JP2019509644A - 相関電子材料デバイスの製作及び動作 - Google Patents
相関電子材料デバイスの製作及び動作 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019509644A JP2019509644A JP2018557221A JP2018557221A JP2019509644A JP 2019509644 A JP2019509644 A JP 2019509644A JP 2018557221 A JP2018557221 A JP 2018557221A JP 2018557221 A JP2018557221 A JP 2018557221A JP 2019509644 A JP2019509644 A JP 2019509644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cem
- substrate
- nickel
- ligand
- transition metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 title claims abstract description 126
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 171
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 139
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 57
- 230000006870 function Effects 0.000 claims abstract description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 224
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 142
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 95
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 80
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 76
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 69
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 229910017840 NH 3 Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 58
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 42
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 41
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 32
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 31
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 25
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 23
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- -1 ethylcyclopentadienyl Chemical group 0.000 claims description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 claims description 16
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 14
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 12
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 7
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L nickel(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ni+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L 0.000 claims description 6
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 150000002540 isothiocyanates Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 5
- XTYRIICDYQTTTC-UHFFFAOYSA-N 1-(dimethylamino)-2-methylpropan-2-ol Chemical compound CN(C)CC(C)(C)O XTYRIICDYQTTTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- KEJOCWOXCDWNID-UHFFFAOYSA-N Nitrilooxonium Chemical compound [O+]#N KEJOCWOXCDWNID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940006460 bromide ion Drugs 0.000 claims description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 4
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 claims description 4
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate Chemical compound [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 4
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001273 butane Substances 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CHPLEWYRKUFKQP-UHFFFAOYSA-N nickel(2+);1,2,3,5,5-pentamethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Ni+2].CC1=[C-]C(C)(C)C(C)=C1C.CC1=[C-]C(C)(C)C(C)=C1C CHPLEWYRKUFKQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IHRNDXJDUYVDRB-UHFFFAOYSA-N [Ni].Cc1cccc1.Cc1cccc1 Chemical compound [Ni].Cc1cccc1.Cc1cccc1 IHRNDXJDUYVDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-methylpropan-1-ol Chemical compound CN(C)C(C)(C)CO XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- AGXSAKYCANEZGX-UHFFFAOYSA-N 1-(dimethylamino)-2-methylbutan-2-ol Chemical group CCC(C)(O)CN(C)C AGXSAKYCANEZGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KRBKACYISIZIBQ-UHFFFAOYSA-N [C].[C].[N] Chemical compound [C].[C].[N] KRBKACYISIZIBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 claims 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NHCSMTQRYWPDDW-UHFFFAOYSA-N [C].[N].[S] Chemical compound [C].[N].[S] NHCSMTQRYWPDDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MYWUZJCMWCOHBA-UHFFFAOYSA-N n-methyl-1-phenylpropan-2-amine Chemical compound CNC(C)CC1=CC=CC=C1 MYWUZJCMWCOHBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 36
