JP2019532887A5 - - Google Patents

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Claims (11)

  1. 酸化グラフェン(GO)に光又は放射線ビームを照射して還元型酸化グラフェン(RG
    O)を形成することを含み、前記GOはGO溶液を有する、方法。
  2. 前記GO溶液の表面上の又は表面の近傍の点に前記光又は放射線ビームを集束させるこ
    と、を更に含む、請求項に記載された方法。
  3. 前記GO溶液に架橋剤を加えること、を更に含む、請求項又はに記載された方
    法。
  4. 前記照射は前記GOを架橋及び還元させる、請求項に記載された方法。
  5. グラファイトを酸化して酸化グラファイトを形成することと、
    前記酸化グラファイトを溶媒中で剥離して前記GO溶液を形成することと、
    を更に含む、請求項乃至のいずれか一項に記載された方法。
  6. 前記GO溶液に基板を浸漬して、前記形成されたRGOを収受すること、を更に含む、
    請求項乃至のいずれか一項に記載された方法。
  7. 前記GO溶液の表面に対して前記基板を下方に移動させて前記RGOの3Dパターンを
    製造すること、を更に含む、請求項乃至のいずれか一項に記載された方法。
  8. 絡み合ったアノード及びカソードを備えるパターンで前記ビームに対して前記GOを移
    動させることを含む、請求項乃至のいずれか一項に記載された方法。
  9. 前記光又は放射線ビームは、連続波(CW)レーザビーム又はパルスレーザビームを含む、請求項1乃至8のいずれか一項に記載された方法。
  10. 前記光又は放射線ビームは、フェムト秒レーザを含む、請求項1乃至8のいずれか一項に記載された方法。
  11. 請求項乃至10のいずれか一項に記載された方法によって製造された還元型酸化グ
    ラフェン(RGO)電極。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10396365B2 (en) 2012-07-18 2019-08-27 Printed Energy Pty Ltd Diatomaceous energy storage devices
US20200399131A1 (en) * 2018-03-09 2020-12-24 Royal Melbourne Institute Of Technology A method of forming porous graphene-based structures
EP3753059A4 (en) * 2018-03-20 2022-01-05 Printed Energy Pty Ltd DIATOMA ENERGY STORAGE DEVICES
ES2734729B2 (es) * 2018-06-07 2020-04-23 Consejo Superior Investigacion Procedimiento de obtencion de un electrodo flexible
KR102205395B1 (ko) * 2018-11-27 2021-01-20 한양대학교 산학협력단 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원을 조절하는 방법
WO2020172702A1 (en) * 2019-02-25 2020-09-03 Swinburne University Of Technology Reduced graphene oxide electrodes and supercapacitors
CN110265228B (zh) * 2019-05-30 2021-07-13 北京理工大学 一种空间整形飞秒激光加工石墨烯基超级电容的制作方法
EP3772086A1 (en) * 2019-08-01 2021-02-03 Fundació Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2) Method to form a laser-scribed rgo pattern on a substrate
US11139397B2 (en) * 2019-09-16 2021-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Self-aligned metal compound layers for semiconductor devices
CN111390377B (zh) * 2020-03-27 2021-08-20 伊诺福科光学技术有限公司 一种用于激光加工的表面自动聚焦方法及系统、存储介质
CN111360395B (zh) * 2020-03-27 2021-08-20 伊诺福科光学技术有限公司 一种用于激光加工的表面自动跟踪方法及系统、存储介质
CN111943178A (zh) * 2020-08-21 2020-11-17 伊诺福科光学技术有限公司 一种自给自足还原制备石墨烯材料的方法、石墨烯材料、石墨烯薄膜、电极和电容器
CN113670484B (zh) * 2021-08-18 2023-07-21 吉林大学重庆研究院 一种具有互补螺旋结构柔性压力传感器、制备方法及其应用
CN114103125B (zh) * 2021-09-30 2022-06-28 哈尔滨工业大学(威海) 一种高导热微型器件的制备方法
CN114520333B (zh) * 2022-02-11 2023-11-03 山东威固新能源科技有限公司 一种氮化铝掺杂还原氧化石墨烯-锂复合材料及其制备方法和应用
CN114560460B (zh) * 2022-03-11 2023-05-12 南方科技大学 一种lig材料、其制备方法及应用
JP7478455B2 (ja) 2022-03-24 2024-05-07 シーズテクノ株式会社 酸化グラフェンの還元方法
CN114804080A (zh) * 2022-04-14 2022-07-29 伊诺福科光学技术有限公司 一种低成本大面积制备石墨烯薄膜的方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004091252A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 炭素からなる骨格を持つ薄膜状粒子の還元方法
CN101723310B (zh) * 2009-12-02 2013-06-05 吉林大学 一种利用氧化石墨烯制备导电微纳结构的光加工方法
US8315039B2 (en) * 2009-12-28 2012-11-20 Nanotek Instruments, Inc. Spacer-modified nano graphene electrodes for supercapacitors
US8810996B2 (en) * 2010-11-22 2014-08-19 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology Inkjet-printed flexible electronic components from graphene oxide
US8920764B2 (en) * 2011-02-11 2014-12-30 University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education Graphene composition, method of forming a graphene composition and sensor system comprising a graphene composition
JP2013035739A (ja) * 2011-07-11 2013-02-21 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 酸化グラフェン構造体、その製造方法、およびそれらによる電界効果トランジスタ作成工程
CN102408109B (zh) * 2011-08-23 2013-07-24 中国科学院上海应用物理研究所 一种还原氧化石墨烯及其制备方法
KR101290690B1 (ko) 2011-10-24 2013-07-29 포항공과대학교 산학협력단 광촉매반응을 통한 물에 녹는 고순도의 그래핀 합성
WO2013188924A1 (en) * 2012-06-21 2013-12-27 Monash University Conductive portions in insulating materials
TWI466818B (zh) * 2012-08-10 2015-01-01 國立清華大學 磁性石墨烯奈米複合物的製備方法
US20140050910A1 (en) * 2012-08-15 2014-02-20 Rensselaer Polytechnic Institute Rapid macro-scale synthesis of free-standing graphene, high performance, binder-free graphene anode material, and methods of synthesizing the anode material
US9899120B2 (en) * 2012-11-02 2018-02-20 Nanotek Instruments, Inc. Graphene oxide-coated graphitic foil and processes for producing same
CN102924274B (zh) * 2012-11-05 2015-03-18 北京航空航天大学 一种导电仿贝壳层状石墨烯复合材料的制备方法
US9388049B2 (en) * 2013-06-12 2016-07-12 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Method of producing graphene using surfactant
WO2015053744A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-16 Empire Technology Development Llc Photoswitchable graphene membranes
US9099376B1 (en) 2014-06-06 2015-08-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Laser direct patterning of reduced-graphene oxide transparent circuit
EP3016178B1 (en) 2014-10-30 2018-01-03 Nokia Technologies OY A method of forming a graphene oxide-reduced graphene oxide junction
US20160228846A1 (en) * 2015-02-05 2016-08-11 National Cheng Kung University Three-dimensional graphene oxide microstructure and method for making the same
CN104733717A (zh) * 2015-03-31 2015-06-24 扬州大学 一种α-Fe2O3/rGO复合材料的微波制备方法
CN105679725B (zh) * 2016-01-25 2018-05-11 电子科技大学 一种用于激光显示的散热装置的制备方法

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