteller, der einen darauf fest platzierten Wafer aufweist und einen Durchmesser aufweist, der kleiner ist als der des Wafers; eine Sprühdüse, die eine Ätzlösung auf den fest auf dem Drehteller platzierten Wafer sprüht; einen Antrieb, der den Drehteller dreht; ein Wärme bereitstellendes Substrat, das an dem Drehteller enthalten ist und jeden Bereich des Drehtellers erwärmt; und einen Vibrator, der in dem Wärme erzeugenden Substrat enthalten ist und den Drehteller in Schwingung versetzt.
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Das Wärme bereitstellende Substrat kann mehrere Wärme bereitstellende Bereiche umfassen, die von einer Mitte des Drehtellers in eine Umfangsrichtung geteilt sind und von der Mitte des Drehtellers in Richtung der Umfangsrichtung bei niedrigeren Temperaturen betrieben werden.
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Der Vibrator kann mit der Sprühdüse und dem Wärme bereitstellenden Substrat gekoppelt sein.
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Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
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Da eine Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung eine Vibrationseinrichtung umfasst, die einen Drehteller mit einem darauf angebrachten Wafer in Schwingung versetzt, kann die Einzelwaferätzvorrichtung nicht nur Gas durch das Vibrieren des Wafers selbst in dem Fall abführen, in dem Gas, das ein Nebenprodukt eine Ätzreaktion ist, erzeugt wird, sondern kann ebenso verhindern, dass sich Gas an der Oberfläche des Wafers anlagert, und kann die Ebenheit erhöhen, indem sie ermöglicht, dass die Reaktion mit der Oberfläche des Wafers selbst in dem Fall gleichmäßig durchgeführt wird, dass die Ätzlösung fortlaufend zugeführt wird.
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Da die Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der Erfindung ebenso eine Heizvorrichtung umfasst, die jeden Bereich des Drehtellers erwärmt, auf dem der Wafer angebracht ist, kann die Einzelwaferätzvorrichtung eine Reaktionstemperatur durch Erwärmen auf höhere Temperaturen von einer Umfangsrichtung in Richtung der Mitte des Wafers selbst in dem Fall gleichmäßig aufrechterhalten, dass sich die Temperatur der Ätzlösung von der Mitte des Wafers in Richtung der Umfangsrichtung aufgrund der Tatsache erhöht, dass das Ätzen durchgeführt wird, während sich die Ätzlösung von der Mitte des Wafers in Richtung der Umfangsrichtung bewegt. Die Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann nicht nur ein Ätzmaß ungeachtet einer Position auf dem Wafer gleichmäßig aufrechterhalten, sondern kann ebenso die Ebenheit erhöhen.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 und 2 veranschaulichen eine erste Ausführungsform einer Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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3 veranschaulicht ein Beispiel einer Heizvorrichtung der Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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4 veranschaulicht das Abführen von Gas während eines Betriebsprozesses der ersten Ausführungsform der Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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5 veranschaulicht eine zweite Ausführungsform der Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung; und
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6 veranschaulicht eine dritte Ausführungsform der Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Art und Weise der Erfindung
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Nachstehend werden die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ausführlich mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die Erfindung kann jedoch in vielen verschiedenen Formen ausgeführt werden und ist nicht auf die hierin dargelegten Ausführungsformen beschränkt auszulegen; vielmehr, dass alternative Ausführungsformen, die in anderen rückgängigen Erfindungen enthalten sind oder innerhalb des Gedankens und des Geltungsbereichs der vorliegenden Offenbarung fallen, leicht durch Hinzufügen, Modifizieren und Ändern hergeleitet werden können.