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 81
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 33
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 24
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 18
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 15
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 10
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004774 atomic orbital Methods 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N Azide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical group 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N thiocyanic acid Chemical class SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUYRMBCFUJBCIH-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[W+] Chemical compound C1(C=CC=C1)[W+] AUYRMBCFUJBCIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKQMNPVDJIHLPD-UHFFFAOYSA-N OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O Chemical compound OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O BKQMNPVDJIHLPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N [C].[N] Chemical compound [C].[N] CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJXATUXVYHPLNO-UHFFFAOYSA-N [Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Ca+2].[Pr+3] Chemical compound [Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Ca+2].[Pr+3] QJXATUXVYHPLNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMJAIODQTOSUHN-UHFFFAOYSA-N [Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[La+3].[Pr+3].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-] Chemical compound [Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[La+3].[Pr+3].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-] ZMJAIODQTOSUHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical group [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000037427 ion transport Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N manganate Chemical class [O-][Mn]([O-])(=O)=O LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical group 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNJBQISZLAUCMG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) titanium(4+) yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[Y+3].[Ti+4] KNJBQISZLAUCMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002097 pentamethylcyclopentadienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005233 quantum mechanics related processes and functions Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- BZWKPZBXAMTXNQ-UHFFFAOYSA-N sulfurocyanidic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C#N BZWKPZBXAMTXNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/085—Oxides of iron group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/406—Oxides of iron group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45529—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making a layer stack of alternating different compositions or gradient compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5678—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using amorphous/crystalline phase transition storage elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/023—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by chemical vapor deposition, e.g. MOCVD, ALD
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/041—Modification of switching materials after formation, e.g. doping
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8836—Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0011—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising conductive bridging RAM [CBRAM] or programming metallization cells [PMCs]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
