JP2019503057A - 能動的開放型ｍｅｍｓスイッチデバイス - Google Patents

Abstract

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチが記載されている。ＭＥＭＳスイッチは、能動的に開閉することができる。スイッチは、１つ以上のヒンジによって基板上のアンカーに結合された梁を含むことができる。梁、ヒンジ、およびアンカーは、いくつかの構成では同一の材料で作ることができる。スイッチは、梁の向きを電気的に制御するために、基板の表面上に配置された電極を含むことができる。ヒンジは、梁よりも薄くてもよく、結果としてヒンジは梁よりも可撓性がある。いくつかの構成では、ヒンジは梁の開口部内に位置する。ヒンジは、梁の回転軸と同一の方向に、および／または梁の回転軸に垂直な方向に延びることができる。

Description

関連出願
本出願は、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９（ｅ）下で、２０１６年２月４日に出願された「ＡＣＴＩＶＥ ＯＰＥＮＩＮＧ ＭＥＭＳ ＳＷＩＴＣＨ ＤＥＶＩＣＥ」という名称の米国仮出願番号第６２／２９１，１１１号に対して優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

本出願は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチに関する。

従来のＭＥＭＳスイッチには、片持ち梁がある。スイッチは、基板上の電極に電圧を印加することによって発生した電界の印加によって、梁の自由端部が、下地基板と接触するように引っ張られると閉じられる。基板上の電極に電圧が印加されず、したがって電界が発生しないとき、梁のばね復元力は、梁の自由端部を基板に接触させず、スイッチが開く。しばしば、ＭＥＭＳスイッチは、ＭＥＭＳスイッチに結合された回路への接続を開閉する。

特定の実施形態では、基板と、基板上のポストと、その中央部分に開口部を有する微細加工された梁であって、該ポストが該開口部内に配置される、梁と、微細加工された梁をポストに機械的に結合するヒンジと、を備える装置が提供される。この装置は、いくつかの実施形態では、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチである。

特定の実施形態では、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチの製作方法であって、基板上にポストを製作することと、ポストに結合されたヒンジを製作することと、その中央部分に開口部を有する梁を製作することと、を含み、ポストが、開口部内に配置され、梁が、ヒンジを介してポストに結合される、方法が提供される。

特定の実施形態では、基板と、基板上のポストと、その中央部分に開口部を有する微細加工された梁であって、該ポストが該開口部内に配置される、梁と、微細加工された梁をポストに機械的に結合する手段と、を備える装置が提供される。この装置は、いくつかの実施形態では、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチである。

本出願の様々な態様および実施形態を、以下の図面を参照して説明する。これらの図は必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解されたい。複数の図に出現する項目は、それらが現れる全ての図において同じ参照番号によって示されている。

図１Ａは、本出願の非限定的な実施形態による、開放状態で動作するシーソー型スイッチ（ｔｅｅｔｅｒ−ｔｏｔｔｅｒ ｓｗｉｔｃｈ）を概略的に示す。 図１Ｂは、本出願の非限定的な実施形態による、閉止状態で動作するシーソー型スイッチを概略的に示す。 図１Ｃは、本出願の非限定的な実施形態による、中立状態で動作するシーソー型スイッチを概略的に示す。 図２は、本出願の非限定的な実施形態による、シーソー型スイッチの斜視図である。 図３Ａは、本出願の非限定的な実施形態による、スイッチ梁の回転軸と同じ方向に延びる複数のヒンジを含むシーソー型スイッチの上面図である。 図３Ｂは、本出願の非限定的な実施形態による、スイッチ梁の回転軸に垂直な方向に延びる複数のヒンジを含むシーソー型スイッチの上面図である。 図３Ｃは、本出願の非限定的な実施形態による、スイッチ梁の回転軸に垂直な方向に延びる第１の複数のヒンジと、スイッチ梁の回転軸と同一の方向に延びる第２の複数のヒンジとを含むシーソー型スイッチの上面図である。 図３Ｄは、本出願の非限定的な実施形態による、スイッチ梁の回転軸に垂直な方向に延びる１対のヒンジと、スイッチ梁の回転軸と同一の方向に延びる１対のヒンジとを含むシーソー型スイッチの上面図である。 図４は、本出願の非限定的な実施形態による、シーソー型スイッチの側面図である。 図５Ａは、本出願の非限定的な実施形態による、本明細書に記載のタイプのＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するための製作シーケンスを示す。 図５Ｂは、本出願の非限定的な実施形態による、本明細書に記載のタイプのＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するための製作シーケンスを示す。 図５Ｃは、本出願の非限定的な実施形態による、本明細書に記載のタイプのＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するための製作シーケンスを示す。 図５Ｄは、本出願の非限定的な実施形態による、本明細書に記載のタイプのＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するための製作シーケンスを示す。 図５Ｅは、本出願の非限定的な実施形態による、本明細書に記載のタイプのＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するための製作シーケンスを示す。 図５Ｆは、本出願の非限定的な実施形態による、本明細書に記載のタイプのＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するための製作シーケンスを示す。 図５Ｇは、本出願の非限定的な実施形態による、本明細書に記載のタイプのＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するための製作シーケンスを示す。 図５Ｈは、本出願の非限定的な実施形態による、本明細書に記載のタイプのＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するための製作シーケンスを示す。 図６Ａは、本出願の非限定的な実施形態による、２つの入力／出力（Ｉ／Ｏ）ポートを有するシーソー型スイッチを概略的に示す。 図６Ｂは、本出願の非限定的な実施形態による、１つの共通端子を有する２つのシーソー型スイッチを概略的に示す。

本出願の態様は、シーソー型構成を有するアクティブ微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチ、ならびにそのようなスイッチの動作方法および製作方法を提供する。ＭＥＭＳスイッチは、梁に対して中央に位置することができるアンカー（例えば、ポスト）によって下地基板に接続された比較的剛性のある梁と、梁をポストに接続する１つ以上のヒンジとを含むことができる。本出願のいくつかの態様によれば、ＭＥＭＳスイッチの動作中に屈曲に実質的に抵抗するように梁を構成することができる一方、ヒンジ（複数可）はポストの周りで梁を回転させるように構成することができる。

