JP2020035897A - 塗布型有機電界発光素子 - Google Patents
塗布型有機電界発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020035897A JP2020035897A JP2018161272A JP2018161272A JP2020035897A JP 2020035897 A JP2020035897 A JP 2020035897A JP 2018161272 A JP2018161272 A JP 2018161272A JP 2018161272 A JP2018161272 A JP 2018161272A JP 2020035897 A JP2020035897 A JP 2020035897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- organic electroluminescent
- layer
- electroluminescent device
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910001502 inorganic halide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 8
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N dmpu Chemical compound CN1CCCN(C)C1=O GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- -1 3,7-dimethyloctyloxy Chemical group 0.000 description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000489 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene), bis-poly(ethyleneglycol) Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical compound [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N (4-diphenylphosphorylphenyl)-triphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(S)C(F)=C1F UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDZXSLUJYIHQDN-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-9-ethylcarbazole Chemical compound C1=C(C=C)C=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=C1 QDZXSLUJYIHQDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJEJACZBVVTDIH-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(C=C)C=C3NC2=C1 JJEJACZBVVTDIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCXKTQVEKDHQIY-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3-(3,5-dipyridin-3-ylphenyl)phenyl]-5-pyridin-3-ylphenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 WCXKTQVEKDHQIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001946 Poly(2,5-dicyclohexylphenylene-1,4-ethynylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001157 Poly(2-vinylnaphthalene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical group 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- WLZGEDNSZCPRCJ-UHFFFAOYSA-M cesium;octadecanoate Chemical compound [Cs+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O WLZGEDNSZCPRCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000490 poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-block-poly(ethylene glycol) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
[1]第1電極と第2電極とを有し、発光層、及び前記第1電極と第2電極のいずれか一方と同一であっても良い電子注入層を有する有機電界発光素子であって、少なくとも前記発光層、前記電子注入層、及び前記第1電極と第2電極の少なくとも一方が、塗布成膜可能である、有機電界発光素子。
[2]前記電子注入層が、非プロトン性有機溶媒を含有し、アルカリ金属又は第2族元素の単体が溶解した組成物からなる、[1]に記載の有機電界発光素子。
[3]前記電子注入層が、N,N’−ジメチルエチレン尿素、N,N−ジメチルアセトアミド、及び、N,N’−ジメチルプロピレン尿素のいずれかを含有し、金属ナトリウムを溶解した組成物からなる、[1]又は[2]に記載の有機電界発光素子。
[4]第2電極と電子注入層とが混合層として形成されている、[1]から[3]の何れかに記載の有機電界発光素子。
[5]前記発光層の発光材料が、無機ハロゲン化物からなることを特徴とする、[1]から[4]の何れかに記載の有機電界発光素子。
[6]前記発光層と前記電子注入層との間に、その他の層をさらに含む、[1]から[5]の何れかに記載の有機電界発光素子。
[7]前記発光層と陽極との間に、その他の層をさらに含む、[6]に記載の有機電界発光素子。
[8][1]から[7]の何れかに記載の有機電界発光素子を含む、表示装置。
[9][1]から[7]の何れかに記載の有機電界発光素子を含む、照明装置。