に従ってモデル化することができる。Mott遷移を可能にするための電子及び/又は正孔の注入は、閾値電圧VMI及び閾値電流IMIに応答して、バンド間で起こり得る。電子濃度nを電荷濃度と等しくして、式(1)に従って、式(2)中のIMIによって注入された正孔によるMott遷移をもたらすことにより、トーマス・フェルミ遮蔽距離λTFへのこのような閾値電圧VMIの依存度は、次の式(3)
に従ってモデル化することができる。
2Ni2+ → Ni1++Ni3+ (4)
に実質的に従った実質的に同時の酸化及び還元の反応を含んでいてもよい。
Ni1++Ni3+ → 2Ni2+ (5)
に実質的に従った式(4)の不均化反応の逆転を起こすことができる。
AX(気体)+BY(気体)=AB(固体)+XY(気体) (6a)
(式中、式(6a)の「A」が、遷移金属、遷移金属化合物、遷移金属酸化物又はこれらの任意の組合せに対応する。)に従って、別々の前駆物質分子AX及びBYを利用して堆積させることができる。複数の実施形態において、遷移金属酸化物は、ニッケルを含んでいてもよいが、アルミニウム、カドミウム、クロム、コバルト、銅、金、鉄、マンガン、水銀、モリブデン、ニッケル、パラジウム、レニウム、ルテニウム、銀、タンタル、スズ、チタン、バナジウム、イットリウム及び亜鉛(これらは、酸素又は他の種類の配位子等のアニオンに結合していてもよい。)又はこれらの組合せ等の遷移金属、遷移金属化合物及び/又は遷移金属酸化物等の他の金属を含んでいてもよく、しかしながら、特許請求された主題は、この点に関して範囲が限定されない。特定の実施形態において、チタン酸イットリウム(YTiO3)等の1種より多い遷移金属酸化物を含む化合物が、利用されてもよい。
AX(気体)+(NH3又は窒素を含む他の配位子)+BY(気体)
=AB:NH3(固体)+XY(気体) (6b)
に実質的に従って、供与性又は逆供与性材料を含む更なるドーパント配位子を包含するように修正することができる。
Ni1++Ni3+ → 2Ni2+ (7)
に実質的に従って要約することができる。
2Ni2+ → Ni1++Ni3+ (8)
に実質的に従った同時の酸化及び還元を含んでいてもよい。
2Ni2+ => 3d8+3d8 (9)
に要約することができる。
Ni1++Ni3+ => 3d7+3d9 (10)
に要約することができる。
Ni(C5H5)2+O3 → NiO+
可能な副生成物(例えば、CO、CO2、C5H5、C5H6、CH3、CH4、C2H5、C2H6、...) (11)
(この場合、C5H5が、式(11)中のCpを置換した。)に従って、Ni(Cp)2を酸化して、いくつかの更なる酸化剤及び/又はこれらの組合せを形成することができる。図8Cに示されているように、C2H5、CO2、CH4及びC5H6を含むいくつかの可能な副生成物が示されている。同様に図8Cに示されているように、カルボニル(CO)分子は、例えば部位860及び861等において、酸化ニッケル錯体に結合し得る。複数の実施形態において、このようなニッケルとカルボニルと結合(例えば、NiO:CO)は、例えば0.1%〜10.0%の間の原子濃度において、CEMデバイスの実質的に迅速な導体/絶縁体遷移をもたらすことができる。
Ni(C5H5)2+O3 → NiO+
可能な副生成物(例えば、CO、CO2、C5H5、C5H6、CH3、CH4、C2H5、C2H6、NH3...) (12)
(この場合、C5H5が、式(12)中のCpを置換した。)に従って、Ni(Cp)2を酸化して、いくつかの更なる酸化剤及び/又はこれらの組合せを形成することができる。図4Cによれば、C2H5、CO2、CH4及びC5H6を含むいくつかの可能な副生成物が示されている。同様に図13Cに提示のように、アンモニア(NH3)は、例えば1361中の部位1360等において酸化ニッケル錯体に結合した状態のままであり得る。複数の実施形態において、このようなニッケルとアンモニアとの結合(例えば、NiO:NH3)は、製作されたCEMデバイス中において例えば0.1%〜10.0%の間である原子濃度において、CEMデバイスの実質的に迅速な導体/絶縁体遷移をもたらすことができる電子供与又は逆供与を可能にし得る。
104 電流密度プロファイルに対比された電圧の領域
108 点
110 VリセットからVセットを隔てることができる電圧範囲
116 点
122 デバイス端子
126 可変抵抗器
128 可変キャパシタ
130 デバイス端子
150 実施形態
160 導電性基材
170 CEMフィルム
180 導電性基材
200 実施形態
210 導電性基材
220 遷移金属酸化物フィルム
230 フィラメント
240 導電性上張り
240 ブロック
300 実施形態
310 σ結合
320 実施形態
322 π結合
324 π結合
335 Ni原子のd軌道
337 Ni原子のd軌道
340 実施形態
360 実施形態
380 NiO錯体
385 NiO錯体
390 Ni原子
391 Ni原子
395 酸素空格子点
397 CO配位子
398 NH3配位子
400 実施形態
410 伝導帯
420 価電子帯
450 実施形態
460 伝導帯
470 価電子帯
500 実施形態
510 ブロック
520 ブロック
601 実施形態
602 実施形態
603 実施形態
610 ブロック
620 ブロック
630 ブロック
640 ブロック
650 ブロック
660 ブロック
671 ブロック
672 ブロック
673 ブロック
700 実施形態
800 実施形態
810 実施形態
820 実施形態
830 実施形態
850 基材
860 部位
861 部位
901 実施形態
902 実施形態
903 実施形態
904 実施形態
907 実施形態
908 実施形態
910 前駆物質気体流量プロファイル
920 パージガスの気体流量プロファイル
930 前駆物質ガスの気体流量プロファイル
940 実施形態
950 実施形態
1000 実施形態
1001 実施形態
1002 実施形態
1101 実施形態
1102 実施形態
1103 実施形態
1110 ブロック
1120 ブロック
1130 ブロック
1140 ブロック
1150 ブロック
1160 ブロック
1162 ブロック
1164 ブロック
1166 ブロック
1168 ブロック
1170 ブロック
1201 実施形態
1202 実施形態
1301 実施形態
1302 実施形態
1303 実施形態
1304 実施形態
1350 基材
1360 部位
1361 部位
1400 実施形態
1410 ブロック
1420 ブロック
1430 ブロック
1440 ブロック
1450 ブロック
1500 実施形態
1510 ブロック
1520 ブロック
1530 ブロック
1540 ブロック
1600 実施形態
1610 ブロック
1620 ブロック
1630 ブロック
1700 実施形態
1710 ブロック
1720 ブロック
1800 実施形態
1810 ブロック
1820 ブロック
Claims (59)
- チャンバ内において、遷移金属及び支配的な配位子から形成されており、CEMを形成する配位圏中にある濃度の欠陥を有する、相関電子材料(CEM)からできた1つ又は複数の層を基材上に形成する工程、並びに
O2 2−(ペルオキシド)、I−(ヨウ化物イオン)、Br−(臭化物イオン)、S2−(硫黄)、SCN−(チオシアン酸イオン、[SCN]−(炭素が間に入っている状態の硫黄−炭素−窒素配位子)、Cl−(塩化物イオン)、N3 −(アジド)、F−(フッ化物イオン)、NCO−(シアネート)、OH−(ヒドロキシド)、C2O4 2−(オキサレート)、H2O(水)、NCS−(イソチオシアネート)、CH3CN(アセトニトリル)、C5H5N(ピリジン)、エチレンジアミン(C2H4(NH2)2)、bipy(2,2’−ビピリジン)、C10H8N2(phen(1,10−フェナントロリン))、C12H8N2(フェナントロリン)、NO2 −(ニトリト)、P(C6H5)3(トリフェニルホスフィン)、CN−(シアン化物イオン)並びにCxHyOz(式中、x、y及びzが、整数であり、少なくともx及びy及びzが、>1である。)、CxHyNz(式中、x、y及びzが、整数であり、少なくともx又はy又はzが、>1である。)及びNxOy(式中、x及びyが、整数であり、少なくともx又はyが、>1である。)の分子のうちの1つ又は複数を含む分子ドーパントである、置換型配位子を含む分子ドーパントにCEMからできた1つ又は複数の層を曝露して、P型CEMを形成する工程
を含む、デバイスを構築する方法であって、
形成されたCEMからできた1つ又は複数の層が、およそ0.1%〜10.0%の範囲である分子ドーパントの原子濃度を含む方法。 - 置換型配位子が、CEMを形成する配位圏中における欠陥の濃度を低減するように動作し、配位圏中における欠陥の濃度の低減が、CEMからできた1つ又は複数の層中における導電性フィラメント形成を阻害する、請求項1に記載の方法。
