JP2019216230A5 - - Google Patents

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本発明の第1態様による静電チャックシステムは、被吸着体を吸着するための静電チャックシステムであって、電極部を含む静電チャックと、前記静電チャックの前記電極部に電位差を印加するための電位差印加部と、前記電位差印加部による電位差の印加を制御するための電位差制御部とを含み、前記電位差制御部は、第1被吸着体を前記静電チャックに吸着させるための第1電位差、前記第1電位差よりも小さい第2電位差、及び前記静電チャックに前記第1被吸着体を介して、第2被吸着体を吸着するための第3電位差が前記電極部に順次に印加されるように制御し、前記第3電位差は、前記第2電位差よりも大きいことを特徴とする。

本発明の第3態様による吸着方法は、被吸着体を吸着するための吸着方法であって、静電チャックの電極部に第1電位差を印加して第1被吸着体を静電チャックに吸着する第1工程と、前記第1工程の後に、前記電極部に前記第1電位差よりも小さい第2電位差を印加する第2工程と、前記第2工程の後に、前記電極部に前記第2電位差よりも大きい第3電位差を印加して、前記静電チャックに前記第1被吸着体を介して2被吸着体を吸着する第3工程とを含むことを特徴とする。

本発明の第4態様による成膜方法は、基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する方法であって、真空容器内にマスクを搬入する工程と、前記真空容器内に基板を搬入する工程と、静電チャックの電極部に第1電位差を印加して、前記基板を前記静電チャックに吸着する第1工程と、前記第1工程の後に、前記電極部に前記第1電位差よりも小さい第2電位差を印加する第2工程と、前記第2工程の後に、前記電極部に前記第2電位差よりも大きい第3電位差を印加して、前記静電チャックに前記基板を介して前記マスクを吸着する工程と、前記静電チャックに前記基板と前記マスクが吸着した状態で、蒸着材料を蒸発させ、前記マスクを介して前記基板に前記蒸着材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする。

Claims (26)

