JP2019211765A - ポジ型感光性樹脂組成物およびそれから調製された硬化膜 - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、本発明は、上記課題を解決するために、アクリル系コポリマーとシロキサンコポリマーとを適切な量で含有する感光性樹脂組成物を提供することを目的とし、ここで、この樹脂組成物中、現像時に適切な溶解速度を有するアクリル系コポリマーは、ハーフトーンおよびフルトーンが形成されるときに、パターンの基板への感度および接着性をさらに高める。
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物は、アクリル系コポリマー(A)を含んでいてもよい。
構造単位(a−1)は、エチレン性不飽和カルボン酸、エチレン性不飽和カルボン酸無水物、またはそれらの組み合わせに由来する。エチレン性不飽和カルボン酸、エチレン性不飽和カルボン酸無水物、またはそれらの組み合わせは、分子中に少なくとも1個のカルボキシル基を含有する重合性不飽和化合物である。それは、不飽和モノカルボン酸、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、α−クロロアクリル酸、および桂皮酸;不飽和ジカルボン酸、およびその無水物、例えば、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、およびメサコン酸;3価以上の不飽和ポリカルボン酸、およびその無水物;ならびに2価以上のポリカルボン酸のモノ[(メタ)アクリロイルオキシアルキル]エステル、例えば、モノ[2−(メタ)アクリロイルオキシエチル]スクシネート、モノ[2−(メタ)アクリロイルオキシエチル]フタレート等、から選択される少なくとも1つであってもよい。しかし、これらに限定されるものではない。上記の中では、(メタ)アクリル酸が、現像性の観点から好ましい。
構造単位(a−2)は、エポキシ基を含有する不飽和モノマーに由来する。エポキシ基を含有する不飽和モノマーの特定の例としては、グリシジル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、3,4−エポキシブチル(メタ)アクリレート、4,5−エポキシペンチル(メタ)アクリレート、5,6−エポキシヘキシル(メタ)アクリレート、6,7−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート、2,3−エポキシシクロペンチル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート、α−エチルグリシジルアクリレート、α−n−プロピルグリシジルアクリレート、α−n−ブチルグリシジルアクリレート、N−(4−(2,3−エポキシプロポキシ)−3,5−ジメチルベンジル)アクリルアミド、N−(4−(2,3−エポキシプロポキシ)−3,5−ジメチルフェニルプロピル)アクリルアミド、アリルグリシジルエーテル、2−メチルアリルグリシジルエーテル、およびそれらの組み合わせが挙げられる。室温での貯蔵安定性、および溶解性の観点から、グリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、またはそれらの組み合わせが好ましい。
構造単位(a−3)は、構造単位(a−1)および(a−2)とは異なるエチレン性不飽和化合物に由来する。構造単位(b−1)および(b−2)とは異なるエチレン性不飽和化合物は、芳香族環を有するエチレン性不飽和化合物、例えば、フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、p−ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、p−ノニルフェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルスチレン、トリエチルスチレン、プロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、ヘプチルスチレン、オクチルスチレン、フルオロスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、ヨードスチレン、メトキシスチレン、エトキシスチレン、プロポキシスチレン、p−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、アセチルスチレン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、ビニルフェノール、o−ビニルベンジルメチルエーテル、m−ビニルベンジルメチルエーテル、およびp−ビニルベンジルメチルエーテル;不飽和カルボン酸エステル、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、エチルヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−クロロプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