- 遷移金属が、ニッケルを含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 支配的な配位子が、酸素、硫黄、セレン若しくはテルル又はこれらの組合せを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 置換型配位子が、カルボニル、エチレン、ニトロソニウム若しくはアンモニア又はこれらの任意の組合せを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- CEMからできた1つ又は複数の層が、導電性基材上に形成される、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 置換型配位子が、CEMを形成する配位圏中における欠陥の濃度を低減するように動作し、配位圏中における欠陥の濃度の低減が、CEMからできた1つ又は複数の層の導電性を増大させる、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- CEMからできた1つ又は複数の層が、遷移金属と分子ドーパントとのσ結合を介した電子供与を示し、CEMが、遷移金属のπ結合を利用する電子逆供与を更に示す、請求項7に記載の方法。
- 導電性基材、及び
基材上に形成された相関電子材料(CEM)からできた1つ又は複数の層であって、支配的な配位子と結合した遷移金属又は遷移金属酸化物から形成された1つ又は複数の層、
を含むデバイスであって、
CEMからできた1つ又は複数の層が、分子ドーパントとして置換型配位子を含み、分子ドーパントが、O2 2−(ペルオキシド)、I−(ヨウ化物イオン)、Br−(臭化物イオン)、S2−(硫黄)、SCN−(チオシアン酸イオン)、[SCN]−(炭素が間に入っている状態の硫黄−炭素−窒素配位子)、Cl−(塩化物イオン)、N3 −(アジド)、F−(フッ化物イオン)、NCO−(シアネート)、OH−(ヒドロキシド)、C2O4 2−(オキサレート)、H2O(水)、NCS−(イソチオシアネート)、CH3CN(アセトニトリル)、C5H5N(ピリジン)、エチレンジアミン(C2H4(NH2)2)、bipy(2,2’−ビピリジン)、C10H8N2(phen(1,10−フェナントロリン))、C12H8N2(フェナントロリン)、NO2 −(ニトリト)、P(C6H5)3(トリフェニルホスフィン)、CN−(シアン化物イオン)並びにCxHyOz(式中、x、y及びzが、整数であり、少なくともx及びy及びzが、>1である。)、CxHyNz(式中、x、y及びzが、整数であり、少なくともx又はy又はzが、>1である。)及びNxOy(式中、x及びyが、整数であり、少なくともx又はyが、>1である。)の分子のうちの1つ又は複数を含む、デバイス。 - 分子ドーパントが、印加電圧下において、遷移金属酸化物フィルムの1つ又は複数の層中における導電性フィラメントの形成を阻害するように働く、請求項9に記載のデバイス。
- CEMからできた1つ又は複数の層が、遷移金属と置換型配位子とのσ結合を介した1個又は複数の電子の供与を含む電子供与を示す、請求項10又は11に記載のデバイス。
- CEMからできた1つ又は複数の層が、遷移金属又は遷移金属酸化物と配位子又はドーパントとのπ結合を介して起きる電子逆供与相互作用を示す、請求項11に記載のデバイス。
- 遷移金属が、ニッケルを含む、請求項9から12のいずれか一項に記載のデバイス。
- 支配的な配位子が、酸素、硫黄、セレン若しくはテルル又はこれらの組合せを含む、請求項9から13のいずれか一項に記載のデバイス。
- 置換型配位子が、カルボニル、エチレン、ニトロソニウム若しくはアンモニア又はこれらの任意の組合せを含む、請求項9から14のいずれか一項に記載のデバイス。
- 基材上に形成された相関電子材料(CEM)からできた1つ又は複数の層であって、支配的な配位子と結合した遷移金属又は遷移金属酸化物から形成された1つ又は複数の層、
を含むスイッチングデバイスであって、
CEMからできた1つ又は複数の層が、スイッチングデバイスの両端間に印加された電圧に少なくとも部分的に応答してCEMがインピーダンス状態を変化させることを可能にするp型分子ドーパントとしての置換型配位子を含み、分子ドーパントが、O2 2−(ペルオキシド)、I−(ヨウ化物イオン)、Br−(臭化物イオン)、S2−(硫黄)、SCN−(チオシアン酸イオン)、[SCN]−(炭素が間に入っている状態の硫黄−炭素−窒素配位子)、Cl−(塩化物イオン)、N3 −(アジド)、F−(フッ化物イオン)、NCO−(シアネート)、OH−(ヒドロキシド)、C2O4 2−(オキサレート)、H2O(水)、NCS−(イソチオシアネート)、CH3CN(アセトニトリル)、C5H5N(ピリジン)、エチレンジアミン(C2H4(NH2)2)、bipy(2,2’−ビピリジン)、C10H8N2(phen(1,10−フェナントロリン))、C12H8N2(フェナントロリン)、NO2 −(ニトリト)、P(C6H5)3(トリフェニルホスフィン)、CN−(シアン化物イオン)並びにCxHyOz(式中、x、y及びzが、整数であり、少なくともx及びy及びzが、>1である。)、CxHyNz(式中、x、y及びzが、整数であり、少なくともx又はy又はzが、>1である。)及びNxOy(式中、x及びyが、整数であり、少なくともx又はyが、>1である。)の分子のうちの1つ又は複数を含む、スイッチングデバイス。 - 電子供与が、遷移金属と置換型配位子とのσ結合を介した供与を含む、請求項16に記載のスイッチングデバイス。
- スイッチングデバイスが、遷移金属又は遷移金属酸化物と配位子又はドーパントとのπ結合を介した電子逆供与によってスイッチング機能を発揮する、請求項17又は18に記載のスイッチングデバイス。
- 置換型配位子が、カルボニル、エチレン、ニトロソニウム若しくはアンモニア又はこれらの任意の組合せを含む、請求項18に記載のスイッチングデバイス。
- チャンバ内において、遷移金属酸化物、遷移金属、若しくは遷移金属化合物又はこれらの任意の組合せ及び第1の配位子を含む気体状態の第1の前駆物質に基材を曝露する工程、
相関電子材料のフィルムの第1の層を形成するように酸化物を含む気体状態の第2の前駆物質に基材を曝露する工程、並びに
相関電子材料のフィルムの更なる層を形成するように、第1の前駆物質及び第2の前駆物質に基材を曝露する工程を繰り返す工程であって、相関電子材料のフィルムが、第1のインピーダンス状態及び第2のインピーダンス状態を示し、第1のインピーダンス状態及び第2のインピーダンス状態が、互いに実質的に相違する、工程
を含む方法。 - 相関電子材料のフィルムが、0.1%〜10.0%の間の原子濃度の電子逆供与性材料を含む、請求項20に記載の方法。
- 電子逆供与性材料が、カルボニルを含む、請求項21に記載の方法。
- 0.5秒〜180.0秒の間にわたって第1の前駆物質のチャンバをパージする工程を更に含む、請求項20から22のいずれか一項に記載の方法。
- 第1の前駆物質に基材を曝露する工程が、0.5秒〜180.0秒の間の持続期間にわたって実施される、請求項20から23のいずれか一項に記載の方法。
- 基材を曝露する工程を50〜900回の間で繰り返す工程を更に含む、請求項20から24のいずれか一項に記載の方法。
- 相関電子材料のフィルムの厚さが1.5nm〜150.0nmの間に到達するまで、基材を曝露する工程を繰り返す工程を更に含む、請求項20から25のいずれか一項に記載の方法。
- 第1の前駆物質が、気体状態のニッケルアミジネート(Ni(AMD))、ニッケルジ(シクロペンタジエニル)(Ni(Cp)2)、ニッケルジ(エチルシクロペンタジエニル)(Ni(EtCp)2)、ビス(2,2,6,6−テトラメチルヘプタン−3,5−ジオナト)Ni(II)(Ni(thd)2)、ニッケルアセチルアセトネート(Ni(acac)2)、ビス(メチルシクロペンタジエニル)ニッケル(Ni(CH3C5H4)2)、ニッケルジメチルグリオキシメート(Ni(dmg)2)、ニッケル2−アミノ−ペンタ−2−エン−4−オナト(Ni(apo)2)、Ni(dmamb)2(式中、dmamb=1−ジメチルアミノ−2−メチル−2−ブタノレート)、Ni(dmamp)2(式中、dmamp=1−ジメチルアミノ−2−メチル−2−プロパノレート)、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ニッケル(Ni(C5(CH3)5)2)若しくはニッケルカルボニル(Ni(CO)4)又はこれらの任意の組合せのうちの1つ又は複数を含む、請求項20から26のいずれか一項に記載の方法。
- 第2の前駆物質が、酸素(O2)、オゾン(O3)、水(H2O)、一酸化窒素(NO)、亜酸化窒素(N2O)若しくは過酸化水素(H2O2)又はこれらの任意の組合せを含む、請求項20から27のいずれか一項に記載の方法。
- 第1の前駆物質に基材を曝露する工程、第2の前駆物質に基材を曝露する工程又はこれらの任意の組合せが、20.0℃〜1000.0℃の間の温度で実施される、請求項20から28のいずれか一項に記載の方法。
