CN112236691B - 光学层压体、转印用层压体以及光学层压体的制造方法 - Google Patents

光学层压体、转印用层压体以及光学层压体的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的课题为在被粘附体的至少一部分上精确地形成具有微细凹凸结构的光学体。本发明的解决方案为提供一种光学层压体，其具有被粘附体、形成在被粘附体表面的至少一部分上的粘附层以及通过粘附层粘附在被粘附体上的光学体，在光学体的至少一个表面上形成有凹凸以可见光波长以下的平均周期配置的微细凹凸结构，在光学体的另一个表面上设置有所述粘附层，从具有用于与光学体的微细凹凸结构嵌合的反转凹凸结构的转印体上剥下光学体时的初期90度剥离力为光学体与粘附层之间的90度剥离力的70％以下。

Description

光学层压体、转印用层压体以及光学层压体的制造方法
技术领域
本发明涉及光学层压体、转印用层压体以及光学层压体的制造方法。
背景技术
为了避免因光的反射而导致功能降低(例如因光的反射而导致可视性或者画质降低(更为具体而言，产生色差或者重影等))，以液晶显示器等显示装置或照相机等光学装置为首的电子设备大多会在光的入射面上形成减反射膜。作为减反射膜已知有具有微细凹凸结构的微细凹凸膜(也被称为蛾眼薄膜)、Wet-AR膜以及Dry-AR膜等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2013/187349号
发明内容
发明所要解决的课题
但是，随着近几年电子设备的小型化和薄型化，要求将减反射膜形成在被粘附体一部分的区域上。若列举一示例，有时会在用于构成智能手机前表面的基板上形成用于使光入射到摄像模组(所谓前置摄像头)的透明区域(也被称为摄像孔)。这种智能手机要求仅在透明区域的背面(智能手机内部一侧的表面)形成减反射膜。而且，摄像模组的小型化有局限性。为此，为了使智能手机小型化和薄型化，要求以薄膜形成减反射膜。
但是，使用Wet-AR膜或者Dry-AR膜的技术却不能充分地满足上述要求。具体而言，使用Wet-AR膜的技术提出了一种将由Wet-AR膜、透明树脂层以及粘附层构成的层压膜切割成要求的尺寸并将切割的层压膜粘贴在被粘附体上的技术。通过在透明树脂层上依次涂布Wet-AR层的材料(低折射率材料、高折射率材料)而形成Wet-AR层。但是，由于该技术会导致层压膜非常厚而无法充分满足薄膜化的要求。使用Dry-AR膜的技术则提出了一种用掩膜覆盖被粘附体的要求区域以外部分并利用溅射等仅在该要求区域上形成Dry-AR膜的技术。但是，由于该技术需要用掩膜覆盖被粘附体的许多区域，因而存在生产效率非常差的问题。而且，形成的Dry-AR膜的品质也不合格。
另一方面，因为微细凹凸膜能够薄膜化，因而可以期待能够满足上述要求。但却没有提出过任何用于在被粘附体表面的一部分上精确地形成微细凹凸膜的技术。此外，专利文献1披露了一种具备在表面上具有微细凹凸结构的载体和设置在微细凹凸结构上的功能层的功能转印体。该功能层具有相当于上述微细凹凸膜的结构。在专利文献1中，功能转印体的功能层被转印到被粘附体上。但专利文献1所公开的技术以与减反射不同的目的使用微细凹凸结构，并且转印精度并不够。
所以，本发明正是鉴于上述问题而作出的发明，本发明的目的在于将具有微细凹凸结构的光学体精确地形成在被粘附体的至少一部分上。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题，本发明的一个方面提供一种光学层压体，具有：被粘附体；粘附层，其形成在被粘附体表面的至少一部分上；以及光学体，其通过粘附层粘附在被粘附体上，在光学体的至少一个表面上形成有凹凸以可见光波长以下的平均周期配置的微细凹凸结构，在光学体的另一个表面上设置有粘附层，从具有用于与光学体的微细凹凸结构嵌合的反转凹凸结构的转印体上剥下光学体时的初期90度剥离力为光学体与粘附层之间的90度剥离力的70％以下。
这里，光学体为从转印用层压体上剥下的部分，转印用层压体具有光学体、转印体和用于覆盖光学体表面中未设置有转印体的一侧表面的覆盖体，光学体与覆盖体之间的90度剥离力可以小于包括光学体撕裂的光学体与转印体之间的90度剥离力。
本发明的其他方面提供一种光学层压体，具有：被粘附体；粘附层，其形成在被粘附体表面的至少一部分上；以及光学体，其通过粘附层粘附在被粘附体上，在光学体的至少一个表面上形成有凹凸以可见光波长以下的平均周期配置的微细凹凸结构，在光学体的另一个表面上形成有粘附层，光学体与粘附层之间的90度剥离力为13N/25mm以上。
这里，光学体和粘附层的总厚度可以为15μm以下。
而且，粘附层可以由紫外光固化树脂构成。
本发明的其他方面提供一种转印用层压体，具有：光学体，其凹凸以可见光波长以下的平均周期配置的微细凹凸结构形成在至少一个表面上；转印体，其具有用于与光学体的微细凹凸结构嵌合的反转凹凸结构；以及覆盖体，其用于覆盖光学体表面中未设置有转印体的一侧表面，光学体与覆盖体之间的90度剥离力小于包括光学体撕裂的光学体与转印体之间的90度剥离力。
这里，可以对反转凹凸结构的表面进行脱模处理。
本发明的其他方面提供一种光学层压体的制造方法，包括：用于制造具有光学体和转印体的转印用层压体的工序，其中，所述光学体的凹凸以可见光波长以下的平均周期配置的微细凹凸结构形成在至少一个表面上，所述转印体具有用于与光学体的微细凹凸结构嵌合的反转凹凸结构；在被粘附体表面的至少一部分上形成未固化的粘附层的工序；将转印用层压体推压在被粘附体上而使光学体的露出面与未固化的粘附层接触的工序；使未固化的粘附层固化的工序；以及从转印体上剥下光学体的工序，从转印体上剥下光学体时的初期90度剥离力为光学体与粘附层之间的90度剥离力的70％以下。
这里，转印用层压体还具有用于覆盖光学体表面中未设置有转印体的一侧表面的覆盖体，在光学层压体的制造方法中，在从转印用层压体上剥下覆盖体之后将转印用层压体推压在被粘附体上，光学体与覆盖体之间的90度剥离力可以小于包括光学体撕裂的光学体与转印体之间的90度剥离力。
发明的效果
如上所述，由于本发明能够使从转印体上剥下光学体时的初期90度剥离力为粘附层与被粘附体之间的90度剥离力的70％以下，因而能够精确地在被粘附体的至少一部分上形成(转印)具有微细凹凸结构的光学体。
附图说明
图1为用于表示本发明一实施方式所涉及的转印用层压体结构的剖面图。
图2为用于表示构成同实施方式所涉及的转印用层压体的光学体一部分被转印到被粘附体上状态的说明图。
图3为用于说明同实施方式所涉及的初期90度剥离力和包括撕裂的90度剥离力的俯视图。
图4为用于表示同实施方式所涉及的90度剥离力的时间变化曲线图。
图5为用于表示同实施方式所涉及的原盘的外观示例立体图。
图6为用于表示同实施方式所涉及的曝光装置的结构示例框图。
图7为用于表示以卷对卷方式制造同实施方式所涉及的转印体的转印装置一示例的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同功能结构的构成要素标注相同的符号而省略重复说明。
<1.转印用层压体的结构>
首先，参照图1～图2对本实施方式所涉及的转印用层压体20的结构进行说明。转印用层压体20为用于将光学体40转印到被粘附体70上的薄膜层压体，并具备转印体30、光学体40和覆盖体50。
(1-1.转印体)
转印体30用于保护光学体40并将微细凹凸结构41赋予光学体40。具体而言，转印体30具备基材薄膜31和形成在基材薄膜31一个表面上的微细凹凸结构32。在本实施方式中，尽管基材薄膜31和微细凹凸结构32为分置元件，但也可以将其一体成型。在这种情况下，基材薄膜31和微细凹凸结构32由相同材料(例如后述的固化树脂或者热塑性树脂等)构成。
尽管对基材薄膜31的种类并无特别限定，但优选为透明且难以断裂的材料。在基材薄膜31为透明的情况下，基材薄膜31能够透过用于使未固化的光学体40或者粘附层60固化的紫外光。作为基材薄膜31的示例例如可以列举出PET(聚对苯二甲酸乙二酯)薄膜或者TAC(三醋酸纤维素)薄膜等。
微细凹凸结构32设置在基材薄膜31的一个表面上。微细凹凸结构32具有凹凸以可见光波长以下的平均周期配置的结构。即、微细凹凸结构32由多个微细凸部32a和微细凹部32b构成。微细凸部32a为在基材薄膜31的厚度方向上呈凸的部分，微细凹部32b为在基材薄膜31的厚度方向上呈凹的部分。微细凹凸结构32为光学体40所具有的微细凹凸结构41的反转形状(反转凹凸结构)，并与微细凹凸结构41嵌合。
凹凸的平均周期为可见光波长以下(例如830nm以下)。优选平均周期的上限值为350nm以下，更为优选为280nm以下。优选平均周期的下限值为100nm以上，更为优选为150nm以上。因此，微细凹凸结构32成为所谓的蛾眼结构。所以，由于光学体40的微细凹凸结构41也具有蛾眼结构，因而微细凹凸结构41可以实现减反射功能。在微细凹凸结构32的凹凸的平均周期、即微细凹凸结构41的凹凸的平均周期为上述范围内的数值的情况下，会使微细凹凸结构41的减反射功能进一步提高。
这里，在平均周期小于100nm的情况下，微细凹凸结构32的形成可能会变得困难。而且，在平均周期超过350nm的情况下，可能会在微细凹凸结构41中产生可见光的衍射现象。
微细凹凸结构32的平均周期为彼此邻接的微细凸部32a、32a之间或者微细凹部32b、32b之间距离的算术平均值。此外，例如能够利用扫描电子显微镜(SEM)或截面透射电子显微镜(截面TEM)等观察微细凹凸结构32。并且，平均周期的计算方法例如如下所示。即、选出多个邻接的微细凸部32a、32a的组合或者邻接的微细凹部32b、32b的组合，然后测定这些距离(节距)。此外，微细凸部32a、32a之间的距离例如为微细凸部32a、32a的顶点之间的距离。并且，微细凹部32b、32b之间的距离例如为微细凹部32b、32b的中心点之间的距离。然后，只要对测定值进行算术平均而算出平均周期即可。也可以使用同样的方法测定后述的微细凹凸结构41的平均周期。
而且，对凹凸的高度(微细凸部32a的高度或者微细凹部32b的深度)并无特别限定。例如，优选凹凸高度的上限值为300nm以下，更为优选为230nm以下。例如，优选凹凸高度的下限值为150nm以上，更为优选为190nm以上。在这种情况下，会使后述的微细凹凸结构41的减反射功能进一步提高。
对微细凹凸结构32的排列并无特别限定，既可以为周期排列，也可以为无规则排列。作为周期排列的示例例如可以列举出交错网格排列、长方形格子排列等。而且，对微细凸部32a和微细凹部32b的形状也无特别限定。微细凸部32a和微细凹部32b的形状例如可以为炮弹型、锥体状、柱状、针状。此外，微细凹部32b的形状意味着由微细凹部32b的内壁面形成的形状。
微细凹凸结构32例如由紫外光固化树脂构成。优选紫外光固化树脂具有透明性。在微细凹凸结构32具有透明性的情况下，微细凹凸结构32能够透过用于使未固化的光学体40或者粘附层60固化的紫外光。基于这种角度，优选紫外光固化树脂例如为紫外光固化丙烯酸树脂或者紫外光固化环氧树脂。
紫外光固化环氧树脂包括紫外光固化引发剂和环氧可聚合化合物。作为紫外光固化引发剂例如可以列举出2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮等。环氧可聚合化合物为在分子内具有一个或两个以上的环氧基的单体、低聚物或者预聚体。作为环氧可聚合化合物可以列举出各种双酚型环氧树脂(双酚A型、F型等)、酚醛型环氧树脂、橡胶和聚氨酯等的各种改性环氧树脂、萘型环氧树脂、联苯型环氧树脂、苯酚酚醛型环氧树脂、芪型环氧树脂、三酚基甲烷型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、三苯基甲烷型环氧树脂或者这些环氧可聚合化合物的预聚体等。
紫外光固化丙烯酸树脂包括上述的紫外光固化引发剂和丙烯可聚合化合物。丙烯可聚合化合物为在分子内具有一个或者两个以上的丙烯基的单体、低聚物或者预聚体。这里，单体进一步被分类为在分子内具有一个丙烯基的单官能单体、在分子内具有两个丙烯基的双官能单体、在分子内具有三个以上的丙烯基的多官能单体。
作为“单官能单体”例如可以例举出羧酸类(丙烯酸等)、羟基类(2-羟基乙基丙烯酸酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、4-羟基丁基丙烯酸酯)、烷基或脂肪类的单体(丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸环己酯)、其他功能性单体(2-丙烯酸-2-甲氧基乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、烯丙酸乙氧乙酯、丙烯酸四氢糠基酯、苄基丙烯酸脂、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲氨基丙烯酸乙酯、N,N-二甲氨基丙基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯胺、丙烯酰吗啉、N-异丙基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、全氟辛基乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羟丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-丙烯酸羟丙酯、2-全氟癸基丙烯酸乙酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸)、2,4,6-三溴苯酚丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2-丙烯酸-2-(2,4,6-三溴苯氧基)乙酯、丙烯酸-2-乙基己酯等。
作为“双官能单体”例如可以列举出二缩三丙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二烯丙基醚、聚氨酯丙烯酸酯等。
作为“多官能单体”例如可以列举出三羟甲基丙烷三丙烯酸脂、二季戊四醇戊-/己-丙烯酸、双三羟甲基丙烷丙烯酸酯等。
作为上述列举的丙烯酸可聚合化合物以外的示例可以列举出丙烯酰吗啉、甘油丙烯酸酯、聚醚类丙烯酸酯、N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基己内酰胺、丙烯酸卡必酯、三乙二醇单甲醚丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、EO改性三羟甲基丙烷三丙烯酸脂、EO改性双酚A二丙烯酸酯、脂肪族聚氨酯低聚物、聚酯低聚物等。
这里，在本实施方式中，将光学体40从转印体30上剥下时的初期90度剥离力为光学体40与粘附层60之间的90度剥离力的70％以下，优选为15％以下。因此只要从上述列举的树脂中选择满足该必要条件的树脂即可。例如，为了将光学体40保持在转印体30上，希望用于构成微细凹凸结构32的树脂在输送时或者剥离时的温度下为固体。因而优选，选择上述所列举的树脂或者树脂组合物固化后的玻璃化转变温度为输送时或者剥离时的温度以上的树脂。而且，基于保持微细凹凸结构的角度，希望上述列举的树脂或者树脂组合物固化后的储能弹性模量较高，优选为500MPa以上，更为优选为1GPa以上。只要按照这种角度选择树脂即可。此外，后面会对剥离力进行详细说明。
而且，可以向用于构成微细凹凸结构32的树脂中添加各种添加剂。作为这种添加剂例如可以列举出无机填料、有机填料、流平剂、表面调整剂、消泡剂等。此外，作为无机填料的种类例如可以列举出SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2、Al2O3等金属氧化物微粒。为了能够容易地将转印体30与光学体40进行剥离，可以向用于构成微细凹凸结构32的树脂中添加脱模剂等。
优选，对微细凹凸结构32的表面进行脱模处理。通过这种方式能够容易地将光学体40从转印体30上剥离。更为具体而言，能够使将光学体40从转印体30上剥下时的初期90度剥离力降低。
这里，对脱模处理并无特别限定，只要是能够使将光学体40从转印体30上剥下时的初期90度剥离力降低的处理即可。作为一示例例如可以列举出用于涂布脱模剂的处理。该处理由无机膜形成处理、活性化处理以及脱模剂涂布处理构成。具体处理如下。
(无机膜形成处理)
利用溅射等在微细凹凸结构32的表面上形成无机膜。进行无机膜形成处理是为了使脱模剂固定在微细凹凸结构32的表面上。对用于构成无机膜的无机物并无特别限定，例如可以列举出ITO(氧化铟锡)、SiO2、Si、SiNx以及TiO2等。只要溅射这些无机物的一种或两种以上即可。此外，优选无机膜具有透明性。在这种情况下，无机膜能够透过用于使未固化的光学体40或粘附层60固化的紫外光。基于这种角度，优选无机膜由ITO、SiO2以及SiNx的任何一种以上构成。尽管对无机膜的厚度并无特别限定，但优选为20nm以上。
(活性化处理)
本处理为用于使无机膜表面活性化的处理，为了促进脱模剂固定在微细凹凸结构32的表面(即、无机膜的表面)而进行的。活性化处理只要是用于使无机膜表面活性化(即、促进脱模剂的固定)的处理而并无特别限定，例如可以列举出准分子处理、常压等离子体处理、电晕处理、氧等离子体灰化处理或者紫外光处理等。也可以进行这些处理中的任何一种以上。基于尽量避免损伤微细凹凸结构41的角度，优选活性化处理为准分子处理。
(脱模剂涂布处理)
在被活性化后的无机膜的表面上涂布脱模剂。作为脱模剂例如可以列举出含有氟树脂的脱模剂。对涂布的方法并无特别限定，例如只要使用各种涂布机(浸涂机等)进行即可。利用以上的处理在微细凹凸结构32的表面上进行脱模处理。
(1-2.光学体)
光学体40为用于转印在被粘附体70上的薄膜体，并在转印体30一侧表面上形成有微细凹凸结构41。微细凹凸结构41为转印体30的微细凹凸结构32的反转形状，并与微细凹凸结构32嵌合。
具体而言，微细凹凸结构41具有凹凸以可见光波长以下的平均周期配置的结构。即、微细凹凸结构41由多个微细凸部41a和微细凹部41b构成。微细凸部41a为在光学体40的厚度方向上呈凸的部分，微细凹部41b为在光学体40的厚度方向上呈凹的部分。
凹凸的平均周期为可见光波长以下(例如830nm以下)。优选平均周期的上限值为350nm以下，更为优选为280nm以下。优选平均周期的下限值为100nm以上，更为优选为150nm以上。因而，微细凹凸结构41成为所谓的蛾眼结构。这种微细凹凸结构41可以实现减反射功能。在微细凹凸结构41的凹凸平均周期为上述范围内的数值的情况下，会使微细凹凸结构41的减反射功能进一步提高。
这里，在平均周期小于100nm的情况下，形成微细凹凸结构41可能会变得困难。而且，在平均周期超过350nm的情况下，在微细凹凸结构41中可能会产生可见光的衍射现象。
微细凹凸结构41的平均周期为彼此邻接的微细凸部41a、41a之间或者微细凹部41b、41b之间距离的算术平均值。微细凹凸结构41的观察方法、平均周期的测定方法与微细凹凸结构32同样。
而且，对凹凸的高度(微细凸部41a的高度或者微细凹部41b的深度)并无特别限定。例如，优选凹凸高度的上限值为300nm以下，更为优选为230nm以下。例如优选凹凸高度的下限值为150nm以上，更为优选为190nm以上。在这种情况下会使微细凹凸结构41的减反射功能进一步提高。
对微细凹凸结构41的排列并无特别限定，既可以为周期排列，也可以为无规则排列。作为周期排列的示例例如可以列举出交错网格排列、长方形格子排列等。而且，对微细凸部41a和微细凹部41b的形状也无特别限定。微细凸部41a和微细凹部41b的形状例如可以为炮弹型、锥体状、柱状、针状。此外，微细凹部41b的形状意味着由微细凹部41b的内壁面形成的形状。
微细凹凸结构41例如由紫外光固化树脂构成。优选紫外光固化树脂具有透明性。在微细凹凸结构41具有透明性的情况下，微细凹凸结构41能够透过用于使未固化的粘附层60固化的紫外光。基于这种角度，优选紫外光固化树脂例如为紫外光固化丙烯酸树脂或者紫外光固化环氧树脂。紫外光固化丙烯酸树脂和紫外光固化环氧树脂的具体组成与微细凹凸结构32同样。可以在用于构成微细凹凸结构41的树脂中添加各种添加剂。添加剂的种类与微细凹凸结构32同样。尤其是为了能够容易地将转印体30与光学体40进行剥离而可以在用于构成微细凹凸结构41的树脂中添加脱模剂等。
在本实施方式中，将光学体40从转印体30上剥下时的初期90度剥离力为光学体40与粘附层60之间的90度剥离力的70％以下。而且，优选光学体40与覆盖体50之间的90度剥离力小于包括光学体40撕裂的光学体40与转印体30之间的90度剥离力。因此，只要从上述列举的树脂中选择满足该必要条件的树脂即可。例如，由于剥离光学体40会伴随着撕裂，因而优选光学体40在剥离时为固体。因而，只要基于上述所列举的树脂或者树脂组合物固化后的玻璃化转变温度为剥离时的温度以上的角度而选择树脂即可。
(1-3.覆盖体)
覆盖体50为用于保护光学体40的薄膜体，其覆盖光学体40表面中未设置有转印体30一侧的表面。尽管覆盖体50不必设置在转印用层压体20上，但基于保护光学体40的角度，优选覆盖体50设置在转印用层压体20上。优选，光学体40与覆盖体50之间的90度剥离力小于包括光学体40撕裂的光学体40与转印体30之间的90度剥离力。因此，覆盖体50由满足这种必要条件的材质构成。例如，覆盖体50可以由在低密度聚乙烯薄膜上涂布有聚乙烯醋酸乙烯酯的一般保护膜构成。此外，也可以用转印体30代替覆盖体50。在这种情况下，会在光学体40的两面上形成微细凹凸结构41。在微细凹凸结构41形成在光学体40的两面的情况下，能够期待会使光学体40的减反射功能进一步提高。而且，由于在与粘附层60之间的粘附面上也会形成微细凹凸结构41，因而能够期待锚固效应会使粘附层60与光学体40之间的90度剥离力提高。
(2.光学层压体的结构)
接下来，参照图2对光学层压体10的结构进行说明。光学层压体10具备被粘附体70、粘附层60和光学体40。
被粘附体70被赋予由光学体40所产生的减反射功能。对被粘附体70的种类并无特别限定，只要是要求有减反射功能的种类而可以是任何种类。作为一示例，被粘附体70可以为用于构成智能手机、各种显示屏或者各种摄像装置等电子设备的基板。更为具体而言，被粘附体70例如可以为用于构成智能手机前表面的基板。在这种情况下，在用于构成摄像孔的透明区域上形成有光学体40。被粘附体70的具体材质例如可以为玻璃基板、表面被聚酰亚胺等所覆盖的玻璃基板或者PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)基板等。
粘附层60具有透明性，并将光学体40粘合在被粘附体70上。粘附层60例如由紫外光固化树脂构成，更为具体而言，由紫外光固化丙烯酸树脂或者紫外光固化环氧树脂构成。紫外光固化丙烯酸树脂和紫外光固化环氧树脂的具体组成与微细凹凸结构32同样。这里，在本实施方式中，将光学体40从转印体30上剥下时的初期90度剥离力为光学体40与粘附层60之间的90度剥离力的70％以下。因此，只要从上述列举的树脂中选择满足该必要条件的树脂即可。例如在玻璃基板上转印光学体40的情况下，只要使用能够确保与玻璃足够的粘附力的树脂而形成粘附层60即可。而且，基于保持光学体40的角度，希望在使用温度区域能够保持足够的硬度，并优选粘附层60的储能弹性模量为1MPa以上，更为优选为100MPa以上。只要以这种角度选择粘附层60的树脂即可。
光学体40为从转印用层压体20上剥下的部分。这里，在本实施方式中，将光学体40从转印体30上剥下时的初期90度剥离力为光学体40与粘附层60之间的90度剥离力的70％以下。因而能够精确地将光学体40转印到被粘附体70的至少一部分上。这里，优选光学体40与粘附层60之间的90度剥离力为13N/25mm以上。在这情况下，能够更为可靠地使将光学体40从转印体30上剥下时的初期90度剥离力为光学体40与粘附层60之间的90度剥离力的70％以下。
这里，优选粘附层60和光学体40的总厚度为15μm以下，更为优选为10μm以下，最为优选为5μm以下。这样能够使含有被粘附体70的电子设备小型化、薄型化。这里，粘附层60和光学体40的总厚度为从微细凹凸结构41的微细凸部41a的上端部(顶端部)至粘附层60的下端面(与被粘附体70接触的面)在厚度方向上的距离。由于该距离会因测定部位不同而有少许偏差，因而只要将在若干测定部位所测定的数值进行算术平均后的数值作为总厚度即可。
由于光学体40通过微细凹凸结构41实现减反射功能，因而能够使光学体40薄膜化。例如也可以使光学体40中未形成有微细凹凸结构41的部分的厚度为1μm以下。在粘附层60例如为紫外光固化树脂的情况下，粘附层60的厚度会变得非常小。因此，利用紫外光固化树脂构成粘附层60而能够容易地使粘附层60和光学体40的总厚度成为上述范围内的数值。
<3.关于剥离力>
这里，参照图2～图4而对本实施方式所规定的各种剥离力进行说明。尽管后面会对细节进行叙述，但大体上以下述工序制造光学层压体10。即，首先从转印用层压体20上将覆盖体50的一部分剥离。通过这种方式使光学体40的一部分露出。另一方面，在被粘附体70的表面中形成有光学体40的部分上形成(例如涂布粘合剂)未固化的粘附层60。接着，将转印用层压体20推压在被粘附体70上以使光学体40的露出面与未固化的粘附层60接触。然后，使未固化的粘附层60固化。接下来，将转印用层压体20从被粘附体70上剥下。此时，在光学体40中仅有通过粘附层60粘接的部分被转印到被粘附体70一侧，余下的部分则残留在转印体30上。通过这种方式将光学体40的一部分从转印体30上剥下。
图3表示光学体40的露出面。区域X表示从转印体30上剥下的部分，箭头A表示转印用层压体20从被粘附体70上剥下的方向。当将转印用层压体20从被粘附体70上剥下时，在区域X中，首先光学体40会从转印体30上被剥下，并且界面X1会被截断。也就是说，此时的剥离力为因光学体40与转印体30之间的锚固效应而产生的结合力加上使界面X1断裂所需要的拉伸断裂应力。将此时的90度剥离力定义为初期90度剥离力。更为具体而言，在以粘着宽度为25mm(样品宽度大于25mm)、提拉速度为200mm/min的条件进行光学体40与转印体30之间的90度剥离试验的情况下，将90度剥离力(N/25mm)的大小最初成为最大的数值定义为“将光学体40从转印体30上剥下时的初期90度剥离力”。
图4表示90度剥离试验结果的一示例。区域B所表示的90度剥离力为初期90度剥离力。当将转印用层压体20从被粘附体70上进一步剥下时，界面X2会被截断并且光学体40会从转印体30上剥下。此时的剥离力为因光学体40与转印体30之间的锚固效应而产生的结合力加上使界面X2断裂所需要的撕裂应力。将此时的剥离力定义为“包括光学体40撕裂的光学体40与转印体30之间的90度剥离力”。更为具体而言，在进行上述的90度剥离试验的情况下，将初期90度剥离力以后的剥离力的算术平均值定义为“包括光学体40撕裂的光学体40与转印体30之间的90度剥离力”。
其他的剥离力为不包含上述的拉伸断裂应力和撕裂应力的一般90度剥离力。即为在以粘着宽度为25mm(样品宽度也相同)、提拉速度为200mm/min的条件下进行90度剥离试验时的90度剥离力。本发明人发现在这些剥离力满足上述必要条件的情况下，光学体40会被精确地(例如不会产生转印不良)转印到被粘附体70上。
<4.转印体的制造方法>
接下来，参照图5～图7而对转印体30的制造方法进行说明。可以利用所谓的卷对卷方式制造转印体30。
(4-1-1.原盘的结构)
图5表示用于制造转印体30的原盘100的结构。原盘100为圆筒形状。原盘100既可以为圆柱形状，也可以为其他形状(例如平板状)。但在原盘100为圆柱或圆筒形状的情况下，可以利用卷对卷方式将原盘100的凹凸结构(即原盘凹凸结构)120无缝地转印到树脂基材等上。通过这种方式能够高效地在基材薄膜31的表面上形成微细凹凸结构32。基于这种观点，优选原盘100的形状为圆筒形状或圆柱形状。
原盘100具备原盘基材110和形成在原盘基材110周面上的原盘凹凸结构120。原盘基材110例如为玻璃体，具体由石英玻璃形成。但只要原盘基材110为SiO2纯度高的玻璃则并无特别限定，也可以由熔融石英玻璃或合成石英玻璃等形成。原盘基材110也可以为已经将上述材料层叠在金属母材上的材料或金属母材(例如Cu、Ni、Cr、Al)。尽管原盘基材110的形状为圆筒形状，但也可以为圆柱形状、其他形状。但如上所述，优选原盘基材110为圆筒形状或者圆柱形状。原盘凹凸结构120具有微细凹凸结构32的反转结构。
(4-1-2.原盘的制造方法)
接着，对原盘100的制造方法进行说明。首先在原盘基材110上形成(成膜)基材抗蚀剂层。这里，对用于构成基材抗蚀剂层的抗蚀剂材料并无特别限定，可以是有机抗蚀剂材料或者无机抗蚀剂材料的任何一种。作为有机抗蚀剂材料例如可以列举出酚醛清漆型抗蚀剂或者化学增幅型抗蚀剂等。此外，作为无机抗蚀剂材料例如可以列举出含有钨(W)或钼(Mo)等一种或两种以上的过渡金属的金属氧化物等。另外，作为无机抗蚀剂材料例如可以列举出Cr、Au等。但为了进行热反应刻蚀，优选基材抗蚀剂层由含有金属氧化物的热反应型抗蚀剂形成。
在将有机抗蚀剂材料用于基材抗蚀剂层的情况下，可以利用旋涂、狭缝涂布、浸涂、喷涂或者丝网印刷等而在原盘基材110上形成基材抗蚀剂层。而且，在将无机抗蚀剂材料用于基材抗蚀剂层的情况下，可以利用溅射法形成基材抗蚀剂层。也可以并用有机抗蚀剂材料和无机抗蚀剂材料。
接着，利用曝光装置200(参照图6)对基材抗蚀剂层的一部分进行曝光而在基材抗蚀剂层上形成潜像。具体而言，曝光装置200调制激光200A，并将激光200A照射到基材抗蚀剂层上。由于通过这种方式使被激光200A照射的基材抗蚀剂层的一部分变质，因而能够在基材抗蚀剂层上形成与原盘凹凸结构120对应的潜像。
接着，将显影液滴在形成有潜像的基材抗蚀剂层上而使基材抗蚀剂层显影。通过这种方式在基材抗蚀剂层上形成凹凸结构。然后，以基材抗蚀剂层为掩膜而对原盘基材110和基材抗蚀剂层进行蚀刻，在原盘基材110上形成原盘凹凸结构120。此外，尽管对蚀刻的方法并无特别限定，但优选具有垂直各向异性的干蚀刻。例如，优选反应离子刻蚀(ReactiveIon Etching:RIE)。利用以上的工序制造原盘100。蚀刻也可以为湿蚀刻。
(4-1-3.曝光装置的结构)
接下来，参照图6对曝光装置200的结构进行说明。曝光装置200为用于对基材抗蚀剂层进行曝光的装置。曝光装置200具备激光光源201、第一反射镜203、光电二极管(Photodiode:PD)205、偏振光学系统、控制机构230、第二反射镜213、移动光学台220、主轴电动机225、转台227。而且，原盘基材110载置在转台227上并能够旋转。
激光光源201为用于发出激光200A的光源，例如为固体激光器或者半导体激光器等。尽管对激光光源201所发出的激光200A的波长并无特别限定，但例如可以为400nm～500nm的蓝光波段的波长。并且，只要激光200A的光斑直径(照射到抗蚀剂层上的光斑的直径)小于原盘凹凸结构120的凹部开口面的直径即可，例如只要为200nm左右即可。控制机构230控制激光光源201所发出的激光200A。
激光光源201所射出的激光200A保持平行光束直线前进，然后被第一反射镜203反射而被导向偏振光学系统。
第一反射镜203由偏振光分束器构成，并具有使偏振光成分的一个方向反射且使偏振光的另一方向透过的功能。透过第一反射镜203的偏振光成分被光电二极管205接收并进行光电转换。然后，由光电二极管205进行光电转换后的受光信号被输入至激光光源201，激光光源201根据输入的受光信号而对激光200A进行相位调制。
而且，偏振光学系统具备聚光透镜207、电光偏转器(Electro Optic Deflector:EOD)209、准直仪透镜211。
在偏振光学系统中，激光200A由聚光透镜207会聚于电光偏转器209。电光偏转器209为能够控制激光200A的照射位置的元件。曝光装置200通过电光偏转器209能够使被导向移动光学台220上的激光200A的照射位置变化(所谓Wobble机构)。激光200A在被电光偏转器209调整照射位置之后，通过准直仪透镜211而再次被平行光束化。由偏振光学系统射出的激光200A被第二反射镜213反射，被水平且平行地导向至移动光学台220上。
移动光学台220具备光束扩展器(Beam expander:BEX)221和物镜223。被导向至移动光学台220的激光200A在通过光束扩展器221整形为期望的光束形状之后，经由物镜223而照射到形成在原盘基材110上的基材抗蚀剂层上。而且，原盘基材110每旋转一周，移动光学台220朝向箭头R方向(进给节距方向)仅移动1进给节距(轨迹节距)。在转台227上设置有原盘基材110。主轴电动机225通过使转台227旋转而使原盘基材110旋转。通过这种方式使激光200A在基材抗蚀剂层上扫描。这里，沿着激光200A的扫描方向形成基材抗蚀剂层的潜像。
而且，控制结构230具备格式器231和驱动器233，并控制激光200A的照射。格式器231生成用于控制激光200A的照射的调制信号，驱动器233根据格式器231所生成的调制信号而控制激光光源201。通过这种方式控制射向原盘基材110的激光200A。
格式器231根据绘制有在基材抗蚀剂层上描绘的任意图案的输入图像而生成用于向基材抗蚀剂层照射激光200A的控制信号。具体而言，首先格式器231取得绘制有在基材抗蚀剂层上描绘的任意图案的输入图像。输入图像为在轴向上切开基材抗蚀剂层的外周面并展开成一平面并相当于基材抗蚀剂层的外周面展开图的图像。在该展开图中绘制有相当于原盘100周面形状的图像。该图像表示微细凹凸结构32的反转结构。此外，可以制造转印有原盘100的原盘凹凸结构120的转印用薄膜，并使用以该转印用薄膜作为转印模具而在基材薄膜31上形成微细凹凸结构32。在这种情况下，原盘凹凸结构120具有与微细凹凸结构32相同的凹凸结构。
接下来，格式器231将输入图像划分成规定大小的小区域(例如划分成格子状)，并判断各小区域中是否含有凹部描绘图案(即、相当于原盘100的凹部的图案)。然后，格式器231生成用于控制向判断为含有凹部描绘图案的各小区域照射激光200A的控制信号。尽管优选该控制信号(即曝光信号)与主轴电动机225的旋转同步，但也可以不同步。而且，也可以原盘基材110每旋转一周而控制信号与主轴电动机225的旋转之间的同步被重组。进而，驱动器233根据格式器231所生成的控制信号而控制激光光源201的输出。通过这种方式控制射向基材抗蚀剂层的激光200A。此外，曝光装置200也可以进行诸如聚焦伺服、激光200A的照射光斑的位置补正等公知的曝光控制处理。聚焦伺服既可以使用激光200A的波长，也可以参考地使用其他波长。
而且，由激光光源201照射的激光200A也可以在被多个系统的光学系统分支之后而照射到基材抗蚀剂层上。在这种情况下，多个照射光斑会形成在基材抗蚀剂层上。在这种情况下，当自一个方向的光学系统射出的激光200A到达由另一方向的光学系统形成的潜像时，只要结束曝光即可。
因此，本实施方式能够在抗蚀剂层上形成与输入图像的描绘图案对应的潜像。然后，通过对抗蚀剂层进行显影并以显影后的抗蚀剂层为掩膜而对原盘基材110和基材抗蚀剂层进行蚀刻，在原盘基材110上形成与输入图像的描绘图案对应的原盘凹凸结构120。即、能够形成与描绘图案对应的任意的原盘凹凸结构120。因此，只要准备绘制有微细凹凸结构32的反转结构的描绘图案作为描绘图案就能够形成具有微细凹凸结构32的反转结构的原盘凹凸结构120。
此外，本实施方式可使用的曝光装置并不限于图6所示的曝光装置200的结构示例，只要具有与曝光装置200同样功能则可以使用任何一种曝光装置。
(4-1-4.关于使用了原盘的转印体的形成方法)
接下来，参照图7而对使用了原盘100的转印体30的形成方法一示例进行说明。使用了原盘100的卷对卷方式的转印装置300能够形成转印体30。此外，在该示例中，用于构成微细凹凸结构41的树脂为紫外光固化树脂。
转印装置300具备原盘100、基材供给辊301、卷绕辊302、导向辊303、304、压送辊305、剥离辊306、涂布装置307和光源309。
基材供给辊301为以卷筒状卷绕细长的基材薄膜31的辊，卷绕辊302为用于卷绕转印体30的辊。此外，导向辊303、304为用于输送基材薄膜31的辊。压送辊305为使层叠有未固化树脂层420的基材薄膜31、即被转印薄膜450与原盘100紧贴的辊。剥离辊306为用于自原盘100上剥离转印体30的辊。
涂布装置307具备涂布机等的涂布单元，用于将未固化的固化树脂涂布在基材薄膜31上而形成未固化树脂层420。涂布装置307例如可以为凹版涂布机、钢丝棒式涂布机或者模具式涂布机等。此外，光源309为用于发出可使未固化树脂固化的波长的光的光源，例如可以为紫外光灯等。
转印装置300首先自基材供给辊301并经由导向辊303而连续送出基材薄膜31。此外，在送出的途中也可以将基材供给辊301变更为其他批次的基材供给辊301。涂布装置307将未固化树脂涂布在送出的基材薄膜31上，从而在基材薄膜31上层叠未固化树脂层420。通过这种方式制造被转印薄膜450。压送辊305使被转印薄膜450与原盘100紧贴。光源309向紧贴在原盘100上的未固化树脂层420照射紫外光而使未固化树脂层420固化。通过这种方式将原盘100的原盘凹凸结构120转印到树脂层425上。即、在基材薄膜31的表面上形成微细凹凸结构32。然后，剥离辊306将形成有微细凹凸结构32的基材薄膜31自原盘100剥离。接着，卷绕辊302经由导向辊304而将形成有微细凹凸结构32的基材薄膜31进行卷绕。此外，原盘100既可以为纵置，也可以为横置，也可以另外设置用于补正原盘100旋转时的角度和偏心的机构。例如，可以在夹持机构上设置偏心倾斜机构。也可以利用压力转印进行转印。
如上所述，转印装置300利用卷对卷方式输送被转印薄膜450，并将原盘100的周面形状转印到被转印薄膜450上。通过这种方式在基材薄膜31上形成微细凹凸结构32。
此外，在基材薄膜31为热塑性树脂薄膜的情况下，不需要涂布装置307和光源309。在这种情况下，会在原盘100的上游侧配置加热装置。该加热装置通过加热基材薄膜31而使其软化，之后将基材薄膜31推压在原盘100上。通过这种方式将形成在原盘100周面上的原盘凹凸结构120转印到基材薄膜31上。此外，基材薄膜31也可以为由热塑性树脂以外的树脂构成的薄膜，并将基材薄膜31和热塑性树脂薄膜进行层叠。在这种情况下，层压薄膜在被加热装置加热之后被推压到原盘100上。因此，转印装置300能够连续地制造在基材薄膜31上形成有微细凹凸结构32的转印物。当然，转印体30的制造方法并不限于上述示例，只要是能够制造转印体30的方法而可以是任何一种方法。
<5.转印用层压体20的制造方法>
接着，参照图1而对转印用层压体20的制造方法进行说明。首先，在上述制造的转印体30的微细凹凸结构32上涂布未固化的树脂(固化后成为光学体40的树脂)。接着将另行准备的覆盖体50压接在未固化的树脂层上。对压接的方法并无特别限定，例如可以列举出利用覆膜机等进行的压接。通过调整压接时的压力而能够调整光学体40的厚度。然后，使未固化的树脂固化。在未固化的树脂例如为紫外光固化树脂的情况下，例如从转印体30的外侧照射紫外光。通过这种方式使未固化的树脂层固化而形成光学体40。利用以上的工序制造转印用层压体20。
<6.光学层压体10的制造方法>
下面，参照图1～图2而对光学层压体10的制造方法进行说明。首先从转印用层压体20上剥离覆盖体50的一部分。通过这种方式使光学体40的一部分露出。这里，在光学体40与覆盖体50之间的90度剥离力小于包括光学体40撕裂的光学体40与转印体30之间的90度剥离力的情况下，能够更为精确地从光学体40上剥离覆盖体50。具体而言，能够抑制光学体40朝向覆盖体50移转。
另一方面，在被粘附体70的表面中形成有光学体40的部分上形成(例如涂布粘合剂)未固化的粘附层60。这里，通过利用紫外光固化树脂构成未固化的粘附层60而能够使固化后的粘附层60的厚度变小。然后，将转印用层压体20推压在被粘附体70上以使光学体40的露出面与未固化的粘附层60接触。接着使未固化的粘附层60固化。在未固化的粘附层60为紫外光固化树脂的情况下，只要从例如转印体30的外侧照射紫外光即可。通过这种方式使未固化的树脂层固化而形成粘附层60。然后从被粘附体70上剥下转印用层压体20。此时，光学体40中仅有通过被粘附层60粘合的部分转印到被粘附体70一侧，余下的部分则残留在转印体30上。通过这种方式从转印体30上剥下光学体40的一部分。这里，在本实施方式中，从转印体30上剥下光学体40时的初期90度剥离力被调整为光学体40与粘附层60之间的90度剥离力的70％以下。因而能够精确地将光学体40转印到被粘附体70的至少一部分上。例如，能够抑制光学体40中与粘附层60接触的部分残留在转印体30上等的转印不良。这样既能够维持异物混入较少的状态，而且能够将光学体40部分转印到被粘附体70上。利用以上的工序制造光学层压体10。
如上所述，本实施方式能够精确地(例如不会产生转印不良等)将光学体40转印到被粘附体70上。而且，由于预先制造光学体40，因而同直接形成法相比能够提高用于构成光学体40或者粘附层60的树脂的选择自由度。这里，直接形成法为通过在被粘附体70上形成未固化的树脂层并将转印体30的微细凹凸结构32推压该树脂层上的状态下使树脂层固化而在被粘附体70上直接形成光学体40的方法。相较于直接形成法利用相同树脂形成粘附层60和光学体40(实质上形成光学体40的单层)，本实施方式则能够利用不同的树脂形成粘附层60和光学体40(当然也可以利用相同的树脂)。而且，即使用于构成光学体40的树脂与被粘附体70之间的粘合性不佳，也能通过光学体40与被粘附体70之间具有优良粘合性的树脂形成粘附层60而制造用于满足本实施方式必要条件的光学层压体10。而且，由于直接形成法在形成光学体40时需要向微细凹凸结构32内填充树脂，因而需要较高压力。因此，在被粘附体70的强度较弱的情况下，由于不能施加足够的压力而无法获得良好的转印。而且，在减小前述未固化的树脂层粘度的情况下，有时也能获得良好的转印。但在这种情况下，由于未固化的树脂层为低粘度，因而难于控制光学体40的转印范围、即树脂的扩展状态。如上所述，本实施方式能够在工业上制造高精度且品质稳定的光学层压体10。
实施例
<1.实施例1>
接下来，对本实施方式的实施例进行说明。在实施例1、2以及后述的比较例1中对初期90度剥离力进行探讨。
此外，在实施例1和以下的各示例中，将转印体称为“A”、光学体称为“B”、覆盖体称为“C”、粘附层称为“D”而表述各种剥离力。例如，也将从转印体上剥下光学体时的初期90度剥离力称为“A-B间初期90度剥离力”。也将光学体与粘附层之间的90度剥离力称为“B-D间90度剥离力”。也将包括光学体撕裂的光学体与转印体之间的90度剥离力称为“包括B撕裂的A-B间90度剥离力”。也将光学体与覆盖体之间的90度剥离力称为“B-C间90度剥离力”。
(1-1.试验用样品的准备)
首先准备厚度为125μm的PET薄膜(具体为东洋纺株式会社制造的A4100)作为基材薄膜，并准备UVX01(以6︰4的质量比混合东亚合成株式会社制造的“UVX6366”和东亚合成株式会社制造的“M240”的紫外光固化树脂，并添加2质量％的BASF制造的“Irgacure184”作为固化引发剂)作为微细凹凸结构用树脂。然后按照上述的转印体的制造方法制造了转印体。这里，微细凹凸结构的轨迹间距离(轨迹节距)为153nm、轨迹内距离(点距)为230nm、凹凸高度平均为225nm(多个凹凸高度的算术平均值)。
接着，在转印体的微细凹凸结构上进行上述的脱模处理。首先，利用溅射在微细凹凸结构上形成厚度为20nm的由ITO构成的无机膜。然后，进行准分子处理而使无机膜活性化。接着，利用SDI公司制造的桌上浸涂机“DT-0502-S1”在无机膜的表面上涂布成为脱模剂的氟树脂(3M公司制造的Novec1720)。提拉速度为1mm/sec。
接着，在转印体的微细凹凸结构上涂布厚度为1μm的作为光学体用树脂的A05(以5︰3︰2的质量比混合东亚合成株式会社制造的“UVX6366”、大阪有机化学株式会社制造的“Viscoat#150”以及MIWON公司制造的“Miramer M200”的紫外光固化树脂，并添加2质量％的BASF制造的“Irgacure184”作为固化引发剂)。这里，涂布厚度为不包含微细凹凸结构41的凹凸高度的数值。然后，通过向树脂层照射紫外线而使树脂层固化。通过这种方式制造了转印体与光学体之间的层压体(试验用样品)。
(1-2.A-B间90度剥离试验)
接着，对转印体上的光学体进行了A-B间90度剥离试验。利用依照JIS-6854-1的试验机(今田制作所制造的“拉伸/压缩试验机SV-55C-2H”)进行了A-B间90度剥离试验。而且，为了准确地测定初期90度剥离力而在该试验机上连接有数据记录器(GRAPHTEC公司制造的“midi LOGGER GL200”)。在粘接宽度为25mm、试验长度为150mm以上、提拉速度为200mm/min的实验条件下进行了A-B间90度剥离试验。试验用样品的宽度大于25mm。结果表示在图4中。如图4所示，A-B间初期90度剥离力为1.37N/25mm。并且，包括撕裂的A-B间90度剥离力为0.27N/25mm。在后述的实施例3、4、比较例2、3中也使用该值。
(1-3.B-D间90度剥离试验)
接着，准备载玻片作为被粘附体，并准备了东亚合成株式会社制造的“ARONIXUVX5800”作为粘附层用的粘合剂。另一方面，从转印体上剥下光学体而准备了单体的光学体。然后，在被粘附体上涂布粘合剂，并在涂布面上层叠光学体。接着使粘合剂固化。固化后的粘附层的厚度为5μm。对该试验用样品进行了B-D间90度剥离试验。试验机与上述同样，实验条件设定为粘接宽度为25mm、试验长度为150mm以上、提拉速度为200mm/min。试验用样品的宽度与25mm一致。结果是，在实施例1中，B-D间90度剥离力为13.0N/25mm。所以，A-B间初期90度剥离力(＝1.37N/25mm)为B-D间90度剥离力(＝13.0N/25mm)的10.5％。
(1-4.转印试验)
接着，在被粘附体上涂布粘合剂，并在涂布面上层叠转印体和光学体的层压体。然后使粘合剂固化。固化后的粘附层的厚度为5μm。然后，工作人员剥下该层压体。结果是，仅有配置在粘附层上的光学体部分被转印到被粘附体上，余下的部分则随同转印体一起从被粘附体上剥下。因而能够精确地将光学体转印到被粘附体的至少一部分上。
<2.实施例2>
除去基材薄膜是厚度为20μm的Si薄膜、制造光学体时的涂布厚度为1.5μm以及粘附层用的粘合剂为东亚合成株式会社制造的“ARONIX LCR0632”以外，进行了与实施例1同样的试验。结果是，A-B间初期90度剥离力为7.93N/25mm，B-D间90度剥离力为11.8N/25mm。图4表示A-B间90度剥离试验的结果。所以，在实施例2中，A-B间初期90度剥离力(＝7.93N/25mm)为B-D间90度剥离力(＝11.8N/25mm)的67.2％。在转印试验中获得了与实施例1同样的结果。
<3.比较例1>
基材薄膜是厚度为125μm的PET薄膜(具体而言为东洋纺株式会社制造的“A4100”)，转印体的微细凹凸结构用树脂为迪睿合株式会社制造的“SK1120”。而且，转印体的微细凹凸结构的轨迹间距离(轨迹节距)为153nm、轨迹内距离(点距)为230nm、凹凸高度平均为225nm，光学体用的树脂为UVX2(以6︰2︰2的质量比混合东亚合成株式会社制造的“UVX6366”、大阪有机化学株式会社制造的“Viscoat#150”以及MIWON公司制造的“MiramerM200”的紫外光固化树脂，并添加2质量％的BASF制造的“Irgacure184”作为固化引发剂)，制造光学体时的涂布厚度为4.0μm。而且，一方面向转印体的微细凹凸结构上溅射氧化钨，但不进行脱模处理。除去这些以外，进行了与实施例1同样的处理。结果是，A-B间初期90度剥离力为9.30N/25mm、B-D间90度剥离力为13.0N/25mm。图4表示A-B间90度剥离试验的结果。所以，在比较例1中，A-B间初期90度剥离力(＝9.30N/25mm)为B-D间90度剥离力(＝13.0N/25mm)的71.5％。在转印试验中，光学体未被转印到粘附层上，全部光学体残留在转印体上。将实施例1、2、比较例1的结果汇总表示在表1中。
[表1]
(表1)
Figure GDA0003532021260000241
<4.实施例3>
(4-1.试验用样品的准备)
在实施例3、4以及比较例2、3中，对光学体与覆盖体之间的剥离力进行探讨。首先，对实施例3进行说明。在实施例3中制造了与实施例1同样的转印体。接着，在该转印体的微细凹凸结构上涂布光学体用的树脂(与实施例1相同)之后，在未固化的树脂层上层叠作为覆盖体的SUN A.KAKEN公司制造的“PAC2-70”。此时，利用辊涂机压接覆盖体，并且未固化的树脂层的涂布厚度为与实施例1同样的1μm。然后，通过使未固化的树脂层固化而制造了转印用层压体(试验用样品)。
(4-2.B-C间90度剥离试验)
接着，对该试验样品进行B-C间90度剥离试验。试验机与上述同样，粘接宽度为25mm、试验长度为150mm以上、提拉速度为200mm/min。试验用样品的宽度与25mm一致。结果是，B-C间90度剥离力为0.13N/25mm。由于包括撕裂的A-B间90度剥离力为实施例1所测定的0.27N/25mm，因而B-C间90度剥离力小于包括撕裂的A-B间90度剥离力。而且，在剥离试验中，光学体未破损并残留在转印体上。
<5.实施例4>
除去覆盖体为二村化学工业株式会社制造的FSA020M以外，进行了与实施例3同样的试验。结果是，B-C间90度剥离力为0.20N/25mm。由于包括撕裂的A-B间90度剥离力为实施例1所测定的0.27N/25mm，因而B-C间90度剥离力小于包括撕裂的A-B间90度剥离力。而且，在剥离试验中，光学体未破损并残留在转印体上。
<6.比较例2>
除去覆盖体为在60℃经过1小时处理的FSA020M以外，进行了与实施例3同样的试验。B-C间90度剥离力为0.56N/25mm。由于包括撕裂的A-B间90度剥离力为实施例1所测定的0.27N/25mm，因而B-C间90度剥离力大于包括撕裂的A-B间90度剥离力。结果是，在剥离试验中，光学体的一部分破损并移转到覆盖体上。
<7.比较例3>
除去覆盖体为在60℃经过1小时处理的二村化学工业株式会社制造的“FSA050M”以外，进行了与实施例3同样的试验。B-C间90度剥离力为0.93N/25mm。由于包括撕裂的A-B间90度剥离力为实施例1所测定的0.27N/25mm，因而B-C间90度剥离力大于包括撕裂的A-B间90度剥离力。结果是，在剥离试验中，光学体的一部分破损并移转到覆盖体上。将实施例3、4、比较例2、3的结果汇总表示在表2中。
[表2]
(表2)
Figure GDA0003532021260000261
以上的实施例和比较例的结果证实了为了将光学体精确地转印到覆盖体上而需要使A-B间初期90度剥离力为B-D间90度剥离力的70％以下。而且证实了为了将覆盖体从光学体上精确地剥离而需要使B-C间90度剥离力小于包括撕裂的A-B间90度剥离力。
以上，尽管参照附图对本发明的优选实施方式进行了详细说明，但本发明并不限于所述示例。明显地，本发明所属的技术领域的技术人员能在权利要求描述的技术思想的范围内想到各种变更例或者修改例，并且也能理解到这些示例属于本发明的技术范围。
附图标记说明
10 光学层压体
20 转印用层压体
30 转印体
40 光学体
50 覆盖体

Claims (6)

1.一种光学层压体的制造方法，其特征在于，包括：
用于制造具有光学体和转印体的转印用层压体的工序，其中，所述光学体的凹凸以可见光波长以下的平均周期配置的微细凹凸结构形成在至少一个表面上，所述转印体具有用于与所述光学体的所述微细凹凸结构嵌合的反转凹凸结构；
在被粘附体表面的一部分上形成未固化的粘附层的工序；
将所述转印用层压体推压在所述被粘附体上而使所述光学体的露出面与所述未固化的粘附层接触的工序；
使所述未固化的粘附层固化的工序；以及
从所述转印体上剥下所述光学体的工序，
从所述转印体上剥下所述光学体时的初期90度剥离力为所述光学体与所述粘附层之间的90度剥离力的70％以下。
2.根据权利要求1所述的光学层压体的制造方法，其特征在于，
所述转印用层压体还具有用于覆盖所述光学体表面中未设置有所述转印体的一侧表面的覆盖体，
在所述光学层压体的制造方法中，在从所述转印用层压体上剥下所述覆盖体的一部分之后将所述转印用层压体推压在所述被粘附体上，
所述光学体与所述覆盖体之间的90度剥离力小于包括所述光学体撕裂的所述光学体与所述转印体之间的90度剥离力。
3.根据权利要求1所述的光学层压体的制造方法，其特征在于，
所述光学体与所述粘附层之间的90度剥离力为13N/25mm以上。
4.根据权利要求1所述的光学层压体的制造方法，其特征在于，
所述光学体和所述粘附层的总厚度为15μm以下。
5.根据权利要求1所述的光学层压体的制造方法，其特征在于，
所述粘附层由紫外光固化树脂构成。
6.根据权利要求1所述的光学层压 体的制造方法，其中
所述反转凹凸结构的表面进行脱模处理。
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