  1. 被吸着体を吸着するための静電チャックシステムであって、
    電極部を含む静電チャックと、
    前記静電チャックの前記電極部に電位差を印加するための電位差印加部と、
    前記電位差印加部による電位差の印加を制御するための電位差制御部とを含み、
    前記電位差制御部は、第1被吸着体を前記静電チャックに吸着させるための第1電位差、前記第1電位差よりも小さい第2電位差、及び前記静電チャックに前記第1被吸着体を介して、第2被吸着体を吸着するための第3電位差が前記電極部に順次に印加されるように制御し、
    前記第3電位差は、前記第2電位差よりも大きいことを特徴とする静電チャックシステム。
  2. 前記第3電位差は、前記第1電位差以下であることを特徴とする請求項1に記載の静電チャックシステム。
  3. 前記電位差制御部は、前記第3電位差の印加以後に、第4電位差が前記電極部に印加されるように制御することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電チャックシステム。
  4. 前記第4電位差は、前記第3電位差よりも小さいことを特徴とする請求項3に記載の静電チャックシステム。
  5. 前記第4電位差は、前記第2電位差以上であることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の静電チャックシステム。
  6. 前記電極部は、前記静電チャックの第1辺に沿って分割された複数のサブ電極部を含むことを特徴とする請求項1〜請求項5の何れか一項に記載の静電チャックシステム。
  7. 前記電位差制御部は、前記複数のサブ電極部のうち、前記静電チャックの一端のサブ電極部から前記第1辺に沿って前記静電チャックの他端のサブ電極部に向かって順次に、前記第1電位差が印加されるように制御することを特徴とする請求項6に記載の静電チャックシステム。
  8. 前記電位差制御部は、前記複数のサブ電極部のうち、前記静電チャックの一端のサブ電極部から前記第1辺に沿って前記静電チャックの他端のサブ電極部に向かって順次に、前記第3電位差が印加されるように制御することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の静電チャックシステム。
  9. 前記電極部は、第1極性の電位が印加される櫛形状の第1電極と、前記第1極性と反対極性の電位が印加される櫛形状の第2電極とを含み、櫛形状の前記第1電極の各櫛歯部と櫛形状の前記第2電極の各櫛歯部とは交互に配置されることを特徴とする請求項1〜請求項8の何れか一項に記載の静電チャックシステム。
  10. 基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、
    第1被吸着体である基板と第2被吸着体であるマスクを吸着するための静電チャックシステムを含み、
    前記静電チャックシステムは、請求項1〜請求項9の何れか一項に記載の静電チャックシステムであることを特徴とする成膜装置。
  11. 被吸着体を吸着するための吸着方法であって、
    静電チャックの電極部に第1電位差を印加して第1被吸着体を静電チャックに吸着する第1工程と、
    前記第1工程の後に、前記電極部に前記第1電位差よりも小さい第2電位差を印加する第2工程と、
    前記第2工程の後に、前記電極部に前記第2電位差よりも大きい第3電位差を印加して、前記静電チャックに前記第1被吸着体を介して2被吸着体を吸着する第3工程とを含むことを特徴とする吸着方法。
  12. 前記第3電位差は、前記第1電位差以下であることを特徴とする請求項11に記載の吸着方法。
  13. 前記第2電位差を印加する工程と前記第2被吸着体を吸着する工程との間に、前記第1被吸着体と前記第2被吸着体との間の距離が縮まるように、前記第1被吸着体と前記第2被吸着体を相対的に移動させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の吸着方法。
  14. 前記第2被吸着体を吸着する工程以後に、前記第3電位差よりも小さい第4電位差を前記電極部に印加する工程をさらに含むことを特徴とする請求項11〜請求項13の何れか一項に記載の吸着方法。
  15. 前記第4電位差は前記第2電位差以上であることを特徴とする請求項14に記載の吸着方法。
  16. 前記第1被吸着体を吸着する工程において、前記静電チャックの第1辺に沿って分割された複数のサブ電極部のうち、前記静電チャックの一端のサブ電極部から前記第1辺に沿って前記静電チャックの他端のサブ電極部に向かって順次に、前記第1電位差が印加されることを特徴とする請求項11〜請求項15の何れか一項に記載の吸着方法。
  17. 前記第2被吸着体を吸着する工程において、前記静電チャックの第1辺に沿って分割された複数のサブ電極部のうち、前記静電チャックの一端のサブ電極部から前記第1辺に沿って前記静電チャックの他端のサブ電極部に向かって順次に、前記第3電位差が印加されることを特徴とする請求項11〜請求項16の何れか一項に記載の吸着方法。
  18. 基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
    真空容器内にマスクを搬入する工程と、
    前記真空容器内に基板を搬入する工程と、
    静電チャックの電極部に第1電位差を印加して、前記基板を前記静電チャックに吸着する第1工程と、
    前記第1工程の後に、前記電極部に前記第1電位差よりも小さい第2電位差を印加する第2工程と、
    前記第2工程の後に、前記電極部に前記第2電位差よりも大きい第3電位差を印加して、前記静電チャックに前記基板を介して前記マスクを吸着する工程と、
    前記静電チャックに前記基板と前記マスクが吸着した状態で、蒸着材料を蒸発させ、前記マスクを介して前記基板に前記蒸着材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする成膜方法。
  19. 前記第3電位差は、前記第1電位差以下であることを特徴とする請求項18に記載の成膜方法。
  20. 前記基板を吸着する工程と前記マスクを吸着する工程との間に、前記基板と前記マスクとの相対的位置を調整する工程をさらに含むことを特徴とする請求項18又は請求項19に記載の成膜方法。
  21. 前記第2電位差を印加する工程と前記マスクを吸着する工程との間に、前記基板と前記マスクとの間の距離が縮まるように、前記基板と前記マスクを相対的に移動させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項18〜請求項20の何れか一項に記載の成膜方法。
  22. 前記マスクを吸着する工程以後に、前記第3電位差よりも小さい第4電位差を前記電極部に印加する工程をさらに含むことを特徴とする請求項18〜請求項21の何れか一項に記載の成膜方法。
  23. 前記第4電位差は、前記第2電位差以上であることを特徴とする請求項22に記載の成膜方法。
  24. 前記基板を吸着する工程において、前記静電チャックの第1辺に沿って分割された複数のサブ電極部のうち、前記静電チャックの一端のサブ電極部から前記第1辺に沿って前記静電チャックの他端のサブ電極部に向かって順次に、前記第1電位差が印加されることを特徴とする請求項18〜請求項23の何れか一項に記載の成膜方法。
  25. 前記マスクを吸着する工程において、前記静電チャックの第1辺に沿って分割された複数のサブ電極部のうち、前記静電チャックの一端のサブ電極部から前記第1辺に沿って前記静電チャックの他端のサブ電極部に向かって順次に、前記第3電位差が印加されることを特徴とする請求項18〜請求項24の何れか一項に記載の成膜方法。
  26. 請求項18〜請求項25の何れか一項の成膜方法を用いて、電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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