JP2020027871A - 半導体素子とその製造方法および半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 26
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 14
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
(1)本発明は、半導体からなる基体上に形成した金属層へ該基体の反対面側からレーザーを照射する照射工程を備え、該基体に接合された該金属層からなる電極を有する半導体素子を得る製造方法であって、前記照射工程は、前記金属層の第1領域へエネルギー密度の低いレーザーを照射する第1工程と、該金属層の第2領域へ該エネルギー密度の高いレーザーを照射する第2工程と、を少なくとも備える半導体素子の製造方法である。
本発明は、半導体素子自体としても把握できる。すなわち本発明は、半導体からなる基体と該基体の少なくとも一面側に接合された金属からなる電極とを有する半導体素子であって、前記電極は、前記基体との非接合面側である表面上に、窪み深さの小さい第1凹部からなる第1領域と、窪み深さの大きい第2凹部からなる第2領域と、を少なくとも有する半導体素子でもよい。
本発明は、上述した半導体素子や上述した製造方法により得られた半導体素子を備えた半導体装置としても把握できる。この場合、半導体素子は、電極面(基体との非接合面側の表面)に作用する引張応力が、第2領域よりも第1領域で大きくなるように配置されるとよい。
(1)本発明の製造方法に係る「第1工程」と「第2工程」は、先後を問わない。第1工程の完了後に第2工程がなされてもよいし、第2工程の完了後に第1工程がなされてもよい。また、第1工程と第2工程が交互に繰り返しなされてもよい。例えば、金属層の表面を走査しつつレーザー照射を行う場合、第1領域と第2領域の境界を通過する毎に、レーザーのエネルギー密度を切り替えて、第1工程と第2工程を行ってもよい。
(1)レーザーアニールは、図2に示す縦断面図からもわかるように、半導体からなる基体sの少なくとも一面側に形成された金属層mに対して、その金属層m側(基体sの反対面側)から、レーザー照射してなされる。これにより、基体sと金属層mの接触界面bで化合物または合金が形成され、その接触界面bはオーミックコンタクトとなる。
(1)半導体素子(単に「素子」ともいう。)は、上述したように、半導体からなる基体sと、オーミックコンタクトした金属層mからなる電極とにより構成される。
12、22 裏面電極
121、221 第1領域
122、222 第2領域
s 半導体(基体)
m 金属層
Claims (7)
- 半導体からなる基体上に形成した金属層へ該基体の反対面側からレーザーを照射する照射工程を備え、該基体に接合された該金属層からなる電極を有する半導体素子を得る製造方法であって、
前記照射工程は、前記金属層の第1領域へエネルギー密度の低いレーザーを照射する第1工程と、
該金属層の第2領域へ該エネルギー密度の高いレーザーを照射する第2工程と、
を少なくとも備える半導体素子の製造方法。 - 半導体からなる基体と該基体の少なくとも一面側に接合された金属からなる電極とを有する半導体素子であって、
前記電極は、前記基体との非接合面側である表面上に、窪み深さの小さい第1凹部からなる第1領域と、窪み深さの大きい第2凹部からなる第2領域と、を少なくとも有する半導体素子。 - 前記第1領域は、前記電極の内周側に配置され、
前記第2領域は、該電極の外周側に配置される請求項2に記載の半導体素子。 - 前記第1領域は、環状である請求項2または3に記載の半導体素子。
- 前記半導体素子は、パワーダイオードまたはパワートランジスタである請求項2〜4のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記半導体は、SiCであり、
前記金属は、Ti、NiまたはAlを含む請求項2〜5のいずれかに記載の半導体素子。 - 請求項2〜6のいずれかに記載の半導体素子を備えた半導体装置であって、
前記電極面に作用する引張応力は、前記第2領域よりも前記第1領域が大きい半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018151777A JP2020027871A (ja) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | 半導体素子とその製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018151777A JP2020027871A (ja) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | 半導体素子とその製造方法および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020027871A true JP2020027871A (ja) | 2020-02-20 |
Family
ID=69620358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018151777A Pending JP2020027871A (ja) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | 半導体素子とその製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020027871A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007534143A (ja) * | 2003-08-14 | 2007-11-22 | クリー インコーポレイテッド | 金属−炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子 |
WO2018055688A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2019021680A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-02-07 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007534143A (ja) * | 2003-08-14 | 2007-11-22 | クリー インコーポレイテッド | 金属−炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子 |
WO2018055688A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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