出願人は、ＭＥＭＳスイッチの寿命は、スイッチを開放するために屈曲された梁のばね力に頼るのではなく、好適な制御信号の印加によって能動的に開放されるスイッチ構造を使用することによって増加させることができることを理解した。片持ち梁スイッチを閉止状態で長時間期間保持すると、特に高温で行われたときに梁の復元力が低下し、その結果、スイッチが開放されたときに梁が基板から外れる能力に負の影響を与え、スイッチの寿命が短くなる。本出願の一態様によれば、「シーソー」型ＭＥＭＳスイッチが提供される。シーソー型スイッチは、代替的には、本明細書では「シーソー・スイッチ（ｓｅｅ−ｓａｗ ｓｗｉｔｃｈ）」、「ロックスイッチ」または「スイングスイッチ」と呼ぶことができる。シーソー型ＭＥＭＳスイッチは、能動的に閉止および開放するように構成することができる。本出願の１つ以上の態様によるシーソー型ＭＥＭＳスイッチは、従来の片持ち梁ＭＥＭＳスイッチよりも長い寿命を示すことができ、少なくともいくつかの状況において、長い寿命を示す。片持ちスイッチとは異なり、シーソー型ＭＥＭＳスイッチは、傾斜するが屈曲しないように構成された剛性のある梁を備えることができる。

出願人は、剛性のある梁に接続された可撓性ヒンジを使用することによってシーソー型ＭＥＭＳスイッチの堅牢性を強化し、剛性のある梁をアンカーの周りで旋回させるように構成できることをさらに理解した。本出願の一態様によれば、シーソー型ＭＥＭＳスイッチは、同一の材料で作られた梁、ヒンジ、および／またはアンカーを含む。梁とヒンジが同一の材料で作られていると、梁が受ける機械的応力が減少し、スイッチの寿命および／または性能が向上する可能性がある。しかしながら、いくつかの実施形態では、例えば、アンカーおよびヒンジが第１の材料で形成され、梁が第２の材料で形成され得るように、異なる材料で作られた梁およびヒンジを有するシーソー型スイッチが提供されてもよい。本出願の一態様によれば、（比較的剛性のある）梁と同一の材料から得られる１つ以上のヒンジを備えるシーソー型スイッチが提供される。ヒンジ（複数可）は、いくつかの実施形態では、梁に対して中央に位置するアンカーに接続されてもよく、梁の可撓性よりも大きな可撓性を呈してもよい。例えば、ヒンジ（複数可）は、梁の厚さよりも薄い厚さを有するように設計され、その結果、ヒンジ（複数可）がより大きな可撓性を示すようにさせることができる。

出願人は、使用される犠牲層の数を低減または最小限に抑えるプロセスフローを使用することによって、本明細書に記載されたタイプのシーソー型ＭＥＭＳスイッチを効率的に製作できることをさらに理解した。ＭＥＭＳデバイスの製作に必要なプロセスステップの数を低減または最小限に抑えることは、製作コストを低減し、リードタイムを改善することになる場合が多い。本出願の一態様によれば、本明細書に記載されたタイプのシーソー型ＭＥＭＳスイッチは、少数の犠牲層の使用を使用して、またはいくつかの実施形態では、それを完全に回避して、電気メッキ技術によって梁、アンカーおよびヒンジを形成することによって製作され得る。

上述の態様および実施形態ならびに追加の態様および実施形態は、以下でさらに説明される。本出願はこの点で限定されないため、これらの態様および／または実施形態は、個別に、一緒に、または２つ以上の任意の組み合わせで使用することができる。

上述したように、本出願の態様は、比較的剛性のある梁、アンカーおよび比較的可撓性のヒンジを有するシーソー型ＭＥＭＳスイッチを提供する。スイッチの典型的な動作中に屈曲することを避けるために、梁は十分に堅くてもよく、ヒンジは、スイッチの典型的な動作中にヒンジ（例えば、トルキング）を可能にするのに十分可撓性である。いくつかの実施形態では、シーソー型スイッチは、ＭＥＭＳ製作技術を使用して製作することができ、以下にさらに説明する好適な製作技術の例が挙げられる。図１Ａは、本出願の非限定的な実施形態によるシーソー型スイッチを概略的に示す。シーソー型スイッチ１００は、梁１０２、アンカー１０４、ならびに電極１１１、１１２、１２１、１２２、１２３、１３１および１３２を含むことができる。いくつかの実施形態では、梁１０２は、金、ニッケル、または任意の他の好適な導電性材料などの導電性材料を含むことができる。材料は、例えばＭＥＭＳスイッチの動作中に典型的に受ける大きさの電圧に供されたときに屈曲を回避するために、所望のレベルの剛性を提供するように選択されてもよい。いくつかの実施形態では、梁は単一の材料を含むことができる。他の実施形態では、梁は、連続的に積み重ねられた材料からなる積層体を含むことができる。梁１０２は、基板（図１Ａには図示せず）上に配置することができるアンカー１０４との１つ以上の接点を形成するように位置付けすることができる。例えば、アンカー１０４は、シリコンウェーハの基板上に配置されてもよい。しかしながら、本出願はこの点で限定されず、任意の他の好適なタイプの基板を使用することができる。いくつかの実施形態では、アンカー１０４は、基板上に位置付けすることができる二酸化ケイ素の層上に配置することができる。いくつかの実施形態では、梁１０２は、アンカー１０４によって単独で保持されてもよく、基板上に懸架されてもよい。電極１３１および１３２は、梁１０２の両端部に形成されてもよく、例えば、梁１０２の反対側の縁部の近くに位置付けされ、残りの電極は基板上にあてもよい。電極１２３は、アンカー１０４および梁１０２と電気的に接触していてもよい。

