JP2019536389A - 時間依存ビジュアルデータを検出する画素回路 - Google Patents
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- 230000000007 visual effect Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 title claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
検出された光強度を示す信号を増幅し、増幅された信号を生成するよう構成される電圧増幅器であって、増幅された信号は、電圧増幅器の入力電圧オフセットをシフトする制御信号を考慮して生成される電圧増幅器と、
増幅された信号を、少なくとも1つの閾値と比較し、基準値と比較し、当該比較に基づいて、少なくとも1つの出力信号を生成するよう構成されるヒステリシス比較モジュール(hysteresis comparing module configured for comparing the amplified signal to at least one threshold value and to a reference value and for generating at least one output signal based on said comparison)と、
電圧増幅器の制御信号を、ヒステリシス比較モジュールにより生成される少なくとも1つの出力信号に基づいて生成するよう構成されるフィードバック制御モジュールと、を備える。
Claims (15)
- 光強度を検出し、前記検出された光強度を示す信号を生成する光感知デバイスを備える、時間依存ビジュアルデータを検出する画素回路であって、
前記画素回路は、更に、
前記検出された光強度(Vph)を示す前記信号を増幅し、増幅された信号(Vo)を生成するよう構成される電圧増幅器(3)であって、前記増幅された信号は、前記電圧増幅器の入力電圧オフセットをシフトする制御信号(VqDC)を考慮して生成される電圧増幅器(3)と、
前記増幅された信号(Vo)を、少なくとも1つの閾値(θo+、θo−)と比較し、基準値(Vref)と比較し、前記比較に基づいて、少なくとも1つの出力信号(Vo+、Vo−;Vo1+、Vo1−)を生成するよう構成されるヒステリシス比較モジュール(4)と、
前記ヒステリシス比較モジュールにより生成される前記少なくとも1つの出力信号に基づいて、前記電圧増幅器(3)の前記制御信号(VqDC)を生成するよう構成されるフィードバック制御モジュールと、を備えることを特徴とする、画素回路。 - 前記ヒステリシス比較モジュール(4)は、前記増幅された信号が前記少なくとも1つの閾値(θo+、θo−)を超える場合、前記少なくとも1つの出力(Vo+、Vo−;Vo1+、Vo1−)をアクティブ状態に設定するよう構成される、請求項1に記載の画素回路。
- 前記フィードバック制御モジュールは、前記少なくとも1つの出力(Vo+、Vo−;Vo1+、Vo1−)がアクティブ状態のとき、前記増幅された信号(Vo)が前記基準値(Vref)に到達するように、前記制御信号(VqDC)を修正するよう構成される、請求項2に記載の画素回路。
- 前記増幅された信号(Vo)が第1の閾値(θo+)を超える場合、または前記増幅された信号(Vo)が第2の閾値(θo−)を超える場合、前記アクティブ状態は、チャージアップ状態である、請求項2または3に記載の画素回路。
- 前記増幅された信号(Vo)が第2の閾値(θo−)を超える場合、または前記増幅された信号(Vo)が、第1の閾値(θo+)を超える場合、前記アクティブ状態は、チャージダウン状態である、請求項2〜4のいずれか一項に記載の画素回路。
- 前記フィードバック制御モジュール(5)は、前記少なくとも1つの出力信号(Vo+、Vo−;Vo1+、Vo1−)に依存して充電されるキャパシタ(50)を備え、
前記電圧増幅器(3)の前記制御信号(VqDC)は、前記キャパシタ(50)の充電量に関連して生成される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の画素回路。 - 前記フィードバック制御モジュールは、前記少なくとも1つの出力信号(Vo+、Vo−;Vo1+、Vo1−)によりアクティブにされる少なくとも電流源(51a、51b)を備え、
前記キャパシタ(50)は、前記少なくとも1つの電流源(51a、51b)により充電される、請求項6に記載の画素回路。 - 前記電圧増幅器(3)は、ダイオード接続される複数のトランジスタ(Mpij)と追加トランジスタ(Mnij)とによりそれぞれが形成される、少なくとも第1のトランジスタスタックおよび第2のトランジスタスタック(30、31)を備え、
前記第1のトランジスタスタック(30)の前記追加トランジスタ(Mnij)は、前記光強度(Vph)を示す前記信号を受信し、
前記増幅された信号(Vo)は、前記第2のトランジスタスタック(31)の前記追加トランジスタ(Mnij)の端子から取り出される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の画素回路。 - 前記電圧増幅器(3)は、ダイオード接続される複数のトランジスタ(Mpij)と追加トランジスタ(Mnij)とによりそれぞれが形成される、複数のトランジスタスタック(30、31、32)を備え、
第1のトランジスタスタック(30)の前記追加トランジスタ(Mnij)は、前記光強度(Vph)を示す前記信号を受信し、
前記増幅された信号(Vo)は、第2のトランジスタスタック(31)および第3のトランジスタスタック(32)のそれぞれの前記追加トランジスタ(Mnij)の端子から取り出される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の画素回路。 - 前記光感知デバイス(2)は、電流(Iph)を生成するフォトダイオード(20)と、前記電流(Iph)を、前記検出された光強度(Vph)を示す前記信号に変換するよう構成される対数変換器(21)と、を備える、請求項1〜9のいずれか一項に記載の画素回路。
- 前記ヒステリシス比較モジュール(4)は、少なくとも1つのヒステリシス比較器(400、401;40)を備え、
前記少なくとも1つの出力信号(Vo+、Vo−)は、前記ヒステリシス比較器の出力に対応する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の画素回路。 - 前記ヒステリシス比較モジュール(4)は、少なくとも1つのヒステリシス比較器(400、401)と、論理モジュール(41)と、を備え、