本発明の有機電界発光素子は、第1電極と第2電極とを有し、発光層及び前記第1電極と第2電極のいずれか一方と同一であっても良い電子注入層を有する有機電界発光素子であって、少なくとも前記発光層、前記電子注入層及び前記第1電極と第2電極の少なくとも一方が、塗布成膜可能であることを特徴とする。また、各層は、その境界が明瞭である必要はなく、複数の層、例えば第2電極と電子注入層とを混合層として形成することも可能である。
第1電極は、アノード物質又はカソード物質で形成される。例えば、前記第1電極がアノード物質で形成される場合には、金属、金属酸化物、または導電性ポリマーで形成される。導電性ポリマーは、ドーパントを含んでいても良い。第1電極を構成する物質の例としては、炭素、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、モリブデン、銀、イリジウム、金、チタン、パラジウム、その他の金属、およびこれらの合金と、亜鉛酸化物、インジウム酸化物、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、およびその他のこれと類似した金属酸化物、などがある。
第1電極及び第2電極は、上述したように、すべて同じ物質または相違した物質で備えることができる。また、幾何的な位置や製造の順序で区別されない。第1電極及び第2電極は、一方が陰極として機能する場合には、もう一方は陽極として機能する必要がある。
第1電極及び第2電極は、反射率の高い物質を用いた場合には反射層を兼ねることができ、光の取出し方向は、一般に反射層と反対側に設計されるが、陰極側と陽極側のいずれでもよい。透明有機発光ダイオード(透明OLED)を作成する際には、第1電極及び第2電極の両方が少なくとも部分的に透明であることが望ましく、Mg−Ag膜、薄いAg膜などが用いられる。Ag膜の下に、ITOなどがあってもよく、Ag膜を上下からITO膜で挟み込んだ積層膜などであってもよい。
また、第1電極及び第2電極の製造法は特に制限されず、真空蒸着法やスパッタ法などを用いて良く、また各種の塗布法を用いても良いが、少なくとも一方は常圧で製造されることが好ましい。常圧で製造できる方法の例としては各種の塗布法が挙げられ、具体的には、スピンコート法、インクジェット法、静電塗布法、超音波霧化を用いる方法、スリットコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。塗布法を用いる場合には一般的に、原料にはインクが用いられ、インクの例としては、電極材料を微細化した粒子を分散させたインクや、電極材料を溶解したインク、塗布後の反応により電極材料が生成されるように設計されたインクなどが挙げられる。
本発明の有機電界発光素子は、少なくとも塗布により成形可能な発光層及び電子注入層を含む。例えば、次の実施形態を挙げることができる。
(層構成の実施形態1)
第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極の順に成膜され、第1電極は蒸着法で、正孔注入層から第2電極は塗布法で製造される有機電界発光素子。
(層構成の実施形態2)
第1電極/電子注入層/電子輸送層/発光層/正孔輸送層/正孔注入層の順に成膜され、第1電極は蒸着法で、電子注入層から第2電極は塗布法で製造される有機電界発光素子。
(層構成の実施形態3)
第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に成膜され、電子注入層は第2電極を兼ねており、第1電極は蒸着法で、正孔注入層から電子注入層は塗布法で製造される有機電界発光素子。
(層構成の実施形態4)
第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極の順に成膜され、第1電極から第2電極の全てが塗布法で製造される有機電界発光素子。
また、本発明の発光素子は発光層を複数有していてもよく、発光層と別な発光層の間に電荷発生層(Charge Generation Layer、CGL)を有していても良い。発光層を複数有する場合の各々の発光層を構成する発光材料は、同一であっても良いが、異なっていても良く、一部が同一であっても良い。また、一つの発光層が複数の発光材料を含んでいても良い。単一の発光素子から複数の発光色が得られる発光素子を用いる場合には、カラーフィルター等との組み合わせにより、色情報を再現できる表示装置を構成することができる。
本発明の有機電界発光素子は、塗布により形成可能な発光層が含まれる。発光層では、第1電極及び第2電極から注入される電子及び正孔が互いに結合して励起子を形成し、励起子が基底状態に遷移することにより発光が起こる。本発明の一実施形態において、発光層は、リン光物質又は蛍光物質を含む有機物質で形成でき、所定の光を発光することができる。次に発光層材料の例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
(式中、AはCs+、Rb+、K+、Na+,Li+、からなる群から選択される陽イオンであり、BはPb2+、Sn2+、Ge2+からなる群から選択される陽イオンであり、XはCl−、Br−、I−からなる群から選択される陰イオンである。m、n、pはそれぞれ独立に正の整数を示す(mおよびnは正の整数、pは3以上の整数である)。)なお、m、n、pは分数または少数で記すことも可能であるが、整数で表示した形式に読み替えるものとする。また、一般に金属ハロゲン化物の元素組成は組成のばらつきなどにより厳密に整数にならない場合があるが、本発明の金属ハロゲン化物はこれらのばらつきや誤差を許容する。
本発明の有機電界発光素子には、塗布により形成可能な電子注入層が含まれる。電子注入層は、電極から電子を注入する層であり、電子を輸送する能力も有し、陰極からの電子注入効果を有している。また、薄膜形成能に優れた化合物が好ましい。次に電子注入層材料の例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
・アルカリ金属含有化合物
・表面改質中間層
・イオン化合物
・双性イオン電解質
・非イオン性中性ポリマー結合剤
・非イオン性非共役ポリマー
したがって、有機電界発光素子の寿命の観点から、本発明の別の実施形態における電子注入層は、非プロトン性有機溶媒を含有し、アルカリ金属又は第2族元素の単体が溶解した組成物から作製されることが好ましく、非プロトン性溶媒を含有し、金属ナトリウムが溶解した組成物から作製されることがより好ましい。金属ナトリウムを溶解させ得る非プロトン性溶媒の例としては、N,N’−ジメチルエチレン尿素、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N’−ジメチルプロピレン尿素が挙げられる。