図１Ａに示すように、電極１３１が電極１２１と電気的接続を形成するとき、シーソー型スイッチ１０２は、本明細書において「開放状態」にあると呼ばれる。いくつかの実施形態では、電極１２１は、アースなどの基準電位に接続されてもよい。図１Ｂに示されるように、電極１３２が電極１２２と電気的接続を形成するとき、シーソー型スイッチ１０２は、本明細書において「閉止状態」にあると呼ばれる。いくつかの実施形態では、電極１２２は、デバイスおよび／または回路要素に接続されてもよい。梁１０２が導電性材料を含むことができるため、電極１３１および電極１３２は、いくつかの実施形態では、同一の電位でバイアスされてもよい。他の実施形態では、梁１０２の有限導電率による電極１３１と電極１３２との間の電圧降下が存在し得る。図１Ｃに示されるように、電極１３１が電極１２１と電気的接続を形成せず、電極１３２が電極１２２と電気的接続を形成しない場合、シーソー型スイッチ１０２は、本明細書において「中立状態」にあると呼ばれる。

いくつかの実施形態では、電極１１１および１１２を用いて、シーソー型ＭＥＭＳスイッチが開放状態、閉止状態または中立状態にあるかどうかを制御することができる。電極１１１は、バックコンデンサ１４１の端子として動作するように構成することができる。バックコンデンサ１４１の第２の端子は、梁１０２の一部によって形成することができる。同様に、電極１１２は、フロントコンデンサ１４２の端子として動作するように構成することができる。フロントコンデンサ１４２の第２の端子は、梁１０２の一部によって形成することができる。梁１０２は、好適な範囲内、例えば、いくつかの実施形態では、−０．１Ｖ〜０．１Ｖであり、いくつかの実施形態では、−０．２５Ｖ〜０．２５Ｖであり、いくつかの実施形態では、−０．５Ｖ〜０．５Ｖであり、いくつかの実施形態では、−１Ｖ〜１Ｖであり、いくつかの実施形態では、−２Ｖ〜２Ｖであり、いくつかの実施形態では、−５Ｖ〜５Ｖであり、いくつかの実施形態では、−１０Ｖ〜１０Ｖであり、またはそのような範囲内の任意の値または値の範囲である平均値を有する直流（ＤＣ）または交流（ＡＣ）の電圧でバイアスされてもよい。他の範囲も可能である。いくつかの実施形態では、梁１０２は、電極１２３に印加されるＡＣ信号によってバイアスされてもよい。

図１Ａは、本出願の非限定的な実施形態による、開放状態で動作するシーソー型スイッチ１００を概略的に示す。いくつかの実施形態では、バックコンデンサ１４１を使用して、シーソー型スイッチ１００を開放状態にすることができる。いくつかの実施形態では、電極１１１は、電極１１１に向かう静電引力を梁１０２に受けさせる電圧でバイアスされてもよい。例えば、電極１１１は、いくつかの実施形態では、１０Ｖよりも大きく、いくつかの実施形態では、２５Ｖよりも大きく、いくつかの実施形態では、５０Ｖよりも大きく、いくつかの実施形態では、７５Ｖよりも大きく、いくつかの実施形態では、８０Ｖよりも大きく、いくつかの実施形態では、１００Ｖより大きく、１０Ｖ〜１００Ｖ、または梁１０２を電極１２１に接触するように引っ張るために好適な範囲内の任意の電圧または電圧範囲の電圧でバイアスされ得る。このような電圧をバイアス電極１１１に印加することに応答して、梁１０２は電極１１１に向かって傾き、結果として電極１３１は、電極１２１と電気的接続を形成することができる。いくつかの実施形態では、梁１０２は、アンカー１０４の周りの旋回またはヒンジによって傾けられてもよい。このような状態では、電極１２３に印加された信号は、電極１２２に接続されたデバイスおよび／または回路素子に到達することができないことがある。いくつかの実施形態では、フロントコンデンサ１４２は、開放状態のバックコンデンサ１４１の端子間の電圧よりも低い電圧でバイアスされてもよい。例えば、フロントコンデンサ１４２は、開放状態においてゼロに等しい平均値を有する電圧でバイアスされてもよい。

図１Ｂは、本出願の非限定的な実施形態による閉止状態で動作するシーソー型スイッチ１００を概略的に示す。いくつかの実施形態では、フロントコンデンサ１４２を使用して、シーソー型スイッチ１００を閉止状態にすることができる。いくつかの実施形態では、電極１１２は、電極１１２に向かう静電引力を梁１０２に受けさせる電圧でバイアスされてもよい。例えば、電極１１２は、バイアス電極１１１に関連して前述した電圧のいずれかでバイアスされてもよい。バイアス電極１１２に応答して、梁１０２は、電極１１２に向かって傾き、結果として電極１３２は電極１２２と電気的接続を形成することができる。いくつかの実施形態では、梁１０２は、アンカー１０４の周りの旋回またはヒンジによって傾けられてもよい。

このような状態では、電極１２３に印加された信号は、アンカー１０４、梁１０２、および電極１３２を通って伝搬し、電極１２２に接続されたデバイスおよび／または回路素子に到達し得る。いくつかの実施形態では、バックコンデンサ１４１は、閉止状態のフロントコンデンサ１４２の端子間の電圧よりも低い電圧でバイアスされてもよい。例えば、バックコンデンサ１４１は、閉止状態においてゼロに等しい平均値を有する電圧でバイアスされてもよい。

図１Ｃは、本出願の非限定的な実施形態による、中立状態で動作するシーソー型スイッチ１００を概略的に示す。バックコンデンサ１４１およびフロントコンデンサ１４２を等しい電圧でバイアスすることによって、梁１０２は、電極１３１が電極１２１と電気的接続を形成せず、電極１３２が電極１２２と電気的接続を形成しないように、アンカー１０４上の平衡位置に留まることができる。

