KR20100068939A - 유기전계발광소자 - Google Patents

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KR20100068939A
KR20100068939A KR1020080127459A KR20080127459A KR20100068939A KR 20100068939 A KR20100068939 A KR 20100068939A KR 1020080127459 A KR1020080127459 A KR 1020080127459A KR 20080127459 A KR20080127459 A KR 20080127459A KR 20100068939 A KR20100068939 A KR 20100068939A
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Abstract

본 발명은 기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 음극을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 양극과 상기 정공주입층 사이에 위치하며, 금속 퀴놀레이트를 포함하는 버퍼층을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.
유기전계발광소자

Description

유기전계발광소자{Organic Light Emitting Diode Device}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 양극과 정공주입층 사이에 버퍼층을 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
특히, 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
유기전계발광소자는 양극과 음극 사이에 발광층을 포함하고 있어 양극으로부터 공급받는 정공과 음극으로부터 받은 전자가 발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 다시 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.
일반적으로, 유기전계발광소자는 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층 등의 유기 기능층들을 구비하여 전자와 정공의 결합효율을 향상시키고 있다.
그러나, 상기와 같은 유기전계발광소자는 사용되는 재료나 적층구조 등에 따라 소자의 수명 및 효율에 큰 영향을 미친다. 따라서, 보다 우수한 수명 및 효율을 갖는 유기전계발광소자를 개발하기 위한 연구가 계속 진행 중에 있다.
본 발명은 양극과 정공주입층 사이에 버퍼층을 구비하여, 보다 우수한 수명 특성을 갖는 유기전계발광소자를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 음극을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 양극과 상기 정공주입층 사이에 위치하며, 금속 퀴놀레이트를 포함하는 버퍼층을 포함할 수 있다.
상기 금속은 Li, Mg 및 Zn으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 금속 퀴놀레이트는 Liq[8-Quinolinolato Lithium], Mgq2[Bis(8-Quinolinolato)Magnesium] 및 Znq2[Bis(8-Quinolinolato)Zinc]로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 버퍼층의 두께는 0.5 내지 2nm일 수 있다.
상기 버퍼층은 정공수송물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속 퀴놀레이트와 상기 정공수송물질의 혼합비는 1:1~10일 수 있다.
상기 버퍼층의 두께는 1 내지 5nm일 수 있다.
상기 버퍼층 상에 보조 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 보조 버퍼층은 금속 퀴놀레이트 및 정공수송물질을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층과 상기 보조 버퍼층의 두께비는 1:1~10일 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 버퍼층에 의해 양극과 정공주입층 사이의 계면을 안정화시켜, 유기전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예들을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자(100)는 기판(110), 양극(120), 버퍼층(131), 정공주입층(133), 정공수송층(134), 발광층(135), 전자수송층(136), 전자주입층(137) 및 음극(140)을 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 유리, 플라스틱 또는 금속으로 이루어질 수 있으며, 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 양극(120)은 투명한 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 양극(120)이 투명한 전극인 경우에 양극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또 는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 양극(120)이 반사 전극일 경우에 양극(120)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 상기 반사층을 포함할 수 있다.
양극(120)은 스퍼터링법(Sputtering), 증발법(Evaporation), 기상증착법(Vapor Phase Deposition) 또는 전자빔증착법(Electron Beam Deposition)을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(131)은 금속 퀴놀레이트를 포함하는 것으로, 양극(120)과 정공주입층(133) 즉, 무기물과 유기물 사이의 계면의 열화를 방지하는 역할을 할 수 있다.
버퍼층(131)은 금속 퀴놀레이트(Quinolato)를 포함할 수 있다. 여기서, 금속은 리튬(Li), 마그네슘(Mg) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