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Die 1 und 2 veranschaulichen eine erste Ausführungsform einer Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung und 3 veranschaulicht ein Beispiel einer Heizvorrichtung der Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Wie in den 1 und 2 dargestellt ist, kann ein Beispiel der Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung einen Drehteller 110 umfassen, auf dem ein Wafer 1 angebracht ist, einen Antrieb 120, der den Drehteller 110 dreht, eine Sprühvorrichtung 130, die eine Ätzlösung auf eine Oberfläche des auf dem Drehteller 110 angebrachten Wafers 1 sprüht, eine Heizvorrichtung 140, die den Drehteller 110 erwärmt, und einen Vibrator 150, der den Drehteller 110 in Schwingung versetzt.
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Der Drehteller 110 hat die Form einer kreisförmigen Platte, wobei ein Durchmesser des Drehtellers 110 kleiner ist als der des Wafers, um zu ermöglichen, dass die auf den Wafer tropfen gelassene Ätzlösung zusätzlich zur Ermöglichung des Vakuumsaugens des Wafers leicht verteilt wird. Ebenso umfasst der Drehteller 110 einen Rastbereich 111 in einer Mitte einer oberen Fläche hiervon, in welcher der Vibrator 150 angebracht werden kann. Zu diesem Zeitpunkt ist der Drehteller 110 mit einer Vakuum bereitstellenden Einheit 112 verbunden, die eine Vakuumkraft erzeugt, um so den Wafer 1 durch Vakuum zu fixieren, und ein Vakuumpfad 112h ist umfasst, der zwischen der Vakuum bereitstellenden Einheit 112 und der Mitte des Wafers verbunden ist. Der Wafer 1 kann auf dem Drehteller 110 angebracht sein oder kann fest in dem Rastbereich 111 des Drehtellers 110 platziert sein.
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Der Antrieb 120 umfasst eine Drehachse 121, die mit der Mitte einer unteren Fläche des Drehtellers 110 verbunden ist, einen Motor 122, welcher der Drehachse 121 eine Antriebskraft bereitstellt, und eine Riemenscheibe und einen Riemen 123, die die Antriebskraft zwischen der Drehachse 121 und dem Motor 122 übertragen. Zu diesem Zeitpunkt können der Motor 122 und die Drehachse 121 direkt miteinander verbunden sein. Da jedoch eine Heizvorrichtung 140, die nachstehend beschrieben wird, zusätzlich zu dem Vakuumpfad 112h und der Vakuum bereitstellenden Einheit 112 durch die Drehachse 121 umfasst ist, können der Motor 122 und die Drehachse 121 derart verbunden sein, dass die Antriebskraft durch die separate Riemenscheibe und den Riemen 123 übertragen wird.
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Die Sprühvorrichtung 130 kann eine Sprühdüse 131 umfassen, einen Bewegungsmechanismus 132, eine Ätzlösung bereitstellende Einheit 133 und Führungen 134a und 134b.
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Insbesondere ist die Sprühdüse 131 angeordnet, einen vorherbestimmten Abstand von einer oberen Seite der Mitte des Drehtellers 110 zu haben, und ausgelegt, die Ätzlösung auf die Mitte der Oberfläche des Wafers 1 sprühen zu können. Zu diesem Zeitpunkt kann die Sprühdüse 131 durch Umfassen einer separaten Steuereinrichtung gesteuert werden, die einen Sprühwinkel anpasst oder eine Höhe von dem Wafer 1 anpasst oder das Sprühen oder Nichtsprühen der Ätzlösung steuert. Die Sprühdüse 131 kann ausgelegt sein, eine Spüllösung zusätzlich zu der Ätzlösung sprühen zu können und kann in ähnlicher Weise ausgelegt sein, den Sprühwinkel anzupassen, die Höhe von dem Wafer und das Sprühen oder Nichtsprühen der Spüllösung.
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Ebenso kann der Bewegungsmechanismus 132 ausgelegt sein, die in der Ätzlösung bereitstellenden Einheit 133 gespeicherte Ätzlösung zu der Sprühdüse 131 zu sprühen, kann die Sprühdüse 131 steuern, auf der Oberfläche des Wafers 1 beweglich zu sein, und kann durch Umfassen einer separaten Steuereinrichtung gesteuert werden.