- 曝露された基材をチャンバ内でアニーリングする工程を更に含む、請求項20から29のいずれか一項に記載の方法。
- アニーリングを開始する前に、20.0℃〜900.0℃の間にチャンバの温度を上昇させる工程を更に含む、請求項30に記載の方法。
- 曝露された基材が、気体状の窒素(N2)、水素(H2)、酸素(O2)、水又は水蒸気(H2O)、一酸化窒素(NO)、亜酸化窒素(N2O)、二酸化窒素(NO2)、オゾン(O3)、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、アンモニア(NH3)、一酸化炭素(CO)、メタン(CH4)、アセチレン(C2H2)、エタン(C2H6)、プロパン(C3H8)、エチレン(C2H4)若しくはブタン(C4H10)又はこれらの任意の組合せのうちの1つ又は複数を含む環境下でアニーリングされる、請求項30又は31に記載の方法。
- 1.0nm〜100.0nmの間の概算厚さを有する相関電子材料を含む、基材に堆積されたフィルムであって、少なくとも部分的にフィルムの厚さ寸法にわたって印加される0.1V〜10.0Vの間の電圧に応答して、少なくとも5.0:1.0である第1のインピーダンス状態の第2のインピーダンス状態に対する比を示すフィルム。
- 印加される電圧が、0.1V〜2.0Vの間であり、相関電子材料が、1.5nm〜150.0nmの間の厚さを占める、請求項33に記載のフィルム。
- 相関電子材料が、10〜1000の間の原子層を構成する、請求項33又は34に記載のフィルム。
- 基材の少なくとも50.0%が、窒化物材料を含む、請求項33から35のいずれか一項に記載のフィルム。
- 2個以上の導電性電極の間に配置された、およそ1.0nm〜およそ100.0nmの間の厚さを有する相関電子材料を含むスイッチングデバイスであって、2個以上の導電性電極のうちの少なくとも2個の間に印加される0.1V〜10.0Vの間の電圧に少なくとも部分的に応答して、少なくとも5.0:1.0である第1のインピーダンス状態の第2のインピーダンス状態に対する比を示すスイッチングデバイス。
- 相関電子材料が、1.5nm〜150.0の間の厚さを占め、2個以上の導電性電極のうちの少なくとも2個の間に印加される電圧が、0.6V〜1.5Vの間にされる、請求項37に記載のスイッチングデバイス。
- 相関電子材料が、1.5nm〜150.0の間の厚さを占め、窒化チタン、白金、チタン、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケル、タングステン、窒化タングステン、ケイ化コバルト、酸化ルテニウム、クロム、金、パラジウム、酸化インジウムスズ、タンタル、銀若しくはイリジウム又はこれらの任意の組合せを含む電極材料に堆積される、請求項37又は38に記載のスイッチングデバイス。
- 遷移金属酸化物若しくは遷移金属又はこれらの任意の組合せ及び第1の配位子を含む、1種又は複数の気体に基材を曝露する工程であって、1種又は複数の気体が、チャンバ内において、製作された相関電子材料中において0.1%〜10.0%の間である窒素の原子濃度をもたらすように窒素を含む配位子原子濃度を含む、工程
気体状酸化物に基材を曝露して、相関電子材料のフィルムの第1の層を形成する工程、並びに
互いに実質的に相違する第1のインピーダンス状態及び第2のインピーダンス状態を示す相関電子材料のフィルムの更なる層を形成するように、1種又は複数の気体及び気体状酸化物に基材を曝露する工程を繰り返す工程
を含む方法。 - 相関電子材料のフィルムの第1の層が、電子逆供与性材料を含む、請求項40に記載の方法。
- 電子逆供与性材料が、アンモニア(NH3)、エチレンジアミン(C2H8N2)、一酸化窒素(NO)、二酸化窒素(NO2)、NO3 −配位子、アミン、アミド若しくはアルキルアミド又はこれらの任意の組合せであり、又はこれらを更に含む、請求項41に記載の方法。
- 5.0秒〜180.0秒の間にわたって1種又は複数の気体のチャンバをパージする工程を更に含む、請求項40から42のいずれか一項に記載の方法。
- 1種又は複数の気体に基材を曝露する工程が、5.0秒〜180.0秒の間の持続期間にわたって実施される、請求項40から43のいずれか一項に記載の方法。
- 基材を曝露する工程を50〜900回の間で繰り返す工程を更に含む、請求項40から44のいずれか一項に記載の方法。
- 相関電子材料のフィルムの厚さが1.5nm〜150.0nmの間に到達するまで基材を曝露する工程を繰り返す工程を更に含む、請求項40から45のいずれか一項に記載の方法。
- 1種又は複数の気体が、気体状態のニッケルアミジネート(Ni(AMD))、ニッケルジ(シクロペンタジエニル)(Ni(Cp)2)、ニッケルジ(エチルシクロペンタジエニル)(Ni(EtCp)2)、ビス(2,2,6,6−テトラメチルヘプタン−3,5−ジオナト)Ni(II)(Ni(thd)2)、ニッケルアセチルアセトネート(Ni(acac)2)、ビス(メチルシクロペンタジエニル)ニッケル(Ni(CH3C5H4)2)、ニッケルジメチルグリオキシメート(Ni(dmg)2)、ニッケル2−アミノ−ペンタ−2−エン−4−オナト(Ni(apo)2)、Ni(dmamb)2(式中、dmamb=1−ジメチルアミノ−2−メチル−2−ブタノレート)、Ni(dmamp)2(式中、dmamp=1−ジメチルアミノ−2−メチル−2−プロパノレート)、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ニッケル(Ni(C5(CH3)5)2)若しくはニッケルカルボニル(Ni(CO)4)又はこれらの任意の組合せを含む、請求項40から46のいずれか一項に記載の方法。
- 気体状酸化物が、酸素(O2)、オゾン(O3)、水(H2O)、一酸化窒素(NO)、亜酸化窒素(N2O)若しくは過酸化水素(H2O2)又はこれらの任意の組合せのうちの1つ又は複数を含む、請求項40から47のいずれか一項に記載の方法。
- 1種又は複数の気体に基材を曝露する工程及び気体状酸化物に基材を曝露する工程が、20.0℃〜1000.0℃の間の温度で実施される、請求項40から48のいずれか一項に記載の方法。
- チャンバ内において、曝露された基材をアニーリングする工程を更に含む、請求項40から49のいずれか一項に記載の方法。
- アニーリングを開始する前に、20.0℃〜900.0℃の間にチャンバの温度を上昇させる工程を更に含む、請求項50に記載の方法。
- 曝露された基材が、気体状窒素(N2)、水素(H2)、酸素(O2)、水若しくは水蒸気(H2O)、一酸化窒素(NO)、亜酸化窒素(N2O)、二酸化窒素(NO2)、オゾン(O3)、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、アンモニア(NH3)、一酸化炭素(CO)、メタン(CH4)、アセチレン(C2H2)、エタン(C2H6)、プロパン(C3H8)、エチレン(C2H4)若しくはブタン(C4H10)又はこれらの任意の組合せのうちの1つ又は複数を含む環境下でアニーリングされる、請求項40から51のいずれか一項に記載の方法。
- 電子逆供与を達成するために窒素を利用する相関電子材料を含む、基材に堆積されたフィルムであって、窒素が0.1%〜10.0%の間の原子濃度を占め、フィルムが、1.0nm〜100.0nmの間の概算厚さを有し、フィルムの厚さ寸法にわたって印加される0.1V〜10.0Vの間の電圧に少なくとも部分的に応答して、少なくとも5.0:1.0である第1の抵抗状態の第2の抵抗状態に対する比を示す、フィルム。
- 印加される電圧が、0.6V〜1.5Vの間であり、相関電子材料が、10.0nm〜50.0nmの間の厚さを占める、請求項53に記載のフィルム。
- 相関電子材料が、10〜1000の間の原子層を含む、請求項53又は54に記載のフィルム。
- 基材の少なくとも50.0%が、窒化物材料を含む、請求項53から55のいずれか一項に記載のフィルム。
- 電子逆供与性材料として0.1%〜10.0%の間の原子濃度の窒素を主体とした材料を利用する相関電子材料を含むスイッチングデバイスであって、相関電子材料が、2個以上の導電性電極の間に配置されており、相関電子材料が1.0nm〜100.0nmの間の厚さを有し、2個以上の導電性電極のうちの少なくとも2個の間に印加される0.1V〜10.0Vの間の電圧に少なくとも部分的に応答して、少なくとも5.0:1.0である第1の抵抗状態の第2の抵抗状態に対する比を示す、スイッチングデバイス。
- 相関電子材料が、10.0nm〜50.0nmの間の厚さを占め、2個以上の導電性電極のうちの少なくとも2個の間に印加される電圧が、0.6V〜1.5Vの間にされる、請求項57に記載のスイッチングデバイス。