보다 자세하게는 상기 금속 퀴놀레이트는 Liq[8-Quinolinolato Lithium], Mgq2[Bis(8-Quinolinolato)Magnesium] 및 Znq2[Bis(8-Quinolinolato)Zinc]로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있으며, 다음과 같은 화학식으로 표시될 수 있다.
Figure 112008086189857-PAT00001
(Liq)
Figure 112008086189857-PAT00002
(Mgq2)
Figure 112008086189857-PAT00003
(Znq2)
여기서, 버퍼층(131)은 0.5 내지 2nm의 두께로 이루어질 수 있다. 여기서, 버퍼층(131)의 두께가 0.5nm 이상이면, 양극(120)과 정공주입층(133) 사이의 계면 접착성을 향상시킬 수 있는 이점이 있고, 버퍼층(131)의 두께가 2nm 이하이면, 버퍼층(131)의 두께가 두꺼워 정공의 이동성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
한편, 버퍼층(131)은 정공의 이동성을 향상시키기 위해 정공수송물질을 더 포함할 수 있다. 보다 자세하게는 버퍼층(131)은 금속 퀴놀레이트 및 정공수송물질이 혼합될 수 있다.
여기서, 정공수송물질은 정공을 수송하는 특성을 가진 물질일 수 있으며, 정공수송층(134)의 재료들로 이루어질 수 있다. 정공수송물질은 예를 들어, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
버퍼층(131)은 금속 퀴놀레이트와 정공수송물질을 동시에 증착하는 공증착(co-deposition)으로 형성할 수 있다. 이때, 금속 퀴놀레이트와 정공수송물질의 혼합비는 1:1~10일 수 있다. 여기서, 금속 퀴놀레이트와 정공수송물질의 혼합비가 1:1~10이면, 버퍼층(131) 내에 정공수송물질이 존재하여 정공의 이동성을 향상시킬 수 있는 이점이 있고 반면, 정공수송물질의 비율이 높아져 오히려 정공주입층(133)으로의 정공의 이동성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이때, 금속 퀴놀레이트와 정공수송물질을 포함하는 버퍼층(131)의 두께는 1 내지 5nm일 수 있다. 여기서, 버퍼층(131)의 두께가 1nm 이상이면, 양극(120)과 정 공주입층(133) 사이의 계면 접착성을 향상시킬 수 있는 이점이 있고, 버퍼층(131)의 두께가 5nm 이하이면, 버퍼층(131)의 두께가 두꺼워 정공의 이동성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
이는, 버퍼층(131)이 금속 퀴놀레이트로만 이루질 때보다 정공주입물질을 포함하게 되면, 정공의 이동성이 더 향상되기 때문에 두께의 마진이 넓어질 수 있기 때문이다.
상기와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에서는 금속 퀴놀레이트 또는 금속 퀴놀레이트와 정공수송물질을 포함하는 단일층의 버퍼층(131)을 구비함으로써, 양극(120)과 정공주입층(133) 사이의 계면 특성을 향상시켜 유기전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
상기 정공주입층(133)은 양극(120)으로부터 발광층(135)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
정공주입층(133)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 정공주입층(133)의 두께는 1 내지 150nm일 수 있다.
상기 정공수송층(134)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl- N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
정공수송층(134)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 정공수송층(134)의 두께는 5 내지 150nm일 수 있다.
상기 발광층(135)은 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.
발광층(135)이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(135)이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(135)이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층(136)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자수송층(136)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 전자수송층(136)의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다.
또한, 전자수송층(136)은 양극으로부터 주입된 정공이 발광층을 통과하여 음극으로 이동하는 것을 방지하는 역할도 할 수 있다. 즉, 정공저지층의 역할을 하여 발광층에서 정공과 전자의 결합을 효율적이게 하는 역할을 하게 된다.
상기 전자주입층(137)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자주입층(137)은 무기물을 더 포함할 수 있으며, 무기물은 금속화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자주입층(137)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 전자주입층(137)의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다.
상기 음극(140)은 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 음극(140)은 유기전계발광소자가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광소자가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 양극과 정공주입층 사이에 금속 퀴놀레이트를 포함하는 버퍼층을 형성함으로써, 양극과 정공주입층 사이의 계면 특성을 향상시켜 유기전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자(200)는 기판(210), 양극(220), 버퍼층(231), 보조 버퍼층(232), 정공주입층(233), 정공수 송층(234), 발광층(235), 전자수송층(236), 전자주입층(237) 및 음극(240)을 포함할 수 있다.
