CN110875435B - 涂覆型有机电致发光装置、包括其的显示装置和照明装置 - Google Patents
涂覆型有机电致发光装置、包括其的显示装置和照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110875435B CN110875435B CN201910815161.9A CN201910815161A CN110875435B CN 110875435 B CN110875435 B CN 110875435B CN 201910815161 A CN201910815161 A CN 201910815161A CN 110875435 B CN110875435 B CN 110875435B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- organic electroluminescent
- electron injection
- injection layer
- electroluminescent device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 119
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 97
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 12
- 229910001502 inorganic halide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 10
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 9
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N dmpu Chemical compound CN1CCCN(C)C1=O GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 165
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- -1 Poly (2, 5-bis (3, 7-dimethyloctyloxy) cyano-p-xylylene) Polymers 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N (4-diphenylphosphorylphenyl)-triphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000489 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene), bis-poly(ethyleneglycol) Polymers 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(i) oxide Chemical compound [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007610 electrostatic coating method Methods 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical compound [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UUGBGJGAHVLTRN-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10-tetratert-butylperylene Chemical group C=12C3=C(C(C)(C)C)C=CC2=C(C(C)(C)C)C=CC=1C1=C(C(C)(C)C)C=CC2=C1C3=CC=C2C(C)(C)C UUGBGJGAHVLTRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHDQNOXQSTVAIC-UHFFFAOYSA-M 1-butyl-3-methylimidazol-3-ium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCN1C=C[N+](C)=C1 FHDQNOXQSTVAIC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XOSIOIGGGAHQDQ-UHFFFAOYSA-M 1-methyl-3-phenylimidazol-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].CN1C=C[N+](C=2C=CC=CC=2)=C1 XOSIOIGGGAHQDQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(S)C(F)=C1F UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDZXSLUJYIHQDN-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-9-ethylcarbazole Chemical compound C1=C(C=C)C=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=C1 QDZXSLUJYIHQDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJEJACZBVVTDIH-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(C=C)C=C3NC2=C1 JJEJACZBVVTDIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAELXYZSNJSOCR-UHFFFAOYSA-N 2-pyridin-2-yl-5-[7-(6-pyridin-2-ylpyridin-3-yl)triphenylen-2-yl]pyridine Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=C3C4=CC=CC=C4C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)C=2C=NC(=CC=2)C=2N=CC=CC=2)C=N1 YAELXYZSNJSOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicyclohexylthiophene Chemical compound C1CCCCC1C1=CSC=C1C1CCCCC1 LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADENFOWRGOZGCW-UHFFFAOYSA-N 3,5-bis(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 ADENFOWRGOZGCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CSC=C1 CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCXKTQVEKDHQIY-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3-(3,5-dipyridin-3-ylphenyl)phenyl]-5-pyridin-3-ylphenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 WCXKTQVEKDHQIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBNBPEQRHOIIMO-UHFFFAOYSA-N 3-cyclohexyl-4-methylthiophene Chemical compound CC1=CSC=C1C1CCCCC1 UBNBPEQRHOIIMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEQUMJGKVRKYMI-UHFFFAOYSA-N 3-ethenyl-2-phenylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CN=C1C1=CC=CC=C1 ZEQUMJGKVRKYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFPHTEQTJZKQAQ-UHFFFAOYSA-N 3-nitrobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 AFPHTEQTJZKQAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIVCFIYEIZBYMX-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(3,5-dipyridin-3-ylphenyl)-2-methylpyrimidine Chemical compound N=1C(C)=NC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=CC=1C(C=1)=CC(C=2C=NC=CC=2)=CC=1C1=CC=CN=C1 XIVCFIYEIZBYMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEASDYADHFGIQN-UHFFFAOYSA-N N1=C(C=CC=C1)C1(C(C(=CC(=C1)C)C)B(C1C(=CC(=CC1(C)C1=NC=CC=C1)C)C)C1C(=CC(=CC1(C)C1=NC=CC=C1)C)C)C Chemical compound N1=C(C=CC=C1)C1(C(C(=CC(=C1)C)C)B(C1C(=CC(=CC1(C)C1=NC=CC=C1)C)C)C1C(=CC(=CC1(C)C1=NC=CC=C1)C)C)C NEASDYADHFGIQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001946 Poly(2,5-dicyclohexylphenylene-1,4-ethynylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001157 Poly(2-vinylnaphthalene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000500 Poly(thiophene-3-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]-2,5-diyl) Polymers 0.000 description 1
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- WLZGEDNSZCPRCJ-UHFFFAOYSA-M cesium;octadecanoate Chemical compound [Cs+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O WLZGEDNSZCPRCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000490 poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-block-poly(ethylene glycol) Polymers 0.000 description 1
- 229920000075 poly(4-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000006277 sulfonation reaction Methods 0.000 description 1
- QBVXKDJEZKEASM-UHFFFAOYSA-M tetraoctylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCC[N+](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)CCCCCCCC QBVXKDJEZKEASM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开涉及涂覆型有机电致发光装置、包括其的显示装置和照明装置。本公开涉及有机电致发光装置，其中可以在大气压下一致地制造第一电极和第二电极中的至少一个层和电极间层。有机电致发光装置包括第一电极、面向第一电极的电子注入层和位于第一电极与电子注入层之间的发光材料层，其中发光材料层和电子注入层能够通过涂覆形成。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年8月30日在日本提交的日本专利申请第2018-161272号的权益，其通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及涂覆型有机电致发光装置、包括其的显示装置和照明装置。
背景技术
使用有机电致发光装置(OELD)或有机发光二极管的显示装置是具有薄、轻质、低功耗、高对比度和高响应速度的优点的下一代显示装置，并且其制造技术正在迅速发展。通常，OELD包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的层。这些层包括例如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)或发光材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，并且通过气相沉积法制造。
