JP2017216513A - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
撮像素子および撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017216513A JP2017216513A JP2016107629A JP2016107629A JP2017216513A JP 2017216513 A JP2017216513 A JP 2017216513A JP 2016107629 A JP2016107629 A JP 2016107629A JP 2016107629 A JP2016107629 A JP 2016107629A JP 2017216513 A JP2017216513 A JP 2017216513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- unit
- charge
- photoelectric conversion
- conversion unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】ダイナミックレンジを拡大可能な撮像素子を提供する。【解決手段】撮像素子は、入射光を電荷に変換する光電変換部と、光電変換部で変換された電荷量が閾値に達するまで電荷を蓄積する電荷蓄積部と、光電変換部で変換された電荷に応じた第1の信号及び電荷蓄積部で蓄積された電荷に応じた第2の信号のいずれか一方を出力する信号出力部と、を備える。【選択図】図2
Description
本発明は、撮像素子および撮像装置に関する。
光電変換部の電荷に基づく信号と、前記光電変換部が飽和するまでの時間に基づく信号を各画素から出力する技術が知られている(特許文献1)。この技術では、上記いずれの信号を用いるかを外部回路で判断していた。
本発明の第1の態様によると、撮像素子は、入射光を電荷に変換する光電変換部と、前記光電変換部で変換された電荷量が閾値に達するまで電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記光電変換部で変換された電荷に応じた第1の信号及び前記電荷蓄積部で蓄積された電荷に応じた第2の信号のいずれか一方を出力する信号出力部と、を備える。
本発明の第2の態様によると、撮像装置は、第1の態様による撮像素子と、前記撮像素子からの信号に基づいて画像データを生成する画像生成部と、を備える。
本発明の第2の態様によると、撮像装置は、第1の態様による撮像素子と、前記撮像素子からの信号に基づいて画像データを生成する画像生成部と、を備える。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態に係る撮像装置の構成例を示すブロック図である。撮像装置1は、撮影光学系(結像光学系)2、撮像素子3、および制御部4を備える。撮像装置1は、例えばカメラである。撮影光学系2は、複数のレンズや絞りにより構成され、撮像素子3の撮像面上に被写体像を結像する。撮像素子3は、CCDやCMOS等のイメージセンサであり、撮像素子3には複数の画素が二次元状(行方向及び列方向)に配置される。撮像素子3は、撮影光学系2により形成された被写体像を撮像して画像信号を生成する。制御部4は、撮像素子3の動作を制御するための制御信号を撮像素子3に出力する。また、制御部4は、撮像素子3から出力された画像信号に対して各種の画像処理を施し、画像データを生成する画像生成部として機能する。なお、撮影光学系2は、撮像装置1から着脱可能にしてもよい。
図1は、第1の実施の形態に係る撮像装置の構成例を示すブロック図である。撮像装置1は、撮影光学系(結像光学系)2、撮像素子3、および制御部4を備える。撮像装置1は、例えばカメラである。撮影光学系2は、複数のレンズや絞りにより構成され、撮像素子3の撮像面上に被写体像を結像する。撮像素子3は、CCDやCMOS等のイメージセンサであり、撮像素子3には複数の画素が二次元状(行方向及び列方向)に配置される。撮像素子3は、撮影光学系2により形成された被写体像を撮像して画像信号を生成する。制御部4は、撮像素子3の動作を制御するための制御信号を撮像素子3に出力する。また、制御部4は、撮像素子3から出力された画像信号に対して各種の画像処理を施し、画像データを生成する画像生成部として機能する。なお、撮影光学系2は、撮像装置1から着脱可能にしてもよい。
図2は、第1の実施の形態に係る撮像素子の画素の構成例を示す回路図である。画素100は、フォトダイオード(PD)等の光電変換部12と、転送トランジスタT1と、リセット部14と、選択部17と、電荷蓄積部20と、信号出力部30とを備える。画素100は、さらに、インバータ回路INV1と、インバータ回路INV2と、ラッチ回路LAT1と、トランジスタT8と、トランジスタT10と、トランジスタT11とを備える。リセット部14は、リセットトランジスタT2およびOR回路OR1を有する。
画素100には、転送線31と、リセット線32と、行選択線33とが接続される。転送線31は、転送トランジスタT1と、トランジスタT8と、トランジスタT10に接続される。リセット線32は、リセット部14と、トランジスタT7と、ラッチ回路LAT1のリセット端子(R端子)に接続される。行選択線33は、選択部17に接続される。
光電変換部12は、入射した光を電荷に変換し、光電変換された電荷を蓄積する機能を有する。転送トランジスタT1は、転送線31に供給される信号Vtxにより制御される。例えば、転送トランジスタT1のゲートに供給される信号Vtxがイネーブル状態(例えば、ハイレベル)になると、転送トランジスタT1はオンする。転送トランジスタT1がオンした状態で、信号出力部30のトランジスタT5がオンしている場合に、光電変換部12で光電変換された電荷がフローティングディフュージョン(FD)15に転送される。フローティングディフュージョン15は、電荷を蓄積(保持)する。
リセット部14は、リセット線32に供給される信号Vrstにより制御される。例えば、信号Vrstがイネーブル状態(例えば、ハイレベル)になると、OR回路OR1はハイレベルを出力し、リセットトランジスタT2がオンする。リセットトランジスタT2がオンした状態で、トランジスタT5がオンしている場合は、フローティングディフュージョン15の電荷をリセットし、フローティングディフュージョン15の電位をリセット電位(例えば、電源電圧VDDレベル)にリセットする。また、リセットトランジスタT2がオンした状態で、トランジスタT1がオンしている場合は、光電変換部12に蓄積された電荷がリセットされる。
選択部17は、例えば選択トランジスタT4により構成され、行選択線33に供給される信号Vselにより制御される。例えば、信号Vselがイネーブル状態(例えば、ハイレベル)になると、選択トランジスタT4はオンとなる。選択トランジスタT4がオンすることにより、電源VDDと信号出力部30の増幅部16とを導通させ、フローティングディフュージョン15に蓄積された電荷を増幅した信号を垂直信号線34に出力可能とする。
電荷蓄積部20は、比較部21と、電圧源22と、計時部23とを備える。比較部21は、例えばコンパレータ回路CMP1により構成される。コンパレータ回路CMP1の反転入力端子には光電変換部12の電圧voが入力され、コンパレータ回路CMP1の非反転入力端子には電圧源22で生成される所定の基準電圧Eが入力される。例えば、基準電圧Eは、光電変換部12の飽和電圧と同じ電圧に設定される。光電変換部12の飽和電圧は、光電変換部12に蓄積可能な電荷量(飽和電荷量)に基づく値となる。比較部21は、電圧voと基準電圧Eとの電圧差に応じた電圧を出力する。例えば、比較部21は、電圧voと基準電圧Eとを比較して、電圧voが基準電圧Eよりも大きい場合は、ハイレベル(例えば、電源電圧VDDレベル)を信号線35に出力する。他方、電圧voが基準電圧Eよりも小さい場合は、比較部21は、ローレベル(例えば、接地電圧レベル)を信号線35に出力する。比較部21の出力信号は、光電変換部12で変換された電荷量が閾値(飽和電荷量)に達したか否かを示す信号となる。