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Ebenso kann die Ätzlösung bereitstellende Einheit 133 umfasst sein, um so von dem Drehteller 110 beabstandet zu sein, und ausgelegt sein, die Speicherung anderer Ätzlösungen darin entsprechend der Art des Wafers 1 zu ermöglichen.
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Ebenso sind die mehreren Führungen 134a und 134b um den Drehteller 110 umfasst und können das Verteilen der auf die Oberfläche des Wafers 1 gesprühten Ätzlösung in die Umgebung hiervon infolge der Zentrifugalkraft verhindern, während sich der Wafer 1 auf dem Drehteller 110 dreht.
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Die Heizvorrichtung 140 erwärmt den Wafer 1 unter Verwendung eines Konduktionsverfahrens mit einer hohen Wärmeübertragungseffizienz, kann jeden Bereich des Wafers 1 auf eine unterschiedliche Temperatur erwärmen und kann Wärme bereitstellende Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e, Stromversorgungskabel 142a, 142b, 142c, 142d und 142e und eine Stromversorgungseinheit 143 umfassen.
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Die Wärme bereitstellenden Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e können aus Wärme bereitstellenden Bereichen in Form mehrerer Ringscheiben gebildet sein, die geteilte Bereiche in einer Umfangsrichtung aufweisen. Zu diesem Zeitpunkt können die Wärme bereitstellenden Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e aus Materialien gebildet sein, die unterschiedliche Widerstände aufweisen, um so den Wafer auf höhere Temperaturen von der Umfangsrichtung in Richtung der Mitte selbst in dem Fall zu erwärmen, dass derselbe Strom hieran angelegt wird. Die Wärme bereitstellenden Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e können jeweils mit den Stromversorgungskabeln 142a, 142b, 142c, 142d und 142e für jeden Bereich verbunden sein und können Strom von der Stromversorgungseinheit 143 empfangen. Unterdessen kann in dem Fall, dass die Wärme bereitstellenden Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e aus einem Material gebildet sind, das denselben Widerstand aufweist, der Strom, der den Stromversorgungskabeln 142a, 142b, 142c, 142d und 142e von der Stromversorgungseinheit 143 zugeführt wird, das heißt der Strom, der jedem Bereich der Wärme bereitstellenden Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e zugeführt wird, gesteuert werden, um so eine Temperatur für jeden Bereich der Wärme bereitstellenden Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e zu steuern.
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Der Vibrator 150 hat die Form einer kreisförmigen Platte und ist fest auf dem Drehteller 110 platziert, um so zwischen dem Wafer 1 und den Wärme bereitstellenden Substraten 141a, 141b, 141c, 141d und 141e eingefügt zu sein, und eine separate Stromversorgungseinheit (nicht dargestellt), die Strom bereitstellen kann, kann hiermit verbunden werden. Zu diesem Zeitpunkt wirkt der Vibrator 150 derart, den Wafer 1 in Schwingung zu versetzen, um Gas, das infolge der Reaktion zwischen der Ätzlösung und der Oberfläche des Wafers 1 während eines Ätzvorgangs erzeugt wird, abzuführen. Daher kann der Vibrator 150 betrieben werden, Schwingungen während des Ätzvorgangs zu erzeugen, und kann gesteuert werden zu vibrieren, während die Ätzlösung aus der Sprühdüse 131 gesprüht wird oder die Heizvorrichtung 140 betrieben wird.