同时，已经提出了涂覆型OELD以降低制造成本。通常，在制造涂覆型OELD的方法中，通过沉积法形成第一电极，通过涂覆法形成包括HIL、HTL、EML和ETL的电极间层，然后通过沉积法形成EIL和第二电极(专利文献1、非专利文献1和2)。
[相关技术文献]
[专利文献]
专利文献1：日本专利申请特许公开第2006-279007号非专利文献1：Hua Zheng,Yina Zheng,Nanliu Liu,Na Ai,Qing Wang,Sha Wu,Junhong Zhou,Diangang Hu,ShufuYu,Shaohu Han,Wei Xu,Chan Luo,Yanhong Meng,Zhixiong Jiang,Yawen Chen,DongyunLi,Fei Huang,Jian Wang,Junbiao Peng,和Yong Cao,Nature Communications,4,文章号:1971(2013)
非专利文献2：Takayuki Chiba,Yong-Jin Pu,和Junji Kido,Journal ofMaterials Chemistry C,3(44),11567-11576(2015)
发明内容
本公开涉及涂覆型OELD、包括其的显示装置和照明装置，其基本上消除了与相关常规技术的限制和缺点关联的一个或更多个问题。
本公开的另外的特征和优点在随后的描述中阐述，并且将从描述中显而易见，或者通过本公开的实践显而易见。本公开的目的和其他优点通过本文以及附图中描述的特征来实现和获得。
为了实现根据本公开的实施方案的目标的这些和其他优点，如本文所述，本公开的一个方面是一种有机电致发光装置，其包括：第一电极；面向第一电极的电子注入层；和在第一电极与电子注入层之间的发光材料层，其中发光材料层和电子注入层能够通过涂覆形成。
本公开的另一方面是一种显示装置，其包括：基板；有机电致发光装置，该有机电致发光装置在基板上方并且包括第一电极，面向第一电极的电子注入层，和在第一电极与电子注入层之间的发光材料层；和在基板与有机电致发光装置之间并连接至有机电致发光装置的薄膜晶体管，其中发光材料层和电子注入层能够通过涂覆形成。
本公开的另一方面是一种照明装置，其包括：基板；和有机电致发光装置，该有机电致发光装置在基板上方并且包括第一电极；面向第一电极的电子注入层；和在第一电极与电子注入层之间的发光材料层，其中发光材料层和电子注入层能够通过涂覆形成。
本公开的另一方面是一种制造有机电致发光装置的方法，包括：制备第一电极，在第一电极上涂覆用于发光材料层的材料，以形成发光材料层，以及在发光材料层上涂覆用于电子注入层的材料和用于第二电极的材料的混合物。
应理解，前述的一般性描述和以下的详细描述二者均为示例性和说明性的，并且旨在进一步说明要求保护的本公开。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解并且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方案，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。
图1是示出根据本公开的有机电致发光装置的示意性截面图。
图2是示出当向有机电致发光装置施加电压时测量电流流动的结果的图。
图3是示出根据本公开的显示装置的示意图。
具体实施方式
在下文中，将详细地描述本公开的实施方案。本公开不限于以下描述的实施方案，并且可以在不脱离本公开的范围的情况下进行修改和改变。
<有机电致发光装置>
本公开的有机电致发光装置包括第一电极、第二电极、发光材料层EML和电子注入层EIL，其中电子注入层EIL可以与第一电极或第二电极形成一层。例如，有机电致发光装置可以包括第一电极、发光材料层和电子注入层而没有第二电极。第一电极和第二电极中的至少一者、发光材料层、电子注入层能够通过涂覆形成。此外，上述层中的每一者不需要具有清晰的边界，并且可以形成为复数个层，例如其中混合有第二电极和电子注入层的层。
在本公开的一个实施方案中，电极间层的各层的厚度没有特别限制，其下限优选为5nm或更大，更优选为10nm或更大，进一步优选为20nm或更大。此外，厚度的上限优选为100nm或更小，更优选为90nm或更小，进一步优选为80nm或更小。第一电极和第二电极的总厚度的下限优选为100nm或更大，更优选为200nm或更大，进一步优选为300nm或更大。此外，总厚度的上限优选为2,000nm或更小，更优选为1,000nm或更小，进一步优选为500nm或更小。
<第一电极和第二电极>
第一电极由阳极材料或阴极材料形成。例如，当第一电极由阳极材料形成时，第一电极由金属、金属氧化物或导电聚合物形成。导电聚合物可以包含掺杂剂。构成第一电极的材料的实例包括碳、镁、铝、钙、钒、铬、铜、锌、钼、银、铱、金、钛、钯、其他金属、及其合金。例如，第一电极可以包含氧化锌、氟掺杂的氧化锡(FTO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、和与其类似的其他金属氧化物。
第二电极由阳极材料或阴极材料形成。例如，当第二电极由阴极材料形成时，第二电极可以由具有低功函数的材料形成以促进电子注入。第二电极不限于此，并且第二电极形成为由金属(例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、或铅、或其合金)制成的层，形成为层合体、金属/金属氧化物的层合体例如Ca/IZO、或者金属盐/金属的层合体例如LiF/Al或Li2O/Al。
第一电极和第二电极可以包含上述材料中的不同材料。此外，第一电极和第二电极不区分几何位置或制造顺序。当第一电极和第二电极中的一者用作阴极时，另一者应当用作阳极。
当具有高反射率的材料用于第一电极和第二电极中的一个电极时，该一个电极也可以用作反射层。通常，光的提取(extraction)方向被设计为反射层的反方向。然而，提取方向可以被设计为阴极侧方向或阳极侧方向中的任一者。当制造透明有机发光二极管(OLED)时，第一电极和第二电极二者均可以为至少部分透明的，并且使用Mg-Ag膜、薄Ag膜等。可以在Ag膜下方设置ITO膜等，或者可以将其中在上膜与下膜之间插入Ag膜的层合膜设置为ITO膜。
制造第一电极和第二电极的方法没有特别限制，并且可以使用气相沉积法、溅射法等来进行，或者可以使用各种各样类型的涂覆法来进行。然而，所述方法可以为其中在大气压下制造第一电极和第二电极中的至少一者的方法。在大气压下形成第一电极和第二电极的方法的实例可以包括各种各样类型的涂覆法，具体地，可以包括旋涂法、喷墨法、静电涂覆法、使用超声雾化的方法、狭缝涂覆法、模涂法、丝网印刷法等。当使用涂覆法形成第一电极和第二电极时，通常可以使用墨作为第一电极和第二电极的原料。墨的实例可以包括其中分布有通过细化电极材料而获得的细颗粒的墨、其中溶解有电极材料的墨、被设计为在涂覆之后通过反应产生电极材料的墨等。
<层配置>