計時部23は、電流源25と、トランジスタT6と、トランジスタT7と、コンデンサC1とを備える。計時部23は、光電変換部12で光電変換された電荷の電荷量に基づく電圧voが基準電圧Eに達するまでの経過時間に応じた電荷を蓄積する。トランジスタT6は、信号線35に供給される比較部21の出力信号により制御され、比較部21の出力信号がハイレベルになると、トランジスタT6はオンする。トランジスタT6がオンしている場合は、コンデンサC1と電流源25とが導通して、電流源25の基準電流I1によりコンデンサC1の充電が行われる。電流源25により生成される基準電流I1は、定電流となる。コンデンサC1の電圧は、電流源25により供給される電流量に応じた電圧となる。トランジスタT7は、信号Vrstにより制御され、信号Vrstがハイレベルになると、トランジスタT7はオンする。トランジスタT7がオンすると、コンデンサC1の一端はトランジスタT7を介して接地され、コンデンサC1の電圧は、接地電位にリセットされる。
信号出力部30は、増幅部16と、トランジスタT5と、トランジスタT9とを備える。トランジスタT5およびトランジスタT9は、光電変換部12に蓄積された電荷またはコンデンサC1に蓄積された電荷のいずれかを、フローティングディフュージョン15に転送する転送部である。信号線36に供給されるラッチ回路LAT1の出力信号がローレベルの場合は、トランジスタT9はオフとなり、トランジスタT5はオンとなる。トランジスタT5がオンすると、光電変換部12に蓄積された電荷を、トランジスタT1を介してフローティングディフュージョン15に転送可能となる。また、ラッチ回路LAT1の出力信号がハイレベルの場合は、トランジスタT9がオンとなり、トランジスタT5はオフとなる。トランジスタT9がオンすると、コンデンサC1に蓄積された電荷を、トランジスタT8を介してフローティングディフュージョン15に転送可能となる。
フローティングディフュージョン15は、光電変換部12に蓄積された電荷またはコンデンサC1に蓄積された電荷を保持(蓄積)する保持部として機能する。増幅部16は、例えば増幅トランジスタT3により構成され、フローティングディフュージョン15に蓄積された電荷を増幅した信号を出力する。増幅トランジスタT3は、垂直信号線34を介して接続される不図示の電流源を負荷電流源として、ソースフォロワ回路の一部として機能する。すなわち、増幅部16は、フローティングディフュージョン15に保持された電荷を増幅した信号を生成し、生成した信号を垂直信号線34に出力する。
本実施の形態では、光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号およびコンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号のいずれか一方を画素外に出力して演算を行うことにより、実際に入射した光の光量に応じた信号を取得する。このため、入射光を電気信号に変換できる範囲となるダイナミックレンジを拡大させることができる。また、特許文献1に記載の技術では、光電変換部の電荷に基づく信号および光電変換部が飽和するまでの時間に基づく信号の両方を各画素から出力するため、各画素から出力される信号のうちいずれの信号を用いるかを判断するための外部回路を設ける必要がある。外部回路は、膨大な数の画素(例えば、数千万の画素)の一つ一つについて、画素から出力される信号のうちいずれの信号を採用するかを判断する必要がある。このため、特許文献1に記載の技術では、大規模の外部回路が必要となるので撮像素子の製造コストが増大する。また、膨大な画素の一つ一つについて、いずれの信号を採用するかを判断する処理を行う必要があるので、その処理に伴う時間が増大する。本実施の形態では、光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号およびコンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号のいずれか一方を画素外に出力して演算を行う。このため、上述のような外部回路を設ける必要がない。この結果、特許文献1に記載の技術と比較して、撮像素子の製造コストを低減することができる。また、画素から出力される信号を処理する時間が増大することを防ぐことができる。以下に詳細に説明する。
信号Vrstおよび信号Vtxがハイレベルになると、画素100はリセット状態となる。リセット状態では、リセットトランジスタT2およびトランジスタT1がオンして、光電変換部12の電圧voが電源電圧VDDレベルにリセットされる。電圧voが電源電圧VDDレベルとなると、電圧voが基準電圧Eよりも大きくなり、比較部21はハイレベルを出力する。比較部21の出力電圧がハイレベルとなると、ラッチ回路LAT1の入力端子(S端子)にローレベルが入力される。また、リセット状態では、ラッチ回路LAT1のリセット端子(R端子)にはハイレベルが入力されるため、ラッチ回路LAT1の出力端子(Q端子)から出力される出力信号は、ローレベルとなる。ラッチ回路LAT1の出力信号がローレベルになると、トランジスタT5がオンして、リセットトランジスタT2を介してフローティングディフュージョン15の電位が電源電圧VDDレベルにリセットされる。さらに、リセット状態では、トランジスタT7がオンとなり、コンデンサC1の電圧が接地電位にリセットされる。
リセット状態の後、信号Vrstおよび信号Vtxがローレベルになり、光電変換部12は入射光を光電変換して電荷の蓄積を開始する。光電変換部12の受光量に応じて、光電変換部12の電圧voは低下する。また、コンデンサC1は、トランジスタT6を介して電流源25に接続され、電流源25からの基準電流I1によりコンデンサC1の充電が開始される。電流源25により供給される電流量に応じて、コンデンサC1の充電電圧は接地電位から高くなる。
光電変換部12が受光している光が弱いと、電圧voが閾値となる基準電圧E以下まで低下しないため、比較部21の出力電圧はハイレベルのままとなる。比較部21の出力電圧がハイレベルの場合は、ラッチ回路LAT1の出力電圧はローレベルであり、トランジスタT5がオンとなる。トランジスタT5がオンしている場合に、信号Vtxがハイレベルになると、光電変換部12に蓄積された電荷がフローティングディフュージョン15に転送される。増幅トランジスタT3は、フローティングディフュージョン15に蓄積された電荷の電荷量に応じた信号を生成する。信号Vselがハイレベルになると、トランジスタT4がオンして、増幅トランジスタT3は、光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号を垂直信号線34に出力する。
また、ラッチ回路LAT1の出力信号がローレベルである状態で、信号Vtxがハイレベルになると、トランジスタT11のゲートにはトランジスタT10を介してローレベルが入力される。トランジスタT11のゲートにローレベルが入力された状態で、信号Vselがハイレベルになると、信号線37のキャリー信号はローレベルとなる。なお、トランジスタT11のゲートに信号Vselを入力する構成とし、信号VselがハイレベルになるとトランジスタT11がオンとなり、トランジスタT10を介してラッチ回路LAT1の出力信号をキャリー信号として信号線37に出力するようにしてもよい。
光電変換部12が受光している光が強いと、電圧voが基準電圧E以下となり、比較部21の出力電圧はローレベルとなる。比較部21の出力電圧がローレベルになると、ラッチ回路LAT1の出力電圧がハイレベルになり、トランジスタT9がオンとなる。トランジスタT9がオンしている場合に、信号Vtxがハイレベルになると、コンデンサC1に蓄積された電荷がフローティングディフュージョン15に転送される。増幅トランジスタT3は、フローティングディフュージョン15に蓄積された電荷の電荷量に応じた信号を生成する。信号Vselがハイレベルになると、トランジスタT4がオンして、増幅トランジスタT3は、コンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号を垂直信号線34に出力する。
また、ラッチ回路LAT1の出力信号がハイレベルである状態で、信号Vtxがハイレベルになると、トランジスタT11のゲートにはトランジスタT10を介してハイレベルが入力される。トランジスタT11のゲートにハイレベルが入力された状態で、信号Vselがハイレベルになると、信号線37のキャリー信号はハイレベルとなる。
さらに、ラッチ回路LAT1の出力信号がハイレベルの場合は、OR回路OR1の一方の入力端子にハイレベルが入力されて、OR回路OR1はハイレベルを出力する。これにより、トランジスタT2がオンする。トランジスタT2がオンした状態で、信号VtxがハイレベルになりトランジスタT1がオンになると、光電変換部12の電荷がリセットされる。このため、飽和量を超えた電荷の蓄積による電荷の漏れを防ぐことができる。この結果、ブルーミングの発生を防止することができる。
光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号またはコンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号は、垂直信号線34を介して不図示の演算部に出力される。また、信号線37に入力されるキャリー信号についても、演算部に出力される。演算部は、アナログ/デジタル変換部(AD変換部)等により構成される。
次に、光電変換部12に蓄積される電荷が飽和するまでの時間から、光電変換部12に実際に入射した光の光量に応じた信号を算出する方法について説明する。基準電圧Eを光電変換部12の飽和電圧と同じ電圧に設定すると、光電変換部12の電荷が飽和するまでの間、コンデンサC1は電流源25の基準電流I1により充電される。コンデンサC1の電圧は、電流I1の時間積分値に応じて変化する。コンデンサC1の電圧vは、コンデンサC1の容量値をC、コンデンサC1に供給される電流をiとすると、以下の式(1)により表される。
v=1/C×∫idt ・・・(1)
ここで、電流iが定電流となる基準電流I1の場合は、以下の式が得られる。
v=1/C×I1×T
T=(C×v)/I1 ・・・(2)
上式(2)により、コンデンサC1の電圧vから光電変換部12の電荷が飽和するまでの時間Tを算出することができる。
v=1/C×∫idt ・・・(1)
ここで、電流iが定電流となる基準電流I1の場合は、以下の式が得られる。
v=1/C×I1×T
T=(C×v)/I1 ・・・(2)
上式(2)により、コンデンサC1の電圧vから光電変換部12の電荷が飽和するまでの時間Tを算出することができる。
演算部は、キャリー信号により垂直信号線34に出力された信号の種類を知ることができる。各画素100から信号を読み出したときに、キャリー信号がハイレベルの場合は、コンデンサC1の電荷に基づく信号が垂直信号線34に出力されたと判定する。演算部は、上述した式(2)に基づいて、読み出された信号から光電変換部12の電荷が飽和するまでの時間Tを算出する。また、演算部は、算出した時間T、リセット状態が解除されて信号Vtxがハイレベルとなるまでの電荷蓄積時間および基準電圧Eに基づいて、各画素100に照射された光の光量に応じた信号を演算する。例えば、電荷蓄積時間が10msecで、AD変換部の出力ビット数を8ビット(最大FF:255)とすると、光電変換部12の電荷が飽和するまでの時間Tが2msecの場合は、電荷蓄積時間10msecの1/5の時間で飽和電圧に対応するFFに達したことになるので、光電変換部12に実際に入射した光の光量に応じた信号はFFの5倍(4FB:1275)になる。
演算部は、キャリー信号がローレベルの場合は、光電変換部12の電荷に基づく信号が垂直信号線34に出力されたと判定する。この場合は、光電変換部12で電荷の飽和が発生していないため、従来の撮像素子と変わらず、上述した演算を行う必要はない。その結果、演算部による演算時間を短縮させることができる。
上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)撮像素子3は、入射光を電荷に変換する光電変換部12と、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達するまで電荷を蓄積する電荷蓄積部20と、光電変換部12で変換された電荷に応じた第1の信号及び電荷蓄積部20で蓄積された電荷に応じた第2の信号のいずれか一方を出力する信号出力部30と、を備える。このようにしたので、撮像素子のダイナミックレンジを拡大させることができる。また、光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号およびコンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号のいずれか一方を出力するため、各画素100から出力される信号のうちいずれの信号を用いるかを判断するための外部回路を設ける必要がない。このため、チップ面積の増大を抑制することができ、撮像素子の製造コストを低減することができる。また、画素100から出力される信号を処理する時間が増大することを防ぐことができる。
(2)光電変換部12と電荷蓄積部20と信号出力部30とを有する複数の画素100が接続される垂直信号線34を更に備え、信号出力部30は、第1の信号及び第2の信号のいずれか一方を垂直信号線34に出力する。本実施の形態では、光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号及びコンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号のいずれか一方を垂直信号線34に出力して演算を行う。このため、画素100からの信号を処理するための回路の素子数や回路間の配線数を少なくすることができ、チップ面積の増大を抑制することができる。
(1)撮像素子3は、入射光を電荷に変換する光電変換部12と、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達するまで電荷を蓄積する電荷蓄積部20と、光電変換部12で変換された電荷に応じた第1の信号及び電荷蓄積部20で蓄積された電荷に応じた第2の信号のいずれか一方を出力する信号出力部30と、を備える。このようにしたので、撮像素子のダイナミックレンジを拡大させることができる。また、光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号およびコンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号のいずれか一方を出力するため、各画素100から出力される信号のうちいずれの信号を用いるかを判断するための外部回路を設ける必要がない。このため、チップ面積の増大を抑制することができ、撮像素子の製造コストを低減することができる。また、画素100から出力される信号を処理する時間が増大することを防ぐことができる。
(2)光電変換部12と電荷蓄積部20と信号出力部30とを有する複数の画素100が接続される垂直信号線34を更に備え、信号出力部30は、第1の信号及び第2の信号のいずれか一方を垂直信号線34に出力する。本実施の形態では、光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号及びコンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号のいずれか一方を垂直信号線34に出力して演算を行う。このため、画素100からの信号を処理するための回路の素子数や回路間の配線数を少なくすることができ、チップ面積の増大を抑制することができる。
(3)信号出力部30は、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達しない場合は第1の信号を出力し、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達した場合は第2の信号を出力する。このようにしたので、光電変換部12に蓄積された電荷の電荷量に基づいて、光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号またはコンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号のいずれかを垂直信号線34に出力させることができる。
(4)電荷蓄積部20は、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達したか否かを示す信号を出力する。本実施の形態では、電荷蓄積部20の比較部21は、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達したか否かを示す信号を出力する。比較部21により出力された信号は、ラッチ回路等を介して信号線37に読み出され、キャリー信号として演算部に入力される。このため、キャリー信号により垂直信号線34に出力された信号の種類を知ることができる。
(4)電荷蓄積部20は、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達したか否かを示す信号を出力する。本実施の形態では、電荷蓄積部20の比較部21は、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達したか否かを示す信号を出力する。比較部21により出力された信号は、ラッチ回路等を介して信号線37に読み出され、キャリー信号として演算部に入力される。このため、キャリー信号により垂直信号線34に出力された信号の種類を知ることができる。
(5)電荷蓄積部20は、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達するまでの経過時間に応じた電荷を蓄積する計時部23を有する。このようにしたので、光電変換部12の電荷量が閾値に達するまでの時間に応じた信号を生成することができる。
(6)閾値は、光電変換部12で変換される電荷の飽和量に基づく値である。このようにしたので、光電変換部12の電圧が飽和電圧に達するまでの時間に応じた信号を生成することができる。
(7)光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達した場合に、閾値と第2の信号とに基づいて、光電変換部12への入射光量に対応する第3の信号を算出する演算部を更に備える。本実施の形態では、演算部は、光電変換部12の電圧が飽和電圧に達するまでの時間T、電荷蓄積時間および基準電圧Eに基づいて、各画素100に照射された光の光量に応じた信号を演算する。このため、各画素100に実際に入射した光の光量に応じた信号を取得することができる。
(6)閾値は、光電変換部12で変換される電荷の飽和量に基づく値である。このようにしたので、光電変換部12の電圧が飽和電圧に達するまでの時間に応じた信号を生成することができる。
(7)光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達した場合に、閾値と第2の信号とに基づいて、光電変換部12への入射光量に対応する第3の信号を算出する演算部を更に備える。本実施の形態では、演算部は、光電変換部12の電圧が飽和電圧に達するまでの時間T、電荷蓄積時間および基準電圧Eに基づいて、各画素100に照射された光の光量に応じた信号を演算する。このため、各画素100に実際に入射した光の光量に応じた信号を取得することができる。
(8)特許文献1に記載の撮像素子では、光電変換部に蓄積された電荷の飽和値と光電変換部の電荷が飽和するまでの経過時間に関する信号とを画素外に読み出して演算を行うため、2つのAD変換器を設ける必要があり回路規模と消費電力が大きくなる。また、光電変換部に蓄積された電荷の飽和値と経過時間に関する信号とを画素外に読み出すために、他の信号にノイズを与えることになる。これに対して、本実施の形態では、特許文献1に記載の撮像素子と比べて、素子数および配線数が少ない構成でダイナミックレンジを拡大させることができる。また、消費電力および信号に混入するノイズを低減させることができる。
(第2の実施の形態)
図3を参照して、第2の実施の形態に係る撮像素子3について説明する。なお、図中、第1の実施の形態と同一もしくは相当部分には、同一の参照番号を付し、第1の実施の形態に係る撮像素子3との相違点を主に説明する。図3は、第2の実施の形態に係る撮像素子の画素の構成例を示す回路図である。以下、第2の実施の形態に係る撮像素子の動作例について説明する。
図3を参照して、第2の実施の形態に係る撮像素子3について説明する。なお、図中、第1の実施の形態と同一もしくは相当部分には、同一の参照番号を付し、第1の実施の形態に係る撮像素子3との相違点を主に説明する。図3は、第2の実施の形態に係る撮像素子の画素の構成例を示す回路図である。以下、第2の実施の形態に係る撮像素子の動作例について説明する。
信号Vrstおよび信号Vtxがハイレベルになると、画素100はリセット状態となる。信号Vrstがハイレベルになると、リセットトランジスタT2がオンして、光電変換部12の電圧voが電源電圧VDDレベルにリセットされる。信号Vtxがハイレベルになると、ダイオード41を介して信号線37の電位がハイレベルとなり、トランジスタT12がオンになる。トランジスタT12がオンになると、トランジスタT10のゲートにはローレベルが入力されるため、トランジスタT10がオフになる。リセット状態において、トランジスタT10がオフになると、信号線38の電位は抵抗R2によりローレベルとなり、ラッチ回路LAT1の入力端子(S端子)にローレベルが入力される。また、リセット状態では、ラッチ回路LAT1のリセット端子(R端子)にはハイレベルが入力されるため、ラッチ回路LAT1の出力端子(Q端子)から出力される出力信号は、ローレベルとなる。
また、リセット状態では、ラッチ回路LAT1の出力端子(QB端子)から出力される出力信号はハイレベルになるため、トランジスタT1がオンする。リセット状態では信号Vtxがハイレベルになるため、トランジスタT5がオンになり、リセットトランジスタT2を介してフローティングディフュージョン15の電位が電源電圧VDDレベルにリセットされる。さらに、リセット状態では、トランジスタT7がオンとなり、コンデンサC1の電圧が接地電位にリセットされる。
リセット状態の後、信号Vrstおよび信号Vtxがローレベルになり、光電変換部12は入射光を光電変換して電荷の蓄積を開始する。光電変換部12の受光量に応じて、光電変換部12の電圧voは低下する。また、コンデンサC1は、電流源25からの基準電流I1によりコンデンサC1の充電が開始される。電流源25により供給される電流量に応じて、コンデンサC1の充電電圧は接地レベルから高くなる。
光電変換部12が受光している光が弱いと、電圧voが基準電圧E以下まで低下しないため、トランジスタT10およびトランジスタT11がオフのままとなる。信号線38の電位がローレベルのままとなり、ラッチ回路LAT1のQB端子からはハイレベルが出力されて、トランジスタT1がオンとなる。トランジスタT1がオンしている場合に、信号Vtxがハイレベルになると、光電変換部12に蓄積された電荷が、トランジスタT5を介してフローティングディフュージョン15に転送される。そして、信号Vselがハイレベルになると、トランジスタT4がオンして、増幅トランジスタT3は、光電変換部12に蓄積された電荷に基づく信号を垂直信号線34に出力する。また、ラッチ回路LAT1のQ端子からローレベルが出力される状態で、信号Vtxがハイレベルになると、トランジスタT11のゲートにはトランジスタT10を介してローレベルが入力される。トランジスタT11のゲートにローレベルが入力された状態で、信号Vselがハイレベルになると、信号線37のキャリー信号はローレベルとなる。
光電変換部12が受光している光が強いと、電圧voが基準電圧Eよりも所定値低い電圧となり、トランジスタT10およびトランジスタT11がオンとなる。トランジスタT11がオンになると、信号線38の電位がハイレベルとなり、ラッチ回路LAT1のQ端子からハイレベルが出力されて、トランジスタT13がオンとなる。トランジスタT13がオンしている場合に、信号Vtxがハイレベルになると、コンデンサC1に蓄積された電荷が、トランジスタT9を介してフローティングディフュージョン15に転送される。信号Vselがハイレベルになると、トランジスタT4がオンして、増幅トランジスタT3は、コンデンサC1に蓄積された電荷に基づく信号を垂直信号線34に出力する。また、ラッチ回路LAT1のQ端子からハイレベルが出力される状態で、信号Vtxおよび信号Vselがハイレベルになると、信号線37のキャリー信号はハイレベルとなる。
また、ラッチ回路LAT1のQ端子からハイレベルが出力されると、トランジスタT2がオンになり、光電変換部12の電荷がリセットされる。このため、光電変換部12の電圧が飽和電圧を超えたときに、光電変換部12の電荷をリセットすることができ、飽和量を超えた電荷の蓄積による電荷の漏れを防ぐことができる。この結果、ブルーミングの発生を防止することができる。
第2の実施の形態では、撮像素子3は、電荷蓄積部20を制御する画素制御部110を更に備える。画素制御部110は、撮像装置1の制御部4から撮影モードに関連する情報を取得し、撮影モードに関連する情報に基づいて電荷蓄積部20を制御するための制御信号を生成する。画素制御部110は、生成した制御信号を、信号線40を介して各画素100に供給する。
例えば、ストロボ撮影時のプリ発光時、AE測光時、動画撮影モード、スルー画撮影モード等の場合は、画素制御部110は、信号線40にハイレベルを出力する。信号線40の電位がハイレベルになると、ダイオード42を介して信号線37の電位がハイレベルになり、トランジスタT12はオンになる。トランジスタT12がオンになると、トランジスタT10のゲートには接地電位が与えられて、トランジスタT10がオフのままとなり、電荷蓄積部20の作動が停止される。なお、信号線40にハイレベルを出力して電荷蓄積部20の作動を停止させる場合に、電流源25による基準電流I1の生成を停止させるようにしてもよい。スルー画撮影モード等の場合は、静止画撮影モードの場合と比較して、撮像素子3のダイナミックレンジは大きくなくてもよいため、電荷蓄積部20の作動を停止させることにより、消費電力を低減させることができる。
上述した実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の作用効果に加えて、次の作用効果が得られる。
(9)撮像素子3は、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達した場合は、光電変換部12で変換された電荷をリセットするリセット部14を更に備える。このようにしたので、光電変換部12の電荷の漏れを防ぐことができ、ブルーミングの発生を防止することができる。
(10)撮像素子3は、撮影モードに関連する情報に基づいて電荷蓄積部20を制御する画素制御部110を更に備える。このようにしたので、撮影モードに応じて電荷蓄積部20の作動を停止させることができ、消費電力を低減させることができる。
(9)撮像素子3は、光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達した場合は、光電変換部12で変換された電荷をリセットするリセット部14を更に備える。このようにしたので、光電変換部12の電荷の漏れを防ぐことができ、ブルーミングの発生を防止することができる。
(10)撮像素子3は、撮影モードに関連する情報に基づいて電荷蓄積部20を制御する画素制御部110を更に備える。このようにしたので、撮影モードに応じて電荷蓄積部20の作動を停止させることができ、消費電力を低減させることができる。
(第3の実施の形態)
図4を参照して、第3の実施の形態に係る撮像素子3について説明する。なお、図中、第1および第2の実施の形態と同一もしくは相当部分には、同一の参照番号を付し、第1および第2の実施の形態に係る撮像素子3との相違点を主に説明する。図4は、第3の実施の形態に係る撮像素子の画素の構成例を示す回路図である。以下、第3の実施の形態に係る撮像素子の動作例について説明する。
図4を参照して、第3の実施の形態に係る撮像素子3について説明する。なお、図中、第1および第2の実施の形態と同一もしくは相当部分には、同一の参照番号を付し、第1および第2の実施の形態に係る撮像素子3との相違点を主に説明する。図4は、第3の実施の形態に係る撮像素子の画素の構成例を示す回路図である。以下、第3の実施の形態に係る撮像素子の動作例について説明する。
図4に示すように、第3の実施の形態では、計時部23は、AND回路AND1と、カウンター回路26とを備える。AND回路AND1には、比較部21の出力信号とクロック信号CLKとが入力される。クロック信号CLKは、例えば、画素100外に設けられる不図示のパルス発生回路等により生成されて、各画素100に供給される。カウンター回路26のリセット端子(R端子)には信号Vrstが入力され、カウンター回路26の他方の入力端子にはAND回路AND1の出力信号が入力される。比較部21の動作は、第1の実施形態に係る比較部21の動作と同様である。
信号Vrstがハイレベルになると、カウンター回路26のカウント値がリセットされる。また、リセット状態では、比較部21の出力はハイレベルとなり、AND回路AND1の一方の入力端子にはハイレベルが入力される。その結果、AND回路AND1を介して、所定周期のクロック信号CLKがカウンター回路26に入力される。カウンター回路26は、リセット状態の解除後に、入力されるクロック信号CLKのカウントを開始する。
リセット状態の後、光電変換部12の電圧voが基準電圧E以下になると、比較部21の出力は反転してローレベルになる。これにより、AND回路AND1の一方の入力にはローレベルが入力され、カウンター回路26へのクロック信号CLKの供給が停止し、カウンター回路26のカウント動作が終了する。すなわち、カウンター回路26は、信号Vrstがローレベルとなるリセット解除後から光電変換部12の電荷が所定量に達するまでカウント動作を行う。信号Vtxおよび信号Vselがハイレベルになると、AND回路AND2は、信号線39にカウント値を示す信号を出力する。また、比較部21の出力電圧がローレベルになることにより、信号線37にはキャリー信号としてハイレベルが出力される。演算部は、入力されるキャリー信号がハイレベルの場合は、信号線39を介して入力されるカウント値を示す信号に基づいて、実際に入射した光の光量に応じた信号を算出する。カウント値を示す信号はデジタル信号となるため、演算部は、AD変換を行わずに、実際に入射した光の光量に応じた信号を得ることができる。
上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
(11)光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達するまでの時間に応じたデジタル信号を出力する。このようにしたので、光電変換部12の電荷の飽和が生じた画素からの信号については、AD変換を行う必要がなく、実際に入射した光の光量に応じた信号を取得することができる。
(11)光電変換部12で変換された電荷量が閾値に達するまでの時間に応じたデジタル信号を出力する。このようにしたので、光電変換部12の電荷の飽和が生じた画素からの信号については、AD変換を行う必要がなく、実際に入射した光の光量に応じた信号を取得することができる。
次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。
(変形例1)
上述した第1および第2の実施の形態では、トランジスタT5、T9をトランジスタT3の前段に配置して、信号生成用のトランジスタT3を共通化した。しかし、図5に示すように、信号生成用のトランジスタT3、T12を配置し、トランジスタT5、T9をトランジスタT3、T12の各々の後段に配置するようにしてもよい。
上述した第1および第2の実施の形態では、トランジスタT5、T9をトランジスタT3の前段に配置して、信号生成用のトランジスタT3を共通化した。しかし、図5に示すように、信号生成用のトランジスタT3、T12を配置し、トランジスタT5、T9をトランジスタT3、T12の各々の後段に配置するようにしてもよい。
(変形例2)
上述した変形例1では、信号生成用のトランジスタT3、T12を共に配置したが、図6のように、トランジスタT12を省略してもよい。また、図7に示すように、スイッチとしてトランジスタT12を配置してもよい。
上述した変形例1では、信号生成用のトランジスタT3、T12を共に配置したが、図6のように、トランジスタT12を省略してもよい。また、図7に示すように、スイッチとしてトランジスタT12を配置してもよい。
(変形例3)
上述した第1の実施の形態では、比較部21の出力をトランジスタT6に直接接続したが、図8に示すように、比較部21の出力を、ラッチ回路LAT1を介してトランジスタT6に接続するようにしてもよい。また、図8に示すように、トランジスタT13を配置して、ラッチ回路LAT1の出力を、インバータ回路INV1を介してトランジスタT13のゲートに接続するようにしてもよい。これにより、光電変換部12の電圧が飽和電圧を超えたときに、トランジスタT13により光電変換部12の電荷をリセットすることができる。
上述した第1の実施の形態では、比較部21の出力をトランジスタT6に直接接続したが、図8に示すように、比較部21の出力を、ラッチ回路LAT1を介してトランジスタT6に接続するようにしてもよい。また、図8に示すように、トランジスタT13を配置して、ラッチ回路LAT1の出力を、インバータ回路INV1を介してトランジスタT13のゲートに接続するようにしてもよい。これにより、光電変換部12の電圧が飽和電圧を超えたときに、トランジスタT13により光電変換部12の電荷をリセットすることができる。
(変形例4)
上述した実施の形態および変形例では、電流源25の基準電流I1によりコンデンサC1を充電させる例について説明した。しかし、図9に示す例のように、複数の電流源(電流源25、26)を設けるようにしてもよい。例えば、光電変換部12の電荷蓄積時間が短い場合は、スイッチSWをオンさせる。これにより、コンデンサC1に供給される電流はI1+I2となってコンデンサC1の充電電圧の上昇が早くなり、短時間を高精度に計測することができる。また、光電変換部12の電荷蓄積時間が長い場合は、スイッチSWをオフさせて電流源25のみを接続することで、コンデンサC1の充電電圧の上昇が遅くなり、長時間の計測が可能となる。
上述した実施の形態および変形例では、電流源25の基準電流I1によりコンデンサC1を充電させる例について説明した。しかし、図9に示す例のように、複数の電流源(電流源25、26)を設けるようにしてもよい。例えば、光電変換部12の電荷蓄積時間が短い場合は、スイッチSWをオンさせる。これにより、コンデンサC1に供給される電流はI1+I2となってコンデンサC1の充電電圧の上昇が早くなり、短時間を高精度に計測することができる。また、光電変換部12の電荷蓄積時間が長い場合は、スイッチSWをオフさせて電流源25のみを接続することで、コンデンサC1の充電電圧の上昇が遅くなり、長時間の計測が可能となる。
(変形例5)
製品出荷前の検査等において、電荷蓄積部20が正常に動作しない画素については、光電変換部の電荷が飽和する場合は欠陥画素として扱い、その画素からの信号を使用しないようにしてもよい。光電変換部の電荷が飽和しない場合は、その画素からの信号を画像データの生成のために使用するようにしてもよい。
製品出荷前の検査等において、電荷蓄積部20が正常に動作しない画素については、光電変換部の電荷が飽和する場合は欠陥画素として扱い、その画素からの信号を使用しないようにしてもよい。光電変換部の電荷が飽和しない場合は、その画素からの信号を画像データの生成のために使用するようにしてもよい。
(変形例6)
上述した第2の実施の形態では、撮影モードに応じて電荷蓄積部20の作動を停止させる例について説明した。しかし、被写体の明るさに関連する情報、例えば、露出値(EV値)やシャッター速度に応じて、電荷蓄積部20の作動を制御するようにしてもよい。図10は、変形例6に係る電荷蓄積部20の制御状態を説明するための図である。例えば、EV値が18以上となる場合、およびEV値が7以下となる場合は、画素制御部110は、図3に示す信号線40を介して電荷蓄積部20にハイレベルの制御信号を入力して、電荷蓄積部20の作動を停止させる。また、EV値が7から18の間の値である場合は、画素制御部110は、信号線40を介して電荷蓄積部20にローレベルの制御信号を入力して、電荷蓄積部20の作動を可能とさせる。
上述した第2の実施の形態では、撮影モードに応じて電荷蓄積部20の作動を停止させる例について説明した。しかし、被写体の明るさに関連する情報、例えば、露出値(EV値)やシャッター速度に応じて、電荷蓄積部20の作動を制御するようにしてもよい。図10は、変形例6に係る電荷蓄積部20の制御状態を説明するための図である。例えば、EV値が18以上となる場合、およびEV値が7以下となる場合は、画素制御部110は、図3に示す信号線40を介して電荷蓄積部20にハイレベルの制御信号を入力して、電荷蓄積部20の作動を停止させる。また、EV値が7から18の間の値である場合は、画素制御部110は、信号線40を介して電荷蓄積部20にローレベルの制御信号を入力して、電荷蓄積部20の作動を可能とさせる。
(変形例7)
図11は、変形例7に係る画素の構成例を示す回路図である。図11に示す画素101は、撮像素子3に配置され、光学的にマスク(遮光)される。画素101は、画像データの生成のためには用いない画素となる。画素101は、例えば、上述した画像データの生成のために用いる画素100と比較して、抵抗R4を更に備える。変形例7に係る画素101では、リセット解除後に抵抗R4により放電が行われる。電圧voは、抵抗R4の抵抗値および温度に応じて低下する。電圧voが基準電圧E以下となりラッチ回路LAT1の出力電圧がハイレベルとなった後に、信号Vtxおよび信号Vselがハイレベルになると、抵抗R4による放電時間に応じた信号が、垂直信号線34を介して演算部に出力される。演算部は、抵抗R4による放電時間に応じた信号に基づいて、温度を検出することができ、検出した温度に基づいて撮像素子の種々の信号についての温度補正を行うことができる。例えば、検出した温度に基づいて、基準電圧Eや基準電流I1の値を変更するようにしてもよいし、AD変換を行う際のAD変換ゲインを変更するようにしてもよい。
図11は、変形例7に係る画素の構成例を示す回路図である。図11に示す画素101は、撮像素子3に配置され、光学的にマスク(遮光)される。画素101は、画像データの生成のためには用いない画素となる。画素101は、例えば、上述した画像データの生成のために用いる画素100と比較して、抵抗R4を更に備える。変形例7に係る画素101では、リセット解除後に抵抗R4により放電が行われる。電圧voは、抵抗R4の抵抗値および温度に応じて低下する。電圧voが基準電圧E以下となりラッチ回路LAT1の出力電圧がハイレベルとなった後に、信号Vtxおよび信号Vselがハイレベルになると、抵抗R4による放電時間に応じた信号が、垂直信号線34を介して演算部に出力される。演算部は、抵抗R4による放電時間に応じた信号に基づいて、温度を検出することができ、検出した温度に基づいて撮像素子の種々の信号についての温度補正を行うことができる。例えば、検出した温度に基づいて、基準電圧Eや基準電流I1の値を変更するようにしてもよいし、AD変換を行う際のAD変換ゲインを変更するようにしてもよい。
(変形例8)
上述した実施の形態および変形例では、電流源25の定電流によりコンデンサC1を充電させる例について説明した。しかし、抵抗を用いてコンデンサC1を充電するようにしてもよい。これにより、コンデンサの電圧の上昇はCRの時定数カーブとなり、長秒時を計測することができる。コンデンサC1の充電電圧vc、コンデンサC1の容量値C、抵抗値R、電源電圧VDDとする。以下の式(3)により、光電変換部12が飽和するまでの時間Tを算出することができる。
T=−CR×ln((VDD−vc)/VDD) ・・・(3)
上述した実施の形態および変形例では、電流源25の定電流によりコンデンサC1を充電させる例について説明した。しかし、抵抗を用いてコンデンサC1を充電するようにしてもよい。これにより、コンデンサの電圧の上昇はCRの時定数カーブとなり、長秒時を計測することができる。コンデンサC1の充電電圧vc、コンデンサC1の容量値C、抵抗値R、電源電圧VDDとする。以下の式(3)により、光電変換部12が飽和するまでの時間Tを算出することができる。
T=−CR×ln((VDD−vc)/VDD) ・・・(3)
電源電圧VDDを5V、充電電圧vcを1Vとすると、電圧vcが1Vに達するまでの充電時間Tは、以下のように算出される。
T=0.22×CR ・・・(4)
また、電圧vcが2V、3V、4V、および4.5Vに達するまでの充電時間Tは、以下のようになる。
2Vまでは T=0.51×CR ・・・(5)
3Vまでは T=0.92×CR ・・・(6)
4Vまでは T=1.61×CR ・・・(7)
4.5Vまでは T=2.30×CR ・・・(8)
T=0.22×CR ・・・(4)
また、電圧vcが2V、3V、4V、および4.5Vに達するまでの充電時間Tは、以下のようになる。
2Vまでは T=0.51×CR ・・・(5)
3Vまでは T=0.92×CR ・・・(6)
4Vまでは T=1.61×CR ・・・(7)
4.5Vまでは T=2.30×CR ・・・(8)
最終制定値をvc/VDDとし、上式(3)〜(8)のCRの係数を時定数とすると、最終制定値に達するまでの時定数は図12に示すようになる。電圧vcが最終制定値1に近づくほど、電圧vcの変化が緩やかになる。すなわち、コンデンサの充電量が上がるほど、コンデンサの充電電圧の上昇の傾きが緩くなるため、長時間の計測が可能になる。
(変形例9)
上述した実施の形態および変形例では、各画素内に電圧源および電流源を備える例について説明したが、画素外に電圧源と電流源とを備えて、基準電圧Eと基準電流I1を各画素に供給するようにしてもよい。
上述した実施の形態および変形例では、各画素内に電圧源および電流源を備える例について説明したが、画素外に電圧源と電流源とを備えて、基準電圧Eと基準電流I1を各画素に供給するようにしてもよい。
(変形例10)
画素100を構成する全ての回路を同一の半導体基板に設けずに、回路の一部を別の基板に設けるようにしてもよい。例えば、光電変換部12を形成した基板と電荷蓄積部20を形成した基板とを積層するようにしてもよい。
画素100を構成する全ての回路を同一の半導体基板に設けずに、回路の一部を別の基板に設けるようにしてもよい。例えば、光電変換部12を形成した基板と電荷蓄積部20を形成した基板とを積層するようにしてもよい。
(変形例11)
上述の実施の形態で説明した撮像素子3は、カメラ、スマートフォン、タブレット、PCに内臓のカメラ、車載カメラ等に適用してもよい。
上述の実施の形態で説明した撮像素子3は、カメラ、スマートフォン、タブレット、PCに内臓のカメラ、車載カメラ等に適用してもよい。
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
1…撮像装置、2…撮像光学系、3…撮像素子、4…制御部、20…電荷蓄積部、23…計時部、30…信号出力部
Claims (13)
- 入射光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部で変換された電荷量が閾値に達するまで電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記光電変換部で変換された電荷に応じた第1の信号及び前記電荷蓄積部で蓄積された電荷に応じた第2の信号のいずれか一方を出力する信号出力部と、
を備える撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
前記光電変換部と前記電荷蓄積部と前記信号出力部とを有する複数の画素が接続される信号線を更に備え、
前記信号出力部は、前記第1の信号及び前記第2の信号のいずれか一方を前記信号線に出力する撮像素子。 - 請求項1または請求項2に記載の撮像素子において、
前記信号出力部は、前記光電変換部で変換された電荷量が前記閾値に達しない場合は前記第1の信号を出力し、前記光電変換部で変換された電荷量が前記閾値に達した場合は前記第2の信号を出力する撮像素子。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記電荷蓄積部は、前記光電変換部で変換された電荷量が前記閾値に達したか否かを示す信号を出力する撮像素子。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記電荷蓄積部は、前記光電変換部で変換された電荷量が前記閾値に達するまでの経過時間に応じた電荷を蓄積する計時部を有する撮像素子。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記閾値は、前記光電変換部で変換される電荷の飽和量に基づく値である撮像素子。 - 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記光電変換部が形成された基板と、
前記電荷蓄積部が形成された基板と、
を更に備える撮像素子。 - 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記信号出力部は、電荷を保持する保持部と、前記光電変換部で変換された電荷量が前記閾値に達しない場合に前記光電変換部で変換された電荷を前記保持部に転送し、前記光電変換部で変換された電荷量が前記閾値に達した場合に前記電荷蓄積部で蓄積された電荷を前記保持部に転送する転送部と、前記光電変換部で変換された電荷が前記保持部に転送された場合に前記保持部に保持された電荷量に応じて前記第1の信号を生成し、前記電荷蓄積部で蓄積された電荷が前記保持部に転送された場合に前記保持部に保持された電荷量に応じて前記第2の信号を生成する信号生成部と、を有する撮像素子。 - 請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記光電変換部で変換された電荷量が前記閾値に達した場合に、前記閾値と前記第2の信号とに基づいて、前記光電変換部への入射光量に対応する第3の信号を算出する演算部を更に備える撮像素子。 - 請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記光電変換部で変換された電荷量が閾値に達した場合に、前記光電変換部で変換された電荷をリセットするリセット部を更に備える撮像素子。 - 請求項1から請求項10までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
撮影モードに関連する情報に基づいて、前記電荷蓄積部を制御する制御部を更に備える撮像素子。 - 請求項1から請求項11までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
被写体の明るさに関連する情報に基づいて、前記電荷蓄積部を制御する制御部を更に備える撮像素子。 - 請求項1から請求項12までのいずれか一項に記載の撮像素子と、
前記撮像素子からの信号に基づいて画像データを生成する画像生成部と、を備える撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016107629A JP2017216513A (ja) | 2016-05-30 | 2016-05-30 | 撮像素子および撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016107629A JP2017216513A (ja) | 2016-05-30 | 2016-05-30 | 撮像素子および撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017216513A true JP2017216513A (ja) | 2017-12-07 |
Family
ID=60577313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016107629A Pending JP2017216513A (ja) | 2016-05-30 | 2016-05-30 | 撮像素子および撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017216513A (ja) |
-
2016
- 2016-05-30 JP JP2016107629A patent/JP2017216513A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9232165B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and method for driving solid-state imaging apparatus | |
US7755686B2 (en) | Physical quantity distribution detecting apparatus and imaging apparatus | |
US8854244B2 (en) | Imagers with improved analog-to-digital converters | |
US8022350B2 (en) | Imaging pixel comprising a comparator to compare integrated photocurrent to a reference value and digital output circuitry | |
US6606123B2 (en) | Photosensitive device | |
US6642501B2 (en) | Photo-detecting apparatus | |
JP2017169143A (ja) | 撮像素子およびその駆動方法、および撮像装置 | |
US10785423B2 (en) | Image sensor, image capturing apparatus, and image capturing method | |
US9894300B2 (en) | Image sensing device for measuring temperature without temperature sensor and method for driving the same | |
JP6272085B2 (ja) | 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 | |
US10084976B2 (en) | Flux rate unit cell focal plane array | |
US9258505B2 (en) | Imaging apparatus, imaging system, method for driving imaging apparatus, and method for driving imaging system | |
US10811448B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP6384546B2 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
JP2014171011A (ja) | 撮像装置、撮像装置の駆動方法、撮像システム、撮像システムの駆動方法 | |
JP2017216513A (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP6205763B2 (ja) | 光電変換装置及び画像生成装置 | |
JP6320132B2 (ja) | 撮像システム | |
JP6170618B2 (ja) | 画素飽和を回避する方法 | |
JP6170618B6 (ja) | 画素飽和を回避する方法 | |
JP6304983B2 (ja) | 焦点検出装置、光電変換システム、焦点検出装置の駆動方法 | |
JP2020014171A (ja) | 撮像装置および撮像装置の制御方法 | |
JPH05244487A (ja) | 光センサアレイの信号変換装置 |