図２は、本発明の一実施形態による、ヒンジによってアンカーに結合された梁を有するＭＥＭＳシーソー型スイッチの斜視図である。シーソー型スイッチ２００は、図１Ａ〜図１Ｃのシーソー型スイッチ１００として機能することができる。シーソー型スイッチ２００は、基板２０１上に配置され、シーソー型スイッチ１００の電極１１１、１１２および１２３としてそれぞれ機能する電極２１１、２１２および２２３を備えることができる。シーソー型スイッチ２００は、梁１０２として機能する梁２０２と、アンカー１０４として機能するアンカー２０４とを備えることができる。いくつかの実施形態では、シーソー型スイッチ２００は、電極１３１として機能する１つ以上の電極と、電極１３２として機能する１つ以上の電極とを備えることができる。限定ではなく一例として、図２は、電極１３１として働く２つの電極２３１_１および２３１_２を有するシーソー型スイッチ２００と、電極１３２として働く２つの電極２３２_１および２３２_２と、を有するシーソー型スイッチ２００を示す。しかしながら、本出願はこの点で限定されず、任意の他の好適な数の電極を使用することができる。同様に、シーソー型スイッチ２００は、電極１２１として働く１つ以上の電極と、電極１２２として働く１つ以上の電極とを備えることができる。限定ではなく一例として、図２は、電極１２１として働く２つの電極２２１_１および２２１_２を有するシーソー型スイッチ２００と、電極１２２として働く２つの電極２２２_１および２２２_２を有するシーソー型スイッチ２００を示す。しかしながら、本出願はこの点で限定されず、任意の他の好適な数の電極を使用することができる。いくつかの実施形態では、スイッチの梁の各々の端部上に２つ以上の電極を有するシーソー型ＭＥＭＳスイッチは、基板上に配置された電極への堅牢な電気的接続を提供することができる。

梁２０２の材料および寸法は、動作中に（例えば、電極２１１および／または電極２１２によって電界が印加されているとき）、梁２０２が屈曲に抵抗するように所望の程度の剛性を提供することができる。図２に示すように、梁２０２は、厚さＴおよび長さＬを有することができる。長さＬは、電極２３１_１、２３１_２、２３２_１および２３２_２を含む梁の長さとして定義することができる。梁は、いくつかの実施形態では、４μｍ〜３０μｍであり、いくつかの実施形態では、４μｍ〜１５μｍであり、いくつかの実施形態では、６μｍ〜１６μｍであり、いくつかの実施形態では、６μｍ〜１０μｍであり、いくつかの実施形態では、１０μｍ〜１４μｍであり、いくつかの実施形態では、１１μｍ〜１３μｍであり、またはそのような範囲内の任意の値または値の範囲である厚さを有することができる。他の範囲も可能である。

梁は、いくつかの実施形態では、２５μｍ〜３００μｍであり、いくつかの実施形態では、５０μｍ〜２５０μｍであり、いくつかの実施形態では、７５μｍ〜２００μｍであり、いくつかの実施形態では、１００μｍ〜２００μｍであり、いくつかの実施形態では、１２５μｍ〜１７５μｍであり、いくつかの実施形態では、１４０μｍ〜１６０μｍであり、いくつかの実施形態では、７５μｍ〜１２５μｍであり、またはそのような範囲内の任意の値または値の範囲である長さＬを有してもよい。他の範囲も可能である。

いくつかの実施形態では、梁２０２は、いくつかの実施形態では、５：１〜３０：１であり、いくつかの実施形態では、７．５：１〜２０：１であり、いくつかの実施形態では７．５：１〜１５：１であり、いくつかの実施形態では、１０：１〜１５：１であり、いくつかの実施形態では、１２：１〜１５：１であり、いくつかの実施形態では、１０：１〜１３：１であり、いくつかの実施形態では、１２：１〜１３：１であり、またはそのような範囲内の値の任意の他の好適な値または値の範囲である比Ｌ／Ｔを有していてもよい。他の値も可能である。

前述したように、梁は、非限定的な例として、金またはニッケルで作られてもよい。上述の寸法を有するこのような材料は、ＭＥＭＳシーソー型スイッチ２００の動作中に屈曲を実質的に回避するように梁２０２に十分な剛性を提供することができる。記載された材料のいずれも、上述の梁寸法の任意の組み合わせで使用することができる。

いくつかの実施形態では、梁２０２は、その内部に形成された開口部２５０を有することができる。いくつかの実施形態では、開口部２５０は、梁２０２内に完全に囲まれてもよい。梁２０２は、基板２０１上に吊り下げられてもよく、アンカー２０４を介して基板に接続されてもよい。アンカー２０４は、断面が中立位置で梁２０２の平面に平行な平面によって画定される他の例のなかでも、正方形、円形または長方形のような任意の好適な断面形状を有することができる。いくつかの実施形態では、アンカー２０４はポストであってもよい。開口部２５０は、梁２０２の中心を囲むことができる。

梁２０２は、ヒンジ２４５などの１つ以上のヒンジを介してアンカー２０４に接続されてもよい。いくつかの実施形態では、バイアス信号がフロントコンデンサ、電極２１２と梁２０２との間に印加されると、静電力によって梁２０２がフロントコンデンサに向かって引き寄せられ得る。このような静電引力に応答して、電極２３２_１および２３２_２がそれぞれ、電極２２２_１および２２２_２と接触することができるように、ヒンジ（複数可）２４５が撓み、したがってフロントコンデンサに向かう梁の回転を容易にすることができる。同様に、いくつかの実施形態では、電極２１１と梁２０２との間にバックコンデンサにバイアスが印加されると、静電力によって梁２０２がバックコンデンサに向かって引き寄せられ得る。このような静電引力に応答して、電極２３１_１および２３１_２がそれぞれ、電極２２１_１および２２１_２と接触することができるように、ヒンジ（複数可）２４５が撓み、したがってバックコンデンサに向かう梁の回転を容易にすることができる。

いくつかの実施形態では、ヒンジ（複数可）２４５は、梁２０２の可撓性よりも大きい可撓性を示してもよい。いくつかの実施形態では、ヒンジ（複数可）は、梁と同じ材料で形成することができるが、梁の厚みより薄い厚さを有する。例えば、ヒンジ（複数可）は、（梁の厚さＴの方向に平行な方向に）いくつかの実施形態では、０．１μｍ〜１５μｍであり、いくつかの実施形態では、０．５μｍ〜１０μｍであり、いくつかの実施形態では、０．５μｍ〜８μｍであり、いくつかの実施形態では、１μｍ〜５μｍであり、いくつかの実施形態では、１μｍ〜３μｍであり、またはそのような範囲内の値の任意の適切な値または値の範囲である厚さを示してもよい。付加的または代替的に、ヒンジは、いくつかの実施形態では、梁の厚さの１％〜５０％であり、いくつかの実施形態では、梁の厚さの１０％〜３０％であり、いくつかの実施形態では、梁の厚さの１０％〜１５％であり、いくつかの実施形態では、梁の厚さの１５％〜２５％であり、いくつかの実施形態では、梁の厚さの１５％〜２０％であり、いくつかの実施形態では、梁の厚さの２０％〜２５％であり、またはそのような範囲内の任意のパーセンテージまたはパーセンテージの範囲である厚さを示してもよい。他の範囲も可能である。