图1是示出根据本公开的有机电致发光装置的示意性截面图。如图1所示，本公开的有机电致发光装置可以包括作为阳极的第一电极10、面向第一电极10的作为阴极的第二电极20、和在第一电极10与第二电极20之间的能够通过涂覆形成的发光材料层EML和电子注入层EIL。电子注入层EIL用作第二电极20，并且可以省略第二电极20。还可以在第一电极10与发光材料层EML之间设置包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL中的至少一者的空穴辅助层，并且还可以在发光材料层EML与电子注入层EIL之间设置包括电子传输层ETL的电子辅助层。例如，可以提供以下实施方案。
(层配置的实施方案1)
提供了这样的有机电致发光装置，其中按第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层和第二电极的顺序形成膜，并且第一电极通过沉积法制造，空穴注入层至第二电极通过涂覆法制造。
(层配置的实施方案2)
提供了这样的有机电致发光装置，其中按第一电极、电子注入层、电子传输层、发光材料层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极的顺序形成膜，并且第一电极通过沉积法制造，电子注入层至第二电极通过涂覆法制造。
(层配置的实施方案3)
提供了这样的有机电致发光装置，其中按第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的顺序形成膜，并且电子注入层用作第二电极。第一电极通过沉积法制造，空穴传输层至电子注入层通过涂覆法制造。
(层配置的实施方案4)
提供了这样的有机电致发光装置，其中按第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层和第二电极的顺序形成膜，并且第一电极至第二电极全部通过涂覆法制造。
此外，本公开的有机电致发光装置可以包括复数个发光材料层。在这种情况下，有机电致发光装置还可以包括在发光材料层与另一发光材料层之间的电荷生成层(CGL)。当有机电致发光装置包括复数个发光材料层时，构成发光材料层的发光材料可以相同或不同，或者一些发光材料可以相同。此外，一个发光材料层可以包含复数种发光材料。当使用其中由单个电致发光装置获得复数种发光颜色的电致发光装置时，可以通过与滤色器等组合来配置能够再现颜色信息的显示装置。
<发光材料层>
本公开的有机电致发光装置包括能够通过涂覆形成的发光材料层。在发光材料层中，分别从第一电极和第二电极注入的电子和空穴彼此结合以形成激子，并且激子转变为基态以发光。在本公开的一个实施方案中，发光材料层可以由包含磷光体或荧光材料的有机材料形成，并且可以发射预定量的光。以下示出发光材料层的材料的实例，但本公开不限于此。(在以下化学式中，n、x、y和z各自为正整数。然而，化学式6和32中的x和y以及化学式45中的a、b、c和d各自为有理数，其中x+y＝1并且a+b+c+d＝1。)
[式1]
(聚(2,5-二(3,7-二甲基辛氧基)氰基对苯二亚甲基))
[式2]
(聚(2,5-吡啶))
[式3]
(聚(9,9-二(2’-乙基己基)亚芴-2,7-基亚乙炔基))
[式4]
(聚(2,5-二环己基亚苯基-1,4-亚乙炔基))
[式5]
(聚[(9,9-双(3’-(N,N-二甲基氨基)丙基)-2,7-芴)-交替-2,7-(9,9-二辛基芴-2,7-二基)](PFN-DOF))
[式6]
(聚((9,9-二己基-9H-芴-2,7-亚乙烯基)-共聚-(1-甲氧基-4-(2-乙基己氧基)-2,5-亚苯基亚乙烯基)))
[式7]
(聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV))
[式8]
(聚(3-环己基噻吩-2,5-二基))
[式9]
(聚{[2,5-双(2-(N,N-二乙基氨基)乙氧基)-1,4-亚苯基]-交替-1,4-亚苯基})
[式10]
(聚(对-亚苯基亚乙烯基)(PPV))
[式11]
(MEH-PPV)
[式12]
(聚(对-亚苯基)(PPP))
[式13]
(聚(2-烷氧基-对-亚苯基)(RO-PPP))
[式14]
(PAT)
[式15]
(聚(3-环己基-4-甲基噻吩)(PCHMT))
[式16]
(聚(3,4-二环己基噻吩)(PDCHT))
[式17]
(聚(3-(4-辛基苯基)噻吩)(POPT))
[式18]
(PDAF)
[式19]
(聚(芴-交替-苯并噻二唑)(PFBT))
[式20]
(聚(n-乙烯基咔唑)(PVK))
[式21]
(三(8-羟基喹啉)铝)
[式22]
(三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3))
[式23]
(八乙基卟啉铂(PtOEP))
[式24]
除了上述化合物之外，例如可以使用日本专利申请公开第2014-205643号、日本专利公开第2013-528232号和日本专利申请公开第2014-111764号中描述的化合物。
在本公开的另一个实施方案中，发光材料层的发光材料包括无机卤化物。
作为本发明实施方案的发光材料层的发光材料的无机卤化物可以为液晶型金属卤化物。
此外，作为本发明实施方案的发光材料层的发光材料的无机卤化物可以为由式AmBnXp表示的金属卤化物。
在上式中，A表示选自Cs+、Rb+、K+、Na+和Li+的阳离子，B表示选自Pb2+、Sn2+和Ge2+的阳离子，X表示选自Cl-、Br-和I-的阴离子。m、n和p各自独立地表示正整数。此外，p为3或更大的整数。此外，m、n和p可以表示为分数或小数，但读取为由整数表示的形式。此外，通常，由于组成的不规则性，金属卤化物的元素组成可能不严格地为整数，但允许本公开的金属卤化物的不规则性和误差。
此外，作为本发明实施方案的发光材料层的发光材料的无机卤化物可以为由式A1B1X3或式A4B1X6表示的金属卤化物。
如上所述，本发明实施方案的发光材料可以通过以下来制造：通过搅拌将发光材料的前体材料溶解在有机溶剂中并通过在室温下对其进行真空干燥。
<电子注入层>
本公开的有机电致发光装置包括能够通过涂覆形成的电子注入层。电子注入层是用于注入来自电极的电子的层，具有传输电子的能力，并且具有自阴极的电子注入效应。电子注入层可以由具有优异的薄膜形成能力的化合物形成。以下示出电子注入层的材料的实例，但本公开不限于此。电子注入层包含以下材料中的至少一者。
含碱金属或第二族元素的化合物
[式25]
(碱金属或第二族元素的碳酸铯盐、氢氧化钡或硬脂酸铯)
表面改性中间层
[式26]
(8-羟基喹啉-锂(Liq))
[式27]
(1-苯基-3-甲基咪唑鎓氯化物([Bmim]Cl))
[式28]
[式29]
[式30]
(乙醇胺)
离子化合物
[式31]
(四辛基溴化铵)
[式32]
(磺化聚苯乙烯离聚物)
[式33]
(聚(4-苯乙烯磺酸钠)(PSSNa))
[式34]
(PF-NR3 +X-(Br、I))
[式35]
(PFON+(CH3)3I-PBD)
两性离子电解质
[式36]
(Cn-Blm4(n＝1、6、12或16))
[式37]
(F(NSO3)2)
[式38]
(PF6NSO)
[式39]
(PF6NO25Py)
[式40]
[式41]
非离子中性聚合物粘结剂
[式42]
[式43]
(聚(4-乙烯基吡啶)(PVPy))
[式44]
(聚(乙烯基苯基吡啶)(PVPhPy))
非离子非共轭聚合物
[式45]
(聚乙烯亚胺(PEI))
[式46]
(乙氧基化的聚乙烯亚胺(PEIE))