ここで、「金属の単体が溶解した」とは、溶媒中に金属イオンではなく、金属単体として存在することを意味し、金属塩が溶媒に溶解した状態は含まれない。また、アルカリ金属又は第2族元素の単体が溶解した組成物は、金属塩が溶解した組成物ではないことから、伝導度が高く、抵抗値が低いので、電子注入層と第2電極を混合して形成することができる。
本発明の一実施形態において、有機電界発光素子は、塗布により形成可能な正孔輸送層を含む。本実施形態における正孔輸送層は、塗布により形成可能であり、第1電極(アノード)から注入された正孔を発光層に円滑に伝達する役目を果たすものであれば特に限定されないが、正孔移動度が大きい物質が好ましい。次に正孔輸送層材料の例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
Nickel(II) 酸化物ナノ粒子
Tin(II) 酸化物ナノ粒子
Silver(I) 酸化物ナノ粒子
Cupper(I) 酸化物ナノ粒子
Chromium(III) 酸化物ナノ粒子
上記の化合物以外にも、例えば特表2013−528232号公報、特開2014−111764号公報に記載される化合物、発光層の発光材料として例示した、無機ハロゲン化物、等を用いることができる。
本発明の一実施形態において、有機電界発光素子は、塗布により形成可能な電子輸送層を含む。電子輸送層の材料としては、陰極から電子の注入を適切に受けて発光層に適切に輸送できるものであれば特に限定されないが、電子移動度が大きい物質が好ましい。次に電子輸送層材料の例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
Tin(IV) 酸化物ナノ粒子
Titanium(IV) 酸化物ナノ粒子
Zinc(II) 酸化物ナノ粒子
Indium(III) 酸化物ナノ粒子
上記の化合物以外にも、例えば特表2013−528232号公報、特開2014−111764号公報に記載される化合物、発光層の発光材料として例示した、無機ハロゲン化物、等を用いることができる。
本発明の一実施形態において、有機電界発光素子は、塗布により形成可能な正孔注入層(Hole Injection Layer、HIL)を含む。正孔注入層とは、電極から正孔を注入する層で、正孔注入物質としては、正孔を輸送する能力を有し、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成された励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。次に正孔注入層材料の例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-block-ポリ(エチレングリコール)溶液
ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホナート)
上記の化合物以外にも、例えば特表2013−528232号公報、特開2014−111764号公報に記載される化合物、発光層の発光材料として例示した、無機ハロゲン化物、等を用いることができる。
本発明の一実施形態における有機電界発光素子の製造方法は、
第1電極を準備する工程、
前記第1電極上に、発光層及び電子注入層を塗布する工程、
前記積層体上に、第2電極の材料を塗布する工程
を含む。
第1電極を準備する工程、
前記第1電極上に、発光層を塗布する工程、
前記積層体上に、電子注入層の材料と第2電極の材料を混合して塗布する工程
を含む。
また、本実施形態における有機電界発光素子の製造方法では、2以上の有機電界発光素子に対して、共通の電極として電子注入層と第2電極との混合層を形成することもできる。
本発明の一実施形態における表示装置を図3に示す。図3に示す実施形態においては、有機電界発光素子は、画素役割を果たしている。なお、図3では対向電極の記載は省略している。本発明の表示装置は、本発明の有機電界発光素子を含む。本実施形態の表示装置において、有機電界発光素子は、画素またはバックライトの役割を果たすことができる。その他、表示装置の構成は、当技術分野において公知のものなどが適用され得る。
本発明の一実施形態における照明装置は、本発明の有機電界発光素子を含む。本実施形態の照明装置において、有機電界発光素子は、発光部の役割を果たす。その他、照明装置に必要な構成は、当技術分野において公知のものなどが適用され得る。
[第1工程]第1電極としてITO付基板を準備し、UVによる洗浄を行った。
[第2工程]第1電極上に、正孔注入層材料(PEDOT:PSS)をスピンコーティング法により塗布した。
[第3工程]正孔注入層上に、発光層材料(Livilux(登録商標)SPG−01T(シグマアルドリッチ社製))をスピンコーティング法により塗布した。
[第4工程]電子注入層材料としてN,N’−ジメチルエチレン尿素を含有し、金属ナトリウム単体が溶解したNa溶液(神鋼環境ソリューション社)と、第2電極材料としてAgペースト(ドータイト、藤倉化成社製)とを混合(1:1体積%)し、スピンコーティング法により第2電極を兼ねる電子注入層を形成した。
〔測定〕
得られた有機電界発光素子に一定の電圧を印加し、流れる電流を測定した。結果を図2に示す。
第1工程から第3工程までを実施例と同様に行い、第4工程として、Agペーストをスピンコーティング法により塗布し、電極を形成した。実施例と同様に、得られた有機電界発光素子に一定の電圧を印加し、流れる電流を測定した。結果を図2に示す。
Claims (9)
- 第1電極と第2電極とを有し、発光層、及び前記第1電極と第2電極のいずれか一方と同一であっても良い電子注入層を有する有機電界発光素子であって、少なくとも前記発光層、前記電子注入層、及び前記第1電極と第2電極の少なくとも一方が、塗布成膜可能である、有機電界発光素子。
- 前記電子注入層が、非プロトン性有機溶媒を含有し、アルカリ金属又は第2族元素の単体が溶解した組成物からなる、請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記電子注入層が、N,N’−ジメチルエチレン尿素、N,N−ジメチルアセトアミド、及び、N,N’−ジメチルプロピレン尿素のいずれかを含有し、金属ナトリウムを溶解した組成物からなる、請求項1又は2に記載の有機電界発光素子。
- 第2電極と電子注入層とが混合層として形成されている、請求項1から3の何れか一項に記載の有機電界発光素子。
- 前記発光層の発光材料が、無機ハロゲン化物からなることを特徴とする、請求項1から4の何れか一項に記載の有機電界発光素子。
- 前記発光層と前記電子注入層との間に、その他の層をさらに含む、請求項1から5の何れか一項に記載の有機電界発光素子。
- 前記発光層と陽極との間に、その他の層をさらに含む、請求項6に記載の有機電界発光素子。
- 請求項1から7の何れか一項に記載の有機電界発光素子を含む、表示装置。