いくつかの実施形態では、ヒンジ２４５などのヒンジ（複数可）は、アンカーと梁との間に配置され、梁の回転軸に平行な方向に延びることができる。そのような構成では、ヒンジは、ねじりヒンジとみなすことができる。他の実施形態では、ヒンジ（複数可）は、アンカーと梁との間に配置され、梁の回転軸に垂直な方向に延び、いくつかの実施形態では、梁の長さＬに平行となることができる。少なくともいくつかのそのような実施形態では、ヒンジは、片持ちヒンジとして動作することができる。

図３Ａは、本出願の非限定的な実施形態による、梁の回転軸と同一の方向に延びる複数のヒンジを含むシーソー型スイッチ２００の上面図である。図３Ａは、梁の２０２、開口部２５０、アンカー２４０、ヒンジ２４５、および電極２２３を示す。いくつかの実施形態では、アンカー２４０は、電極２２３と電気的に接触していてもよい。図３Ａは、２つのヒンジを有するシーソー型スイッチを示す。しかしながら、本出願はこの点で限定されず、任意の他の好適な数のヒンジを使用することができる。ヒンジ２４５は、開口部２５０内に少なくとも部分的に位置することができる。いくつかの実施形態では、バイアスがコンデンサのうちの１つに印加されると、静電力によって梁２０２がそのようなコンデンサに向かって引き寄せられ得る。このような静電引力に応答して、ヒンジ２４５は、軸２５２として破線で示されるヒンジの軸回りのトルクを受けることができ、したがって、コンデンサに向かう梁の回転を容易にすることができる。いくつかの実施形態では、ヒンジが撓むと、梁によって受ける応力よりも大きい応力を受ける可能性がある。いくつかの実施形態では、ヒンジ２４５が撓むと、アンカー２４０は依然として維持され得る。いくつかの実施形態では、梁は、梁の一端部から他端部への力の伝達を容易にするために、開口部２５０を完全に取り囲むことができる。例えば、力は、電極１３１に対応する梁の端部から電極１３２に対応する梁の端部に伝達されてもよい。力の伝達は、開口部を取り囲む梁の領域によって容易にされ得る。代替的にまたは付加的に、梁の端部は、アンカーを越えて延びる領域を介して接続されてもよく、したがって、端部を互いに橋渡しする。

図３Ｂは、本出願の非限定的な実施形態による、梁の回転軸に垂直な方向に延びる複数のヒンジを含むＭＥＭＳシーソー型スイッチ３００の上面図である。図３Ｂは、梁３０２、開口部３５０、アンカー３４０、およびヒンジ３４５を示す。図３Ｂは、４つのヒンジを有するシーソー型スイッチを示しているが、他の任意の好適な数のヒンジを使用することができるため、本出願はこれに限定されない。ヒンジ３４５は、開口部３５０内に少なくとも部分的に位置してもよい。ヒンジ２４５と同様に、ヒンジ３４５は、梁３０２の可撓性よりも大きい可撓性を示すことができる。いくつかの実施形態では、ヒンジ３４５の可撓性は、梁３０２の厚さよりも小さい厚さを有するヒンジによって実現されてもよい。いくつかの実施形態では、バイアス信号が、コンデンサの一方（例えば、梁３０２および電極２１１によって、または梁３０２および電極２１２によって形成される）に印加されると、静電力によって梁３０２がそのようなコンデンサに向かって引き寄せられ得る。このような静電引力に応答して、ヒンジ３４５は、ヒンジの軸に平行な方向に、軸線３５２ａおよび３５２ｂとして点線で示されているように屈曲し、軸線３５４として点線で示されている梁３０２の垂直に配置された回転軸の周りでコンデンサに向かう梁の回転を容易にすることができる。いくつかの実施形態では、ヒンジが撓むと、梁によって受ける応力よりも大きい応力を受ける可能性がある。いくつかの実施形態では、アンカー３４０は、ヒンジ３４５が撓むときに依然として維持されてもよい。いくつかの実施形態では、梁３０２は、梁の一端から他端への力の伝達を容易にするために、開口部３５０を完全に囲むことができる。例えば、力は、電極１３１に対応する梁の端部から電極１３２に対応する梁の端部に伝達されてもよい。力の伝達は、開口部を取り囲む梁の領域によって容易にされ得る。代替的にまたは付加的に、梁３０２の端部は、アンカーを超えて延びる領域を介して接続されてもよく、したがって、端部を互いに橋渡しする。

図３Ｃは、本出願の非限定的な実施形態による、梁の回転軸と同一の方向に延びる第１の複数のヒンジと、梁の回転軸に垂直な方向に延びる第２の複数のヒンジと、を備えるシーソー型スイッチ３３０の上面図である。図３Ｃは、梁３０２、開口部３３５、アンカー３７０、ヒンジ３７５および３７６、ならびに電極２１１、２１２、および２２３を示す。図３Ｃは、２つのヒンジ３７５および８つのヒンジ３７６を有するシーソー型スイッチを示す。しかしながら、本出願はこの点で限定されず、任意の他の好適な数のヒンジを使用することができる。ヒンジは、開口部３３５内に少なくとも部分的に位置することができる。いくつかの実施形態では、バイアスがコンデンサのうちの１つに印加されると、静電力によって梁３０２がそのようなコンデンサに引き寄せられ得る。このような静電引力に応答して、ヒンジ３７５は、軸３７８として破線で示されるヒンジの軸回りのトルクを受けることができ、したがって、コンデンサに向かう梁の回転を容易にすることができる。付加的に、ヒンジ３７６は、軸３７８に平行な方向に屈曲し、それによって梁の回転をさらに容易にすることができる。図３Ａ〜図３Ｂに示す実施形態と同様に、いくつかの実施形態では、梁は開口部３３５を完全に囲むことができる。