通过将上述材料溶解在质子溶剂(例如水、醇或水-醇混合溶剂)中，该材料可以用于通过涂覆形成膜。同时，当将通过溶解到质子溶剂中获得的上述材料用作电子注入层时，显然质子溶剂可能降低有机电致发光装置的寿命。
因此，从有机电致发光装置的寿命的观点来看，本公开的另一实施方案的电子注入层可以由包含非质子有机溶剂并且其中溶解有碱金属或第二族元素的单体的组合物制造。优选地，电子注入层可以由包含非质子溶剂并且其中溶解有金属钠单体的组合物制造。其中可以溶解有金属钠单体的非质子溶剂的实例可以为N,N’-二甲基亚乙基脲、N,N-二甲基乙酰胺或N,N’-二甲基亚丙基脲。
在此，句子“溶解有金属单体”意指金属单体(金属)而不是金属离子存在于溶剂中，并且不包括其中金属盐溶解在溶剂中的状态。此外，由于组合物不是其中溶解有金属盐使得电导率高且电阻值低的组合物，因此可以通过其中溶解有碱金属或第二族元素的单体的组合物形成用作第二电极以及电子注入层的层。
<空穴传输层>
在本公开的一个实施方案中，有机电致发光装置包括能够通过涂覆形成的空穴传输层。空穴传输层没有特别限制，只要其可以通过涂覆形成并且可以用于将从第一电极(阳极)注入的空穴顺利地传输至发光材料层即可。然而，可以使用具有高空穴迁移率的材料。接着，以下示出空穴传输层的材料的实例，但本公开不限于此。
[式47]
(聚(N-乙基-2-乙烯基咔唑))
[式48]
(聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺])
[式49]
(聚(2-乙烯基咔唑))
[式50]
(聚(9-乙烯基咔唑))
[式51]
(聚(1-乙烯基萘))
[式52]
(聚(2-乙烯基萘))
[式53]
(聚(铜酞菁))
镍(II)氧化物纳米颗粒
锡(II)氧化物纳米颗粒
银(I)氧化物纳米颗粒
铜(I)氧化物纳米颗粒
铬(III)氧化物纳米颗粒
除了上述化合物之外，例如可以使用日本专利公开第2013-528232号和日本专利申请公开第2014-111764号中描述的化合物以及例示为发光材料层的发光材料的无机卤化物。
<电子传输层>
在本公开的一个实施方案中，有机电致发光装置包括能够通过涂覆形成的电子传输层。传输层的材料没有特别限制，只要其可以适当地接收从阴极注入的电子并且可以适当地将电子传输至发光材料层即可。然而，可以使用具有高电子迁移率的材料。以下示出电子传输层的材料的实例，但本公开不限于此。
[式54]
(三[3-(吡啶基)均三甲苯基]硼烷(3TPYMB))
[式55]
(4,6-双(3,5-二(吡啶-3-基)苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM))
[式56]
(1,3-双(3,5-二(吡啶-3-基)苯基)苯(B3PyPB))
[式57]
(2,7-双(2,2’-联吡啶-5-基)三亚苯(BPy-TP2))
[式58]
(Liq)
[式59]
(PFN-DOF)
[式60]
(1,4,7,10-四(叔丁基)苝(TBPe))
锡(IV)氧化物纳米颗粒
钛(IV)氧化物纳米颗粒
锌(II)氧化物纳米颗粒
铟(III)氧化物纳米颗粒
[式61]
(1,3,5-三(间-吡啶-3-基苯基)苯(TmPyPB))
[式62]
(2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-h-苯并咪唑)(TPBi))
[式63]
(二苯基[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]氧化膦(TSPO1))
[式64]
(3,5-二苯基-4-(1-萘基)-1H-1,2,4-三唑)
[式65]
(三(8-羟基喹啉)铝)
[式66]
(浴铜灵)
[式67]
(红菲绕啉)
[式68]
(2,5-双(1-萘基)-1,3,4
二唑)
[式69]
(双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝)
[式70]
(3,5-双(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)
[式71]
(2-(4-联苯基)-5-苯基-1,3,4-
二唑)
[式72]
(3-(联苯基-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)
[式73]
(2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-
二唑)
除了上述化合物之外，例如可以使用日本专利公开第2013-528232号和日本专利申请公开第2014-111764号中描述的化合物以及例示为发光材料层的发光材料的无机卤化物。
<空穴注入层HIL>
在本公开的一个实施方案中，有机电致发光装置包括能够通过涂覆形成的空穴注入层。空穴注入层是用于注入来自电极的空穴的层。具有传输空穴的能力、自阳极的空穴注入效应、对发光材料层或发光材料的优异空穴注入效应、优异的薄膜形成能力并且可以防止发光材料层中产生的激子迁移至电子注入层或电子注入材料的空穴注入材料可以用于空穴注入层。以下示出空穴注入层的材料的实例，但本公开不限于此。
[式74]
(聚苯胺(翠绿亚胺盐))，
在化学式74中，X-可以包括无机酸(其可以为盐酸、硫酸、硝酸、硼氟酸、高氯酸和氨基硫酸中的一者)的阴离子；有机酸(其可以为苯磺酸、对甲苯磺酸、间-硝基苯甲酸、三氯乙酸、乙酸和丙酸中的一者)的阴离子；或聚合酸(其可以为聚苯乙烯磺酸、聚乙烯基磺酸和聚乙烯基硫酸中的一者)的阴离子。
[式75]
(包含聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)和四甲基丙烯酸酯封端基团的材料)
[式76]
(包含聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)、双-聚(乙二醇)、月桂基末端和对-甲苯磺酸的材料)
[式77]
(包含聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)、双-聚(乙二醇)、月桂基末端和高氯酸的材料)
聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)-嵌段-聚(乙二醇)溶液
[式78]
(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸盐))
[式79]
(聚(噻吩-3-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)的磺化溶液)
除了上述化合物之外，例如可以使用日本专利公开第2013-528232号和日本专利申请公开第2014-111764号中描述的化合物以及例示为发光材料层的发光材料的无机卤化物。
<制造有机电致发光装置的方法>
根据本公开的一个实施方案的制造有机电致发光装置的方法包括制备第一电极的过程、在第一电极上涂覆发光材料层的材料和电子注入层的材料的过程和在电子注入层上涂覆第二电极的材料的过程。
根据本公开的另一实施方案的制造有机电致发光装置的方法包括制备第一电极的过程、涂覆发光材料层的材料的过程、在发光材料层上涂覆电子注入层的材料和第二电极的材料的混合物的过程。即，作为通过将电子注入层的材料和第二电极的材料混合而形成的层的电子注入层可以用作电子注入层和第二电极而没有单独的第二电极。换句话说，电子注入层可以包含电子注入材料和第二电极材料。