前記少なくとも1つの出力信号(Vo+、Vo−)は、前記論理モジュール(41)の出力に対応する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の画素回路。 - 前記ヒステリシス比較モジュール(4)は、第1のヒステリシス比較器(400)と第2のヒステリシス比較器(401)とを備え、
前記第1のヒステリシス比較器は、前記増幅された信号(Vo)を第1の閾値(θo+)と比較し、前記比較に基づいて、前記増幅された信号のレベルが前記第1の閾値(θo+)以上の場合、アクティブ状態の第1の出力信号(Vo+;Vo1+)を生成し、
前記第2のヒステリシス比較器(401)は、前記増幅された信号(Vo)を第2の閾値(θo−)と比較し、前記増幅された信号(Vo)のレベルが前記第2の閾値(θo−)以下の場合、アクティブ状態の第2の出力信号(Vo−、Vo1−)を生成する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の画素回路。 - 前記フィードバック制御モジュール(5)は、前記第1の出力信号(Vo1+)および前記第2の出力信号(Vo1−)に基づいてそれぞれがアクティブにされる2つの電流源(51a、51b)を備える、請求項13に記載の画素回路。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の複数の画素回路(1)を備える、ビジョンセンサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16306380.3A EP3313064A1 (en) | 2016-10-20 | 2016-10-20 | Pixel circuit for detecting time-dependent visual data |
EP16306380.3 | 2016-10-20 | ||
PCT/EP2017/076780 WO2018073379A1 (en) | 2016-10-20 | 2017-10-19 | Pixel circuit for detecting time-dependent visual data |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019536389A true JP2019536389A (ja) | 2019-12-12 |
JP7071986B2 JP7071986B2 (ja) | 2022-05-19 |
Family
ID=57288323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019542790A Active JP7071986B2 (ja) | 2016-10-20 | 2017-10-19 | 時間依存ビジュアルデータを検出する画素回路 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10721423B2 (ja) |
EP (2) | EP3313064A1 (ja) |
JP (1) | JP7071986B2 (ja) |
KR (1) | KR102359761B1 (ja) |
CN (1) | CN110089107B (ja) |
WO (1) | WO2018073379A1 (ja) |
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US12047702B2 (en) | 2020-06-26 | 2024-07-23 | Beijing Ruisizhixin Technology Co., Ltd. | Delta image sensor with digital pixel storage |
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EP3811609B1 (en) | 2018-06-27 | 2024-08-07 | Prophesee | Image sensor with a plurality of super-pixels |
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- 2017-10-19 WO PCT/EP2017/076780 patent/WO2018073379A1/en unknown
- 2017-10-19 US US16/343,720 patent/US10721423B2/en active Active
- 2017-10-19 KR KR1020197011351A patent/KR102359761B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-19 JP JP2019542790A patent/JP7071986B2/ja active Active
- 2017-10-19 EP EP17794687.8A patent/EP3529981B1/en active Active
- 2017-10-19 CN CN201780064720.6A patent/CN110089107B/zh active Active
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WO2018073379A1 (en) | 2018-04-26 |
CN110089107A (zh) | 2019-08-02 |
EP3529981B1 (en) | 2020-12-16 |
KR20190088969A (ko) | 2019-07-29 |
EP3529981A1 (en) | 2019-08-28 |
US10721423B2 (en) | 2020-07-21 |
EP3313064A1 (en) | 2018-04-25 |
KR102359761B1 (ko) | 2022-02-09 |
JP7071986B2 (ja) | 2022-05-19 |
US20190273884A1 (en) | 2019-09-05 |
CN110089107B (zh) | 2021-06-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200804 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210608 |
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