いくつかの実施形態では、梁３０２は、そこを通って形成された複数のアパーチャ３７０を含むことができる。任意の数のアパーチャを設けることができ、アパーチャを任意の好適な方法で配列することができる。例えば、アパーチャは、以下でさらに説明するように、犠牲層の除去を容易にするように配列されてもよい。また、図示された円形アパーチャは非限定的な例を示すので、アパーチャは任意の好適な形状を有することができる。いくつかの実施形態では、梁３０２の縁部３０３は、電極２３１_１および２３１_２を通る平面内にあってもよい。例えば、縁部３０３は、電極２３１_１および２３１_２の先端の中心を通る平面内にあってもよい。このようにして、接点に加えられる力が増大され得る。付加的に、または代替的に、この構成は、接点の先端に関連する容量を減少させるために使用され、それにより無線周波数（ＲＦ）分離が強化される。

図３Ｄは、いくつかの非限定的な実施形態による、別のシーソー型スイッチ３６０の上面図である。図３Ｃに示された実施形態のように、シーソー型スイッチ３６０は、梁の回転軸と同一の方向に延びる第１の複数のヒンジと、梁の回転軸と垂直の方向に延びる第２の複数のヒンジと、を備えることができる。図示されているように、シーソー型スイッチ３６０は、梁の回転軸と同一の方向に延びる１対のヒンジ３７５と、梁の回転軸に垂直な方向に延びる１対のヒンジ３７６と、を含むことができる。

１組のヒンジがトルクを発生するように構成され、他方の組が屈曲するように構成された２組のヒンジを有することは、設計者がより多くのヒンジに適合させることができるので有利であり得る。その結果、図３Ｃ〜図３Ｄの実施形態における梁は、いくつかの実施形態では、増加した移動度を示すことができる。

図４は、本出願の非限定的な実施形態による、ＭＥＭＳシーソー型スイッチ２００の側面図である。図４は、梁２０２、電極２３１_１、２３２_１、アンカー２４０、ならびに電極先端４６１および４６２を示している。いくつかの実施形態では、電極先端４６１および４６２は、電極２３１_１および２３２_１にそれぞれ対応して、梁２０２の底部表面に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、電極先端４６１および４６２は、電極２３１_１および２３２_１が基板２０１に粘着するのを防止するように構成されてもよい。いくつかの実施形態では、電極先端４６１および４６２は、金、白金、ニッケル、白金族金属、または任意の好適な材料もしくは材料の組み合わせなどの導電性材料を含むことができる。

いくつかの実施形態では、梁２０２は、図３Ａ〜図３Ｂに示すように、複数のヒンジを介してアンカー２４０に接続することができ、基板２０１から吊り下げられ得る。梁と基板との間の距離は、いくつかの実施形態では、５０ｎｍ〜５μｍであり、いくつかの実施形態では、１００ｎｍ〜１μｍであり、いくつかの実施形態では、１００ｎｍ〜５００ｎｍであり、いくつかの実施形態では、２００ｎｍ〜４００ｎｍであり、いくつかの実施形態では、５００ｎｍ〜１μｍであり、いくつかの実施形態では、６００ｎｍ〜８００ｎｍであり、またはそのような範囲内の値の任意の値または値の範囲内にある。他の値も可能である。

図４には示されていないが、いくつかの実施形態では、ＭＥＭＳシーソー型スイッチがキャップされてもよい。キャップは気密シールを提供することができ、任意の好適な材料で形成することができる。そのようなキャッピングは、本明細書に記載される他の実施形態にも適用され得る。

本出願の態様によれば、本明細書に記載のタイプのＭＥＭＳシーソー型スイッチの製作のためのプロセスフローが提供される。いくつかの実施形態では、使用される犠牲層の数を低減または最小限に抑えながら、電気メッキ技術によって梁、アンカー、およびヒンジを形成することによって、ＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作することができる。本明細書で説明されるプロセスフローは、図３Ｂの実施形態に示されるタイプのＭＥＭＳスイッチを指す。しかしながら、当業者は容易に理解するように、プロセスフローは、本出願の任意の実施形態を製作するように適合されてもよい。図５Ａ〜図５Ｈは、非限定的な実施形態による、ＭＥＭＳシーソー型スイッチ３００の製作のためのプロセスフローをまとめて示す。これらの図は、軸３５２ｂに沿ったＭＥＭＳシーソー型スイッチ３００の断面図を示す。

図５Ａは、製作プロセスの第１のステップを示す。図示されているように、プロセスは基板２０１で開始することができる。基板は、シリコン、アルミナ、および／もしくは二酸化ケイ素、または任意の他の好適な材料または材料の組み合わせを含むことができる。

図５Ｂは、本出願の非限定的な実施形態による、後続の処理ステップを示す。基板２０１上には、複数の電極が形成されていてもよい。例えば、電極２１１、２１２、２２１_１、および２２２_１は、基板２０１上に金属を堆積させることによって形成することができる。いくつかの実施形態では、金属は所望の領域にのみ堆積されてもよい。他の実施形態では、金属をブランケットとして堆積させ、金属を所望の領域の外側にエッチングすることによって電極を形成することができる。電極の厚さは、いくつかの実施形態では、２５ｎｍ〜５００ｎｍであり、いくつかの実施形態では、５０ｎｍ〜２５００ｎｍであり、いくつかの実施形態では、５０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、いくつかの実施形態では、７５ｎｍ〜１２５ｎｍであり、またはそのような範囲内の他の好適な値または値の範囲であり得る。他の値も可能である。

次に、図５Ｃに示すように、犠牲層３９０を、基板２０１上に、または基板２０１上に配置された二酸化ケイ素の層上に堆積させることができる。いくつかの実施形態では、犠牲層は、二酸化ケイ素および／または金属を含むことができる。犠牲層の厚さは、いくつかの実施形態では、５０ｎｍ〜５μｍであり、いくつかの実施形態では、１００ｎｍ〜１μｍであり、いくつかの実施形態では、１００ｎｍ〜５００ｎｍであり、いくつかの実施形態では２００ｎｍ〜４００ｎｍであり、いくつかの実施形態では、５００ｎｍ〜１μｍであり、いくつかの実施形態では、６００ｎｍ〜８００ｎｍであり、またはそのような範囲内の値の任意の好適な値または値の範囲である得る。他の値も可能である。