在根据本发明实施方案的制造有机电致发光装置的方法中，电子注入层和第二电极的混合层可以形成为用于两个或更多个有机电致发光装置的公共电极。
涂覆各层的材料的方法的实例可以包括旋涂法、喷墨法、静电涂覆法、使用超声雾化的方法、狭缝涂覆法、模涂法、丝网印刷法等，但本公开不限于此。
<显示装置>
图3是示出根据本公开的显示装置的示意图。在图3所示的实施方案中，有机电致发光装置用作像素。此外，在图3中，省略了相对的电极。本公开的显示装置包括本公开的有机电致发光装置。在本发明实施方案的显示装置中，有机电致发光装置可以用作像素或背光。本领域已知的组件可以应用于显示装置的其他组件。
例如，显示装置包括基板(未示出)、在基板上方的有机电致发光装置30、和薄膜晶体管电路40。薄膜晶体管电路40可以包括作为开关元件的开关薄膜晶体管(TFT)和作为驱动元件的驱动TFT。栅极线50和数据线60分别沿第一方向和第二方向延伸并且彼此交叉以限定像素。此外，电源线70沿第二方向延伸以平行于数据线60并且相对于数据线60间隔开。
开关TFT连接至栅极线50和数据线60，驱动TFT连接至开关TFT、电源线70和有机电致发光装置30。例如，驱动TFT可以定位在基板与有机电致发光装置30之间，并且可以连接至有机电致发光装置的第一电极10(图1)。当显示装置包括第一像素(例如红色像素)、第二像素(例如绿色像素)和第三像素(例如蓝色像素)时，有机电致发光装置30可以单独地形成在每个像素区域中。
显示装置还可以包括绝缘材料的封装膜(未示出)。封装膜覆盖并保护有机电致发光装置。在没有第二电极20(图1)的情况下，当有机电致发光装置30中的电子注入层EIL(图1)具有电子注入电极的功能时，封装膜接触电子注入层EIL。另一方面，当有机电致发光装置30包括第二电极20时，封装膜接触第二电极20。
此外，显示装置可以包括液晶面板和在液晶面板的后侧下方的有机电致发光装置。有机电致发光装置朝向液晶面板提供光。
<照明装置>
根据本公开的一个实施方案的照明装置包括本公开的有机电致发光装置。在本发明实施方案的照明装置中，有机电致发光装置用作发光部。本领域已知的配置等可以应用于照明装置所需的其他配置。
例如，照明装置可以包括基板和形成在基板的整个表面上的有机电致发光装置。照明装置还可以包括绝缘材料的封装膜(未示出)。封装膜覆盖并保护有机电致发光装置。在没有第二电极20(图1)的情况下，当有机电致发光装置30中的电子注入层EIL(图1)具有电子注入电极的功能时，封装膜接触电子注入层EIL。另一方面，当有机电致发光装置30包括第二电极20时，封装膜接触第二电极20。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本公开，但本领域技术人员应理解，可以对这些实施方案做出各种各样的改变和等同的其他实施方案。
因此，本公开的实施方案的范围不限于此，而是涵盖本领域技术人员使用由所附权利要求限定的本公开的实施方案的基本概念的若干修改和改进。
<实施例>
在下文中，将参照实施例更详细地描述本公开，但本公开的说明不受这些实施例限制。
制造有机电致发光装置的方法的实施例
第一过程：提供附接有ITO的基板作为第一电极，并对其进行紫外(UV)清洁。
第二过程：通过旋涂法在第一电极上涂覆空穴注入层的材料(PEDOT:PSS)。
第三过程：通过旋涂法在空穴注入层上涂覆发光材料层的材料(Livilux(注册商标)SPG-01T(由Sigma Aldrich制备))。
第四过程：将包含作为电子注入层材料的N,N’-二甲基亚乙基脲和溶解在其中的金属钠单体的Na溶液(Kobelco Eco-Solutions Co.,Ltd.)与作为第二电极材料的Ag糊料(Dotite，FUJIKURA KASEI Co.,Ltd.)混合(1:1体积％)并通过旋涂法涂覆以形成用作第二电极的电子注入层。
测量
测量所获得的有机电致发光装置对于恒定电压的电流。测量结果示于图2中。
<比较例>
以与上述实施例相同的方式进行第一过程至第三过程，并通过旋涂法进行Ag糊料涂覆以形成电极作为第四过程。以与上述实施例中相同的方式测量所获得的有机电致发光装置对于恒定电压的电流。测量结果示于图2中。
如图2所示，与比较例的有机电致发光装置相比，实施例的有机电致发光装置中的点亮电压降低，并且实施例的有机电致发光装置中的电流值增加。认为通过本公开的电子注入层降低了电子注入势垒。
如上所述，已经清楚的是，在本公开的有机电致发光装置中，可以在大气压下一致地制造第一电极和第二电极中的至少一个层和电极间层，并且本公开的有机电致发光装置可以为具有高效率的有机电致发光装置。
Claims (14)
1.一种有机电致发光装置，包括：
作为阳极的第一电极；
面向所述第一电极的电子注入层；和
在所述第一电极与所述电子注入层之间的发光材料层，
其中所述发光材料层和所述电子注入层能够通过涂覆形成，
其中所述电子注入层由包含N,N’-二甲基亚乙基脲、N,N-二甲基乙酰胺和N,N’-二甲基亚丙基脲中的一者和金属钠单体的溶液与Ag糊料的混合物形成，以及
其中所述有机电致发光装置不包括作为阴极的额外第二电极。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述发光材料层的发光材料包括无机卤化物。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光装置，其中所述无机卤化物为液晶型金属卤化物。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，还包括在所述发光材料层与所述电子注入层之间的电子传输层。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光装置，还包括在所述发光材料层与所述第一电极之间的空穴辅助层。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光装置，其中所述空穴辅助层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一者。
7.一种显示装置，包括：
基板；
有机电致发光装置，所述有机电致发光装置在所述基板上方并且包括：
作为阳极的第一电极；
面向所述第一电极的电子注入层；和
在所述第一电极与所述电子注入层之间的发光材料层；
覆盖所述有机电致发光装置的封装膜，以及
在所述基板与所述有机电致发光装置之间并连接至所述有机电致发光装置的薄膜晶体管，
其中所述发光材料层和所述电子注入层能够通过涂覆形成，
其中所述电子注入层由包含非质子有机溶剂和金属钠单体的溶液与Ag糊料的混合物形成，以及
其中所述封装膜直接接触所述电子注入层的上表面。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述非质子有机溶剂为N,N’-二甲基亚乙基脲、N,N-二甲基乙酰胺和N,N’-二甲基亚丙基脲中的一者。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述发光材料层的发光材料包括无机卤化物。
10.一种照明装置，包括：
基板；
有机电致发光装置，所述有机电致发光装置在所述基板上方并且包括：
作为阳极的第一电极；