본 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자(200)에 대한 설명에서는 전술한 제 1 실시 예와 동일한 구성에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.
본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자(200)는 전술한 제 1 실시 예와는 달리, 버퍼층(231) 상에 보조 버퍼층(232)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 버퍼층(231)은 금속 퀴놀레이트로 이루어질 수 있으며, 상기 보조 버퍼층(232)은 금속 퀴놀레이트 및 정공수송물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(231)은 전술한 제 1 실시 예와 동일할 수 있으며, 보다 자세하게는 버퍼층(231)은 금속 퀴놀레이트(Quinolato)를 포함할 수 있다. 여기서, 금속은 리튬(Li), 마그네슘(Mg) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 그리고, 상기 금속 퀴놀레이트는 Liq[8-Quinolinolato Lithium], Mgq2[Bis(8-Quinolinolato)Magnesium] 및 Znq2[Bis(8-Quinolinolato)Zinc]로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
여기서, 버퍼층(231)은 0.5 내지 2nm의 두께로 이루어질 수 있다. 여기서, 버퍼층(231)의 두께가 0.5nm 이상이면, 양극(220)과 정공주입층(233) 사이의 계면 접착성을 향상시킬 수 있는 이점이 있고, 버퍼층(231)의 두께가 2nm 이하이면, 버퍼층(231)의 두께가 두꺼워 정공의 이동성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기 버퍼층(231)은 전술한 실시 예와 같이, 양극(220)과 정공주입층(233) 사이의 계면 특성을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
상기 보조 버퍼층(231)은 버퍼층(231)에 의해 저하될 수 있는 정공의 이동성을 향상시키는 역할을 하는 것으로, 금속 퀴놀레이트 및 정공수송물질을 포함할 수 있다.
여기서, 금속 퀴놀레이트는 상기 버퍼층(231)과 동일한 물질을 사용할 수 있고, 정공수송물질은 정공을 수송하는 특성을 가진 물질일 수 있으며, 정공수송층(134)의 재료들로 이루어질 수 있다. 정공수송물질은 예를 들어, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
보조 버퍼층(232)은 금속 퀴놀레이트와 정공수송물질을 동시에 증착하는 공증착(co-deposition)으로 형성할 수 있다. 이때, 금속 퀴놀레이트와 정공수송물질의 혼합비는 1:1~10일 수 있다. 여기서, 금속 퀴놀레이트와 정공수송물질의 혼합비가 1:1~10이면, 보조 버퍼층(232) 내에 정공수송물질이 존재하여 정공의 이동성을 향상시킬 수 있는 이점이 있고 반면, 보조 버퍼층(232) 내의 정공수송물질의 비율이 높아져 오히려 정공주입층(233)으로의 정공의 이동성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이때, 금속 퀴놀레이트와 정공수송물질을 포함하는 보조 버퍼층(232)의 두께는 1 내지 5nm일 수 있다. 여기서, 보조 버퍼층(232)의 두께가 1nm 이상이면, 양 극(220)과 정공주입층(233) 사이의 계면 접착성을 향상시킬 수 있는 이점이 있고, 버퍼층(131)의 두께가 5nm 이하이면, 보조 버퍼층(232)의 두께가 두꺼워 정공의 이동성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
이는, 보조 버퍼층(232)이 금속 퀴놀레이트로만 이루질 때보다 정공주입물질을 포함하게 되면, 정공의 이동성이 더 향상되기 때문에 두께의 마진이 넓어질 수 있기 때문이다.
한편, 버퍼층(231)과 보조 버퍼층(232)의 두께비는 1:1~10일 수 있다. 여기서, 버퍼층(231)과 보조 버퍼층(232)의 두께비가 1:1~10이면, 양극(220)과 정공주입층(233) 사이의 계면 접착성을 향상시키고 양극(220)으로부터 정공주입층(233)으로 주입되는 정공의 이동성을 향상시킬 수 있고, 보조 버퍼층(232)의 두께가 너무 두꺼워 오히려 정공의 이동성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기와 같이, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 금속 퀴놀레이트로 이루어진 버퍼층을 형성하고, 버퍼층 상에 금속 퀴놀레이트 및 정공수송물질로 이루어진 보조 버퍼층을 더 형성함으로써, 양극과 정공주입층 사이의 계면 특성을 향상시키고, 버퍼층으로 인해 저하될 수 있는 정공의 이동성을 보조 버퍼층에서 유지시켜줄 수 있는 이점이 있다.
따라서, 수명 특성이 우수한 유기전계발광소자를 제공할 수 있는 이점이 있다.
이하, 본 발명의 버퍼층을 포함하는 유기전계발광소자에 관하여 하기 실시예 에서 상술하기로 한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예
유리 기판 상에 발광 면적이 3mm×3mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판 상에 양극인 ITO를 500Å의 두께로 성막하고, 버퍼층으로 Liq를 0.5nm의 두께로 형성하고, 정공주입층인 CuPc를 1000Å의 두께로 성막하고, 정공수송층인 NPD를 1000Å의 두께로 성막하고, 청색 발광층으로 호스트인 CBP와 도펀트인 (4,6-F2ppy)2Irpic을(도펀트의 도핑 농도 2 중량부) 300Å의 두께로 성막하였다. 그 다음 전자수송층인 spiro-PBD를 200Å의 두께로 성막하고, 전자주입층인 LiF를 10Å의 두께로 성막하고, 음극인 Al을 1000Å의 두께로 성막하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
비교예
버퍼층을 제외하고 전술한 실시예와 동일한 공정 조건 하에 유기전계발광소자를 제작하였다.
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 구동전압, 전류효율, 색좌표 및 수명을 측정하여 하기 표 1에 나타내었고, 전류효율, 구동전압 및 수명을 측정한 그래프를 각각 도 3a 내지 3c에 나타내었다. (여기서, 수명은 발광시점의 휘도를 100%로 보고 시간이 지남에 따라 휘도가 95% 수준에 도달하였을 때의 시간(hour)을 측정하였다.)

 구동전압(V)
 전류효율(cd/A)
 색좌표 수명(h)
CIE_x CIE_y
비교예 5.1 6.1 0.133 0.200 11
실시예 5.1 6.0 0.133 0.198 13.5
표 1 및 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 유기전계발광소자는 비교예와 동등한 구동전압, 전류효율 및 색좌표를 나타내는 것을 알 수 있다.
반면, 휘도가 95% 수준에 이를 때의 발광 시간을 측정한 결과를 보면, 실시예에 따라 제조된 유기전계발광소자가 2.5 시간이나 늘어난 것을 알 수 있으며, 그 이후 추세도 비교예보다 우수한 것을 알 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예들에 따른 유기전계발광소자는 양극과 정공주입층 사이에 버퍼층을 포함함으로써, 양극과 정공주입층 사이의 계면 특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
따라서, 수명 특성이 향상되고 이에 따라 신뢰성이 우수한 유기전계발광소자를 제공할 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 전류효율, 구동전압 및 수명을 각각 측정한 그래프.

Claims (10)

  1. 기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 음극을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서,
    상기 양극과 상기 정공주입층 사이에 위치하며, 금속 퀴놀레이트를 포함하는 버퍼층을 포함하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속은 Li, Mg 및 Zn으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 유기전계발광소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 퀴놀레이트는 Liq[8-Quinolinolato Lithium], Mgq2[Bis(8-Quinolinolato)Magnesium] 및 Znq2[Bis(8-Quinolinolato)Zinc]로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 유기전계발광소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층의 두께는 0.5 내지 2nm인 유기전계발광소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층은 정공수송물질을 더 포함하는 유기전계발광소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 금속 퀴놀레이트와 상기 정공수송물질의 혼합비는 1:1~10인 유기전계발광소자.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 버퍼층의 두께는 1 내지 5nm인 유기전계발광소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층 상에 보조 버퍼층을 더 포함하는 유기전계발광소자.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 보조 버퍼층은 금속 퀴놀레이트 및 정공수송물질을 포함하는 유기전계발광소자.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 버퍼층과 상기 보조 버퍼층의 두께비는 1:1~10인 유기전계발광소자.
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