次に、図５Ｄに示すように、犠牲層３９０をパターニングして１つ以上の開口部を形成することができる。いくつかの実施形態では、アンカー３４０が続いて形成される領域に対応する領域３９４において、犠牲層３９０を完全にエッチングすることができる。いくつかの実施形態では、犠牲層３９０は、電極２２１_１および２２２_１などの外部電極に対応する領域３９１および３９２において部分的にエッチングされてもよい。

図５Ｅにおいて、部分的にエッチングされた領域３９１および３９２に金属が堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、金属は所望の領域にのみ堆積されてもよい。他の実施形態では、金属をブランケットとして堆積させ、金属を所望の領域の外側にエッチングすることによって電極を形成することができる。そのような金属は、電極先端４６１および４６２に対応し得る。

図５Ｆにおいて、アンカー３４０およびヒンジ３４５が形成されてもよい。いくつかの実施形態では、アンカー３４０は、電気メッキによって形成することができる。いくつかの実施形態では、電気メッキによってヒンジ３４５を形成することができる。いくつかの実施形態では、アンカー３４０およびヒンジ３４５は、単一の電気メッキプロセスによって形成することができるが、別の実施形態では、アンカー３４０およびヒンジ３４５が別個の電気メッキステップによって形成され得ることを提供する。

図５Ｇに示すように、梁３０２を形成することができる。いくつかの実施形態では、梁３０２は、電気メッキによって形成することができる。いくつかの実施形態では、梁３０２およびヒンジ３４５は、同一の材料で形成されてもよく、両方とも、場合によっては電気メッキによって形成されてもよい。他の実施形態では、梁３０２およびヒンジ３４５は、異なる材料で形成することができる。

図５Ｈでは、犠牲層３９０を除去してギャップ３９９を形成することができる。いくつかの実施形態では、犠牲層３９０は、湿式エッチングプロセスによって除去することができる。

したがって、図５Ａ〜図５Ｈは、単一の犠牲層と２つの電気メッキステップとを使用するＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するための製作シーケンスを示すことを理解されたい。しかしながら、本明細書に記載された全ての実施形態が、ＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作するために単一の犠牲層および２つの電気メッキステップのみを使用することに限定されるわけではない。異なる数の犠牲層および／または電気メッキステップを使用して、本出願の少なくともいくつかの態様によるＭＥＭＳシーソー型スイッチを製作することができる。

２つの回路要素間の電気的接続を無効／有効にするために、ＭＥＭＳシーソー型スイッチを使用することができる。例えば、図１Ａおよび図１Ｂに示す実施形態では、電極１２３と電極１２２との間の電気経路は、スイッチが開放状態にあるか閉止状態にあるかに応じて、無効／有効にすることができる。他の実施形態では、２つの回路要素のうちの１つとの間で信号を送るためにシーソー型スイッチを使用することができる。さらに他の実施形態では、より複雑な機能を実行するために複数のシーソー型スイッチを使用することができる。

図６Ａは、本出願の非限定的な実施形態による、２つの入力／出力ポートを有するＭＥＭＳシーソー型スイッチ５００を概略的に示す。シーソー型スイッチ５００は、梁５０２と、電極５２１、５２２、および５２３とを備えることができる。図１Ａの実施形態と同様に、シーソー型スイッチ５００は、第１の状態、第２の状態、および中立状態のうちの１つをとることができる。第１の状態では、梁５０２は、電極５２１と電気的に接触していてもよい。このような状態では、電極５２３に印加された信号は、電極５２１に接続された回路素子に送られてもよく、またはその逆であってもよい。第２の状態では、梁５０２は、電極５２２と電気的に接触していてもよい。このような状態では、電極５２３に印加された信号は、電極５２２に接続された回路素子に送られてもよく、またはその逆であってもよい。中立状態では、梁は電気的に浮遊しており、いずれの電極にも接続されていない。

図６Ｂは、本出願の非限定的な実施形態による、１つの共通端子を有するシーソー型スイッチ５５０および５５１を概略的に示す。シーソー型スイッチ５５０は梁５５２、電極５７３および５７２を含むことができ、シーソー型スイッチ５５１は梁５５３、電極５７４および５７２を含むことができる。電極５７２は、シーソー型スイッチ５５０と５５１との間で共有されてもよい。２つのシーソー型スイッチを含むシステムは、（開放、開放）、（開放、閉止）、（閉止、開放）または（閉止、閉止）の４つの可能な状態のうちの１つをとることができる。例えば、図６Ｂは、システムが（開放、閉止）状態の場合を示している。このような状態では、梁５５２は接地端子に電気的に接続され、梁５５３は電極５７２に電気的に接続される。いくつかの実施形態では、本明細書で説明したタイプの複数のシーソー型スイッチを組み合わせて、論理機能および／または算術機能を実行することができる。

本出願の態様は、１つ以上の利点を提供することができ、そのうちのいくつかは以前に記載されている。今、そのような利点のいくつかの非限定的な例が記載される。全ての態様および実施形態が、ここに説明されている利点の全てを必然的に提供するわけではないことを理解されたい。さらに、本出願の態様は、今説明したものにさらなる利点を提供することができることを理解されたい。

本出願の一態様によれば、従来の片持ち梁ＭＥＭＳスイッチと比較して長寿命を示すＭＥＭＳスイッチが提供される。本出願の一態様によれば、ＭＥＭＳシーソー型スイッチが提供される。本明細書に記載されたタイプのシーソー型スイッチは、能動的に開放および閉止することができ、したがって、剛性のある梁の使用を容易にし、スイッチの寿命を延ばす。

本出願の一態様によれば、非常に堅牢なＭＥＭＳスイッチが提供され、スイッチの梁によって受ける限られた応力を示す。本出願の態様によれば、剛性のある梁および可撓性ヒンジを有するＭＥＭＳシーソー型スイッチが提供される。ヒンジは、撓みまたは屈曲するように構成されてもよく、したがって、梁が受ける応力を最小限に抑えながら梁の回転を容易にする。

