JP2020024998A5 - - Google Patents

Description

本半導体装置は、チップ搭載部と、前記チップ搭載部に金属焼結材を介して接合された半導体チップと、を有し、前記金属焼結材は、平面視で前記半導体チップと重複する第１領域と、平面視で前記半導体チップの周囲を囲む第２領域と、を含み、前記第１領域の空隙率は１％以上１５％未満であり、前記第２領域の空隙率は１５％以上５０％以下であることを要件とする。

Claims (11)

1. チップ搭載部と、
   前記チップ搭載部に金属焼結材を介して接合された半導体チップと、を有し、
   前記金属焼結材は、平面視で前記半導体チップと重複する第１領域と、平面視で前記半導体チップの周囲を囲む第２領域と、を含み、
   前記第１領域の空隙率は１％以上１５％未満であり、前記第２領域の空隙率は１５％以上５０％以下である半導体装置。
2. 前記第２領域において、前記チップ搭載部と接する第１面と、前記第１面の反対面である第２面とは平行である請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第２領域は、前記半導体チップの側面に接している請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. チップ搭載部のチップ搭載予定領域内、及び前記チップ搭載予定領域の周囲に金属焼結材のペーストを印刷し、乾燥させる工程と、
   前記ペーストの周縁部を加圧する工程と、
   前記チップ搭載予定領域内に位置する前記ペーストを、加熱雰囲気中で半導体チップを介して加圧し、前記チップ搭載予定領域内及び前記チップ搭載予定領域の周囲に位置する前記ペーストを焼結して金属焼結材を作製し、前記チップ搭載部に前記金属焼結材を介して前記半導体チップを接合する工程と、を有し、
   前記金属焼結材は、平面視で前記半導体チップと重複する第１領域と、平面視で前記半導体チップの周囲に位置する第２領域と、を含み、
   前記第１領域の空隙率は、前記第２領域の空隙率よりも低い半導体装置の製造方法。
5. 前記第２領域の空隙率は、前記ペーストを印刷する工程で印刷された前記ペーストの空隙率よりも低い請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第１領域の空隙率は１％以上１５％未満であり、前記第２領域の空隙率は１５％以上５０％以下である請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第２領域は、前記ペーストを印刷する工程で印刷された前記ペーストの最厚部の厚さよりも薄く、
   前記第１領域は、前記第２領域よりも薄い請求項４乃至６の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記第２領域において、前記チップ搭載部と接する第１面と、前記第１面の反対面である第２面とは平行である請求項４乃至７の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記ペーストの周縁部を加圧する工程で加圧される領域は、平面視で、前記ペーストの前記チップ搭載予定領域の最外周よりも内側から、前記ペーストの最外周に至る額縁状の領域である請求項４乃至８の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記ペーストの周縁部を加圧する工程では、前記ペーストの周縁部を加熱しながら加圧し、
    前記ペーストの周縁部を加圧する工程の加熱温度は、前記半導体チップを接合する工程の加熱温度よりも低い請求項４乃至９の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記半導体チップを接合する工程において、前記第２領域は、前記半導体チップの側面に接する請求項４乃至１０の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。