- 請求項1から7の何れか一項に記載の有機電界発光素子を含む、照明装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018161272A JP7169126B2 (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 塗布型有機電界発光素子 |
KR1020190101182A KR102209498B1 (ko) | 2018-08-30 | 2019-08-19 | 도포형 유기 전계 발광 소자와, 이를 포함하는 표시장치 및 조명장치 |
US16/554,954 US10950827B2 (en) | 2018-08-30 | 2019-08-29 | Coating-type organic electroluminescent device, and a display device and lighting device including the same |
CN201910815161.9A CN110875435B (zh) | 2018-08-30 | 2019-08-30 | 涂覆型有机电致发光装置、包括其的显示装置和照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018161272A JP7169126B2 (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 塗布型有機電界発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020035897A true JP2020035897A (ja) | 2020-03-05 |
JP7169126B2 JP7169126B2 (ja) | 2022-11-10 |
Family
ID=69641654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018161272A Active JP7169126B2 (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 塗布型有機電界発光素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10950827B2 (ja) |
JP (1) | JP7169126B2 (ja) |
KR (1) | KR102209498B1 (ja) |
CN (1) | CN110875435B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022528267A (ja) * | 2019-03-25 | 2022-06-09 | シノヴィア テクノロジーズ | 非平衡熱硬化プロセス |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006016363A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 1,8−ナフチリジン誘導体、その製法およびそれを含有する有機電界発光素子 |
JP2006241053A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 1,10−フェナントロリン誘導体、その製法およびそれを含有する有機電界発光素子 |
JP2007084458A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 1,8−ナフチリジン誘導体および該誘導体を含有する有機電界発光素子 |
WO2010044342A1 (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2018073591A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 住友化学株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101330132A (zh) * | 2001-08-20 | 2008-12-24 | Tdk株式会社 | 有机el元件及其制造方法 |
US6703180B1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-03-09 | Eastman Kodak Company | Forming an improved stability emissive layer from a donor element in an OLED device |
JP2006279007A (ja) | 2005-03-02 | 2006-10-12 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
US7932112B2 (en) * | 2008-04-14 | 2011-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
CN102197507A (zh) * | 2008-10-28 | 2011-09-21 | 密执安州立大学董事会 | 具有单独的红色、绿色和蓝色子元件的堆叠式白色oled |
US8844766B2 (en) * | 2009-07-14 | 2014-09-30 | Sterilogy, Llc | Dispenser assembly for dispensing disinfectant fluid and data collection and monitoring system for monitoring and reporting dispensing events |
GB2484253B (en) | 2010-05-14 | 2013-09-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emitting composition and device |
WO2012085988A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
US9267003B2 (en) * | 2012-01-30 | 2016-02-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Polymer compound, composition, and light-emitting device using the same |
JP6134566B2 (ja) | 2013-04-15 | 2017-05-24 | 住友化学株式会社 | 金属錯体及び該金属錯体を含む発光素子 |
JP2014111764A (ja) | 2013-11-26 | 2014-06-19 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | ポリカーボネート系樹脂組成物ペレットの製造方法 |