面向所述第一电极的电子注入层；和
在所述第一电极与所述电子注入层之间的发光材料层，以及
覆盖所述有机电致发光装置的封装膜，
其中所述发光材料层和所述电子注入层能够通过涂覆形成，
其中所述电子注入层由包含非质子有机溶剂和金属钠单体的溶液与Ag糊料的混合物形成，以及
其中所述封装膜直接接触所述电子注入层的上表面。
11.根据权利要求10所述的照明装置，其中所述非质子有机溶剂为N,N’-二甲基亚乙基脲、N,N-二甲基乙酰胺和N,N’-二甲基亚丙基脲中的一者。
12.根据权利要求10所述的照明装置，其中所述发光材料层的发光材料包括无机卤化物。
13.一种制造有机电致发光装置的方法，包括：
制备作为阳极的第一电极，
在所述第一电极上涂覆用于发光材料层的材料，以形成发光材料层，以及
在所述发光材料层上涂覆混合物以形成电子注入层，
其中所述混合物为包含N,N’-二甲基亚乙基脲、N,N-二甲基乙酰胺和N,N’-二甲基亚丙基脲中的一者和金属钠单体的溶液与Ag糊料的混合物，以及
其中所述有机电致发光装置不包括作为阴极的额外第二电极。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述电子注入层形成为用于两个或更多个有机电致发光装置的公共电极。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-161272 | 2018-08-30 | ||
| JP2018161272A JP7169126B2 (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 塗布型有機電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110875435A CN110875435A (zh) | 2020-03-10 |
| CN110875435B true CN110875435B (zh) | 2022-05-27 |
Family
ID=69641654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910815161.9A Active CN110875435B (zh) | 2018-08-30 | 2019-08-30 | 涂覆型有机电致发光装置、包括其的显示装置和照明装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10950827B2 (zh) |
| JP (1) | JP7169126B2 (zh) |
| KR (1) | KR102209498B1 (zh) |
| CN (1) | CN110875435B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022528267A (ja) * | 2019-03-25 | 2022-06-09 | シノヴィア テクノロジーズ | 非平衡熱硬化プロセス |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101330132A (zh) * | 2001-08-20 | 2008-12-24 | Tdk株式会社 | 有机el元件及其制造方法 |
| WO2012085988A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| CN105552185A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-04 | 南京理工大学 | 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6703180B1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-03-09 | Eastman Kodak Company | Forming an improved stability emissive layer from a donor element in an OLED device |
| JP4616587B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2011-01-19 | ケミプロ化成株式会社 | １，８−ナフチリジン誘導体を少なくとも一種含む層を、一対の電極間に有する有機電界発光素子、その製法および該有機電界発電素子を利用した部品 |
| JP2006279007A (ja) | 2005-03-02 | 2006-10-12 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP4852252B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2012-01-11 | ケミプロ化成株式会社 | １，１０−フェナントロリン誘導体、その製法およびそれを含有する有機電界発光素子 |
| JP2007084458A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | １，８−ナフチリジン誘導体および該誘導体を含有する有機電界発光素子 |
| US7932112B2 (en) * | 2008-04-14 | 2011-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| WO2010044342A1 (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| CN102197507A (zh) * | 2008-10-28 | 2011-09-21 | 密执安州立大学董事会 | 具有单独的红色、绿色和蓝色子元件的堆叠式白色oled |
| US8844766B2 (en) * | 2009-07-14 | 2014-09-30 | Sterilogy, Llc | Dispenser assembly for dispensing disinfectant fluid and data collection and monitoring system for monitoring and reporting dispensing events |
| GB2484253B (en) | 2010-05-14 | 2013-09-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emitting composition and device |
| WO2013114976A1 (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-08 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物および組成物、並びにこれらを用いた発光素子 |
| JP6134566B2 (ja) | 2013-04-15 | 2017-05-24 | 住友化学株式会社 | 金属錯体及び該金属錯体を含む発光素子 |