本出願の別の態様は、基板上に位置付けされた電極への改善された電気的接触を示すＭＥＭＳスイッチを提供する。本出願の態様によれば、梁の各々の端部上に、複数の電極を含むシーソー型スイッチが提供される。いくつかの例では、梁の各々の端部上に２つ以上の電極を有することにより、堅牢な電気的接触を提供することができる。

用語「およそ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」および「約（ａｂｏｕｔ）」は、いくつかの実施形態では、目標値の±２０％以内、いくつかの実施形態では、目標値の±１０％以内、いくつかの実施形態では、目標値の±５％以内、さらにいくつかの実施形態では、目標値の±２％以内を意味するように使用され得る。「およそ」および「約」という用語は、目標値を含むことができる。

１００ シーソー型スイッチ
１０２ 梁
１０４ アンカー
１１１ 電極
１１２ 電極
１２１ 電極
１２２ 電極
１２３ 電極
１３１ 電極
１３２ 電極
１４１ バックコンデンサ
１４２ フロントコンデンサ
２００ シーソー型スイッチ
２０１ 基板
２０２ 梁
２０４ アンカー
２１１ 電極
２１２ 電極
２２３ 電極
２２１_１ 電極
２２１_２ 電極
２２２_１ 電極
２２２_２ 電極
２３１_１ 電極
２３１_２ 電極
２３２_１ 電極
２３２_２ 電極
２４０ アンカー
２４５ ヒンジ
２５０ 開口部
２５２ 軸
３００ シーソー型スイッチ
３０２ 梁
３０３ 縁部
３３５ 開口部
３４０ アンカー
３４５ ヒンジ
３５０ 開口部
３５２ 軸線
３５２ 軸
３５４ 軸線
３６０ シーソー型スイッチ
３７０ アンカー
３７５ ヒンジ
３７６ ヒンジ
３７８ 軸
３９０ 犠牲層
３９１ 領域
３９２ 領域
４６１ 電極先端
４６２ 電極先端
５００ シーソー型スイッチ
５０２ 梁
５２１ 電極
５２２ 電極
５２３ 電極
５５０ シーソー型スイッチ
５５１ シーソー型スイッチ
５５２ 梁
５５３ 梁
５７２ 電極
５７３ 電極
５７４ 電極

Claims (20)

1. 微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチであって、
   基板と、
   前記基板上のポストと、
   その中央部分に開口部を有する微細加工された梁であって、前記ポストが、前記開口部内に配置される、微細加工された梁と、
   前記微細加工された梁を前記ポストに機械的に結合するヒンジと、
   を備える、ＭＥＭＳスイッチ。
2. 前記ヒンジが、第１の厚さを有し、前記梁が、前記第１の厚さよりも大きい第２の厚さを有する、請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
3. 前記第１の厚さが、前記第２の厚さの半分よりも小さい、請求項２に記載のＭＥＭＳスイッチ。
4. 前記梁が、前記基板と電気的に接触するように構成された第１の端部と、前記基板と電気的に接触するように構成された第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間の長さと、を有し、前記ヒンジが、前記梁の前記長さと同一の方向の長さを有する、請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
5. 前記梁が、前記基板と電気的に接触するように構成された第１の端部と、前記基板と電気的に接触するように構成された第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間の長さと、を有し、前記ヒンジが、前記梁の前記長さに垂直な方向の長さを有する、請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
6. 前記梁および前記ヒンジが同一の材料で形成されている、請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
7. 微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチの製作方法であって、
   基板上にポストを製作することと、
   前記ポストに結合されたヒンジを製作することと、
   その中央部分に開口部を有する梁を製作することと、
   を含み、
   前記ポストが、前記開口部内に配置され、前記梁が、前記ヒンジを介して前記ポストに結合される、方法。
8. 前記ヒンジを製作することおよび前記梁を製作することが、第１の厚さを有するように前記ヒンジを製作し、前記第１の厚さよりも大きい第２の厚さを有するように前記梁を製作することを含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記ヒンジを製作することおよび前記梁を製作することが、前記第２の厚さの半分よりも小さい前記第１の厚さを有するように前記ヒンジを製作することを含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記ヒンジを製作することおよび前記梁を製作することが、前記ヒンジの長さを前記梁の長さと同一の方向であるように製作することを含む、請求項７に記載の方法。
11. 前記ヒンジを製作することおよび前記梁を製作することが、前記ヒンジの長さを前記梁の長さに実質的に垂直であるように製作することを含む、請求項７に記載の方法。
12. 前記ヒンジを製作することおよび前記梁を製作することが、前記ヒンジと前記梁を同一の材料で製作することを含む、請求項７に記載の方法。
13. 前記ポスト、前記ヒンジ、および前記梁を製作することが、３回未満の電気メッキステップを実行することを含む、請求項７に記載の方法。
14. 前記ポスト、前記ヒンジ、および前記梁を製作することが、３つ未満の犠牲層を使用することを含む、請求項７に記載の方法。
15. 微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチであって、
    基板と、
    前記基板上のポストと、
    その中央部分に開口部を有する微細加工された梁であって、前記ポストが、前記開口部内に配置される、微細加工された梁と、
    前記微細加工された梁を前記ポストに結合する手段と、
    を備える、ＭＥＭＳスイッチ。
16. 前記手段が、第１の厚さを有し、前記梁が、前記第１の厚さよりも大きい第２の厚さを有する、請求項１５に記載のＭＥＭＳスイッチ。
17. 前記第１の厚さが、前記第２の厚さの半分よりも小さい、請求項１６に記載のＭＥＭＳスイッチ。
18. 前記梁が、前記基板と電気的に接触するように構成された第１の端部と、前記基板と電気的に接触するように構成された第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間の長さと、を有し、前記手段が、前記梁の前記長さと同一の方向の長さを有する、請求項１５に記載のＭＥＭＳスイッチ。
19. 前記梁が、前記基板と電気的に接触するように構成された第１の端部と、前記基板と電気的に接触するように構成された第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部との間の長さと、を有し、前記手段が、前記梁の前記長さに垂直な方向の長さを有する、請求項１５に記載のＭＥＭＳスイッチ。
20. 前記梁および前記手段が同一の材料で形成されている、請求項１５に記載のＭＥＭＳスイッチ。

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