JP2019516241A - ハイブリッドコンデンサ及びコンデンサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
アノードと、アノード表面の誘電体と、誘電体表面のアノード導電性ポリマとを含むアノード層を形成し;
カソードとカソード表面のカソード導電性ポリマとを含むカソード層を形成し;
導電性セパレータを形成し;
及び前記アノード層と前記カソード層とを前記アノード層と前記カソード層との間の前記導電性セパレータとともに巻回して構成する加工要素を形成し、前記加工要素は前記アノードに電気的に接触するアノードリード及び前記カソードに電気的に接触するカソードリードを備える。
アノード層を形成し;
カソード層を形成し;
材料の表面に塗布された又は材料に含侵させた導電性ポリマを含む導電性セパレータを形成し;
前記アノード層と前記カソード層とを前記アノード層とカソード層との間の前記導電性セパレータとともに巻回して構成する加工要素を形成し、加工要素はアノード層のアノードに電気的に接触するアノードリード及びカソード層のカソードに電気的に接触するカソードリードを備える。
従来のハイブリッドコンデンサの欠陥は例えば直径約10mm、長さ約8mmの加工要素を備えたコンデンサの市販製品の部品を観察することにより実感できる。巻回体最後のターン周辺及び巻回体底部に位置する導電性ポリマの濃度でホイルやセパレータが不均一に被覆されているので、ろ過プロセスの影響が目に見えて分かる。よくあるケースとして導電性ポリマによって被覆されるホイルが40%であれば少なくともホイルの60%が容量に寄与していないことになる。図5は従来技術と本発明の相違を示した概略図である。図において従来技術のアノードはAで表すように外周部のみが被覆され中心部分は導電性ポリマの被覆がなされていないのに対し、本発明の例ではBで表すように全体の面が導電性ポリマで覆われている。
表1に示すサイズと定格容量の陽極酸化されたアルミニウムアノードホイルとアルミニウムカソードホイルを300±5℃で30±5分間加熱した。アノードホイルを温度30±5℃、濃度5%のシュウ酸に浸して5mA/cm2の電圧を印加し第1エッジ形成処理を行った。該ホイルは5分以上洗浄し125±5℃で25−30分乾燥させた。該アノードホイルは300±5°で30±5分間加熱処理後、温度50±5℃で濃度1%のクエン酸アンモニウムに浸し1.5mA/cm2の電圧を印加して第2エッジを形成し、5分以上洗浄し125±5℃で25−30分乾燥させた。アノード及びカソードは3.0+/−1.0pHの4935ml+/−50ml脱イオン水、15ml+/−0.5ml酢酸の溶液中に15−30秒間シラン処理を施した。該アノード及びカソードホイルを300±5℃で30±5min間再度熱処理した。アノードを再度陽極酸化し0.1%リン酸アンモニウム中55±5℃で1.5mA/cm2の電圧を加えてエッジを酸化させその後少なくとも5分間洗浄し125±5℃で25−30分間乾燥させた。シラン処理は15−30秒間繰り返し行い、その後15−20分間空気乾燥した。シランは125+/−5℃、15+/−3分で硬化した。ポリ3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT)及びポリスチレンスルホン酸(PSS)からなるスラリに通しそこから3mm/秒のスピードでアノードとカソードを引き抜くことで導電性ポリマ層をアノードとカソードに塗布し、まず80℃で約10分間その後150℃で約10分間乾燥し、その後被覆部を室温に戻るまで冷却した。ポリマの被覆は被覆プロセスの間に乾燥プロセスを入れて3回繰り返した。ポリマで被覆された実際の表面積のパーセントはカソードホイル、セパレータを含む全ての構成要素に対し100%であることが観察された。全ての構成要素は柔軟であり、アキシャルコンデンサとして亀裂を生じることなく巻回に適することが分かった。構成要素は長期間保存しても安定性を維持する。コンデンサのテスト結果を表1に表している。
スラリをスプレーすることでポリマを塗布することを除けば実施例1を繰り返して本発明の実施例1と同様の被覆が観察された。
米国特許第8,767,377号で述べられた従来技術の方法により導電性ポリマを加えることを除き本発明の実施例1と同じアノードとカソードを使ってサンプルを作った。結果を表1に表す。
Claims (113)
- 加工要素を含み、
前記加工要素は:
表面に誘電体及び該誘電体の表面にアノード導電性ポリマ層を含むアノードと;
カソード導電性ポリマ層を含むカソードと;
前記アノードと前記カソードとの間の導電性セパレータと;
前記アノードと電気的に接触するアノードリードと;
前記カソードと電気的に接触するカソードリードと;
を含むコンデンサ。 - 前記アノードリードと前記カソードリードとは前記コンデンサ―の異なる側にある請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記アノードリードと前記カソードリードとは前記コンデンサ―の反対側にある請求項2に記載のコンデンサ。
- 前記アノードと前記カソードとの間にさらに電解液を含む請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記電解液を最大50wt%含む請求項4に記載のコンデンサ。
- 前記アノード導電性ポリマ層が前記誘電体の表面積の少なくとも80%をカバーするか又は前記カソード導電性ポリマ層が前記カソードの表面積の少なくとも80%をカバーする請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記アノード導電性ポリマ層が前記誘電体の表面積の少なくとも90%をカバーするか又は前記カソード導電性ポリマ層が前記カソードの表面積の少なくとも90%をカバーする請求項6に記載のコンデンサ。
- 前記導電性セパレータが導電性ポリマを含む請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記導電性セパレータが表面に前記導電性ポリマが被覆された材料を含むか又は前記セパレータに前記導電性ポリマを含侵させる請求項8に記載のコンデンサ。
- 前記導電性ポリマ、前記カソード導電性ポリマ、又は前記アノード導電性ポリマの少なくとも1つがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールからなるグループから選択されるポリマを含む請求項8に記載のコンデンサ。
- 前記導電性ポリマはポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンである請求項10に記載のコンデンサ。
- 多数のアノードリード又は多数のカソードリードを含む請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記アノード又は前記カソードの少なくとも1つがバルブメタルを含む請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記バルブメタルはタンタル、アルミニウム、ニオビウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、これら元素の合金及びその導電性酸化物からなるグループから選択される請求項13に記載のコンデンサ。