- 相関電子材料が、1.5nm〜150.0nmの間の厚さを占め、窒化チタン、白金、チタン、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケル、タングステン、窒化タングステン、ケイ化コバルト、酸化ルテニウム、クロム、金、パラジウム、酸化インジウムスズ、タンタル、銀、イリジウム又はこれらの任意の組合せの電極材料に堆積される、請求項57に記載のスイッチングデバイス。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/006,889 US9627615B1 (en) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | Fabrication of correlated electron material devices |
US15/006,889 | 2016-01-26 | ||
US15/046,177 | 2016-02-17 | ||
US15/046,177 US20170237001A1 (en) | 2016-02-17 | 2016-02-17 | Fabrication of correlated electron material devices comprising nitrogen |
US15/385,719 | 2016-12-20 | ||
US15/385,719 US20170213960A1 (en) | 2016-01-26 | 2016-12-20 | Fabrication and operation of correlated electron material devices |
PCT/GB2017/050184 WO2017129972A1 (en) | 2016-01-26 | 2017-01-25 | Fabrication and operation of correlated electron material devices |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019509644A true JP2019509644A (ja) | 2019-04-04 |
JP2019509644A5 JP2019509644A5 (ja) | 2021-06-10 |
JP7015791B2 JP7015791B2 (ja) | 2022-02-03 |
Family
ID=58016730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018557221A Active JP7015791B2 (ja) | 2016-01-26 | 2017-01-25 | 相関電子材料デバイスの製作及び動作 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170213960A1 (ja) |
EP (1) | EP3408874A1 (ja) |
JP (1) | JP7015791B2 (ja) |
KR (1) | KR20180105194A (ja) |
CN (1) | CN108701760A (ja) |
TW (1) | TWI726985B (ja) |
WO (1) | WO2017129972A1 (ja) |
Families Citing this family (196)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US9558819B1 (en) | 2015-08-13 | 2017-01-31 | Arm Ltd. | Method, system and device for non-volatile memory device operation |
US9755146B2 (en) | 2015-09-10 | 2017-09-05 | ARM, Ltd. | Asymmetric correlated electron switch operation |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10797238B2 (en) | 2016-01-26 | 2020-10-06 | Arm Ltd. | Fabricating correlated electron material (CEM) devices |
US20180216228A1 (en) * | 2016-01-26 | 2018-08-02 | Arm Ltd. | Fabrication of correlated electron material devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9747982B1 (en) | 2016-02-22 | 2017-08-29 | Arm Ltd. | Device and method for generating random numbers |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10516110B2 (en) | 2016-07-12 | 2019-12-24 | Arm Ltd. | Fabrication of correlated electron material devices with reduced interfacial layer impedance |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10128438B2 (en) * | 2016-09-09 | 2018-11-13 | Arm Limited | CEM switching device |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US9899083B1 (en) | 2016-11-01 | 2018-02-20 | Arm Ltd. | Method, system and device for non-volatile memory device operation with low power high speed and high density |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10217935B2 (en) | 2016-12-07 | 2019-02-26 | Arm Ltd. | Correlated electron device formed via conversion of conductive substrate to a correlated electron region |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10211398B2 (en) | 2017-07-03 | 2019-02-19 | Arm Ltd. | Method for the manufacture of a correlated electron material device |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10714175B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-07-14 | ARM, Ltd. | Method, system and device for testing correlated electron switch (CES) devices |
US10229731B1 (en) | 2017-10-11 | 2019-03-12 | Arm Ltd. | Method, system and circuit for staggered boost injection |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
CN109980129B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-09-22 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种金属氧化物及其制备方法与qled器件 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
US10224099B1 (en) | 2018-02-06 | 2019-03-05 | Arm Ltd. | Method, system and device for error correction in reading memory devices |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) * | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11075339B2 (en) | 2018-10-17 | 2021-07-27 | Cerfe Labs, Inc. | Correlated electron material (CEM) devices with contact region sidewall insulation |
US10833271B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-11-10 | Arm Ltd. | Method for fabrication of a CEM device |
US10854811B2 (en) | 2018-10-17 | 2020-12-01 | Arm Limited | Formation of correlated electron material (CEM) devices with restored sidewall regions |
US10566527B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-02-18 | ARM, Ltd. | Method for fabrication of a CEM device |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10418553B1 (en) | 2018-03-28 | 2019-09-17 | Arm Ltd. | Formation of correlated electron material (CEM) device via dopant deposition and anneal |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10580981B1 (en) | 2018-08-07 | 2020-03-03 | Arm Limited | Method for manufacture of a CEM device |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
WO2020068618A1 (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming nickel-containing films |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10672982B1 (en) | 2018-11-30 | 2020-06-02 | Arm Limited | Fabrication of correlated electron material (CEM) devices |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
CN111593319B (zh) | 2019-02-20 | 2023-05-30 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11258010B2 (en) * | 2019-09-12 | 2022-02-22 | Cerfe Labs, Inc. | Formation of a correlated electron material (CEM) |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
TW202129068A (zh) | 2020-01-20 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
CN111286722A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-06-16 | 江苏迈纳德微纳技术有限公司 | 一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
US11133466B1 (en) * | 2020-04-29 | 2021-09-28 | Cerfe Labs, Inc. | Methods for controlling switching characteristics of a correlated electron material device |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080106925A1 (en) * | 2006-11-08 | 2008-05-08 | Symetrix Corporation | Correlated electron memory |
JP2010522424A (ja) * | 2006-11-08 | 2010-07-01 | シメトリックス・コーポレーション | 相関電子メモリ |
JP2012057254A (ja) * | 2007-04-24 | 2012-03-22 | Air Products & Chemicals Inc | 相変化メモリ材料を製造するためのテルル(Te)前駆体 |
JP2012160710A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Macronix International Co Ltd | ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング |
US20140030436A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for Producing Nickel-Containing Films |
US20140175355A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Intermolecular Inc. | Carbon Doped Resistive Switching Layers |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6960537B2 (en) * | 2001-10-02 | 2005-11-01 | Asm America, Inc. | Incorporation of nitrogen into high k dielectric film |
US6927178B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
JP4829502B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2011-12-07 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
US20070087581A1 (en) * | 2005-09-09 | 2007-04-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for atomic layer deposition |
US7639523B2 (en) * | 2006-11-08 | 2009-12-29 | Symetrix Corporation | Stabilized resistive switching memory |
US20080254218A1 (en) * | 2007-04-16 | 2008-10-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal Precursor Solutions For Chemical Vapor Deposition |
US8008096B2 (en) * | 2008-06-05 | 2011-08-30 | Intermolecular, Inc. | ALD processing techniques for forming non-volatile resistive-switching memories |
US8637411B2 (en) * | 2010-04-15 | 2014-01-28 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
US8871617B2 (en) * | 2011-04-22 | 2014-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films |
KR20140085461A (ko) * | 2011-09-27 | 2014-07-07 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 니켈 비스 디아자부타디엔 전구체, 그들의 합성, 및 니켈 함유 필름 침착을 위한 그들의 용도 |
US9234276B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-01-12 | Novellus Systems, Inc. | Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties |
US20130337170A1 (en) * | 2012-06-19 | 2013-12-19 | Xuesong Li | Methods and Apparatus for the Synthesis of Large Area Thin Films |
US9276203B2 (en) * | 2012-12-20 | 2016-03-01 | Intermolecular, Inc. | Resistive switching layers including Hf-Al-O |
JP2014216647A (ja) * | 2013-04-29 | 2014-11-17 | エーエスエムアイピー ホールディング ビー.ブイ. | 金属ドープされた抵抗切り替え層を有する抵抗変化型メモリを製造する方法 |
US9627615B1 (en) * | 2016-01-26 | 2017-04-18 | Arm Ltd. | Fabrication of correlated electron material devices |
US20170237001A1 (en) * | 2016-02-17 | 2017-08-17 | Arm Ltd. | Fabrication of correlated electron material devices comprising nitrogen |
-
2016
- 2016-12-20 US US15/385,719 patent/US20170213960A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-01-25 WO PCT/GB2017/050184 patent/WO2017129972A1/en active Application Filing
- 2017-01-25 EP EP17704524.2A patent/EP3408874A1/en active Pending
- 2017-01-25 JP JP2018557221A patent/JP7015791B2/ja active Active
- 2017-01-25 KR KR1020187024129A patent/KR20180105194A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-01-25 CN CN201780008557.1A patent/CN108701760A/zh active Pending
- 2017-01-25 TW TW106102828A patent/TWI726985B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080106925A1 (en) * | 2006-11-08 | 2008-05-08 | Symetrix Corporation | Correlated electron memory |
JP2010522424A (ja) * | 2006-11-08 | 2010-07-01 | シメトリックス・コーポレーション | 相関電子メモリ |
JP2012057254A (ja) * | 2007-04-24 | 2012-03-22 | Air Products & Chemicals Inc | 相変化メモリ材料を製造するためのテルル(Te)前駆体 |
JP2012160710A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Macronix International Co Ltd | ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング |
US20140030436A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for Producing Nickel-Containing Films |
US20140175355A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Intermolecular Inc. | Carbon Doped Resistive Switching Layers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108701760A (zh) | 2018-10-23 |
TW201800595A (zh) | 2018-01-01 |
EP3408874A1 (en) | 2018-12-05 |
US20170213960A1 (en) | 2017-07-27 |
WO2017129972A1 (en) | 2017-08-03 |
TWI726985B (zh) | 2021-05-11 |
JP7015791B2 (ja) | 2022-02-03 |
KR20180105194A (ko) | 2018-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7015791B2 (ja) | 相関電子材料デバイスの製作及び動作 | |
US10014468B2 (en) | Barrier layer for correlated electron material | |
US10381560B2 (en) | Fabrication of correlated electron material films with varying atomic or molecular concentrations of dopant species | |
US10038141B2 (en) | Fabrication of correlated electron material devices | |
US10854814B2 (en) | Correlated electron material devices using dopant species diffused from nearby structures | |
US20190109283A1 (en) | Fabrication of correlated electron material devices method to control carbon | |
US10586924B2 (en) | CEM switching device | |
KR20200026256A (ko) | 상관 전자 재료(cem)장치 제조 | |
WO2018011547A1 (en) | Fabrication of correlated electron material devices with reduced interfacial layer impedance | |
US20180175290A1 (en) | Forming nucleation layers in correlated electron material devices | |
US10276795B2 (en) | Fabrication of correlated electron material film via exposure to ultraviolet energy | |
US10403816B2 (en) | CEM switching device | |
US20180216228A1 (en) | Fabrication of correlated electron material devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210125 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210204 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20210426 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210719 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211119 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20211119 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20211203 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20211213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220124 |