| JP2014111764A (ja) | 2013-11-26 | 2014-06-19 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | ポリカーボネート系樹脂組成物ペレットの製造方法 |
| KR102323281B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2021-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102381626B1 (ko) * | 2014-12-17 | 2022-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| JP6781606B2 (ja) * | 2016-10-27 | 2020-11-04 | 住友化学株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
-
2018
- 2018-08-30 JP JP2018161272A patent/JP7169126B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-19 KR KR1020190101182A patent/KR102209498B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-29 US US16/554,954 patent/US10950827B2/en active Active
- 2019-08-30 CN CN201910815161.9A patent/CN110875435B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101330132A (zh) * | 2001-08-20 | 2008-12-24 | Tdk株式会社 | 有机el元件及其制造方法 |
| WO2012085988A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| CN105552185A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-04 | 南京理工大学 | 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200075901A1 (en) | 2020-03-05 |
| JP7169126B2 (ja) | 2022-11-10 |
| US10950827B2 (en) | 2021-03-16 |
| KR20200026057A (ko) | 2020-03-10 |
| JP2020035897A (ja) | 2020-03-05 |
| KR102209498B1 (ko) | 2021-01-28 |
| CN110875435A (zh) | 2020-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8384071B2 (en) | Organic light-emitting diodes | |
| US7012364B2 (en) | Organic electroluminescent display | |
| US8415875B2 (en) | Light emissive device having cathode comprising a codeposited mixed layer | |
| US9425411B2 (en) | Organic electroluminescent element | |
| EP1753047B1 (en) | Solution processed crosslinkable hole injection and hole transport polymers for oleds | |
| KR101261633B1 (ko) | 유기 전자 장치를 위한 금속 화합물-금속 다층 전극 | |
| JP5312949B2 (ja) | 電気活性デバイス用積層電極及びその製造方法 | |
| US20050170211A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
| KR101198689B1 (ko) | 유기태양전지 | |
| WO2000048257A1 (en) | Opto-electrical devices | |
| CN102113412A (zh) | 有机电致发光元件的制造方法、发光装置及显示装置 | |
| CN103120020B (zh) | 有机电致发光元件的制造方法 | |
| WO2006085615A1 (ja) | 自発光素子および自発光パネル | |
| CA2496616A1 (en) | High resistance polyaniline blend for use in high efficiency pixellated polymer electroluminescent devices | |
| TWI424598B (zh) | 具無機半導體連接層之堆疊電光主動有機二極體 | |
| KR20080025131A (ko) | 전자 디바이스 및 전자 기기 | |
| CN110875435B (zh) | 涂覆型有机电致发光装置、包括其的显示装置和照明装置 | |
| US20100102761A1 (en) | Organic Radiation-Emitting Device, Use Thereof and a Method of Producing the Device | |
| US20120235124A1 (en) | Organic Optoelectronic Device and Method | |
| EP2415833A1 (en) | Conductive polymer composition, conductive cured film, and organic electroluminescent element | |
| WO2009084273A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| US10985336B1 (en) | Oxygen scavenging nanoparticles for air-processed quantum dot light emitting diodes | |
| JP6908272B2 (ja) | イオン性化合物キャリア注入材料を用いた有機ｅｌ素子 | |
| Brown et al. | 32.1: Invited Paper: Plexcore® OC for HIL Applications in OLED Lighting and Display | |
| US20100167440A1 (en) | Light Emissive Device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |