JP2019211727A - 光学積層体、転写用積層体、及び光学積層体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】微細凹凸構造を有する光学体を被着体の少なくとも一部に精度良く形成することが可能な、新規かつ改良された光学積層体等を提供する。【解決手段】上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、被着体と、被着体の表面の少なくとも一部に形成された接着層と、接着層によって被着体に接着された光学体と、を有し、光学体の少なくとも一方の表面には、凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された微細凹凸構造が形成され、光学体を光学体の微細凹凸構造に嵌合する反転凹凸構造を有する転写体から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、光学体と接着層との９０度剥離力の７０％以下であることを特徴とする、光学積層体が提供される。【選択図】図１

Description

本発明は、光学積層体、転写用積層体、及び光学積層体の製造方法に関する。

液晶ディスプレイ等の表示装置やカメラ等の光学装置をはじめとする電子機器には、光の反射による機能低下（例えば光の反射による視認性または画質の低下（より具体的には、色ムラまたはゴースト等の発生））を回避するために、光の入射面に反射防止膜を形成することが多い。反射防止膜としては、微細凹凸構造を有する微細凹凸膜（モスアイフィルムとも称される）、Ｗｅｔ−ＡＲ膜、及びＤｒｙ−ＡＲ膜等が知られている。

国際公開第２０１３／１８７３４９号

ところで、近年の電子機器の小型化、薄型化に伴い、反射防止膜を被着体の一部の領域に形成することが求められている。一例を挙げると、スマートフォンの前面を構成する基板には、カメラモジュール（所謂フロントカメラ）に光を入射させるための透明領域（カメラホールとも称される）が形成される場合がある。このようなスマートフォンにおいては、透明領域の裏面（スマートフォンの内部側の表面）のみに反射防止膜を形成することが求められる。さらに、カメラモジュールの小型化には限界がある。このため、スマートフォンを小型化、薄型化するために、反射防止膜を薄膜で形成することが求められる。

しかしながら、Ｗｅｔ−ＡＲ膜またはＤｒｙ−ＡＲ膜を用いる技術では、上記の要求に十分に応えることができなかった。具体的には、Ｗｅｔ−ＡＲ膜を用いる技術として、Ｗｅｔ−ＡＲ層、透明樹脂層、及び接着層からなる積層膜を所望の大きさにカットし、カットした積層膜を被着体に貼り付ける技術が提案されている。Ｗｅｔ−ＡＲ層は、透明樹脂層上にＷｅｔ−ＡＲ層の材料（低屈折率材料、高屈折率材料）を順次塗布することで形成される。しかし、この技術では、積層膜が非常に厚膜化してしまうので、薄膜化の要求に十分に応えることができなかった。Ｄｒｙ−ＡＲ膜を用いた技術として、被着体の所望の領域以外をマスクで覆い、当該所望の領域のみにスパッタリング等によりＤｒｙ−ＡＲ膜を形成する技術が提案されている。しかし、この技術では、被着体の多くの領域をマスクで覆う必要があるので、生産効率が非常に悪いという問題があった。また、形成されるＤｒｙ−ＡＲ膜の品質も十分でなかった。

一方、微細凹凸膜は薄膜化が可能なので、上記の要求に応えられることが期待される。しかしながら、被着体の表面の一部に微細凹凸膜を精度良く形成する技術は何ら提案されていなかった。なお、特許文献１には、表面に微細凹凸構造を有するキャリアと、微細凹凸構造上に設けられる機能層とを有する機能転写体が記載されている。この機能層は、上記の微細凹凸膜に相当する構成を有する。特許文献１では、機能転写体の機能層を被着体に転写させる。しかし、特許文献１に開示された技術では、微細凹凸構造を反射防止とは別の目的で使用しており、かつ、転写の精度が十分であるとは言えなかった。

そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、微細凹凸構造を有する光学体を被着体の少なくとも一部に精度良く形成することが可能な、新規かつ改良された光学積層体、転写用積層体、及び光学積層体の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、被着体と、被着体の表面の少なくとも一部に形成された接着層と、接着層によって被着体に接着された光学体と、を有し、光学体の少なくとも一方の表面には、凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された微細凹凸構造が形成され、他方の表面には接着層が形成され、光学体を光学体の微細凹凸構造に嵌合する反転凹凸構造を有する転写体から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、光学体と接着層との９０度剥離力の７０％以下であることを特徴とする、光学積層体が提供される。

ここで、光学体は、光学体と、転写体と、光学体の表面のうち、転写体が設けられていない側の表面を被覆する被覆体と、を有する転写用積層体から引き剥がされたものであり、光学体と被覆体との９０度剥離力は、光学体の引き裂きを含む光学体と転写体との９０度剥離力よりも小さくてもよい。

本発明の他の観点によれば、被着体と、被着体の表面の少なくとも一部に形成された接着層と、接着層によって被着体に接着された光学体と、を有し、光学体の少なくとも一方の表面には、凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された微細凹凸構造が形成され、他方の表面には接着層が形成され、光学体と接着層との９０度剥離力は１３Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする、光学積層体が提供される。

ここで、光学体と接着層との総厚さは１５μｍ以下であってもよい。

また、接着層は紫外線硬化性樹脂で構成されてもよい。

本発明の他の観点によれば、凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された微細凹凸構造が少なくとも一方の表面に形成された光学体と、光学体の微細凹凸構造に嵌合する反転凹凸構造を有する転写体と、光学体の表面のうち、転写体が設けられていない側の表面を被覆する被覆体と、を有し、光学体と被覆体との９０度剥離力は、光学体の引き裂きを含む光学体と転写体との９０度剥離力よりも小さいことを特徴とする、転写用積層体が提供される。

ここで、反転凹凸構造の表面には離型処理がなされていてもよい。

本発明の他の観点によれば、凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された微細凹凸構造が少なくとも一方の表面に形成された光学体と、光学体の微細凹凸構造に嵌合する反転凹凸構造を有する転写体と、を有する転写用積層体を作製する工程と、被着体の表面の少なくとも一部に未硬化の接着層を形成する工程と、光学体の露出面が未硬化の接着層に接触するように、転写用積層体を被着体に押し当てる工程と、未硬化の接着層を硬化させる工程と、光学体を転写体から引き剥がす工程と、を含み、光学体を転写体から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、光学体と接着層との９０度剥離力の７０％以下であることを特徴とする、光学積層体の製造方法が提供される。

ここで、転写用積層体は、光学体の表面のうち、転写体が設けられていない側の表面を被覆する被覆体をさらに有し、光学積層体の製造方法では、転写用積層体から被覆体を引き剥がした後に転写用積層体を被着体に押し当て、光学体と被覆体との９０度剥離力は、光学体の引き裂きを含む光学体と転写体との９０度剥離力よりも小さくてもよい。

以上説明したように本発明によれば、光学体を転写体から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、接着層と被着体との９０度剥離力の７０％以下であるので、微細凹凸構造を有する光学体を被着体の少なくとも一部に精度良く形成（転写）することが可能となる。

本発明の実施形態に係る転写用積層体の構成を示す断面図である。 転写用積層体を構成する光学体の一部が被着体に転写された様子を示す説明図である。 初期９０度剥離力及び引き裂きを含む９０度剥離力を説明するための平面図である。 ９０度剥離力の時間変化を示すグラフである。 本実施形態に係る原盤の外観例を示す斜視図である。 露光装置の構成例を示すブロック図である。 転写体をロールツーロールで製造する転写装置の一例を示す模式図である。

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜１．転写用積層体の構成＞
まず、図１〜図２に基づいて、本実施形態に係る転写用積層体２０の構成について説明する。転写用積層体２０は、被着体７０に光学体４０を転写するためのフィルム積層体であり、転写体３０と、光学体４０と、被覆体５０とを備える。

（１−１．転写体）
転写体３０は、光学体４０を保護すると共に光学体４０に微細凹凸構造４１を付与するものである。具体的には、転写体３０は、基材フィルム３１と、基材フィルム３１の一方の表面に形成された微細凹凸構造３２とを備える。本実施形態では基材フィルム３１と微細凹凸構造３２とが別体となっているが、これらは一体成形されていても良い。この場合、基材フィルム３１と微細凹凸構造３２とは同じ材料（例えば、後述する硬化性樹脂または熱可塑性樹脂等）で構成される。

基材フィルム３１の種類は特に制限されないが、透明かつ破断しにくいものであることが好ましい。基材フィルム３１が透明となる場合、基材フィルム３１は、未硬化の光学体４０または接着層６０を硬化させるための紫外線を透過させることができる。基材フィルム３１の例としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムやＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルム等が挙げられる。

微細凹凸構造３２は、基材フィルム３１の一方の表面に設けられる。微細凹凸構造３２は、凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された構造を有する。すなわち、微細凹凸構造３２は、多数の微細凸部３２ａ及び微細凹部３２ｂで構成される。微細凸部３２ａは基材フィルム３１の厚さ方向に凸となっている部分であり、微細凹部３２ｂは基材フィルム３１の厚さ方向に凹となっている部分である。微細凹凸構造３２は、光学体４０が有する微細凹凸構造４１の反転形状（反転凹凸構造）となっており、微細凹凸構造４１に嵌合している。

凹凸の平均周期は、可視光波長以下（例えば、８３０ｎｍ以下）である。平均周期の上限値は、好ましくは３５０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは２８０ｎｍ以下である。下限値は、好ましくは１００ｎｍ以上であり、さらに好ましくは１５０ｎｍ以上である。したがって、微細凹凸構造３２は、いわゆるモスアイ構造となっている。したがって、光学体４０の微細凹凸構造４１もモスアイ構造を有することになり、微細凹凸構造４１によって反射防止機能が実現される。微細凹凸構造３２の凹凸の平均周期、すなわち微細凹凸構造４１の凹凸の平均周期が上記の範囲内の値となる場合、微細凹凸構造４１の反射防止機能がより向上する。

ここで、平均周期が１００ｎｍ未満である場合、微細凹凸構造３２の形成が困難になる可能性がある。また、平均周期が３５０ｎｍを超える場合、微細凹凸構造４１において可視光の回折現象が生じる可能性がある。

微細凹凸構造３２の平均周期は、互いに隣り合う微細凸部３２ａ間または微細凹部３２ｂ間の距離の算術平均値である。なお、微細凹凸構造３２は、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、あるいは断面透過型電子顕微鏡（断面ＴＥＭ）等によって観察可能である。また、平均周期の算出方法は例えば以下の通りである。すなわち、隣り合う微細凸部３２ａの組み合わせ、または隣り合う微細凹部３２ｂの組み合わせを複数個ピックアップし、これらの距離（ピッチ）を測定する。なお、微細凸部３２ａ間の距離は、例えば、微細凸部３２ａの頂点間の距離となる。また、微細凹部３２ｂ間の距離は、例えば、微細凹部３２ｂの中心点間の距離となる。そして、測定値を算術平均することで、平均周期を算出すればよい。後述する微細凹凸構造４１の平均周期も同様の方法で測定可能である。

また、凹凸の高さ（微細凸部３２ａの高さまたは微細凹部３２ｂの深さ）は特に制限はないが、例えば上限値は、好ましくは３００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは２３０ｎｍ以下である。下限値は、１５０ｎｍ以上であることが好ましく、１９０ｎｍ以上であることがより好ましい。この場合、後述する微細凹凸構造４１の反射防止機能がより向上する。

微細凹凸構造３２の配列は特に制限されず、周期配列であってもよいし、ランダム配列であってもよい。周期配列の例としては、千鳥格子配列、矩形格子配列等が挙げられる。また、微細凸部３２ａ及び微細凹部３２ｂの形状も特に制限されない。微細凸部３２ａ及び微細凹部３２ｂの形状は、例えば、砲弾型、錐体状、柱状、針状であってもよい。なお、微細凹部３２ｂの形状は、微細凹部３２ｂの内壁面によって形成される形状を意味する。

微細凹凸構造３２は、例えば紫外線硬化性樹脂で構成される。紫外線硬化性樹脂は、透明性を有することが好ましい。微細凹凸構造３２が透明性を有する場合、微細凹凸構造３２は、未硬化の光学体４０または接着層６０を硬化させるための紫外線を透過させることができる。このような観点から、紫外線硬化性樹脂は、例えば紫外線硬化性アクリル樹脂または紫外線硬化性エポキシ樹脂であることが好ましい。

紫外線硬化性エポキシ樹脂は、紫外線硬化開始剤及びエポキシ重合性化合物を含む。紫外線硬化開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどが挙げられる。エポキシ重合性化合物は、分子内に１つまたは２つ以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、またはプレポリマーである。エポキシ重合性化合物としては、各種ビスフェノール型エポキシ樹脂（ビスフェノールＡ型、Ｆ型等）、ノボラック型エポキシ樹脂、ゴムおよびウレタン等の各種変性エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、及びこれらのプレポリマー等が挙げられる。

紫外線硬化性アクリル樹脂は、上述した紫外線硬化開始剤及びアクリル重合性化合物を含む。アクリル重合性化合物は、分子内に１つまたは２つ以上のアクリル基を有するモノマー、オリゴマー、またはプレポリマーである。ここで、モノマーは、さらに分子内にアクリル基を１つ有する単官能モノマー、分子内にアクリル基を２つ有する二官能モノマー、分子内にアクリル基を３つ以上有する多官能モノマーに分類される。

「単官能モノマー」としては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル又は脂環類のモノマー（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピル−アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル−アクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルアクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどが挙げられる。

「二官能モノマー」としては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン−ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。

「多官能モノマー」としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどが挙げられる。

上記で列挙したアクリル重合性化合物以外の例としては、アクリルモルフォリン、グリセロールアクリレート、ポリエーテル系アクリレート、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルカプロラクトン、エトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジアクリレート、脂肪族ウレタンオリゴマー、ポリエステルオリゴマー等が挙げられる。

ここで、本実施形態では、光学体４０を転写体３０から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、光学体４０と接着層６０との９０度剥離力の７０％以下とされる。好ましくは１５％以下である。そこで、上記で列挙された樹脂からこの要件が満たされる樹脂を選択すればよい。例えば、微細凹凸構造３２を構成する樹脂は、光学体４０を転写体３０上に保持するため、輸送時もしくは剥離時の温度で固体であることが望ましい。このため、上記で列挙した樹脂もしくは樹脂混合物の、硬化後のガラス転移温度が、輸送時もしくは剥離時の温度以上となるものを選択することが好ましい。また、微細凹凸構造保持の観点から、上記で列挙した樹脂もしくは樹脂混合物の、硬化後の貯蔵弾性率は、高いほうが望ましい。好ましくは５００ＭＰａ以上、より好ましくは１ＧＰａ以上となる。このような観点で樹脂を選択すればよい。なお、剥離力の詳細について後述する。

また、微細凹凸構造３２を構成する樹脂には、各種の添加剤を添加してもよい。このような添加剤としては、例えば、無機フィラー、有機フィラー、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などが挙げられる。なお、無機フィラーの種類としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの金属酸化物微粒子が挙げられる。さらに、微細凹凸構造３２を構成する樹脂には、転写体３０と光学体４０とを容易に剥離可能とするために、離型剤等を添加してもよい。

微細凹凸構造３２の表面には、離型処理がなされていることが好ましい。これにより、光学体４０を転写体３０から容易に剥離することができる。より詳細には、光学体４０を転写体３０から引き剥がす際の初期９０度剥離力を低減させることができる。

ここで、離型処理は特に制限されず、光学体４０を転写体３０から引き剥がす際の初期９０度剥離力を低減させることができる処理であれば特に制限されない。一例として、離型剤を塗布する処理が挙げられる。この処理は、無機膜形成処理、活性化処理、及び離型剤塗布処理で構成される。具体的な処理は以下の通りである。

（無機膜形成処理）
スパッタリング等により無機膜を微細凹凸構造３２の表面に形成する。無機膜形成処理は、離型剤を微細凹凸構造３２の表面に定着させるために行われる。無機膜を構成する無機物は特に制限されず、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＳｉＯ_２、Ｓｉ、ＳｉＮ_ｘ及びＴｉＯ_２等が挙げられる。これらの１種または２種以上をスパッタリングすればよい。なお、無機膜は透明性を有することが好ましい。この場合、無機膜は未硬化の光学体４０または接着層６０を硬化させるための紫外線を透過させることができる。このような観点から、無機膜はＩＴＯ、ＳｉＯ_２、及びＳｉＮ_ｘのいずれか１種以上で構成されることが好ましい。無機膜の厚さは特に制限されないが、２０ｎｍ以上であることが好ましい。

（活性化処理）
本処理は、無機膜の表面を活性化させる処理であり、離型剤の微細凹凸構造３２の表面（すなわち無機膜の表面）への定着を促進するために行われる。活性化処理は、無機膜の表面を活性化させる（すなわち、離型剤の定着を促進させる）処理であれば特に制限されず、例えばエキシマ処理、大気プラズマ処理、コロナ処理、酸素アッシング処理、及び紫外線処理等が挙げられる。これらの処理のうち、いずれか１種以上を行ってもよい。微細凹凸構造４１への損傷をなるべく防ぐという観点から、活性化処理はエキシマ処理であることが好ましい。

（離型剤塗布処理）
活性化された無機膜の表面に離型剤を塗布する。離型剤としては、例えばフッ素樹脂を含むものが挙げられる。塗布の方法は特に制限されず、例えば各種のコータ（ディップコータ等）で行われればよい。以上の処理により、微細凹凸構造３２の表面に離型処理を行う。

（１−２．光学体）
光学体４０は、被着体７０に転写されるフィルム体であり、転写体３０側の表面に微細凹凸構造４１が形成されている。微細凹凸構造４１は、転写体３０の微細凹凸構造３２の反転形状となっており、微細凹凸構造３２に嵌合している。

具体的には、微細凹凸構造４１は、凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された構造を有する。すなわち、微細凹凸構造４１は、多数の微細凸部４１ａ及び微細凹部４１ｂで構成される。微細凸部４１ａは光学体４０の厚さ方向に凸となっている部分であり、微細凹部４１ｂは光学体４０の厚さ方向に凹となっている部分である。

凹凸の平均周期は、可視光波長以下（例えば、８３０ｎｍ以下）である。平均周期の上限値は、好ましくは３５０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは２８０ｎｍ以下である。下限値は、好ましくは１００ｎｍ以上であり、さらに好ましくは１５０ｎｍ以上である。したがって、微細凹凸構造３２は、いわゆるモスアイ構造となっている。このような微細凹凸構造４１によって反射防止機能が実現される。微細凹凸構造４１の凹凸の平均周期が上記の範囲内の値となる場合、微細凹凸構造４１の反射防止機能がより向上する。

ここで、平均周期が１００ｎｍ未満である場合、微細凹凸構造４１の形成が困難になる可能性がある。また、平均周期が３５０ｎｍを超える場合、微細凹凸構造４１において可視光の回折現象が生じる可能性がある。

微細凹凸構造４１の平均周期は、互いに隣り合う微細凸部４１ａ間または微細凹部４１ｂ間の距離の算術平均値である。微細凹凸構造４１の観察方法、平均周期の測定方法は微細凹凸構造３２と同様である。

また、凹凸の高さ（微細凸部４１ａの高さまたは微細凹部４１ｂの深さ）は特に制限はないが、例えば上限値は、好ましくは３００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは２３０ｎｍ以下である。下限値は、１５０ｎｍ以上であることが好ましく、１９０ｎｍ以上であることがより好ましい。この場合、微細凹凸構造４１の反射防止機能がより向上する。

微細凹凸構造４１の配列は特に制限されず、周期配列であってもよいし、ランダム配列であってもよい。周期配列の例としては、千鳥格子配列、矩形格子配列等が挙げられる。また、微細凸部４１ａ及び微細凹部４１ｂの形状も特に制限されない。微細凸部４１ａ及び微細凹部４１ｂの形状は、例えば、砲弾型、錐体状、柱状、針状であってもよい。なお、微細凹部４１ｂの形状は、微細凹部４１ｂの内壁面によって形成される形状を意味する。

微細凹凸構造４１は、例えば紫外線硬化性樹脂で構成される。紫外線硬化性樹脂は、透明性を有することが好ましい。微細凹凸構造４１が透明性を有する場合、微細凹凸構造４１は、未硬化の接着層６０を硬化させるための紫外線を透過させることができる。このような観点から、紫外線硬化性樹脂は、例えば紫外線硬化性アクリル樹脂または紫外線硬化性エポキシ樹脂であることが好ましい。紫外線硬化性アクリル樹脂及び紫外線硬化性エポキシ樹脂の具体的な組成は微細凹凸構造３２と同様である。微細凹凸構造４１を構成する樹脂には、各種の添加剤を添加しても良い。添加剤の種類は微細凹凸構造３２と同様である。特に、微細凹凸構造４１を構成する樹脂には、転写体３０と光学体４０とを容易に剥離可能とするために、離型剤等を添加してもよい。

本実施形態では、光学体４０を転写体３０から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、光学体４０と接着層６０との９０度剥離力の７０％以下とされる。さらに、光学体４０と被覆体５０との９０度剥離力は、光学体４０の引き裂きを含む光学体４０と転写体３０との９０度剥離力よりも小さいことが好ましい。そこで、上記で列挙された樹脂からこれらの要件が満たされる樹脂を選択すればよい。例えば、光学体４０の剥離は引き裂きを伴うことから、光学体４０は剥離時には固体であることが望ましい。このため、上記で列挙した樹脂もしくは樹脂混合物の、硬化後のガラス転移温度が、剥離時の温度以上となるという観点で樹脂を選択すればよい。

（１−３．被覆体）
被覆体５０は、光学体４０を保護するためのフィルム体であり、光学体４０の表面のうち、転写体３０が設けられていない側の表面を被覆する。被覆体５０は必ずしも転写用積層体２０に設けられている必要はないが、光学体４０を保護するという観点から、被覆体５０は転写用積層体２０に設けられていることが好ましい。光学体４０と被覆体５０との９０度剥離力は、光学体４０の引き裂きを含む光学体４０と転写体３０との９０度剥離力よりも小さいことが好ましい。そこで、被覆体５０は、このような要件が満たされる材質で構成される。例えば、被覆体５０は、低密度ポリエチレンフィルム上にポリエチレンビニルアセテートを塗布した、一般的なプロテクトフィルムで構成されていてもよい。なお、被覆体５０の代わりに転写体３０を用いてもよい。この場合、光学体４０の両面に微細凹凸構造４１が形成されることになる。微細凹凸構造４１が光学体４０の両面に形成される場合、光学体４０の反射防止機能のさらなる向上が期待できる。さらに、接着層６０との接着面にも微細凹凸構造４１が形成されるので、アンカー効果により接着層６０と光学体４０との９０度剥離力が向上することも期待できる。

＜２．光学積層体の構成＞
つぎに、図２に基づいて光学積層体１０の構成を説明する。光学積層体１０は、被着体７０と、接着層６０と、光学体４０とを備える。

被着体７０は、光学体４０による反射防止機能が付与されるものである。被着体７０の種類は特に限定されず、反射防止機能が求められるものであればどのようなものであってもよい。一例として、被着体７０は、スマートフォン、各種ディスプレイ、または各種撮像装置等の電子機器を構成する基板であってもよい。より詳細には、被着体７０は、例えばスマートフォンの前面を構成する基板であってもよい。この場合、カメラホールを構成する透明領域に光学体４０が形成される。被着体７０の具体的な材質は、例えばガラス基板、表面がポリイミド等で被覆されたガラス基板、またはＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）基板などであってもよい。

接着層６０は透明性を有し、かつ光学体４０を被着体７０に接着する。接着層６０は、例えば紫外線硬化性樹脂、より具体的には紫外線硬化性アクリル樹脂または紫外線硬化性エポキシ樹脂で構成される。紫外線硬化性アクリル樹脂及び紫外線硬化性エポキシ樹脂の具体的な構成は微細凹凸構造３２と同様である。ここで、本実施形態では、光学体４０を転写体３０から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、光学体４０と接着層６０との９０度剥離力の７０％以下とされる。そこで、上記で列挙された樹脂からこれらの要件が満たされる樹脂を選択すればよい。例えばガラス基板上に光学体４０を転写する場合には、ガラスと充分な密着力が確保できる樹脂を使用して接着層６０を形成すればよい。また、光学体４０を保持する観点から、使用温度領域で充分な硬度が保たれていることが望ましく、貯蔵弾性率が好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは１００ＭＰａ以上である。このような観点で接着層６０の樹脂を選択すればよい。

光学体４０は、転写用積層体２０から引き剥がされたものである。ここで、本実施形態では、光学体４０を転写体３０から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、光学体４０と接着層６０との９０度剥離力の７０％以下とされる。このため、光学体４０を被着体７０の少なくとも一部に精度良く転写することが可能となる。ここで、光学体４０と接着層６０との９０度剥離力は１３Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。この場合、光学体４０を転写体３０から引き剥がす際の初期９０度剥離力をより確実に光学体４０と接着層６０との９０度剥離力の７０％以下とすることができる。

ここで、接着層６０と光学体４０との総厚さは１５μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。これにより、被着体７０を含む電子機器を小型化、薄型化することができる。ここで、接着層６０と光学体４０の総厚さは、微細凹凸構造４１の微細凸部４１ａの上端部（先端部）から接着層６０の下端面（被着体７０に接触する面）までの厚さ方向の距離である。当該距離は測定箇所によって多少のばらつきがあるので、いくつかの測定箇所で測定した値を算術平均した値を総厚さとすればよい。

光学体４０は微細凹凸構造４１によって反射防止機能を実現するので、薄膜化が可能である。例えば、微細凹凸構造４１が形成されていない部分の厚さを１μｍ以下とすることもできる。接着層６０は、例えば紫外線硬化性樹脂となる場合に、厚さが非常に小さくなる。したがって、接着層６０を紫外線硬化性樹脂で構成することで、接着層６０と光学体４０との総厚さを容易に上記範囲内の値とすることができる。

＜３．剥離力について＞
ここで、図２〜図４に基づいて、本実施形態で規定される各種の剥離力について説明する。詳細は後述するが、光学積層体１０は、概ね以下の工程で作製される。すなわち、まず、転写用積層体２０から被覆体５０の一部を剥離する。これにより、光学体４０の一部が露出する。一方で、被着体７０の表面のうち、光学体４０を形成する部分に未硬化の接着層６０（すなわち接着剤）を塗布（形成）する。ついで、光学体４０の露出面が未硬化の接着層６０に接触するように、転写用積層体２０を被着体７０に押し当てる。ついで、未硬化の接着層６０を硬化させる。ついで、転写用積層体２０を被着体７０から引き剥がす。この際、光学体４０のうち、接着層６０によって接着された部分のみが被着体７０側に転写され、残りの部分は転写体３０に残る。これにより、光学体４０の一部を転写体３０から引き剥がす。

図３は、光学体４０の露出面を示す。領域Ｘは、転写体３０から引き剥がされる部分を示し、矢印Ａは転写用積層体２０が被着体７０から引き剥がされる方向を示す。転写用積層体２０を被着体７０から引き剥がしていくと、領域Ｘでは、まず、光学体４０が転写体３０から引き剥がされるとともに、境界面Ｘ１が切断される。つまり、この際の剥離力は、光学体４０と転写体３０とのアンカー効果による結着力に、境界面Ｘ１を破断するために必要な引張破断応力を加えたものとなる。この時の９０度剥離力を初期９０度剥離力と定義する。より具体的には、密着幅２５ｍｍ（サンプル幅は２５ｍｍより広い）、引き上げ速度２００ｍｍ／ｍｉｎで光学体４０と転写体３０との９０度剥離試験を行った場合に、９０度剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）の大きさが最初に最大となった値を「光学体４０を転写体３０から引き剥がす際の初期９０度剥離力」と定義する。

図４は、９０度剥離試験の結果の一例を示す。領域Ｂで示される９０度剥離力が初期９０度剥離力となる。転写用積層体２０を被着体７０からさらに引き剥がしていくと、境界面Ｘ２が破断されながら光学体４０が転写体３０から引き剥がされる。この際の剥離力は、光学体４０と転写体３０とのアンカー効果による結着力に、境界面Ｘ２を破断するために必要な引き裂き応力を加えたものとなる。この時の剥離力を「光学体４０の引き裂きを含む光学体４０と転写体３０との９０度剥離力」と定義する。より具体的には、上記の９０度剥離試験を行った場合に、初期９０度剥離力以降の剥離力の算術平均値を「光学体４０の引き裂きを含む光学体４０と転写体３０との９０度剥離力」と定義する。

他の剥離力は、上述した引張破断応力及び引き裂き応力を含まない一般的な９０度剥離力である。つまり、密着幅２５ｍｍ（サンプル幅も同じ）、引き上げ速度２００ｍｍ／ｍｉｎで９０度剥離試験を行ったときの９０度剥離力となる。本発明者は、これらの剥離力が上述した要件を満たす場合に、光学体４０が精度良く（例えば転写不良等が生じないように）被着体７０に転写されることを見出した。

＜４．転写体の製造方法＞
つぎに、図５〜図７に基づいて、転写体３０の製造方法について説明する。転写体３０は、いわゆるロールツーロールにより作製することができる。

（４−１−１．原盤の構成）
図５は転写体３０を作製するための原盤１００の構成を示す。原盤１００は、円筒形状となっている。原盤１００は円柱形状であっても、他の形状（例えば平板状）であってもよい。ただし、原盤１００が円柱または円筒形状である場合、ロールツーロール方式によって原盤１００の凹凸構造（すなわち、原盤凹凸構造）１２０を樹脂基材等にシームレス的に転写することができる。これにより、基材フィルム３１の表面に微細凹凸構造３２を高い生産効率で形成することができる。このような観点からは、原盤１００の形状は、円筒形状または円柱形状であることが好ましい。

原盤１００は、原盤基材１１０と、原盤基材１１０の周面に形成された原盤凹凸構造１２０とを備える。原盤基材１１０は、例えば、ガラス体であり、具体的には、石英ガラスで形成される。ただし、原盤基材１１０は、ＳｉＯ_２純度が高いものであれば、特に限定されず、溶融石英ガラスまたは合成石英ガラス等で形成されてもよい。原盤基材１１０は、金属母材上に上記の材料を積層したものや金属母材（例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ）であってもよい。原盤基材１１０の形状は円筒形状であるが、円柱形状、他の形状であってもよい。ただし、上述のように、原盤基材１１０は円筒形状または円柱形状であることが好ましい。原盤凹凸構造１２０は、微細凹凸構造３２の反転構造を有する。

（４−１−２．原盤の製造方法）
つぎに、原盤１００の製造方法を説明する。まず、原盤基材１１０上に、基材レジスト層を形成（成膜）する。ここで、基材レジスト層を構成するレジスト材は特に制限されず、有機レジスト材及び無機レジスト材のいずれであってもよい。有機レジスト材としては、例えば、ノボラック系レジスト、または化学増幅型レジストなどが挙げられる。また、無機レジスト材としては、例えば、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）などの１種または２種以上の遷移金属を含む金属酸化物等が挙げられる。その他、無機レジスト材としては、Ｃｒ、Ａｕ等が挙げられる。ただし、熱反応リソグラフィを行うためには、基材レジスト層は、金属酸化物を含む熱反応型レジストで形成されることが好ましい。

有機レジスト材を使用する場合、基材レジスト層は、スピンコーティング、スリットコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、またはスクリーン印刷等を用いることで原盤基材１１０上に形成されてもよい。また、基材レジスト層に無機レジスト材を使用する場合、基材レジスト層は、スパッタ法を用いることで形成されてもよい。有機レジスト材、無機レジスト材は併用されてもよい。

次に、露光装置２００（図６参照）により基材レジスト層の一部を露光することで、基材レジスト層に潜像を形成する。具体的には、露光装置２００は、レーザ光２００Ａを変調し、レーザ光２００Ａを基材レジスト層に対して照射する。これにより、レーザ光２００Ａが照射された基材レジスト層の一部が変性するため、基材レジスト層に原盤凹凸構造１２０に対応する潜像を形成することができる。

続いて、潜像が形成された基材レジスト層上に現像液を滴下することで、基材レジスト層を現像する。これにより、基材レジスト層に凹凸構造が形成される。ついで、基材レジスト層をマスクとして原盤基材１１０及び基材レジスト層をエッチングすることで、原盤基材１１０上に原盤凹凸構造１２０を形成する。なお、エッチングの方法は特に制限されないが、垂直異方性を有するドライエッチングであることが好ましく、例えば、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）であることが好ましい。以上の工程により、原盤１００を作製する。エッチングはウエットエッチングであってもよい。

（４−１−３．露光装置の構成）
次に、図６に基づいて、露光装置２００の構成について説明する。露光装置２００は、基材レジスト層を露光する装置である。露光装置２００は、レーザ光源２０１と、第１ミラー２０３と、フォトダイオード（Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ：ＰＤ）２０５と、偏向光学系と、制御機構２３０と、第２ミラー２１３と、移動光学テーブル２２０と、スピンドルモータ２２５と、ターンテーブル２２７とを備える。また、原盤基材１１０は、ターンテーブル２２７上に載置され、回転することができるようになっている。

レーザ光源２０１は、レーザ光２００Ａを発する光源であり、例えば、固体レーザまたは半導体レーザなどである。レーザ光源２０１が発するレーザ光２００Ａの波長は、特に限定されないが、例えば、４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色光帯域の波長であってもよい。また、レーザ光２００Ａのスポット径（レジスト層に照射されるスポットの直径）は、原盤凹凸構造１２０の凹部の開口面の直径より小さければよく、例えば２００ｎｍ程度であればよい。レーザ光源２０１から発せられるレーザ光２００Ａは制御機構２３０によって制御される。

レーザ光源２０１から出射されたレーザ光２００Ａは、平行ビームのまま直進し、第１ミラー２０３で反射され、偏向光学系に導かれる。

第１ミラー２０３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、偏光成分の一方を反射させ、偏光成分の他方を透過させる機能を有する。第１ミラー２０３を透過した偏光成分は、フォトダイオード２０５によって受光され、光電変換される。また、フォトダイオード２０５によって光電変換された受光信号は、レーザ光源２０１に入力され、レーザ光源２０１は、入力された受光信号に基づいてレーザ光２００Ａの位相変調を行う。

また、偏向光学系は、集光レンズ２０７と、電気光学偏向素子（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｏｐｔｉｃ Ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＥＯＤ）２０９と、コリメータレンズ２１１とを備える。

偏向光学系において、レーザ光２００Ａは、集光レンズ２０７によって、電気光学偏向素子２０９に集光される。電気光学偏向素子２０９は、レーザ光２００Ａの照射位置を制御することが可能な素子である。露光装置２００は、電気光学偏向素子２０９により、移動光学テーブル２２０上に導かれるレーザ光２００Ａの照射位置を変化させることも可能である（いわゆる、Ｗｏｂｂｌｅ機構）。レーザ光２００Ａは、電気光学偏向素子２０９によって照射位置を調整された後、コリメータレンズ２１１によって、再度、平行ビーム化される。偏向光学系から出射されたレーザ光２００Ａは、第２ミラー２１３によって反射され、移動光学テーブル２２０上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル２２０は、ビームエキスパンダ（Ｂｅａｍ ｅｘｐａｄｅｒ：ＢＥＸ）２２１と、対物レンズ２２３とを備える。移動光学テーブル２２０に導かれたレーザ光２００Ａは、ビームエキスパンダ２２１により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ２２３を介して、原盤基材１１０上に形成された基材レジスト層に照射される。また、移動光学テーブル２２０は、原盤基材１１０が１回転する毎に矢印Ｒ方向（送りピッチ方向）に１送りピッチ（トラックピッチ）だけ移動する。ターンテーブル２２７上には、原盤基材１１０が設置される。スピンドルモータ２２５はターンテーブル２２７を回転させることで、原盤基材１１０を回転させる。これにより、レーザ光２００Ａを基材レジスト層上で走査させる。ここで、レーザ光２００Ａの走査方向に沿って、基材レジスト層の潜像が形成される。

また、制御機構２３０は、フォーマッタ２３１と、ドライバ２３３とを備え、レーザ光２００Ａの照射を制御する。フォーマッタ２３１は、レーザ光２００Ａの照射を制御する変調信号を生成し、ドライバ２３３は、フォーマッタ２３１が生成した変調信号に基づいて、レーザ光源２０１を制御する。これにより、原盤基材１１０へのレーザ光２００Ａの照射が制御される。

フォーマッタ２３１は、基材レジスト層に描画する任意のパターンが描かれた入力画像に基づいて、基材レジスト層にレーザ光２００Ａを照射するための制御信号を生成する。具体的には、まず、フォーマッタ２３１は、基材レジスト層に描画する任意の描画パターンが描かれた入力画像を取得する。入力画像は、軸方向に基材レジスト層の外周面を切り開いて一平面に伸ばした、基材レジスト層の外周面の展開図に相当する画像である。この展開図には、原盤１００の周面形状に相当する画像が描かれている。この画像は、微細凹凸構造３２の反転構造を示す。なお、原盤１００の原盤凹凸構造１２０が転写された転写用フィルムを作製し、この転写用フィルムを転写型として用いて基材フィルム３１上に微細凹凸構造３２を形成してもよい。この場合、原盤凹凸構造１２０は微細凹凸構造３２と同じ凹凸構造を有することになる。

次に、フォーマッタ２３１は、入力画像を所定の大きさの小領域に分割し（例えば、格子状に分割し）、小領域の各々に凹部描画パターン（つまり、原盤１００の凹部に相当するパターン）が含まれるか否かを判断する。続いて、フォーマッタ２３１は、凹部描画パターンが含まれると判断した各小領域にレーザ光２００Ａを照射するよう制御する制御信号に生成する。この制御信号（すなわち、露光信号）は、スピンドルモータ２２５の回転と同期されることが好ましいが、同期されていなくてもよい。また、制御信号とスピンドルモータ２２５の回転との同期は原盤基材１１０が１回転する毎に取り直されてもよい。さらに、ドライバ２３３は、フォーマッタ２３１が生成した制御信号に基づいてレーザ光源２０１の出力を制御する。これにより、基材レジスト層へのレーザ光２００Ａの照射が制御される。なお、露光装置２００は、フォーカスサーボ、レーザ光２００Ａの照射スポットの位置補正等のような公知の露光制御処理を行ってもよい。フォーカスサーボはレーザ光２００Ａの波長を用いてもよく、他の波長を参照用に用いてもよい。

また、レーザ光源２０１から照射されたレーザ光２００Ａは、複数系統の光学系に分岐された後に基材レジスト層に照射されてもよい。この場合、複数の照射スポットが基材レジスト層に形成される。この場合、一方の光学系から出射されたレーザ光２００Ａが他方の光学系によって形成された潜像に到達した際に、露光を終了すればよい。

したがって、本実施形態によれば、入力画像の描画パターンに応じた潜像をレジスト層に形成することができる。そして、レジスト層を現像し、現像後のレジスト層をマスクとして原盤基材１１０及び基材レジスト層をエッチングすることで、原盤基材１１０上に入力画像の描画パターンに応じた原盤凹凸構造１２０を形成する。すなわち、描画パターンに応じた任意の原盤凹凸構造１２０を形成することができる。したがって、描画パターンとして、微細凹凸構造３２の反転構造が描かれた描画パターンを準備すれば、微細凹凸構造３２の反転構造を有する原盤凹凸構造１２０を形成することができる。

なお、本実施形態で使用可能な露光装置は露光装置２００に制限されず、露光装置２００と同様の機能を有するものであればどのような露光装置を使用してもよい。

（４−１−３．原盤を用いた転写体の形成方法について）
次に、図７を参照して、原盤１００を用いた転写体３０の形成方法の一例について説明する。転写体３０は、原盤１００を用いたロールツーロール方式の転写装置３００によって形成可能である。なお、この例では微細凹凸構造４１を構成する樹脂が紫外線硬化性樹脂となっている。

転写装置３００は、原盤１００と、基材供給ロール３０１と、巻取りロール３０２と、ガイドロール３０３、３０４と、ニップロール３０５と、剥離ロール３０６と、塗布装置３０７と、光源３０９とを備える。

基材供給ロール３０１は、長尺な基材フィルム３１がロール状に巻かれたロールであり、巻取りロール３０２は、転写体３０を巻き取るロールである。また、ガイドロール３０３、３０４は、基材フィルム３１を搬送するロールである。ニップロール３０５は、未硬化樹脂層４２０が積層された基材フィルム３１、すなわち被転写フィルム４５０を原盤１００に密着させるロールである。剥離ロール３０６は、転写体３０を原盤１００から剥離するロールである。

塗布装置３０７は、コーターなどの塗布手段を備え、未硬化の硬化性樹脂を基材フィルム３１に塗布し、未硬化樹脂層４２０を形成する。塗布装置３０７は、例えば、グラビアコーター、ワイヤーバーコーター、またはダイコーターなどであってもよい。また、光源３０９は、未硬化樹脂を硬化可能な波長の光を発する光源であり、例えば、紫外線ランプなどであってもよい。

転写装置３００では、まず、基材供給ロール３０１からガイドロール３０３を介して、基材フィルム３１が連続的に送出される。なお、送出の途中で基材供給ロール３０１を別ロットの基材供給ロール３０１に変更してもよい。送出された基材フィルム３１に対して、塗布装置３０７により未硬化樹脂が塗布され、基材フィルム３１に未硬化樹脂層４２０が積層される。これにより、被転写フィルム４５０が作製される。被転写フィルム４５０は、ニップロール３０５により、原盤１００と密着させられる。光源３０９は、原盤１００に密着した未硬化樹脂層４２０に紫外線を照射することで、未硬化樹脂層４２０を硬化する。これにより、樹脂層４２５に原盤１００の原盤凹凸構造１２０が転写される。すなわち、基材フィルム３１の表面に微細凹凸構造３２が形成される。続いて、微細凹凸構造３２が形成された基材フィルム３１は、剥離ロール３０６により原盤１００から剥離される。ついで、微細凹凸構造３２が形成された基材フィルム３１は、ガイドロール３０４を介して、巻取りロール３０２によって巻き取られる。なお、原盤１００は縦置きであっても横置きであってもよく、原盤１００の回転時の角度、偏芯を補正する機構を別途設けてもよい。例えば、チャッキング機構に偏芯チルト機構を設けてもよい。転写は圧空転写により行われてもよい。

このように、転写装置３００では、被転写フィルム４５０をロールツーロールで搬送する一方で、原盤１００の周面形状を被転写フィルム４５０に転写する。これにより、基材フィルム３１上に微細凹凸構造３２が形成される。

なお、基材フィルム３１を熱可塑性樹脂フィルムとした場合、塗布装置３０７及び光源３０９は不要となる。この場合、原盤１００よりも上流側に加熱装置を配置する。この加熱装置によって基材フィルム３１を加熱して柔らかくし、その後、基材フィルム３１を原盤１００に押し付ける。これにより、原盤１００の周面に形成された原盤凹凸構造１２０が基材フィルム３１に転写される。なお、基材フィルム３１を熱可塑性樹脂以外の樹脂で構成されたフィルムとし、基材フィルム３１と熱可塑性樹脂フィルムとを積層してもよい。この場合、積層フィルムは、加熱装置で加熱された後、原盤１００に押し付けられる。したがって、転写装置３００は、基材フィルム３１上に微細凹凸構造３２が形成された転写物を連続的に作製することができる。もちろん、転写体３０の製造方法は上記の例に限られず、転写体３０を製造することができる方法であればどのような方法であってもよい。

＜５．転写用積層体の製造方法＞
つぎに、図１に基づいて、転写用積層体の製造方法について説明する。まず、上記で作製した転写体３０の微細凹凸構造３２の上に未硬化の樹脂（硬化後に光学体４０となるもの）を塗布する。ついで、未硬化の樹脂層の上に別途用意した被覆体５０を圧着する。圧着の方法は特に問われず、例えばロールラミネータ等による圧着が挙げられる。圧着の際の圧力を調整することで、光学体４０の厚さを調整することができる。ついで、未硬化の樹脂層を硬化させる。未硬化の樹脂が例えば紫外線硬化性樹脂となる場合、紫外線を例えば転写体３０の外側から照射する。これにより、光学体４０を形成する。以上の工程により、転写用積層体２０を作製する。

＜６．光学積層体１０の製造方法＞
次に、図１及び図２に基づいて、光学積層体１０の製造方法について説明する。まず、転写用積層体２０から被覆体５０の一部を剥離する。これにより、光学体４０の一部が露出する。ここで、光学体４０と被覆体５０との９０度剥離力が光学体４０の引き裂きを含む光学体４０と転写体３０との９０度剥離力よりも小さい場合、より精度良く被覆体５０を光学体４０から剥離することができる。具体的には、剥離した被覆体５０への光学体４０の移行を抑制することができる。

一方で、被着体７０の表面のうち、光学体４０を形成する部分に未硬化の接着層６０（すなわち接着剤）を塗布（形成）する。ここで、未硬化の接着層６０を紫外線硬化性樹脂で構成することによって、硬化後の接着層６０の厚さを小さくすることができる。ついで、光学体４０の露出面が未硬化の接着層６０に接触するように、転写用積層体２０を被着体７０に押し当てる。ついで、未硬化の接着層６０を硬化させる。未硬化の接着層６０が紫外線硬化性樹脂となる場合、例えば転写体３０の外側から紫外線を照射すればよい。これにより、接着層６０を形成する。ついで、転写用積層体２０を被着体７０から引き剥がす。この際、光学体４０のうち、接着層６０によって接着された部分のみが被着体７０側に転写され、残りの部分は転写体３０に残る。これにより、光学体４０の一部を転写体３０から引き剥がす。ここで、本実施形態では、光学体４０を転写体３０から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、光学体４０と接着層６０との９０度剥離力の７０％以下とされる。このため、光学体４０を被着体７０の少なくとも一部に精度良く転写することが可能となる。例えば、光学体４０のうち、接着層６０に接触した部分が転写体３０に残存する等の転写不良を抑制することができる。これにより、異物混入の少ない状態を維持しつつ、光学体４０を部分的に被着体７０に転写することができる。以上の工程により、光学積層体１０を作製する。

以上により、本実施形態によれば、光学体４０を精度良く（例えば転写不良等が生じないように）被着体７０に転写することが可能になる。また、光学体４０を予め作製しておくことにより、直接形成法、つまりは被着体７０上に未硬化の樹脂層を形成し、この樹脂層に転写体３０の微細凹凸構造３２を押し付けた状態で樹脂層を硬化させることで被着体７０上に光学体４０を直接形成する方法と比較し、光学体４０あるいは接着層６０を構成する樹脂の選択自由度を上げることが出来る。すなわち、直接形成法では、接着層６０と光学体４０とが同一樹脂で形成されることになる（実質的には光学体４０の単一層が形成される）のに対し、本実施形態では接着層６０と光学体４０とを別々の樹脂で形成することができる（もちろん同一の樹脂でもよい）。さらに、仮に光学体４０を構成する樹脂が被着体７０との密着性に優れないものであったとしても、光学体４０と被着体７０との密着性に優れた樹脂で接着層６０を形成することで、本実施形態の要件を満たす光学積層体１０を作製することができる。さらに、直接形成法では、光学体４０を形成する際に微細凹凸構造３２内に樹脂を充填する必要がある為、高い圧力が必要になる。したがって、被着体７０の強度が弱い場合は、充分な圧力がかけられず、良好な転写を得ることが出来ない。また、前述の未硬化の樹脂層の粘度を低くした場合には、良好な転写が得られる場合もある。しかし、この場合、未硬化の樹脂層が低粘度であるがゆえに、光学体４０の転写範囲、すなわち樹脂の広がり具合を制御することは困難である。このように、本実施形態では、工業的に精度良く、かつ安定した品質の光学積層体１０を作製することができる。

＜１．実施例１＞
つぎに、本実施形態の実施例について説明する。実施例１、２及び後述する比較例１では、初期９０度剥離力について検討した。

なお、実施例１及び以下の各例では、転写体をＡ、光学体をＢ、被覆体をＣ、接着層をＤとして各種剥離力を表記する。例えば、光学体を転写体から引き剥がす際の初期９０度剥離力を「Ａ−Ｂ間初期９０度剥離力」とも称する。光学体と接着層との９０度剥離力を「Ｂ−Ｄ間９０度剥離力」とも称する。光学体の引き裂きを含む光学体と転写体との９０度剥離力を「Ｂの引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力」とも称する。光学体と被覆体との９０度剥離力を「Ｂ−Ｃ間９０度剥離力」とも称する。

（１−１．試験用サンプルの準備）
まず、基材フィルムとして厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（具体的には、東洋紡株式会社製Ａ４１００）を準備し、微細凹凸構造用の樹脂としてＵＶＸ０１（東亞合成株式会社製ＵＶＸ６３６６と東亞合成株式会社製Ｍ２４０を６：４の質量比で混合した紫外線硬化樹脂であり、硬化開始剤としてＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４を２質量％添加したもの）を準備した。そして、上述した転写体の製造方法に従って転写体を作製した。ここで、微細凹凸構造のトラック間距離（トラックピッチ）を１５３ｎｍ、トラック内距離（ドットピッチ）を２３０ｎｍ、凹凸の高さを平均２２５ｎｍ（複数の凹凸高さの算術平均値）とした。

ついで、転写体の微細凹凸構造上に上述した離型処理を行った。まず、スパッタリングにてＩＴＯからなる無機膜を微細凹凸構造上に厚さ２０ｎｍで形成した。ついで、エキシマ処理を行って無機膜を活性化させた。ついで、離型剤となるフッ素樹脂（３Ｍ社製Ｎｏｖｅｃ１７２０）をＳＤＩ社製の卓上ディップコータＤＴ−０５０２−Ｓ１により無機膜の表面に塗布した。引き上げ速度は１ｍｍ／ｓｅｃとした。

ついで、転写体の微細凹凸構造上に光学体用の樹脂としてＡ０５（東亞合成株式会社製ＵＶＸ６３６６、大阪有機化学株式会社製ビスコート＃１５０、およびＭＩＷＯＮ社製ＭｉｒａｍｅｒＭ２００を５：３：２の質量比で混合した紫外線硬化樹脂であり、硬化開始剤としてＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４を２質量％添加したもの）を厚さ１μｍで塗布した。ここで塗布厚さは微細凹凸構造４１の凹凸高さを含まない値である。ついで、紫外線を樹脂層に照射することで、樹脂層を硬化させた。これにより、転写体と光学体との積層体（試験用サンプル）を作製した。

（１−２．Ａ−Ｂ間９０度剥離試験）
ついで、転写体上の光学体に対してＡ−Ｂ間９０度剥離試験を行った。Ａ−Ｂ間９０度剥離試験は、ＪＩＳ−６８５４−１に準拠した試験機（今田製作所社製引張圧縮試験機ＳＶ−５５Ｃ−２Ｈ）により行った。さらに、初期９０度剥離力を正確に測定するために、当該試験機にデータロガー（ＧＲＡＰＨＴＥＣ社製ｍｉｄｉ ＬＯＧＧＥＲ ＧＬ２００）を接続した。Ａ−Ｂ間９０度剥離試験は、密着幅２５ｍｍ、試験長さ１５０ｍｍ以上、引き上げ速度２００ｍｍ／ｍｉｎの試験条件で行った。試験用サンプルの幅は２５ｍｍよりも幅広とした。結果を図４に示す。図４に示すように、Ａ−Ｂ間初期９０度剥離力は１．３７Ｎ／２５ｍｍであった。また、引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力は０．２７Ｎ／２５ｍｍであった。この値は後述する実施例３、４、比較例２、３で使用した。

（１−３．Ｂ−Ｄ間９０度剥離試験）
ついで、被着体としてスライドガラスを準備し、接着層用の接着剤として東亞合成株式会社製アロニックスＵＶＸ５８００を準備した。一方、転写体から光学体を引き剥がして単体の光学体を準備した。ついで、被着体に接着剤を塗布し、塗布面に光学体を積層した。ついで、接着剤を硬化させた。硬化後の接着層の厚さは５μｍとした。この試験用サンプルに対してＢ−Ｄ間９０度剥離試験を行った。試験機は上記と同様とし、試験条件は、密着幅２５ｍｍ、試験長さ１５０ｍｍ以上、引き上げ速度２００ｍｍ／ｍｉｎとした。試験用サンプルの幅は２５ｍｍに一致させた。この結果、Ｂ−Ｄ間９０度剥離力は１３．０Ｎ／２５ｍｍであった。したがって、Ａ−Ｂ間初期９０度剥離力（＝１．３７Ｎ／２５ｍｍ）は、Ｂ−Ｄ間９０度剥離力（＝１３．０Ｎ／２５ｍｍ）の１０．５％であった。

（１−４．転写試験）
ついで、被着体に接着剤を塗布し、塗布面に転写体と光学体の積層体を積層した。ついで、接着剤を硬化させた。硬化後の接着層の厚さは５μｍとした。ついで、作業者が当該積層体を引き剥がした。この結果、接着層上に配置された光学体の部分だけが被着体に転写され、残りの部分は転写体とともに被着体から引き剥がされた。したがって、光学体を被着体の少なくとも一部に精度良く転写することができた。

＜２．実施例２＞
基材フィルムを厚さ２０μｍのＳｉフィルムとしたこと、光学体を作製する際の塗布厚さを１．５μｍとしたこと、接着層用の接着剤を東亞合成株式会社製アロニックスＬＣＲ０６３２としたことを除き、実施例１と同様の試験を行った。この結果、Ａ−Ｂ間初期９０度剥離力は７．９３Ｎ／２５ｍｍ、Ｂ−Ｄ間９０度剥離力は１１．８Ｎ／２５ｍｍであった。図４にＡ−Ｂ間９０度剥離試験の結果を示す。したがって、Ａ−Ｂ間初期９０度剥離力（＝７．９３Ｎ／２５ｍｍ）は、Ｂ−Ｄ間９０度剥離力（＝１１．８Ｎ／２５ｍｍ）の６７．２％であった。転写試験では、実施例１と同様の結果が得られた。

＜３．比較例１＞
基材フィルムを厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（具体的には、東洋紡株式会社製Ａ４１００）とし、転写体の微細凹凸構造用の樹脂をデクセリアルズ株式会社製ＳＫ１１２０とした。さらに、転写体の微細凹凸構造のトラック間距離（トラックピッチ）を１５３ｎｍ、トラック内距離（ドットピッチ）を２３０ｎｍ、凹凸の高さを平均２２５ｎｍとし、光学体用の樹脂をＵＶＸ２（東亞合成株式会社製ＵＶＸ６３６６、大阪有機化学株式会社製ビスコート＃１５０、およびＭＩＷＯＮ社製ＭｉｒａｍｅｒＭ２００を６：２：２の質量比で混合した紫外線硬化樹脂であり、硬化開始剤としてＢＡＳＦ製Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４を２質量％添加したもの）とし、光学体を作製する際の塗布厚さを４．０μｍとした。さらに、転写体の微細凹凸構造上に酸化タングステンをスパッタリングする一方で、離型処理を行わなかった。これらを除き、実施例１と同様の処理を行った。この結果、Ａ−Ｂ間初期９０度剥離力は９．３０Ｎ／２５ｍｍ、Ｂ−Ｄ間９０度剥離力は１３．０Ｎ／２５ｍｍであった。図４にＡ−Ｂ間９０度剥離試験の結果を示す。したがって、Ａ−Ｂ間初期９０度剥離力（＝９．３０Ｎ／２５ｍｍ）は、Ｂ−Ｄ間９０度剥離力（＝１３．０Ｎ／２５ｍｍ）の７１．５％であった。転写試験では、接着層上に光学体が転写されず、すべての光学体が転写体に残存してしまった。実施例１、２、比較例１の結果を表１にまとめて示す。

＜４．実施例３＞
（４−１．試験用サンプルの準備）
実施例３、４及び比較例２、３では、光学体と被覆体との剥離力について検討した。まず、実施例３について説明する。実施例３では、実施例１と同様の転写体を作製した。ついで、この転写体の微細凹凸構造上に光学体用の樹脂（実施例１と同じ）を塗布した後、未硬化の樹脂層上に被覆体としてサンエー化研社製ＰＡＣ２−７０を積層した。この際、ロールコータで被覆体を圧着し、未硬化の樹脂層の塗布厚さを実施例１と同様の１μｍとした。ついで、未硬化の樹脂層を硬化させることで、転写用積層体（試験用サンプル）を作製した。

（４−２．Ｂ−Ｃ間９０度剥離試験）
ついで、この試験サンプルに対してＢ−Ｃ間９０度剥離試験を行った。試験機は上記と同様とし、密着幅２５ｍｍ、試験長さは１５０ｍｍ以上、引き上げ速度は２００ｍｍ／ｍｉｎとした。試験用サンプルの幅は２５ｍｍに一致させた。この結果、Ｂ−Ｃ間９０度剥離力は０．１３Ｎ／２５ｍｍであった。引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力は実施例１で測定した０．２７Ｎ／２５ｍｍとなるので、Ｂ−Ｃ間９０度剥離力は引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力よりも小さかった。また、剥離試験中、光学体は破壊されず、転写体に残存した。

＜５．実施例４＞
被覆体をフタムラ化学社製ＦＳＡ０２０Ｍとした他は実施例３と同様の試験を行った。この結果、Ｂ−Ｃ間９０度剥離力は０．２０Ｎ／２５ｍｍであった。引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力は実施例１で測定した０．２７Ｎ／２５ｍｍとなるので、Ｂ−Ｃ間９０度剥離力は引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力よりも小さかった。また、剥離試験中、光学体は破壊されず、転写体に残存した。

＜６．比較例２＞
被覆体を６０℃で１時間処理したＦＳＡ０２０Ｍとした他は実施例３と同様の処理を行った。Ｂ−Ｃ間９０度剥離力は０．５６Ｎ／２５ｍｍであった。引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力は実施例１で測定した０．２７Ｎ／２５ｍｍとなるので、Ｂ−Ｃ間９０度剥離力は引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力よりも大きかった。この結果、剥離試験中、光学体の一部が破壊され、被覆体に移行した。

＜７．比較例３＞
被覆体を６０℃で１時間処理したフタムラ化学社製ＦＳＡ０５０Ｍとした他は実施例３と同様の処理を行った。Ｂ−Ｃ間９０度剥離力は０．９３Ｎ／２５ｍｍであった。引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力は実施例１で測定した０．２７Ｎ／２５ｍｍとなるので、Ｂ−Ｃ間９０度剥離力は引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力よりも大きかった。この結果、剥離試験中、光学体の一部が破壊され、被覆体に移行した。実施例３、４、比較例２、３の結果を表２にまとめて示す。

以上の実施例及び比較例の結果、光学体を精度良く被覆体に転写させるためにはＡ−Ｂ間初期９０度剥離力がＢ−Ｄ間９０度剥離力の７０％以下である必要があることが明らかになった。さらに、被覆体を光学体から精度良く剥離するためには、Ｂ−Ｃ間９０度剥離力が引き裂きを含むＡ−Ｂ間９０度剥離力よりも小さい必要があることが明らかになった。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１０ 光学積層体
２０ 転写用積層体
３０ 転写体
４０ 光学体
５０ 被覆体

Claims (9)

1. 被着体と、
   前記被着体の表面の少なくとも一部に形成された接着層と、
   前記接着層によって前記被着体に接着された光学体と、を有し、
   前記光学体の少なくとも一方の表面には、凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された微細凹凸構造が形成され、他方の表面には前記接着層が形成され、
   前記光学体を前記光学体の前記微細凹凸構造に嵌合する反転凹凸構造を有する転写体から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、前記光学体と前記接着層との９０度剥離力の７０％以下であることを特徴とする、光学積層体。
2. 前記光学体は、前記光学体と、前記転写体と、前記光学体の表面のうち、前記転写体が設けられていない側の表面を被覆する被覆体と、を有する転写用積層体から引き剥がされたものであり、
   前記光学体と前記被覆体との９０度剥離力は、前記光学体の引き裂きを含む前記光学体と前記転写体との９０度剥離力よりも小さいことを特徴とする、請求項１記載の光学積層体。
3. 被着体と、
   前記被着体の表面の少なくとも一部に形成された接着層と、
   前記接着層によって前記被着体に接着された光学体と、を有し、
   前記光学体の少なくとも一方の表面には、凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された微細凹凸構造が形成され、他方の表面には前記接着層が形成され、
   前記光学体と前記接着層との９０度剥離力は１３Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする、光学積層体。
4. 前記光学体と前記接着層との総厚さは１５μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学積層体。
5. 前記接着層は紫外線硬化性樹脂で構成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学積層体。
6. 凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された微細凹凸構造が少なくとも一方の表面に形成された光学体と、
   前記光学体の前記微細凹凸構造に嵌合する反転凹凸構造を有する転写体と、
   前記光学体の表面のうち、前記転写体が設けられていない側の表面を被覆する被覆体と、を有し、
   前記光学体と前記被覆体との９０度剥離力は、前記光学体の引き裂きを含む前記光学体と前記転写体との９０度剥離力よりも小さいことを特徴とする、転写用積層体。
7. 前記反転凹凸構造の表面には離型処理がなされていることを特徴とする、請求項６記載の転写用積層体。
8. 凹凸が可視光波長以下の平均周期で配置された微細凹凸構造が少なくとも一方の表面に形成された光学体と、前記光学体の前記微細凹凸構造に嵌合する反転凹凸構造を有する転写体と、を有する転写用積層体を作製する工程と、
   被着体の表面の少なくとも一部に未硬化の接着層を形成する工程と、
   前記光学体の露出面が前記未硬化の接着層に接触するように、前記転写用積層体を前記被着体に押し当てる工程と、
   前記未硬化の接着層を硬化させる工程と、
   前記光学体を前記転写体から引き剥がす工程と、を含み、
   前記光学体を前記転写体から引き剥がす際の初期９０度剥離力は、前記光学体と前記接着層との９０度剥離力の７０％以下であることを特徴とする、光学積層体の製造方法。
9. 前記転写用積層体は、前記光学体の表面のうち、前記転写体が設けられていない側の表面を被覆する被覆体をさらに有し、
   前記光学積層体の製造方法では、前記転写用積層体から前記被覆体を引き剥がした後に前記転写用積層体を前記被着体に押し当て、
   前記光学体と前記被覆体との９０度剥離力は、前記光学体の引き裂きを含む前記光学体と前記転写体との９０度剥離力よりも小さいことを特徴とする、請求項８記載の光学積層体の製造方法。
   
   
   

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