、メチルα−ヒドロキシメチルアクリレート、エチルα−ヒドロキシメチルアクリレート、プロピルα−ヒドロキシメチルアクリレート、ブチルα−ヒドロキシメチルアクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシトリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ポリ(エチレングリコール)メチルエーテル(メタ)アクリレート、テトラフルオロプロピル(メタ)アクリレート、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピル(メタ)アクリレート、オクタフルオロペンチル(メタ)アクリレート、ヘプタデカフルオロデシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシブチル(メタ)アクリレート、4,5−エポキシペンチル(メタ)アクリレート、5,6−エポキシへキシル(メタ)アクリレート、および6,7−エポキシヘプチル(メタ)アクリレート;N−ビニル基を含有するN−ビニル三級アミン、例えば、N−ビニルピロリドン、N−ビニルカルバゾール、およびN−ビニルモルホリン;不飽和エーテル、例えば、ビニルメチルエーテル、およびビニルエチルエーテル;ならびに不飽和イミド、例えば、N−フェニルマレイミド、N−(4−クロロフェニル)マレイミド、N−(4−ヒドロキシフェニル)マレイミド、およびN−シクロヘキシルマレイミドからなる群より選択される少なくとも1つであってもよい。
本発明の感光性樹脂組成物は、アクリル系コポリマー(A)に加えて、結合剤としてシロキサンコポリマー(B)を含有する。
(R1)nSi(OR2)4−n
本発明の感光性樹脂組成物は、フェノール性水酸基を含有する化合物(C)を含む。
本発明の感光性樹脂組成物は、1,2−キノンジアジド系化合物(D)を含有する。
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物において、シロキサン結合剤(すなわち、シロキサンコポリマー)の内部密度を高め、それによって組成物から調製される硬化膜の耐薬品性を向上させるために、シロキサンポリマー(B)と共にエポキシ化合物がさらに用いられてもよい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、上記式1で表される少なくとも1つのシラン化合物を含んでもよい。特に、それは、T型および/またはQ型のシランモノマーを含んでもよく、それによって、エポキシ化合物、例えばエポキシオリゴマーに関連して、シロキサンコポリマー中の高反応性シラノール基(Si−OH)を還元することによって後のプロセスにおける処理中の耐薬品性を高める。
(R1)nSi(OR2)4−n
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、上記成分を溶媒に混合した液状組成物の形態で調製されてもよい。溶媒は、例えば、有機溶媒であってもよい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、必要に応じて、その塗布性を向上させるために界面活性剤をさらに含んでいてもよい。
本発明の感光性樹脂組成物は、基板との接着性を向上させるための接着補助剤をさらに含んでもよい。
コントラスト(γ)=[Log10(Dc/D0)]−1
Dc=Log10(現像時の膜厚が0のときのエネルギー)
D0=Log10[現像時の膜保持率(d’/d0)とコントラストグラフの直線傾きとの交点]
d0=現像前の(初期)膜厚
d’=現像時の膜厚
冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、溶媒として200重量部のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを仕込み、溶媒をゆっくりと攪拌しながら、溶媒の温度を70℃まで昇温した。そこへ、15.9重量部のメタクリル酸、20.8重量部のグリシジルメタクリレート、20.3重量部のスチレン、31.2重量部のメチルメタクリレート、および11.7重量部のメタクリレートを加え、次いで、ラジカル重合開始剤として、3重量部の2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を5時間かけて滴下して加え、重合反応を行った。このようにして得られたコポリマーの重量平均分子量(固形含量:30重量%)は10,000Daであった。
メタクリル酸17.7重量部、スチレン20.4重量部、メチルメタクリレート29.4重量部、メタクリレート11.8重量部を用いた以外は合成例1と同様にして、重合を行った。このようにして得られたコポリマーの重量平均分子量(固形含量:30重量%)は10,000Daであった。
還流冷却器を備えた反応器に、フェニルトリメトキシシラン53.5重量部、メチルトリメトキシシラン18.4重量部、テトラエトキシシラン28.1重量部、純水20重量%、PGMEA5重量%を仕込み、次いで、0.1重量%のシュウ酸触媒の存在下で7時間混合物を還流させながら激しく撹拌した。その後、混合物を冷却して、PGMEAで希釈し、得られた固形含量は40%であった。結果として、ポリスチレンを参照とするGPCにより分析した場合に、重量平均分子量5,000〜10,000Daを有するポリマーが合成された。
上記合成例で調製された化合物を用いて、以下の実施例および比較例の感光性樹脂組成物を調製した。
合成例1で合成したアクリル系コポリマー(A−1)23.85g、合成例2で合成したアクリル系コポリマー(A−2)23.85g、合成例3で合成したシロキサンコポリマー(B)15.33g、フェノール性水酸基を含有する化合物(C−1)1.25g、1,2−キノンジアジド化合物(D)3.25g、界面活性剤(H)0.06g、溶媒32.42gを、均一に混合した。この混合溶液を3時間撹拌し、孔径0.2μmのメンブレンフィルターでろ過し、25重量%の固形含量を有する組成物溶液を得た。
以下の表2に示されるように各成分の種類および/または含量を変更した以外は、実施例1と同様にして感光性樹脂組成物の各々を調製した。
上記実施例および比較例で使用したアクリル系コポリマーの溶解速度を測定するために、アクリル系コポリマーをウエハー基板上にスピンコートし、110℃に保ったホットプレート上で120秒間プリベークして、厚さ1μmの乾燥膜を形成した。ウエハー基板上に厚さ1μmで形成された塗膜を、溶解速度計(Luzchem、モデル:TFA−11CT)を用いて、現像と同じ条件下で、2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液中の溶解速度(Å/秒)について測定した。結果を表3に示す。
実施例および比較例で調製された組成物の各々を、スピンコートにより、ガラス基板上に塗布した。その後、塗布した基板を115℃で保持したホットプレート上で120秒間プリベークを行い、乾燥膜を形成した。乾燥膜を、マスクと基板との間の隙間が25μmである、1μm〜30μmのサイズ範囲の正方形の孔を有するマスクを介して、波長200nm〜450nmの光を照射するアライナー(型名:MA6)を用いて、365nmの波長に基づく、0〜200mJ/cm2の照射線量率で、一定時間露光した。次いで、それを、2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液である現像液を用いて、パドルノズルを介して23℃で、60秒間現像した。次いで、波長200nm〜450nmの光を照射するアライナー(型名:MA6)を用いて、波長365nmに基づく照射線量率200mJ/cm2で一定時間、現像した膜を露光した(すなわち、漂白工程)。露光膜を230℃の対流式オーブンで30分間加熱して、厚さ3μmを有する硬化膜を調製した。上記手順で10μmのマスクサイズにつき形成された孔パターンについて、10μmの限界寸法(CD、ライン幅、単位:μm)を得るための露光エネルギー量を測定した。値(mJ/cm2)が小さいほど、感度が良い。結果を表3に示す。
実施例および比較例で調製された組成物の各々を、スピンコートにより、ガラス基板上に塗布した。その後、塗布した基板を115℃で保持したホットプレート上で120秒間プリベークを行い、乾燥膜を形成した。1μmの間隔の1μm〜30μmの範囲の6つのラインからなる各パターンを有するフォトマスクを乾燥膜に施し、次いで、これを、マスクと基板との間の隙間が25μmである、波長200nm〜450nmの光を照射するアライナー(型名:MA6)を用いて、365nmの波長に基づく、0〜200mJ/cm2の照射線量率で、一定時間露光した(すなわち、漂白工程)。このとき、フォトマスクのライン領域以外のバルク領域に一定量の透過率(1.5μmの厚さを形成するための透過率)をかけて、それにより、バルク領域にハーフトーンを形成した。次いで、それを、2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液を用いて、パドルノズルを介して23℃で、60秒間現像した。次いで、波長200nm〜450nmの光を照射するアライナー(型名:MA6)を用いて、波長365nmに基づく照射線量率200mJ/cm2で一定時間それを露光した(すなわち、漂白工程)。露光膜を230℃の対流式オーブンで30分間加熱して、厚さ1.5μm(非露光領域における3μmを参照)を有する硬化膜を調製した。次に、窒化シリコン基板上の1μm〜30μmのラインパターンに残存する最小のラインパターンの程度を顕微鏡で観察した。顕微鏡観察では、ラインパターンをマスクCDで剥離した後に残った最低のCDサイズのパターンを現像接着性として評価した。最小残留パターンサイズが小さいほど、現像接着性が良好である。具体的には、以下のようにして最小残留パターンサイズにより接着性を評価した。結果を以下の表3および図1に示す。
実施例および比較例で調製された組成物の各々を、スピンコートにより、ガラス基板上に塗布した。その後、塗布した基板を115℃で保持したホットプレート上で120秒間プリベークを行い、乾燥膜を形成した。一定の間隔の様々な透過率で分割されたフォトマスクを乾燥膜に施し、次いで、これを、マスクと基板との間の隙間が25μmである、波長200nm〜450nmの光を照射するアライナー(型名:MA6)を用いて、365nmの波長に基づく、0〜200mJ/cm2の照射線量率で、一定時間露光した。次いで、それを、2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液を用いて、パドルノズルを介して23℃で、60秒間現像した。次いで、波長200nm〜450nmの光を照射するアライナー(型名:MA6)を用いて、波長365nmに基づく照射線量率200mJ/cm2で一定時間それを露光した(すなわち、漂白工程)。露光膜を230℃の対流式オーブンで30分間加熱して、厚さ3μmを有する硬化膜を調製した。上記プロセスにより形成された硬化膜の露光エネルギーに対する膜厚変化を、膜厚測定装置(SNU Precision)で測定し、d’(現像時の膜厚)とd0(現像前の初期膜厚)からコントラスト値を求めた。値が大きいほど、コントラストが良好となる。結果を以下の表3および図2に示す。
コントラスト(γ)=[Log10(Dc/D0)]−1
Dc=Log10(現像時の膜厚が0のときのエネルギー)
D0=Log10[現像時の膜保持率(d’/d0)とコントラストグラフの直線傾きとの交点]
d’=現像時の膜厚
d0=現像前の(初期)膜厚
実施例および比較例で調製された組成物の各々を、スピンコートにより、ガラス基板上に塗布した。その後、塗布した基板を115℃で保持したホットプレート上で120秒間プリベークを行い、乾燥膜を形成した。次いで、それを、2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液を用いて、パドルノズルを介して23℃で、60秒間現像した。次いで、波長200nm〜450nmの光を照射するアライナー(型名:MA6)を用いて、波長365nmに基づく照射線量率200mJ/cm2で一定時間それを露光した(すなわち、漂白工程)。露光膜を230℃の対流式オーブンで30分間加熱して、厚さ3μmを有する硬化膜を調製した。膜保持率(%)は、測定装置(SNU Precision)を用いて、プリベーク後の膜厚に対するポストベーク後の膜厚のパーセントによる割合を算出することによって、以下の等式1から得た。数値が高いほど、膜保持率が良好である。具体的には、膜保持率が70%以上であれば、優良と評価した。結果を表3に示す。
膜保持率(%)=(ポストベーク後の膜厚/プリベーク後の膜厚)×100
Claims (12)
- ポジ型感光性樹脂組成物であって、
(A)アクリル系コポリマーと、
(B)シロキサンコポリマーと、
(C)フェノール性水酸基を含有する化合物と、
(D)1,2−キノンジアジド化合物と、を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記アクリル系コポリマー(A)は、2.38重量%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液中に110℃で90秒間溶解したときに400〜1,300Å/秒の溶解速度を有する、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記アクリル系コポリマー(A)は、500〜50,000Daの重量平均分子量(Mw)を有する、請求項2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記シロキサンコポリマー(B)は、下記の式1で表されるシラン化合物から誘導される構造単位を含み、
[式1]
(R1)nSi(OR2)4−n
上記式1において、
nは、0〜3の整数であり、
R1は、それぞれ独立して、C1−12アルキル、C2−10アルケニル、C6−15アリール、3〜12員ヘテロアルキル、4〜10員ヘテロアルケニル、または6〜15員ヘテロアリールであり、
R2は、それぞれ独立して、水素、C1−6アルキル、C2−6アシル、またはC6−15アリールであり、
前記ヘテロアルキル、前記ヘテロアルケニル、および前記ヘテロアリール基は、それぞれ独立して、O、N、およびSからなる群から選択される少なくとも1個のヘテロ原子を有する、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記シロキサンコポリマー(B)は、nが0である上記式1で表されるシラン化合物に由来する構造単位を含む、請求項4に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記アクリル系コポリマー(A)は、(a−1)エチレン性不飽和カルボン酸、エチレン性不飽和カルボン酸無水物、またはそれらの組み合わせに由来する構造単位と;(a−2)エポキシ基を含有する不飽和化合物に由来する構造単位と;(a−3)前記構造単位(a−1)および(a−2)とは異なるエチレン性不飽和化合物に由来する構造単位と;を含む、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 固形含量に基づく前記アクリル系コポリマー(A)100重量部に基づき1〜50重量部の量のフェノール性水酸基を含有する前記化合物(C)を含む、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記シロキサンコポリマー(B)は、固形含量に基づく前記アクリル系コポリマー(A)と前記シロキサンコポリマー(B)の合計重量に基づき5〜60重量%の量で使用される、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- さらにエポキシ化合物を含む、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 下記式1で表される少なくとも1つのシラン化合物をさらに含む、ポジ型感光性樹脂組成物であって、