KR102323281B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2021-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102381626B1 (ko) * | 2014-12-17 | 2022-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN105552185B (zh) * | 2016-02-01 | 2018-11-13 | 南京理工大学 | 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法 |
-
2018
- 2018-08-30 JP JP2018161272A patent/JP7169126B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-19 KR KR1020190101182A patent/KR102209498B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-29 US US16/554,954 patent/US10950827B2/en active Active
- 2019-08-30 CN CN201910815161.9A patent/CN110875435B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006016363A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 1,8−ナフチリジン誘導体、その製法およびそれを含有する有機電界発光素子 |
JP2006241053A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 1,10−フェナントロリン誘導体、その製法およびそれを含有する有機電界発光素子 |
JP2007084458A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 1,8−ナフチリジン誘導体および該誘導体を含有する有機電界発光素子 |
WO2010044342A1 (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2018073591A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 住友化学株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102209498B1 (ko) | 2021-01-28 |
JP7169126B2 (ja) | 2022-11-10 |
US10950827B2 (en) | 2021-03-16 |
KR20200026057A (ko) | 2020-03-10 |
CN110875435A (zh) | 2020-03-10 |
CN110875435B (zh) | 2022-05-27 |
US20200075901A1 (en) | 2020-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101173105B1 (ko) | 유기발광소자 | |
JP6052825B2 (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
JP2011522391A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US20120007071A1 (en) | Organic light-emitting device, and method for manufacturing same | |
KR20130074815A (ko) | 전 용액 공정이 가능한 유기발광소자 | |
CN104167496B (zh) | 倒置式顶发射器件及其制备方法 | |
US8962382B2 (en) | Fabrication method for organic light emitting device and organic light emitting device fabricated by the same method | |
EP2047538B1 (en) | Stacked electro-optically active organic diode with inorganic semiconductor connection layer | |
EP2284921A2 (en) | Organic electroluminescence element | |
JP2012113976A (ja) | 有機el素子 | |
JP2006196861A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2010056211A (ja) | 有機el装置およびその製造方法 | |
JP6883437B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
CN102456844A (zh) | 有机发光二极管及其制造方法 | |
JP7169126B2 (ja) | 塗布型有機電界発光素子 | |
JP6770900B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2008506241A (ja) | 有機薄膜デバイスの有機膜に対する電荷の注入を改善する方法 | |
JP6908272B2 (ja) | イオン性化合物キャリア注入材料を用いた有機el素子 | |
JP6770899B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP6803727B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR102378416B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
JP5260905B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
CN116981277A (zh) | 复合材料、薄膜、发光器件及其制备方法 | |
KR20100068939A (ko) | 유기전계발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7169126 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |