KR20110056715A - 유기전계발광소자 - Google Patents

유기전계발광소자 Download PDF

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KR20110056715A
KR20110056715A KR1020090113158A KR20090113158A KR20110056715A KR 20110056715 A KR20110056715 A KR 20110056715A KR 1020090113158 A KR1020090113158 A KR 1020090113158A KR 20090113158 A KR20090113158 A KR 20090113158A KR 20110056715 A KR20110056715 A KR 20110056715A
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허정행
정승룡
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치하는 양극, 상기 양극 상에 위치하는 유기막층 및 상기 유기막층 상에 위치하는 음극을 포함하며, 상기 유기막층은 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 제 1 전자수송층 및 상기 제 1 전자수송층 상에 위치하는 제 2 전자수송층을 포함하고, 상기 제 1 전자수송층의 전하이동도는 상기 제 2 전자수송층의 전하이동도보다 낮은 유기전계발광소자에 관한 것이다.
유기전계발광소자

Description

유기전계발광소자{Organic Light Emitting Diode Device}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
특히, 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
유기전계발광소자는 양극과 음극 사이에 발광층을 포함하고 있어 양극으로부 터 공급받는 정공과 음극으로부터 받은 전자가 발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 다시 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.
그러나, 상기와 같은 유기전계발광소자는 사용되는 재료나 적층구조 등에 따라 소자의 수명 및 효율에 큰 영향을 미친다. 따라서, 보다 우수한 수명 및 효율을 갖는 유기전계발광소자를 개발하기 위한 연구가 계속 진행 중에 있다.
본 발명은 전자의 이동도를 조절하여 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 양극, 상기 양극 상에 위치하는 유기막층 및 상기 유기막층 상에 위치하는 음극을 포함하며, 상기 유기막층은 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 제 1 전자수송층 및 상기 제 1 전자수송층 상에 위치하는 제 2 전자수송층을 포함하고, 상기 제 1 전자수송층의 전하이동도는 상기 제 2 전자수송층의 전하이동도보다 낮을 수 있다.
상기 제 1 전자수송층의 LUMO 레벨은 상기 제 2 전자수송층의 LUMO 레벨보다 낮을 수 있다.
상기 제 1 전자수송층의 HOMO 레벨은 상기 발광층의 HOMO 레벨보다 높을 수 있다.
상기 제 2 전자수송층의 두께는 50 내지 200Å일 수 있다.
상기 제 1 전자수송층의 두께는 상기 제 2 전자수송층의 두께 대비 50 내지 100%일 수 있다.
상기 양극과 상기 발광층 사이에 정공주입층 또는 정공수송층 중 적어도 어 느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 제 2 전자수송층과 상기 음극 사이에 전자주입층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 제 1 전자수송층을 형성하여 전자의 이동도를 조절함으로써, 발광층의 발광영역을 발광층의 중심부로 이동시킬 수 있다. 따라서, 유기전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 액티브 매트릭스 구조 또는 패시브 매트릭스 구조일 수 있으나, 본 실시 예에서는 액티브 매트릭스 구조로 이루어진 유기전계발광소자를 예로 설명한다.
보다 자세하게는, 유리, 플라스틱 또는 금속으로 이루어진 기판(100) 상에 버퍼층(105)이 위치한다. 버퍼층(105)은 기판(100)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하기 위해 형성하는 것으로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어질 수 있다.
버퍼층(105) 상에 반도체층(110)이 위치한다. 반도체층(110)은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 반도체층(110) 상에 반도체층(110)을 덮는 게이트 절연막(115)이 위치한다. 게이트 절연막(115)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(115) 상에 반도체층(110)의 일정 영역과 대응되는 게이트 전극(120)이 위치한다. 게이트 전극(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금일 수 있다. 게이트 전극(120) 상에 게이트 전극(120)을 덮는 층간 절연막(125)이 위치한다. 층간 절연막(125)은 게이트 절연막(115)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며 예를 들어, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다.
층간 절연막(125) 상에 소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)이 위치한다. 여기서, 소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)은 게이트 절연막(115) 및 층간 절연막(125)을 관통하는 콘택홀(130a, 130b)을 통해 반도체층(110)에 연결될 수 있다. 그리고, 소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 등으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 반도체층 상부에 게이트 전극이 위치하는 탑(Top) 게이트형 박막 트랜지스터(TFT)를 개시하였지만, 이와는 달리 게이트 전극이 반도체층 하부에 위치하는 바텀(Bottom) 게이트형 박막 트랜지스터(TFT)일 수도 있다.
소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b) 상에 패시베이션막(140)이 위치한다. 패시베이션막(140)은 실리콘산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있다.
패시베이션막(140) 상에 양극(150)이 위치한다. 양극(150)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전막으로 이루어질 수 있다. 특히, 전면발광일 경우에는 양극(150)에 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금으로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있다.
양극(150) 상에 인접하는 양극들을 절연시키기 위하여 뱅크층(155)이 위치한다. 뱅크층(155)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 뱅크층(155)에는 양극(150)을 노출시키는 개구부(157)가 위치할 수 있다.
그리고, 뱅크층(155)을 포함하는 기판(100) 상에 유기막층(160)이 위치할 수 있다. 유기막층(160) 상에 음극(170)이 위치한다. 음극(170)은 일함수가 낮은 금속들로 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등을 사용할 수 있으며, 전면발광일 때에는 빛이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께로 이루어질 수 있고, 배면발광일 때에는 빛을 양극(150) 방향으로 반사시킬 수 있도록 충분한 두께로 이루어질 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 양극, 유기막층 및 음극을 나타낸 도면이고, 도 3은 유기전계발광소자의 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다. 이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 자세히 살펴보면 다음과 같다.
도 2를 참조하면, 양극(150)은 전술한 바와 같이, 일함수가 높은 ITO와 같은 물질로 이루어질 수 있다.
양극(150) 상에 위치한 유기막층(160)은 발광층(165), 제 1 전자수송층(166) 및 제 2 전자수송층(167)을 포함할 수 있다.
발광층(165)은 적색, 녹색 및 청색 발광층으로 나뉠수 있다. 발광층(165)이 적색인 경우에는, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(165)이 녹색인 경우에는, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(165)이 청색인 경우에는, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제 2 전자수송층(167)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, HOMO 레벨이 5.95이고 LUMO 레벨이 2.5인 TRE314(상품명, 제조사:Toray사) 또는 HOMO 레벨이 5.9이고 LUMO 레벨이 2.6인 ET143(상품명, 제조사:Hodogaya사)를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제 2 전자수송층(167)과 발광층(165) 사이에 제 1 전자수송층(166)이 위치할 수 있다. 제 1 전자수송층(166)은 음극(170)으로부터 주입되는 전자의 주입속도를 늦추는 역할을 할 수 있다. 이를 위해, 제 1 전자수송층(166)의 전하이동도(mobility)는 제 2 전자수송층(167)의 전하이동도보다 낮을 수 있다. 따라서, 제 2 전자수송층(167)을 통해 주입되는 전자는 제 1 전자수송층(166)의 전하이동도가 낮기 때문에 주입속도가 늦춰질 수 있다.
또한, 도 3을 참조하면, 제 1 전자수송층(166)은 발광층(165)의 HOMO 레벨보 다 높은 HOMO 레벨을 가질 수 있다. 즉, 제 1 전자수송층(166)이 발광층(165)의 HOMO 레벨보다 높은 HOMO 레벨을 가짐으로써, 양극(150)으로부터 주입되는 정공이 발광층(165)을 통해 제 1 전자수송층(166)으로 주입될 수 있다.
그리고, 제 1 전자수송층(166)은 제 2 전자수송층(167)의 LUMO 레벨보다 낮은 LUMO 레벨을 가질 수 있다. 따라서, 음극(170)으로부터 주입되는 전자가 제 2 전자수송층(167)을 통해 제 1 전자수송층(166)으로 주입되기 용이할 수 있다. 그리고, 제 1 전자수송층(166)의 LUMO 레벨이 제 2 전자수송층(167)의 LUMO 레벨보다 낮음으로써 전자의 주입을 블록(block)하지 않을 수 있다.
이러한 제 1 전자수송층(166)은 HOMO 레벨이 5.6이고 LUMO 레벨이 2.7인 ET212(상품명, 제조사:LGC사), HOMO 레벨이 5.9이고 LUMO 레벨이 3.0인 TTP-119(상품명, 제조사:Tosoh사), HOMO 레벨이 5.9이고 LUMO 레벨이 2.8인 LG201(상품명, 제조사:LGC사), HOMO 레벨이 5.85이고 LUMO 레벨이 2.9인 ET194(상품명, 제조사:LGC사) 및 HOMO 레벨이 5.78이고 LUMO 레벨이 2.85인 ET238(상품명, 제조사:LGC사)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.
상기와 같이, 제 1 전자수송층(166)의 전하이동도가 제 2 전자수송층(167)의 전하이동도보다 낮게 형성됨으로써, 발광층(165) 내의 발광영역을 발광층(165)의 중심부로 이동시킬 수 있어 유기전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있다. 따라서, 종래 발광층(165) 내의 발광영역이 양극(150)쪽으로 치우쳐져 유기전계발광소자의 수명이 저하되는 문제점을 방지할 수 있다.
한편, 제 2 전자수송층(167)의 두께는 50 내지 200Å로 이루어질 수 있으며, 제 1 전자수송층(166)의 두께는 제 2 전자수송층(167)의 두께 대비 50 내지 100%로 이루어질 수 있다. 여기서, 제 1 전자수송층(166)의 두께가 제 2 전자수송층(167)의 두께 대비 50% 이상이면, 전자의 이동도를 낮춰 발광영역을 발광층(165)의 중심부로 이동시킴으로써 수명을 향상시킬 수 있는 이점이 있고, 제 1 전자수송층(166)의 두께가 제 2 전자수송층(167)의 두께 대비 100% 이하이면, 전자의 이동도가 너무 낮아 유기전계발광소자의 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
이러한, 제 2 전자수송층(167) 상에 음극(170)이 위치할 수 있으며, 전술하였듯이 음극(170)은 일함수가 낮은 금속들로 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등으로 이루어질 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다. 하기에서는 전술한 제 1 실시 예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 붙여 그 설명을 생략한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 양극(150), 양극(150) 상에 위치하는 정공주입층(161), 정공주입층(161) 상에 위치하는 정공수송층(162), 정공수송층(162) 상에 위치하는 발광층(165), 발광층(165) 상에 위치하는 제 1 전자수송층(166), 제 1 전자수송층(166) 상에 위치하는 제 2 전자수송층(167), 제 2 전자수송층(167) 상에 위치하는 전자주입층(168), 전자주입층(168) 상에 위치하는 음극(170)을 포함할 수 있다.
본 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 전술한 제 1 실시 예에 정공주입층(161), 정공수송층(162) 및 전자주입층(168)을 더 포함할 수 있다.
정공주입층(161)은 양극(150)으로부터 발광층(165)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 정공주입층(161)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 정공주입층(161)의 두께는 1 내지 150nm일 수 있다.
정공수송층(162)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 정공수송층(162)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 정공수송층(162)의 두께는 5 내지 150nm일 수 있다.
전자주입층(168)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자주입층(168)은 무기물을 더 포함할 수 있으며, 무기물은 금속화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군 에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자주입층(168)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 전자주입층(168)의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다.
이하, 본 발명의 제 1 전자수송층 및 제 2 전자수송층을 포함하는 유기전계발광소자에 관하여 하기 실시예에서 상술하기로 한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예
유리 기판 상에 발광 면적이 3mm×3mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판 상에 양극인 ITO를 500Å의 두께로 성막하고, 정공주입층인 CuPc를 50Å의 두께로 성막하고, 정공수송층인 NPD를 650Å의 두께로 형성한 후, 청색 발광층으로 호스트인 CBP에 도펀트인 DPAVBi를 3% 도핑하여 300Å의 두께로 형성하였다. 그리고, 제 1 전자수송층인 ET212(상품명, 제조사:LGC사)를 100Å의 두께로 형성하고, 제 2 전자수송층인 TRE314(상품명, 제조사:Toray사)을 100Å의 두께로 성막하고, 전자주입층인 LiF를 10Å의 두께로 성막하고, 음극인 Al을 1000Å의 두께로 성막하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
비교예
제 1 전자수송층을 형성하지 않고, 전술한 실시예와 동일한 공정 조건 하에 유기전계발광소자를 제작하였다.
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 구동전압, 휘도, 발광효율을 측정하여 하기 표 1에 나타내었고, 수명을 측정한 그래프를 도 5에 나타내었다.

구동전압
(V)		 휘도
(cd/A)		 효율
(lm/W)		 색좌표
CIE_x CIE_y
비교예 3.0 5.5 5.7 0.147 0.064
실시예 3.5 4.7 4.5 0.147 0.064
상기 표 1을 참조하면, 본 실시예의 유기전계발광소자는 비교예와 동일한 색좌표를 나타내지만, 구동전압이 다소 상승하고, 휘도와 효율이 다소 저하되는 경향을 나타내는 것을 알 수 있다.
그러나, 도 5를 참조하면, 본 실시예의 유기전계발광소자는 비교예에 비해 월등한 수명 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.
일반적으로, 구동전압이 상승하면 그만큼 소자의 수명이 저하되나, 본 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 전자의 이동도를 조절함으로써, 구동전압이 다소 상승하여도 수명 특성은 비교예에 비해 월등히 향상되는 것을 알 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 유기전계발광소자는 전자의 이동도를 조절하는 제 1 전자수송층을 더 형성함으로써, 유기전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 양극, 유기막층 및 음극을 나타낸 도면.
도 3은 유기전계발광소자의 밴드 다이어그램을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 유기전계발광소자의 수명을 나타낸 도면.

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 양극;
    상기 양극 상에 위치하는 유기막층; 및
    상기 유기막층 상에 위치하는 음극을 포함하며,
    상기 유기막층은 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 제 1 전자수송층 및 상기 제 1 전자수송층 상에 위치하는 제 2 전자수송층을 포함하고,
    상기 제 1 전자수송층의 전하이동도는 상기 제 2 전자수송층의 전하이동도보다 낮은 유기전계발광소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 전자수송층의 LUMO 레벨은 상기 제 2 전자수송층의 LUMO 레벨보다 낮은 유기전계발광소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 전자수송층의 HOMO 레벨은 상기 발광층의 HOMO 레벨보다 높은 유기전계발광소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 전자수송층의 두께는 50 내지 200Å인 유기전계발광소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 전자수송층의 두께는 상기 제 2 전자수송층의 두께 대비 50 내지 100%인 유기전계발광소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 양극과 상기 발광층 사이에 정공주입층 또는 정공수송층 중 적어도 어느 하나 이상을 더 포함하는 유기전계발광소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 전자수송층과 상기 음극 사이에 전자주입층을 더 포함하는 유기전계발광소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기전계발광소자.
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