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Der Vibrator 150 kann aus verschiedenen Materialien gebildet sein, wie zum Beispiel Quarz und Saphir, und ein Quarzvibrator kann verwendet werden. Der Quarzvibrator 150 wird durch Verbinden von Leitungselektroden auf beiden Seiten eines dünnen Stücks gebildet, das durch Schneiden von Quarz in einer bestimmten Richtung bezüglich der Kristallachse hiervon hergestellt wird und durch Hinzufügung einer Deformationskraft infolge eines elektrostriktiven Effekts entsprechend der Anlegung einer Spannung in Schwingung versetzt wird. Obwohl Änderungen der Temperatur aufgrund der Reaktion zwischen der Ätzlösung und der Oberfläche des Wafers 1 in einer Ätzprozessumgebung auftreten können, kann der Quarzvibrator 150 in der Ätzprozessumgebung verwendet werden, da er bezüglich Änderungen der Temperatur stabil ist.
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Ein Betriebsvorgang eines Beispiels der wie oben aufgebauten Einzelwaferätzvorrichtung wird nachstehend beschrieben.
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Wenn die Vakuum bereitstellende Einheit 112 betrieben wird, wird zuerst ein Vakuumzustand durch den Vakuumpfad 112h aufrechterhalten und der Wafer 1, der sich in Kontakt mit dem Vakuumpfad 112h befindet, wird an den Vibrator 150 angelagert.
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Wenn der Motor 122 betrieben wird, drehen sich danach die Drehachse 121 und der Drehteller 110, da die Antriebskraft durch den Riemen 123 übertragen wird, und somit dreht sich der Wafer 1. Wenn ebenso die Ätzlösung bereitstellende Einheit 133 betrieben wird, wird ein Ätzvorgang durchgeführt, während eine Ätzlösung auf die Oberfläche des Wafers 1 durch die Sprühdüse 131 gesprüht wird. Zu diesem Zeitpunkt wird das Ätzen durchgeführt, während die Ätzlösung mit der Oberfläche des Wafers 1 reagiert, es tritt eine Ätzreaktion auf, während sich die Ätzlösung ebenso von der Mitte in Richtung einer Umfangsrichtung bewegt, während sich der Wafer 1 dreht, und es erhöht sich die Temperatur der Ätzlösung, da die Ätzreaktion weiter voranschreitet.
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In dem Fall, dass die Stromversorgungseinheit 143 während des Ätzvorgangs betrieben wird, kann jeder Bereich der Wärme bereitstellenden Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e auf eine andere Temperatur erwärmt werden und kann von der Umfangsrichtung in Richtung der Mitte auf eine höhere Temperatur erwärmt werden. Daher kann die Ätzlösung eine höhere Temperatur von der Mitte in Richtung der Umfangsrichtung behalten. Da jedoch die Wärme bereitstellenden Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e eine höhere Temperatur von dem Umfang in Richtung der Mitte aufrechterhalten können, kann die Ätzreaktion des gesamten Wafers 1 bei einer gleichmäßigen Temperatur aufgrund der Ätzlösung und der Wärme bereitstellenden Substrate 141a, 141b, 141c, 141d und 141e stattfinden und somit kann eine gleichmäßige Ebenheit über den gesamten Wafer 1 aufrechterhalten werden.
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4 veranschaulicht das Abführen von Gas während eines Betriebsvorgangs der ersten Ausführungsform der Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Während der Ätzvorgang wie oben durchgeführt wird, kann Gas als Nebenprodukt der Ätzreaktion erzeugt werden, das in der Ätzlösung verbleibt oder sich an der Oberfläche des Wafers 1 anlagern kann, wie in 4 dargestellt ist. Wenn zu diesem Zeitpunkt der Vibrator 150 betrieben wird, kann Gas 3, das bei der Ätzreaktion erzeugt wurde, aus einer Ätzlösung 2 entweichen, da sich das Gas aufgrund der Vibration bewegt, oder kann von der Oberfläche des Wafers 1 gelöst werden. Da das auf dem Wafer 1 verbleibende Gas entfernt werden kann, kann die neuerlich bereitgestellte Ätzlösung 2 daher mit der Oberfläche des Wafers 1 reagieren und somit kann die Ebenheit erhöht werden.