- 前記バルブメタルはアルミニウムである請求項14に記載のコンデンサ。
- 前記アノード、前記カソード、前記セパレータの少なくとも1つは0.1mg/cm2以上10mg/cm2以下の導電性ポリマ被覆を有する請求項1に記載のコンデンサ。
- 10mm以上30mm以下の直径を有する請求項1に記載のコンデンサ。
- 15mm以上50mm以下の長さを有する請求項1に記載のコンデンサ。
- 15ボルト以上250ボルト以下の定格電圧を有する請求項1に記載のコンデンサ。
- 隣接する導電性ポリマ層が物理的に接触している請求項1に記載のコンデンサ。
- 加工要素を含み、
前記加工要素は:
表面に誘電体を含むアノードと;
カソードと;
前記アノードと前記カソードとの間の導電性セパレータと;
前記アノードと電気的に接触するアノードリードと;
前記カソードと電気的に接触するカソードリードと;
を含むアキシャルコンデンサ。 - 前記アノードは前記誘電体の表面にアノード導電性ポリマ層を有する請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記アノード導電性ポリマ層が前記誘電体の表面面積の少なくとも80%をカバーする請求項22に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記アノード導電性ポリマ層が前記誘電体の表面面積の少なくとも90%をカバーする請求項22に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記アノード導電性ポリマ層がポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールからなるグループから選択されるポリマを含む請求項22に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記ポリマがポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンである請求項25に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記アノード導電性ポリマ層が0.1mg/cm2以上10mg/cm2以下の被覆重量を有する請求項22に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記カソードがカソード導電性ポリマ層を含む請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記カソード導電性ポリマ層が前記カソードの表面積の少なくとも80%をカバーする請求項28に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記カソード導電性ポリマ層が前記カソードの表面積の少なくとも90%をカバーする請求項29に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記カソード導電性ポリマ層がポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールからなるグループから選択されるポリマを含む請求項28に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記ポリマがポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンである請求項31に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記カソード導電性ポリマ層が0.1mg/cm2以上10mg/cm2以下の被覆重量を有する請求項28に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記アノードと前記カソードとの間に電解液をさらに含む請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 最大50wt%の前記電解液を含む請求項34に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記導電性セパレータが導電性ポリマを含む請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記導電性セパレータは前記導電性ポリマで表面を被覆された材料を含むか又は前記セパレータに前記導電性ポリマを含侵させる請求項36に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記導電性ポリマがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールからなるグループから選択される請求項36に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記導電性ポリマがポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンである請求項38に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記セパレータが0.1mg/cm2以上10mg/cm2以下の導電性ポリマ被覆重量を有する請求項36に記載のアキシャルコンデンサ。
- 多数のアノードリード又は多数のカソードリードを含む請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記アノード又は前記カソードの少なくとも1つはバルブメタルを含む請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記バルブメタルはタンタル、アルミニウム、ニオビウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、これら元素の合金及びその導電性酸化物からなるグループから選択される請求項42に記載のアキシャルコンデンサ。
- 前記バルブメタルはアルミニウムである請求項43に記載のアキシャルコンデンサ。
- 10mm以上30mm以下の直径を有する請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 15mm以上50mm以下の長さを有する請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 15ボルト以上250ボルト以下の定格電圧を有する請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 隣接する導電性ポリマ層が物理的に接触している請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- 隣接する導電性ポリマ層が密着している請求項21に記載のアキシャルコンデンサ。
- アノードと、該アノード表面の誘電体と、前記誘電体表面のアノード導電性ポリマと、を含むアノード層を形成すること;
カソードと、該カソード表面のカソード導電性ポリマと、を含むカソード層を形成すること;
導電性セパレータを形成すること;及び
前記アノード層、前記カソード層、前記アノード層と前記カソードとの間の前記導電性セパレータを巻回してなる加工要素を形成すること;
を含み、
前記加工要素は前記アノードと電気的に接触するアノードリードと前記カソードと電気的に接触するカソードリードを有するコンデンサの形成方法。 - 前記アノード導電性ポリマと前記カソード導電性ポリマとの間に電解液があるように前記加工要素に前記電解液を加えることをさらに含む請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 最大50wt%の電解液を含む請求項48に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマの分散液を前記アノードに塗布することでアノード表面に前記アノード導電性ポリマ層を形成することを含む請求項47に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記分散液は1wt%以上10wt%以下の前記導電性ポリマを含む請求項53に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマの分散液を前記カソードに塗布することでカソード表面に前記カソード導電性ポリマ層を形成することを含む請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記分散液は1wt%以上10wt%以下の前記導電性ポリマを含む請求項55に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノードリードと前記カソードリードとは前記コンデンサ―の異なる側にある請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノードリードと前記カソードリードとは前記コンデンサ―の反対側にある請求項57に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノード導電性ポリマ層が前記誘電体の表面積の少なくとも80%をカバーするか又は前記カソード導電性ポリマ層が前記カソードの表面積の少なくとも80%をカバーする請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノード導電性ポリマ層が前記誘電体の表面積の少なくとも90%をカバーするか又は前記カソード導電性ポリマ層が前記カソードの表面積の少なくとも90%をカバーする請求項59に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記誘電体又は前記カソードの少なくとも1つが0.1mg/cm2以上10mg/cm2以下の導電性ポリマ被覆重量を有する請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性セパレータは前記導電性ポリマで表面を被覆された材料を含むか又は前記セパレータに前記導電性ポリマを含侵させる請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記セパレータが0.1mg/cm2以上10mg/cm2以下の導電性ポリマ被覆重量を有する請求項62に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマ、前記カソード導電性ポリマ、又は前記アノード導電性ポリマの少なくとも1つがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールからなるグループから選択されるポリマを含む請求項62に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマがポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンである請求項64に記載のコンデンサの形成方法。
- 多数のアノードリード又は多数のカソードリードを形成することを含む請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノード又は前記カソードの少なくとも1つはバルブメタルを含む請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記バルブメタルはタンタル、アルミニウム、ニオビウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、これら元素の合金及びその導電性酸化物からなるグループから選択される請求項67に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記バルブメタルはアルミニウムである請求項68に記載のコンデンサの形成方法。
- 10mm以上30mm以下の直径を有する請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 15mm以上50mm以下の長さを有する請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 15ボルト以上250ボルト以下の定格電圧を有する請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- 隣接する導電性ポリマ層を溶融、架橋、積層することをさらに含む請求項50に記載のコンデンサの形成方法。
- アノード層を形成すること;
カソード層を形成すること;
材料に被覆されるか又は該材料に含侵させる導電性ポリマを含む導電性セパレータを形成すること;及び
前記アノード層と前記カソード層とを前記導電性セパレータを前記アノード層と前記カソード層の間に挟んで巻回してなる加工要素を形成すること;
を含み、
該加工要素は前記アノード層のアノードに電気的に接触するアノードリードと前記カソード層のカソードに電気的に接触するカソードリードとを有するコンデンサの形成方法。 - 前記アノード層は前記アノードの表面に誘電体を有し、前記誘電体の表面にアノード導電性ポリマを有する請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマの分散液を前記誘電体に塗布することにより誘電体表面に前記アノード導電性ポリマの層を形成することを含む請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記分散液は1wt%以上10wt%以下の前記導電性ポリマを含む請求項76に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマは粒径が1nm以上200nm以下である請求項76に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマは粒径が20nm以上200nm以下である請求項78に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノード導電性ポリマは前記誘電体の表面積の少なくとも80%をカバーする請求項75に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノード導電性ポリマは前記誘電体の表面積の少なくとも90%をカバーする請求項80に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノードが0.1mg/cm2以上10mg/cm2以下の導電性ポリマ被覆重量を有する請求項75に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノード導電性ポリマがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールからなるグループから選択されるポリマを含む請求項75に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記ポリマがポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンである請求項83に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記カソード層は前記カソードの表面にカソード導電性ポリマを含む請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマの分散液を前記カソードに塗布することにより前記カソード表面に前記カソード導電性ポリマの層を形成することを含む請求項85に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記分散液は1wt%以上10wt%以下の前記導電性ポリマを含む請求項86に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマは粒径が1nm以上200nm以下である請求項86に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマは粒径が20nm以上200nm以下である請求項88に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記カソード導電性ポリマは前記カソードの表面積の少なくとも80%をカバーする請求項85に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記カソード導電性ポリマは前記カソードの表面積の少なくとも90%をカバーする請求項90に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記カソードが0.1mg/cm2以上10mg/cm2以下の導電性ポリマ被覆を有する請求項85に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記カソ―ド導電性ポリマがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールからなるグループから選択されるポリマである請求項85に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記ポリマがポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンである請求項93に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性セパレータの形成は前記導電性ポリマの分散液を材料に塗布することを含む請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記分散液は1wt%以上10wt%以下の前記導電性ポリマを含む請求項95に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマは粒径が1nm以上200nm以下である請求項95に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマは粒径が20nm以上200nm以下である請求項97に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記セパレータが0.1mg/cm2以上10mg/cm2以下の導電性ポリマ被覆重量を有する請求項95に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールからなるグループから選択される請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記導電性ポリマがポリ3,4−エチレンジオキシチオフェンである請求項100に記載のコンデンサの形成方法。
- 電解液を前記加工要素に加えることをさらに含み、前記電解液が前記アノード導電性ポリマと前記カソード導電性ポリマとの間にある請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 最大50wt%の前記電解液を含む請求項102に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノードリードと前記カソードリードとは前記コンデンサ―の異なる側にある請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノードリードと前記カソードリードとは前記コンデンサ―の反対側にある請求項104に記載のコンデンサの形成方法。
- 多数のアノードリード又は多数のカソードリードを形成することを含む請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記アノード又は前記カソードの少なくとも1つがバルブメタルを含む請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記バルブメタルはタンタル、アルミニウム、ニオビウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、これら元素の合金及びその導電性酸化物からなるグループから選択される請求項107に記載のコンデンサの形成方法。
- 前記バルブメタルはアルミニウムである請求項108に記載のコンデンサの形成方法。
- 10mm以上30mm以下の直径を有する請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 15mm以上50mm以下の長さを有する請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 15ボルト以上250ボルト以下の定格電圧を有する請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
- 隣接する導電性ポリマ層を溶融、架橋、積層することをさらに含む請求項74に記載のコンデンサの形成方法。
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