[式1]
(R1)nSi(OR2)4−n
上記式1において、
nは、0〜3の整数であり、
R1は、それぞれ独立して、C1−12アルキル、C2−10アルケニル、C6−15アリール、3〜12員ヘテロアルキル、4〜10員ヘテロアルケニル、または6〜15員ヘテロアリールであり、
R2は、それぞれ独立して、水素、C1−6アルキル、C2−6アシル、またはC6−15アリールであり、
前記ヘテロアルキル、前記ヘテロアルケニル、および前記ヘテロアリール基は、それぞれ独立して、O、N、およびSからなる群から選択される少なくとも1個のヘテロ原子を有する、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記感光性樹脂組成物をガラス基板上に塗布し、硬化させて乾燥膜を形成し、その乾燥膜を現像し、波長365nmに基づいて200mJ/cm2の露光速度で露光し、加熱して、3μmの厚さを有する硬化膜を調製するとき、下記等式1による前記硬化膜のコントラスト(γ)値は、4.5〜6.0であり、
[等式1]
コントラスト(γ)=[Log10(Dc/D0)]−1
Dc=Log10(現像時の膜厚が0のときのエネルギー)
D0=Log10[現像時の膜保持率(d’/d0)とコントラストグラフの直線傾きとの交点]
d0=現像前の(初期)膜厚
d’=現像時の膜厚、である、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - 請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物から調製された硬化膜。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JP2008176037A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法 |
WO2009028360A1 (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Toray Industries, Inc. | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
JP2009116223A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性組成物、それから形成された硬化膜、硬化膜を有する素子、および素子の製造方法 |
JP2009204805A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 感光性樹脂組成物、積層体及びその製造方法並びに電子部品 |
WO2012029734A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 東レ株式会社 | 感光性組成物、それから形成された硬化膜および硬化膜を有する素子 |
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WO2015012228A1 (ja) * | 2013-07-25 | 2015-01-29 | 東レ株式会社 | タッチパネル用ネガ型感光性白色組成物、タッチパネル及びタッチパネルの製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008176037A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法 |
WO2009028360A1 (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Toray Industries, Inc. | 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子 |
JP2009116223A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性組成物、それから形成された硬化膜、硬化膜を有する素子、および素子の製造方法 |
JP2009204805A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 感光性樹脂組成物、積層体及びその製造方法並びに電子部品 |
WO2012029734A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 東レ株式会社 | 感光性組成物、それから形成された硬化膜および硬化膜を有する素子 |
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