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In dem Beispiel der Einzelwaferätzvorrichtung kann der Drehteller 110 umfasst sein, um die Heizvorrichtung 140 in dem Fall anzubringen, dass die Heizvorrichtung 140 umfasst ist, wie in 1 dargestellt ist. Die Heizvorrichtung 140 kann jedoch weggelassen werden. In dem Fall, in dem die Heizvorrichtung 140 weggelassen wird, mag der Drehteller 110 nicht umfasst sein und, wie in 6 dargestellt ist, kann der Wafer 1 nicht nur auf einem Vibrator 210 selbst angebracht sein, sondern der Vibrator 210 kann ausgelegt sein, den Drehteller zum Vakuumsaugen während der Drehung zu ersetzen.
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5 veranschaulicht eine zweite Ausführungsform der Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Wie in 5 dargestellt ist, kann die zweite Ausführungsform der Einzelwaferätzvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ausgelegt sein, einen Drehteller 110 mit einem darauf fest platzierten Wafer zu umfassen, einen Antrieb 120, der den Drehteller 110 dreht, eine Sprühvorrichtung 130, die eine Ätzlösung auf eine Oberfläche des an dem Drehteller 110 angebrachten Wafers 1 sprüht, eine Heizvorrichtung 140, die jeden Bereich des an dem Drehteller 110 angebrachten Wafers 1 direkt erwärmt, und einen Schwingungserzeuger 160, der den Antrieb 120 in Schwingung versetzt. Da zu diesem Zeitpunkt der Drehteller 110, der Antrieb 120, die Sprühvorrichtung 130 und die Heizvorrichtung 140 in derselben Weise ausgelegt sind wie jene der ersten Ausführungsform der Einzelwaferätzvorrichtung, werden ausführliche Beschreibung hiervon ausgelassen.
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Der Schwingungserzeuger 160 kann mit einem unteren Bereich einer Drehachse 121 verbunden sein, um so die Drehachse 121 direkt in Schwingung zu versetzen. Der Schwingungserzeuger 160 kann mit einem Motor 122 oder einem Riemen 123, der der Drehachse 121 eine Antriebskraft bereitstellt, verbunden sein, um so die Drehachse 121 direkt in Schwingung zu versetzen. Zu diesem Zeitpunkt ist der Schwingungserzeuger 160 eine Vorrichtung, die eine Drehkraft in eine Bewegung in eine vertikale Richtung umwandelt, und da der Schwingungserzeuger 160 verschiedenartig aufgebaut sein kann, ist der Aufbau hiervon nicht beschränkt.
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Insbesondere können in dem Fall, dass ein Drehzentrum der Drehachse 121 in einem geneigten Zustand oder in einem geänderten Zustand vibriert, der Sprühwinkel und die Sprühhöhe beeinflusst werden, wenn die Ätzlösung auf die Oberfläche des Wafers 1 gesprüht wird, und somit kann die Qualität des Wafers 1 nicht sichergestellt werden. Um die Ätzqualität des Wafers 1 sicherzustellen, kann der Schwingungserzeuger 160 daher nur in der vertikalen Richtung schwingen, während die Mitte der Drehachse 121 in einem vertikalen Zustand gehalten wird. Zu diesem Zeitpunkt wird der Schwingungserzeuger 160 ebenfalls gesteuert, während des Ätzvorgangs zu schwingen, und kann derart betrieben werden, dass er mit der Sprühdüse 131 oder der Heizvorrichtung 140 gekoppelt ist.
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Da die zweite Ausführungsform der oben aufgebauten Einzelwaferätzvorrichtung in derselben Weise betrieben wird wie jene der ersten Ausführungsform, werden ausführliche Beschreibungen hiervon ausgelassen.
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Gewerbliche Anwendbarkeit
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Da ein Wafer nach dem anderen unter Verwendung einer Ätzlösung geätzt werden kann, kann die vorliegende Ausführungsform gewerblich angewendet werden.
