TW202005789A - 光學積層體、轉印用積層體、及光學積層體之製造方法 - Google Patents

光學積層體、轉印用積層體、及光學積層體之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明欲解決之課題在於高精度地在被黏體的至少一部分形成具有微細凹凸結構的光學體。 本發明用以解決課題之手段在於提供一種光學積層體，具有：被黏體；接著層，形成於該被黏體表面的至少一部分；及光學體，透過該接著層接著於該被黏體，在該光學體至少一側表面形成有微細凹凸結構，其凹凸以可見光波長以下之平均週期配置，且在該光學體的另一側表面設這有該接著層，在將該光學體從具有與該光學體之該微細凹凸結構嵌合之反轉凹凸結構的轉印體上剝除時，其初始90度剝離力為該光學體與該接著層之90度剝離力的70%以下。

Description

光學積層體、轉印用積層體、及光學積層體之製造方法
發明領域 本發明係關於光學積層體、轉印用積層體、及光學積層體之製造方法。
發明背景 在包括諸如液晶顯示器等顯示裝置與照相機等光學裝置的電子裝置中，為了避免光反射導致的功能劣化(例如光反射導致辨識性或畫質劣化(更具體而言，產生顏色不均勻或重像等))，大多會在光的入射面形成抗反射膜。抗反射膜已知具有微細凹凸結構之微細凹凸膜(亦稱為蛾眼膜)、Wet-AR膜、及Dry-AR膜等。 先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2013/187349號
發明概要 發明欲解決的課題 隨著近年來電子機器的小型化與薄化，需要在被黏體的部分區域形成抗反射膜。舉例來說，可在構成智慧型手機前表面的基板上形成用以使光入射至相機模組(所謂的前相機)的透明區域(亦稱為相機孔)。在這樣的智慧型手機中，需要僅於透明區域的背面(智慧型手機內側的表面)形成抗反射膜。再者，相機模組的小型化有其界限。因此，為了將智慧型手機小型化與薄化，需要將抗反射膜形成為薄膜。
然而，使用Wet-AR膜或Dry-AR膜的技術無法充分滿足上述的要求。具體而言，作為使用Wet-AR膜的技術，已有提案一種將由Wet-AR層、透明樹脂層、及接著層構成的積層膜切割成期望的尺寸，並將切割的積層膜黏貼至被黏體的技術。Wet-AR層係藉由在透明樹脂層上依序塗佈Wet-AR層的材料(低折射率材料、高折射率材料)而形成。然而在此技術中，由於積層膜會變得非常厚，因此無法充分滿足薄膜化的要求。作為使用Dry-AR膜的技術，已提案有一種使用遮罩覆蓋被黏體所期望以外的區域，並藉由濺鍍等方式僅於該所期望區域形成Dry-AR膜的技術。然而在此技術中，由於需要遮罩覆蓋被黏體的許多區域，因此有生產效率非常低的問題。此外，所形成之Dry-AR膜的品質也不足。
另一方面，由於微細凹凸膜可進行薄膜化，因此被期待可滿足上述的要求。然而，已提案的技術中並沒有任何可高精度地在被黏體的部分表面形成微細凹凸膜的技術。另外，在專利文獻1中描述了一種功能轉印體，其包含：載體，在表面具有微細凹凸結構；及功能層，被設置在微細凹凸結構上。此功能層具有相當於上述微細凹凸膜的構造。在專利文獻1中，功能轉印體的功能層被轉印至被黏體。然而，在專利文獻1中揭示的技術將微細凹凸結構使用在與抗反射不同的其他目的，且無法認為轉印的精度足夠。
因此，本發明係有鑑於上述問題而完成者，其目的在於高精度地在被黏體的至少一部分形成具有微細凹凸結構的光學體。 用以解決課題的手段
為了解決上述課題，根據本發明的某觀點提供一種光學積層體，具有：被黏體；接著層，形成於被黏體表面的至少一部分；及光學體，透過接著層接著於被黏體，在光學體至少一側表面形成有微細凹凸結構，其凹凸以可見光波長以下之平均週期配置，且在該光學體的另一側表面設置有接著層，在將光學體從具有與光學體之微細凹凸結構嵌合之反轉凹凸結構的轉印體上剝除時，其初始90度剝離力為光學體與接著層之90度剝離力的70%以下。
在此，光學體係從轉印用積層體剝除者；轉印用積層體具有光學體、轉印體、及包覆體，其用來包覆光學體表面上未設置轉印體之側之表面，光學體與包覆體之90度剝離力可小於包含撕裂光學體之光學體與轉印體之90度剝離力。
根據本發明的其他觀點提供一種光學積層體，具有：被黏體；接著層，形成於被黏體表面的至少一部分；及光學體，透過接著層接著於被黏體，在光學體至少一側表面形成有微細凹凸結構，其凹凸以可見光波長以下之平均週期配置，且在光學體的另一側表面形成有接著層，光學體與接著層之90度剝離力為13N/25mm以上。
在此，光學體與接著層的總厚度可為15μm以下。
此外，接著層亦可由紫外線硬化性樹脂構成。
根據本發明的其他觀點提供一種轉印用積層體，具有：光學體，在至少一側表面形成有微細凹凸結構，其凹凸以可見光波長以下之平均週期配置；轉印體，具有與光學體之微細凹凸結構嵌合之反轉凹凸結構；及包覆體，其包覆在光學體表面中未設置轉印體之側的表面，光學體與包覆體之90度剝離力小於包含撕裂光學體之光學體與轉印體之90度剝離力。
在此，反轉凹凸結構的表面可施以脫模處理。
根據本發明的其他觀點提供一種光學積層體之製造方法，包含下述步驟：製作具有光學體及轉印體之轉印用積層體之步驟，其中在光學體至少一側表面形成有凹凸以可見光波長以下之平均週期配置的微細凹凸結構，且轉印體具有與該光學體之該微細凹凸結構嵌合之反轉凹凸結構；在被黏體表面的至少一部分形成未硬化接著層之步驟；將轉印用積層體按壓至被黏體以使光學體的露出面接觸未硬化接著層之步驟；硬化步驟，使未硬化接著層硬化之步驟；及從轉印體剝除光學體之步驟，在將光學體從轉印體剝除時，其初始90度剝離力為光學體與接著層之90度剝離力的70%以下。
在此，轉印用積層體更具有：包覆體，其包覆在光學體表面中未設置轉印體之側的表面；在光學積層體之製造方法中，在從轉印用積層體剝除包覆體後，將轉印用積層體按壓至被黏體；光學體與包覆體之90度剝離力可小於包含撕裂光學體之光學體與轉印體之90度剝離力。 發明效果
如上所述根據本發明，由於將光學體從轉印體剝除時，其初始90度剝離力為接著層與被黏體之90度剝離力的70%以下，因此可高精度地在被黏體的至少一部分形成(轉印)具有微細凹凸結構的光學體。
以下參照附圖詳細說明有關本發明之適當的實施形態。另外，在本說明書及圖式中，關於實際上具有相同功能構成的構成要素，以標示相同符號的方式省略重複說明。
>1.轉印用積層體的構成> 首先，參照圖1與圖2，說明關於與本實施形態有關之轉印用積層體20的結構。轉印用積層體20係用以將光學體40轉印至被黏體70的膜狀積層體，其具備轉印體30、光學體40、及包覆體50。
(1-1.轉印體) 轉印體30係在保護光學體40的同時，將微細凹凸結構41賦予至光學體40。具體而言，轉印體30係具備基材膜31，及形成於基材膜31一側表面的微細凹凸結構32。在本實施形態中，基材膜31與微細凹凸結構32為不同主體，但亦可為一體成型。在此情況下，基材膜31與微細凹凸結構32係以相同材料(例如，後述之硬化性樹脂或熱塑性樹脂等)構成。
基材膜31的種類沒有特別限制，但以透明且不易破裂者為佳。在基材膜31為透明的情況，基材膜31可透射紫外線使未硬化的光學體40或接著層60硬化。基材膜31的例可舉出PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜或TAC(三乙酸纖維素)膜等。
微細凹凸結構32係被設置在基材膜31一側的表面。微細凹凸結構32具有凹凸以可見光波長以下之平均週期配置的結構。亦即，微細凹凸結構32由大量的微細凸部32a及微細凹部32b構成。微細凸部32a係在基材膜31的厚度方向凸起的部分，微細凹部32b係在基材膜31的厚度方向凹下的部分。微細凹凸結構32為光學體40具有之微細凹凸結構41之反轉形狀(反轉凹凸結構)，並且與微細凹凸結構41嵌合。
凹凸的平均週期為可見光波長以下(例如830nm以下)。平均週期的上限值宜為350nm以下，更宜為280nm以下。平均週期的下限值宜為100nm以上，更宜為150nm以上。因此，微細凹凸結構32成為所謂的蛾眼結構。因此，光學體40的微細凹凸結構41亦具有蛾眼結構，並藉由微細凹凸結構41實現抗反射功能。在微細凹凸結構32之凹凸的平均週期，亦即微細凹凸結構41之凹凸的平均週期為在上述範圍內之值的情況下，會進一步提高微細凹凸結構41的抗反射功能。
在此，在平均週期未達100nm的情況下，可能難以形成微細凹凸結構32。此外，在平均週期超過350nm的情況下，可能會在微細凹凸結構41產生可見光的繞射現象。
微細凹凸結構32的平均週期係彼此相鄰之微細凸部32a、32a或微細凹部32b、32b間之距離的算數平均值。另外，微細凹凸結構32可藉由例如掃描式電子顯微鏡(SEM)，或者截面穿透式電子顯微鏡(截面TEM)等進行觀察。此外，平均週期的計算方法係如以下所述。亦即，收集多個相鄰之微細凸部32a、32a的組合或相鄰之微細凹部32b、32b的組合，並測量它們距離(間距)。另外，微細凸部32a、32a間的距離為例如微細凸部32a、32a之頂點間的距離。此外，微細凹部32b、32b間的距離為例如微細凹部32b、32b間之中心點間的距離。然後，可藉由將測量值進行算數平均來計算平均週期。後述之微細凹凸結構41的平均週期亦可使用同樣的方法測量。
此外，凹凸的高度(微細凸部32a的高度或微細凹部32b的深度)沒有特別限制。例如，凹凸高度的上限值宜為300nm以下，更宜為230nm以下。例如，凹凸高度的下限值以150nm以上為佳，以190nm以上為較佳。在這種情況下，會進一步提高後述之微細凹凸結構41的抗反射功能。
微細凹凸結構32的配置沒有特別限制，可為週期性配置，亦可為隨機配置。週期性配置的例子可舉出千鳥格配置、矩形網格配置等。此外，微細凸部32a及微細凹部32b的形狀亦沒有特別限制。微細凸部32a及微細凹部32b的形狀可為例如砲彈形、椎狀、柱狀、針狀。另外，微細凹部32b的形狀係指由微細凹部32b之內壁面形成的形狀。
微細凹凸結構32係例如由紫外線硬化性樹脂構成。紫外線硬化性樹脂以具有透明性為佳。在微細凹凸結構32具有透明性的情況下，微細凹凸結構32可透射紫外線使未硬化的光學體40或接著層60硬化。從這樣的觀點來看，紫外線硬化性樹脂係例如以紫外線硬化丙烯酸樹脂或紫外線硬化環氧樹脂為佳。
紫外線硬化環氧樹脂係包含紫外線硬化起始劑及環氧聚合性化合物。紫外線硬化起始劑可舉出例如2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。環氧聚合性化合物係在分子內具有1個或2個以上環氧基的單體、寡聚物、或預聚物。環氧聚合性化合物可舉出例如各種雙酚型環氧樹脂(雙酚A型、F型等)、酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠或胺基甲酸乙酯等各種改性環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯甲烷型環氧樹脂、或這些的預聚物等。
紫外線硬化丙烯酸樹脂係包含上述的紫外線硬化起始劑及丙烯酸聚合性化合物。丙烯酸聚合性化合物係在分子內具有1個或2個以上丙烯酸基的單體、寡聚物、或預聚物。在此，單體係進一步被分類為在分子內具有1個丙烯酸基的單官能單體、在分子內具有2個丙烯酸基的二官能單體、在分子內具有3個以上丙烯酸基的多官能單體。
「單官能單體」可舉出例如羧酸類(丙烯酸)、羥基類(2-羥乙基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、4-羥丁基丙烯酸酯)、烷基或脂環類單體(異丁基丙烯酸酯、t-丁基丙烯酸酯、異辛基丙烯酸酯、月桂基丙烯酸酯、硬脂基丙烯酸酯、異莰基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯)、其他官能性單體(2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丙基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、丙烯醯嗎啉、N-異丙基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羥丙基-丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基-丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯)、2,4,6-三溴苯酚丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2-(2,4,6-三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯)、2-乙基己基丙烯酸酯等。
「二官能單體」可舉出例如三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷-二烯丙基醚、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯等。
「多官能單體」可舉出例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二新戊四醇五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。
除了上述列舉之丙烯酸聚合性化合物以外的例，可舉出丙烯酸嗎啉、甘油丙烯酸酯、聚醚類丙烯酸酯、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基己內酯、乙氧基二乙二醇丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、EO改性三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、EO改性雙酚A二丙烯酸酯、脂族胺基甲酸乙酯寡聚物、聚酯寡聚物等。
在本實施形態中，在將光學體40從轉印體30剝除時，其初始90度剝離力為光學體40與接著層60之90度剝離力的70%以下，宜為15%以下。在此，僅需要從上述列舉的樹脂中選擇滿足此要件的樹脂即可。例如，構成微細凹凸結構32的樹脂係為了將光學體40維持在轉印體30上，因此期望其在運輸時或剝離時的溫度下為固體。因此，以選擇上述列舉之樹脂或樹脂混合物在硬化後的玻璃轉移溫度高於運輸時或剝離時之溫度者為佳。此外，從維持微細凹凸結構的觀點來看，上述列舉之樹脂或樹脂混合物在硬化後的儲存模數以較高為符合期望，宜為500MPa以上，較宜為1GPa。以如此觀點選擇樹脂即可。另外，關於剝離力的詳細內容將在後面敘述。
此外，亦可對構成微細凹凸結構32的樹脂添加各種添加劑。像這樣的添加劑可舉出例如無機填料、有機填料、調平劑、表面調節劑、消泡劑等。另外，無機填料的種類可舉出例如SiO2 、TiO2 、ZrO2 、SnO2 、Al2 O3 等金屬氧化物微粒。再者，為了使轉印體30與光學體40易於剝離，亦可對構成微細凹凸結構32的樹脂添加脫模劑等。
微細凹凸結構32的表面以經過脫模處理為佳。藉此，可容易地將光學體40從轉印體30剝除。更具體而言，可降低將光學體40從轉印體30剝除時的初始90度剝離力。
在此，脫模處理沒有特別限制，只要為可降低將光學體40從轉印體30剝除時之初始90度剝離力的處理即可。舉例來說，可舉出塗佈脫模劑的處理。此處理係由無機膜形成處理、活性化處理、及脫膜劑塗佈處理所構成。具體的處理如以下所述。
(無機膜形成處理) 藉由濺鍍等方法在微細凹凸結構32的表面形成無機膜。無機膜形成處理係用以將脫模劑固著在微細凹凸結構32的表面。構成無機膜的無機物沒有特別限制，可舉出例如ITO(氧化銦錫)、SiO2 、Si、SiNx 、及TiO2 等。將這些的1種或2種以上進行濺鍍即可。另外，無機膜以具有透明性為佳。在此情況下，無機膜可透射紫外線使未硬化的光學體40或接著層60硬化。從如此觀點來看，無機膜以由ITO、SiO2 、及SiNx 中之任1種以上構成為佳。無機膜的厚度雖無特別限制，但以20nm以上為佳。
(活性化處理) 本處理係使無機膜表面活性化的處理，亦用以促進脫模劑固著至微細凹凸結構32的表面(亦即無機膜的表面)。活性化處理只要為使無機膜表面活性化(亦即，促進脫模劑的固著)的處理便無特別限制，可舉出例如準分子處理、常壓電漿處理、電暈處理、氧氣灰化處理、或紫外線處理等。可進行這些處理中之任1種以上。從盡可能防止對微細凹凸結構41造成損傷的觀點來看，活性化處理以準分子處理為佳。
(脫模劑塗佈處理) 在經活性化之無機膜的表面塗佈脫模劑。脫模劑可舉出例如含有氟樹脂者。塗佈方法沒有特別限制，例如可使用各種塗佈機(浸塗機等)進行。藉由以上的處理，在微細凹凸結構32的表面進行脫模處理。
(1-2.光學體) 光學體40係被轉印至被黏體70的膜體，且在轉印體30側的表面形成有微細凹凸結構41。微細凹凸結構41為轉印體30之微細凹凸結構32之反轉形狀，並且與微細凹凸結構32嵌合。
具體而言，微細凹凸結構41具有凹凸以可見光波長以下之平均週期配置的結構。亦即，微細凹凸結構41由大量的微細凸部41a及微細凹部41b構成。微細凸部41a係在光學體40的厚度方向凸起的部分，微細凹部41b係在光學體40的厚度方向凹下的部分。
凹凸的平均週期為可見光波長以下(例如830nm以下)。平均週期的上限值宜為350nm以下，更宜為280nm以下。平均週期的下限值宜為100nm以上，更宜為150nm以上。因此，微細凹凸結構32成為所謂的蛾眼結構。抗反射功能係藉由這樣的微細凹凸結構41實現。在微細凹凸結構41之凹凸的平均週期為在上述範圍內之值的情況下，會進一步提高微細凹凸結構41的抗反射功能。
在此，在平均週期未達100nm的情況下，可能難以形成微細凹凸結構41。此外，在平均週期超過350nm的情況下，可能會在微細凹凸結構41產生可見光的繞射現象。
微細凹凸結構41的平均週期係彼此相鄰之微細凸部41a、41a或微細凹部41b、41b間之距離的算數平均值。微細凹凸結構41之觀察方法、平均週期的測量方法係與微細凹凸結構32相同。
此外，凹凸的高度(微細凸部41a的高度或微細凹部41b的深度)沒有特別限制。例如，凹凸高度的上限值宜為300nm以下，更宜為230nm以下。例如，凹凸高度的下限值以150nm以上為佳，以190nm以上為較佳。在這種情況下，會進一步提高後述之微細凹凸結構41的抗反射功能。
微細凹凸結構41的配置沒有特別限制，可為週期性配置，亦可為隨機配置。週期性配置的例子可舉出千鳥格配置、矩形網格排列等。此外，微細凸部41a及微細凹部41b的形狀亦沒有特別限制。微細凸部41a及微細凹部41b的形狀可為例如砲彈形、椎狀、柱狀、針狀。另外，微細凹部41b的形狀係指由微細凹部41b之內壁面形成的形狀。
微細凹凸結構41係例如由紫外線硬化性樹脂構成。紫外線硬化性樹脂以具有透明性為佳。在微細凹凸結構41具有透明性的情況下，微細凹凸結構41可透射紫外線使未硬化接著層60硬化。從這樣的觀點來看，紫外線硬化性樹脂係例如以紫外線硬化丙烯酸樹脂或紫外線硬化環氧樹脂為佳。紫外線硬化丙烯酸樹脂及紫外線硬化環氧樹脂的具體組成與微細凹凸結構32相同。亦可對構成微細凹凸結構41的樹脂添加各種添加劑。添加劑的種類與微細凹凸結構32相同。尤其，為了使轉印體30與光學體40易於剝離，亦可對構成微細凹凸結構41的樹脂添加脫模劑等。
在本實施形態中，在將光學體40從轉印體30剝除時，其初始90度剝離力為光學體40與接著層60之90度剝離力的70%以下。再者，光學體40與包覆體50之90度剝離力以小於包含撕裂光學體40之光學體40與轉印體30之90度剝離力為佳。在此，僅需要從上述列舉的樹脂中選擇滿足此要件的樹脂即可。例如，由於光學體40的剝離係伴隨撕裂，因此期望光學體40在剝離時為固體。因此，只要以上述列舉之樹脂或樹脂混合物在硬化後的玻璃轉移溫度高於剝離時之溫度的觀點來選擇樹脂即可。
(1-3.包覆體) 包覆體50係用以保護光學體40的膜體，包覆光學體40的表面中未設置轉印體30之側的表面。包覆體50不一定要被設置在轉印用積層體20上，不過從保護光學體40的觀點來看，包覆體50以被設置在轉印用積層體20上為佳。光學體40與包覆體50之90度剝離力以小於包含撕裂光學體40之光學體40與轉印體30之90度剝離力為佳。因此，包覆體50係以滿足如此要件的材質所構成。例如，包覆體50可由將聚乙烯乙酸乙烯酯塗佈於低密度聚乙烯膜的一般保護膜構成。另外，亦可使用轉印體30代替包覆體50。在此情況下，微細凹凸結構41係形成於光學體40的兩面。在微細凹凸結構41形成於光學體40兩面的情況下，可期待進一步提升光學體40的抗反射功能。再者，由於微細凹凸結構41亦形成於與接著層60的接著面，因此可期待藉由錨定效果來提升接著層60與光學體40之90度剝離力。
>2.光學積層體的構成> 接著，參照圖2說明光學積層體10的構成。光學積層體10係具備被黏體70、接著層60、及光學體40。
被黏體70係藉由光學體40被賦予抗反射功能。被黏體70的種類沒有特別限定，只要為需要抗反射功能者不論什麼樣的東西都可以。舉例來說，被黏體70可為構成智慧型手機、各種顯示器、或各種攝影裝置等電子機器的基板。更具體而言，被黏體70可為例如構成智慧型手機前表面的基板。在此情況下，光學體40係形成於構成相機孔的透明區域。被黏體70的具體材質可為例如玻璃基板、表面被聚醯亞胺等包覆的玻璃基板、或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)基板等。
接著層60具有透明性，且將光學層40接著至被黏體70。接著層60係由例如紫外線硬化性樹脂所構成，更具體而言，由紫外線硬化丙烯酸樹脂或紫外線硬化環氧樹脂所構成。紫外線硬化丙烯酸樹脂及紫外線硬化環氧樹脂的具體構成係與微細凹凸結構32相同。在本實施形態中，在將光學體40從轉印體30剝除時，其90度剝離力為光學體40與接著層60之90度剝離力的70%以下。在此只要從上述列舉的樹脂中選擇滿足這些要件的樹脂即可。在例如將光學體40轉印至玻璃基板上的情況下，只要使用可充分確保與玻璃間之附著力的樹脂來形成接著層60即可。此外，從維持光學體40的觀點來看，期望在使用溫度範圍維持充分的硬度，接著層60的儲存模數宜為1MPa以上，較宜為100MPa以上。以這樣的觀點來選擇接著層60的樹脂即可。
光學體40係從轉印用積層體20剝除者。在本實施形態中，在將光學體40從轉印體30剝除時，其初始90度剝離力為光學體40與接著層60之90度剝離力的70%以下。因此，可高精度地將光學體40轉印至被黏體70的至少一部分。在此，光學體40與接著層60之90度剝離力以13N/25mm以上為佳。在此情況下，可更確實地使將光學體40從轉印體30剝除時的初始90度剝離力成為光學體40與接著層60之90度剝離力的70%以下。
在此，接著層60與光學體40的總厚度以15μm以下為佳，以10μm以下為較佳，以5μm以下為較佳。藉此，可將包含被黏體70的電子機器小型化、薄化。在此，接著層60與光學體40的總厚度係從微細凹凸結構41之微細凸部41a的上端部(尖端部)到接著層60的下端面(與被黏體70接觸的面)為止的厚度方向距離。由於所述距離會因測量位置出現些許偏差，因此只要將在多個測量位置測量到的值進行算數平均而得到的值作為總厚度即可。
由於光學體40係藉由微細凹凸結構41實現抗反射功能，因此可將光學體40進行薄膜化。例如，亦可使在光學體40中未形成微細凹凸結構41之部分的厚度為1μm以下。在接著層60為例如紫外線硬化性樹脂的情況下，接著層60的厚度會變得非常小。因此，藉由以紫外線硬化性樹脂來構成接著層60，可容易使接著層60與光學層40的總厚度成為上述範圍內的值。
>3.關於剝離力> 在此參照圖2至圖4，說明關於本實施形態所定義的各種剝離力。詳細內容將在後面敘述，光學積層體10係大致上透過以下的步驟來製造。亦即，首先從轉印用積層體20剝除一部分的包覆體50。藉此，使光學體40的一部分露出。另一方面，在被黏體70表面上將形成光學體40的部分形成未硬化接著層60(例如塗佈接著劑)。接著，以使光學體40的露出面接觸未硬化接著層60的方式，將轉印用積層體20按壓至被黏體70。接著，使未硬化接著層60硬化。接著，從被黏體70剝除轉印用積層體20。此時，光學體40只有藉由接著層60接著的部分被轉印至被黏體70側，剩下的部分則殘留在轉印體30。藉此從轉印體30剝除一部分的光學體40。
圖3係表示光學體40的露出面。區域X表示從轉印體30剝除的部分，箭頭A表示轉印用積層體20從被黏體70剝除的方向。當從被黏體70剝除轉印用積層體20時，首先在區域X中，邊界面X1會在光學體40從轉印體30被剝除的同時被切斷。換句話說，此時的剝離力係光學體40與轉印體30之錨定效果產生的結合力加上用以破壞邊界面X1所需的拉伸斷裂應力。將此時的90度剝離力定義為初始90度剝離力。更具體而言，在以密著寬度25mm(樣品寬度較25mm寬)、牽引速率200mm/min的條件進行光學體40與轉印體30之90度剝離試驗的情況下，將最初之最大值的90度剝離力(N/25mm)定義為「將光學體40從轉印體30剝除時之初始90度剝離力」。
圖4係表示90度剝離試驗結果的一例。區域B所示之90度剝離力係初始90度剝離力。在進一步將轉印用積層體20從被黏體70剝除時，光學體40會在邊界面X2斷裂的同時從轉印體30被剝除。此時的剝離力係光學體40與轉印體30之錨定效果產生的結合力加上用以破壞邊界面X2所需的拉伸斷裂應力。將此時的剝離力定義為「包含撕裂光學體40之光學體40與轉印體30之90度剝離力」。更具體而言，在進行上述90度剝離試驗的情況下，將初始90度剝離力以後之剝離力的算數平均值定義為「包含撕裂光學體40之光學體40與轉印體30之90度剝離力」。
其他剝離力係不包含上述拉伸斷裂應力及撕裂應力之一般的90度剝離力。換句話說，就是在以密著寬度25mm(樣品寬度亦相同)、牽引速率200mm/min的條件進行90度剝離試驗時的90度剝離力。本發明人發現當這些剝離力滿足上述要件的情況下，光學體40會以高精度(例如不會產生轉印不良等)被轉印至被黏體70。
>4.轉印體的製造方法> 接著，參照圖5至圖7，說明關於轉印體30的製造方法。轉印體30可藉由例如輥對輥的方式製造。
(4-1-1.母盤的構成) 圖5係表示用以製造轉印體30之母盤100的構成。母盤100為圓筒狀。母盤100亦可為圓柱狀或其他形狀(例如平板狀)。然而，在母盤100為圓柱或圓筒狀的情況下，可藉由輥對輥方式將母盤100的凹凸結構(亦即母盤凹凸結構)120以無縫方式轉印至樹脂基材等。藉此，可在基材膜31的表面以高生產效率形成微細凹凸結構32。從這樣的觀點來看，母盤100的形狀以圓筒狀或圓柱狀為佳。
母盤100係具備母盤基材110、及形成於母盤基材110周面的母盤凹凸結構120。母盤基材110為例如玻璃體，具體而言由石英玻璃形成。然而，母盤基材110只要為高純度的SiO2 便無特別限制，亦可由熔融石英玻璃或合成石英玻璃等形成。母盤基材110亦可為在金屬母材上積層上述材料所得者或金屬母材(例如Cu、Ni、Cr、Al)。母盤基材110的形狀雖為圓筒狀，但亦可為圓柱狀、其他形狀。然而，母盤基材110如上述以圓筒狀或圓柱狀為佳。母盤凹凸結構120具有微細凹凸結構32之反轉結構。
(4-1-2.母盤的製造方法) 接著，說明母盤100的製造方法。首先，在母盤基材110上形成(成膜)基材抗蝕層。在此，構成基材抗蝕層的抗蝕材沒有特別限制，可為有機抗蝕材或無機抗蝕材中的任一種。有機抗蝕材可舉出例如酚醛清漆類抗蝕劑，或化學增強型抗蝕劑等。此外，無機抗蝕材可舉出例如包含鎢(W)或鉬(Mo)等1種或2種以上過渡金屬的金屬氧化物等。其他無機抗蝕材可舉出Cr、Au等。然而，為了進行熱反應微影，基材抗蝕層係以包含金屬氧化物的熱反應型抗蝕劑形成為佳。
在基材抗蝕層使用有機抗蝕材的情況下，基材抗蝕層可使用旋塗、狹縫塗佈、浸塗、噴塗、或網版印刷等方式形成在母盤基材110上。此外，在基材抗蝕層使用無機抗蝕材的情況下，基材抗蝕層亦可藉由使用濺鍍法的方式形成。亦可併用有機抗蝕材及無機抗蝕材。
接著，藉由使用曝光裝置200(參照圖6)使基材抗蝕層的一部分曝光的方式，在基材抗蝕層形成潛像。具體而言，曝光裝置200係調變雷射光200A，並使雷射光200A照射至基材抗蝕層。藉此，由於被雷射光200A照射之基材抗蝕層的一部分變性，因此可在基材抗蝕層形成與母盤凹凸結構120對應的潛像。
接著，藉由在形成有潛像的基材抗蝕層上滴下顯影劑的方式，對基材抗蝕層進行顯影。藉此，凹凸結構被形成在基材抗蝕層。接著，藉由將基材抗蝕層當作遮罩並對母盤基材110及基材抗蝕層進行蝕刻的方式，在母盤基材110上形成母盤凹凸結構120。另外，蝕刻方法雖然沒有特別限制，但以具有垂直異向性的乾蝕刻為佳，例如以反應式離子蝕刻(Reactive Ion Etching:RIE)為佳。藉由以上的步驟製造母盤100。蝕刻亦可為濕蝕刻。
(4-1-3.曝光裝置的構成) 接著，參照圖6說明關於曝光裝置200的構成。曝光裝置200係用來曝光基材抗蝕層的裝置。曝光裝置200係具備雷射光源201、第1鏡203、光電二極體(Photodiode:PD)205、偏轉光學系統、控制機構230、第2鏡213、移動光學台220、轉軸馬達225、及轉盤227。此外，母盤基材110係載置於轉盤227上，並可旋轉。
雷射光源201係發射雷射光200A的光源為例如固體雷射或半導體雷射等。雷射光源201發射之雷射光200A的波長沒有特別限制，可為例如400nm至500nm的藍光帶波長。此外，雷射光200A的光斑直徑(照射至抗蝕層之光斑的直徑)只要較母盤凹凸結構120之凹部的開口面直徑小即可，例如只要為200nm左右即可。從雷射光源201發射的雷射光200A係受到控制機構230的控制。
從雷射光源201出射的雷射光200A係維持平行光束的狀態直線前進，被第1鏡203反射，並被引導至偏轉光學系統。
第1鏡203係由極化光束分光器構成，其具有反射極化分量之一，並透射其他極化分量的功能。經透射第1鏡203之極化分量係由光電二極體205接收並進行光電轉換。此外，經光電二極體205進行光電轉換的受光訊號被輸入至雷射光源201，且雷射光源201係根據被輸入的受光訊號進行雷射光200A的相位調變。
此外，偏轉光學系統係具備聚光透鏡207、電光偏轉元件(Electro Optic Deflector:EOD)209、及準直透鏡211。
在偏向光學系統中，雷射光200A係藉由聚光透鏡207被聚焦至電光偏轉元件209。電光偏轉元件209為可控制雷射光200A之照射位置的元件。曝光裝置200可藉由電光偏轉元件209改變被導引至移動光學台220上之雷射光200A的照射位置(所謂的擺動(Wobble)機構)。雷射光200A在經過電光偏轉元件209調整照射位置後，藉由準直透鏡211再次成為平行光束。從偏轉光學系統出射的雷射光200A被第2鏡213反射，而被水平且平行地引導至移動光學台220上。
移動光學台220係具備擴束器(Beam expader:BEX)221、及物鏡223。被引導至移動光學台220的雷射光200A在藉由擴束器221成形為期望的光束形狀後，經由物鏡223照射到形成在母盤基材110上的基材抗蝕層。此外，每當母盤基材110旋轉一圈時，移動光學台220會沿箭頭R的方向(進給節距方向)移動1進給節距(軌道節距)。在轉盤227上設置有母盤基材110。轉軸馬達225係藉由使轉盤227旋轉的方式使母盤基材110旋轉。藉此，讓雷射光200A在基材抗蝕層上掃描。在此，沿著雷射光200A的掃描方向形成基材抗蝕層的潛像。
此外，控制機構230係具備格式器231、及驅動器233，用以控制雷射光200A的照射。格式器231產生用以控制雷射光200A之照射的調變訊號，驅動器233根據格式器231產生的調變訊號控制雷射光源201。藉此，控制朝母盤基材110照射的雷射光200A。
格式器231係根據描繪有用以在基材抗蝕層繪製之任意圖案的輸入圖像，產生用以將雷射光200A照射至基材抗蝕層的控制訊號。具體而言，首先格式器231取得描繪有用以在基材抗蝕層繪製之任意繪製圖案的輸入圖像。輸入圖像係相當於基材抗蝕層外周面之展開圖的圖像，其中前述展開圖為在軸方向將基材抗蝕層之外周面切開並擴展成一平面的圖像。在此展開圖上描繪有相當於母盤100之周面形狀的圖像。此圖像係表示微細凹凸結構32之反轉結構。另外，亦可製造轉印有母盤100之母盤凹凸結構120的轉印用膜，並使用此轉印用膜作為轉印模具在基材膜31上形成微細凹凸結構32。在此情況下，母盤凹凸結構120具有與微細凹凸結構32相同的凹凸結構。
接著，格式器231係將輸入圖像劃分成預定尺寸的小區域(例如劃分成網格狀)，並判斷各個小區域是否包含凹部描繪圖案(換句話說，即相當於母盤100之凹部的圖案)。接著，格式器231產生控制訊號來控制雷射光200A照射至經判斷為包含凹部描繪圖案的各個小區域。此控制訊號(亦即曝光訊號)係以與轉軸馬達225的旋轉同步為佳，但亦可不同步。此外，控制訊號與轉軸馬達225之旋轉的同步可隨著母盤基材110的每一次旋轉重新進行。再者，驅動器233根據格式器231產生的控制訊號來控制雷射光源201的輸出。藉此，控制朝基材抗蝕層照射的雷射光200A。另外，曝光裝置200亦可進行聚焦伺服、雷射光200A之照射點的位置校正等已知的曝光控制處理。聚焦伺服可使用雷射光200A的波長，亦可使用其他波長作為參照。
此外，從雷射光源201照射的雷射光200A亦可在分支成多個光學系統後照射至基材抗蝕層。在此情況下，在基材抗蝕層形成有多個照射點。在此情況下，只要在從一個光學系統出射的雷射光200A到達由其他光學系統形成的潛像時結束曝光即可。
因此，根據本實施形態可在抗蝕層形成對應輸入圖像之描繪圖案的潛像。然後，令抗蝕層顯影並藉由將顯影後之抗蝕層作為遮罩對母盤基材110及基材抗蝕層進行蝕刻的方式，在母盤基材110上形成對應輸入圖像之描繪圖案的母盤凹凸結構120。亦即，可形成對應描繪圖案之任意的母盤凹凸結構120。因此，只要準備繪製有微細凹凸結構32之反轉結構的描繪圖案作為描繪圖案，便可形成具有微細凹凸結構32之反轉結構的母盤凹凸結構120。
另外，可用於本實施形態的曝光裝置不受限於圖6所示之曝光裝置200的構成例，只要具有與曝光裝置200相同的功能，不管什麼樣的曝光裝置都可以使用。
(4-1-3.關於使用母盤形成轉印體的方法) 接著，參照圖7說明關於使用母盤100形成轉印體30的方法之一例。轉印體30可藉由使用母盤100的輥對輥式轉印裝置300形成。另外，在此例中構成微細凹凸結構41的樹脂為紫外線硬化性樹脂。
轉印裝置300係具備母盤100、基材供應輥301、捲繞輥302、導引輥303、304、夾輥305、剝離輥306、塗佈裝置307、及光源309。
基材供給輥301係將長的基材膜31捲成輥狀的輥，捲繞輥302為用以捲繞轉印體30的輥。此外，導引輥303、304係用來運送基材膜31的輥。夾輥305為用以使積層有未硬化樹脂層420的基材膜31密著至母盤100的輥，亦即為使被轉印膜450密著至母盤100的輥。剝離輥306為用以將轉印體30從母盤100剝離的輥。
塗佈裝置307係具備塗佈機等塗佈手段，其係將未硬化之硬化性樹脂塗佈至基材膜31，並形成未硬化樹脂層420。塗佈裝置307可為例如凹版塗佈機、環棒式塗佈機、或模具塗佈機等。此外，光源309係發射可將未硬化樹脂硬化之波長的光的光源，可為例如紫外線燈等。
在轉印裝置300，首先從基材供給輥301經由導引輥303連續送出基材膜31。另外，亦可在送出途中將基材供給輥301變更為其他批的基材供給輥301。對於已送出的基材膜31，藉由塗佈裝置307塗佈未硬化樹脂，並使未硬化樹脂層420被積層至基材膜31。藉此，製造被轉印膜450。被轉印膜450係藉由夾輥305與母盤100密著。光源309藉由用紫外線照射與母盤100密著的未硬化樹脂層420，使未硬化樹脂層420硬化。藉此，母盤100之母盤凹凸結構120被轉印至樹脂層425。亦即，微細凹凸結構32被形成在基材膜31的表面。接著，形成有微細凹凸結構32的基材膜31係藉由剝離輥306從母盤100被剝離。接著，形成有微細凹凸結構32的基材膜31係經由導引輥304被捲繞輥302捲繞。另外，母盤100可縱置亦可橫置，亦可另外設置用以校正母盤100旋轉時之角度、偏心率的機構。例如，可在夾持機構設置偏心傾斜機構。轉印亦可藉由壓縮空氣轉印進行。
像這樣，在轉印裝置300中以輥對輥方式運送被轉印膜450的同時，將母盤100的周面形狀轉印至被轉印膜450。藉此，在基材膜31上形成微細凹凸結構32。
另外，在使用熱塑性樹脂作為基材膜31的情況下，不需要塗佈裝置307及光源309。在此情況下，將加熱裝置設置在較母盤100更上游側。藉由此加熱裝置加熱基材膜31使其變柔軟，之後將基材膜31按壓至母盤100。藉此，使形成在母盤100周面的母盤凹凸結構120被轉印至基材膜31。另外，亦可令基材膜31為以熱塑性樹脂以外的樹脂構成的膜，並將基材膜31與熱塑性樹脂膜進行積層。在此情況下，積層膜在經加熱裝置加熱後，被按壓至母盤100。因此，轉印裝置300可連續製造在基材膜31上形成有微細凹凸結構32的轉印物。當然，轉印體30的製造方法不限於上述的例，可使用任何的方法，只要其為可製造轉印體30的方法即可。
>5.轉印用積層體20的製造方法> 接著，參照圖1說明關於轉印用積層體20的製造方法。首先，在上述製造之轉印體30的微細凹凸結構32上塗佈未硬化樹脂(硬化後會變成光學體40)。接著，將另外準備的包覆體50壓接在未硬化樹脂層上。壓接的方法沒有特別要求，可舉出例如藉由輥式貼合機等進行壓接。藉由調整壓接時的壓力，可調整光學體40的厚度。接著，使未硬化樹脂層硬化。在未硬化樹脂為例如紫外線硬化性樹脂的情況下，從例如轉印體30的外側照射紫外線。藉此，未硬化樹脂層被硬化後形成光學體40。藉由以上的步驟製造轉印用積層體20。
>6.光學積層體10的製造方法> 接著，參照圖1及圖2說明關於光學積層體10的製造方法。首先，從轉印用積層體20上剝離一部分的包覆體50。藉此，露出一部分的光學體40。在此，當光學體40與包覆體50之90度剝離力小於包含撕裂光學體40之光學體40與轉印體30之90度剝離力的情況下，可更高精度地將包覆體50從光學體40剝離。具體而言，可抑制光學體40移動到剝離的包覆體50。
另一方面，在被黏體70表面中將形成光學體40的部分形成(例如塗佈接著劑)未硬化接著層60。在此，藉由使用紫外線硬化性樹脂構成未硬化接著層60，可減少硬化後之接著層60的厚度。接著，將轉印用積層體20按壓至被黏體70，使光學體40的露出面接觸未硬化接著層60。接著，使未硬化接著層60硬化。在未硬化接著層60為紫外線硬化性樹脂的情況下，例如只要從轉印體30的外側照射紫外線即可。藉此，未硬化樹脂層會硬化而形成接著層60。接著，將轉印用積層體20從被黏體70剝除。此時，光學體40中只有藉由接著層60接著的部分被轉印至被黏體70側，剩下的部分殘留在轉印體30上。藉此，光學體40的一部分從轉印體30剝除。在此，在本實施形態中，將光學體40從轉印體30剝除時，其初始90度剝離力被調整為光學體40與接著層60之90度剝離力的70%以下。因此，可高精度地將光學體40轉印至被黏體70的至少一部分。例如，可抑制光學體40中接觸接著層60的部分殘留在轉印體30上等的轉印不良。藉此，可在維持混雜異物較少之狀態的同時，將部分的光學體40轉印至被黏體70。藉由以上的步驟來製造光學積層體10。
如上所述，根據本實施形態，可高精度地(例如不會產生轉印不良等)將光學體40轉印至被黏體70。此外，與直接形成法相比，藉由預先製造光學體40，可提高構成光學體40或接著層60之樹脂的選擇自由度。在此，直接形成法係在被黏體70上形成未硬化樹脂層，並藉由在將轉印體30之微細凹凸結構32按壓至此樹脂層的狀態下使樹脂層硬化的方式，於被黏體70上直接形成光學體40的方法。相對於直接形成法中的接著層60與光學體40由相同樹脂形成(實際上形成的是單層的光學體40)這點，在本實施形態中的接著層60與光學體40可由不同的樹脂形成(當然也能使用相同的樹脂)。再者，假使構成光學體40的樹脂與被黏體70的密著性不夠優良，亦可藉由使用與光學體40及被黏體70之密著性優良的樹脂形成接著層60的方式，製造滿足本實施形態之要件的光學積層體10。再者，在直接形成法中，由於在形成光學體40時必須在微細凹凸結構32內填充樹脂，因此需要高壓。因此，在被黏體70的強度低的情況下，無法施加足夠的壓力，而無法獲得良好的轉印。此外，在將前述之未硬化樹脂層的黏度降低的情況下，有可獲得良好轉印的情況。然而，在此情況下，會因為未硬化樹脂層為低黏度，造成難以控制光學體40的轉印範圍，亦即樹脂的擴散狀況。如上所述，在本實施形態可製造在工業上具有精度良好且穩定之品質的光學積層體10。 [實施例]
>1.實施例1> 接著，說明關於本實施形態之實施例。在實施例1、2及後述之比較例1中，檢討關於初始90度剝離力。
另外，在實施例1及以下各例中，以將轉印體稱為“A”、光學體稱為“B”、包覆體稱為“C”、接著層稱為“D”的方式標示各種剝離力。例如，將從轉印體剝除光學體時之初始90度剝離力亦被稱為「A-B間初始90度剝離力」。將光學體與接著層之90度剝離力稱為「B-D間初始90度剝離力」。將包含撕裂光學體之光學體與轉印體之90度剝離力稱為「包含撕裂B之A-B間90度剝離力」。將光學體與包覆體之90度剝離力稱為「B-C間90度剝離力」。
(1-1.試驗用樣品的準備) 首先，準備厚度125μm的PET膜(具體而言為東洋紡股份有限公司製A4100)作為基材膜，並準備UVX01(為將東亞合成股份有限公司製“UVX6366”與東亞合成股份有限公司製“M240”以6：4的質量比混合的紫外線硬化樹脂，並添加2質量%的BASF製“Irgacure184”作為硬化起始劑)作為微細凹凸結構用的樹脂。然後，依照上述轉印體的製造方法製造轉印體。在此，令微細凹凸結構的軌道間距離(軌道間距)為153nm、軌道內距離(點間距)為230nm、凹凸的高度平均為225nm(多個凹凸高度的算數平均值)。
接著，在轉印體的微細凹凸結構上進行上述的脫模處理。首先，透過濺鍍在微細凹凸結構上形成厚度20nm之ITO構成的無機膜。接著，進行準分子處理使無機膜活性化。接著，藉由SDI公司製的桌上型浸塗機“DT-0502-S1”將作為脫模劑的氟樹脂(3M公司製Novec1720)塗佈至無機膜的表面。令牽引速度為1mm/sec。
接著，在轉印體的微細凹凸結構上塗佈厚度1μm的A05(為將東亞合成股份有限公司製“UVX6366”、大阪有機化學股份有限公司製“Biscoat#150”、及MIWON公司製“MiramerM200”以5：3：2的質量比混合的紫外線硬化樹脂，並添加2質量%的BASF製“Irgacure184”作為硬化起始劑)作為光學體用的樹脂。在此的塗佈厚度係不包含微細凹凸結構41之凹凸高度的值。接著，藉由使用紫外線照射樹脂層的方式使樹脂層硬化。藉此，製造轉印體與光學體的積層體(試驗用樣品)。
(1-2.A-B間90度剝離力) 接著，對轉印體上的光學體進行A-B間90度剝離試驗。A-B間90度剝離試驗係藉由以JIS-6854-1為準的試驗機(今田製作所公司製“拉伸壓縮試驗機SV-55C-2H”)進行。再者，為了正確測量初始90度剝離力，將數據記錄器(GRAPHTEC公司製“midi LOGGER GL200”)連接至該試驗機。A-B間90度剝離試驗係以密著寬度25mm、試驗長度150mm以上、牽引速度200mm/min的試驗條件進行。令試驗用樣品的寬度大於25mm。將結果表示於圖4。如圖4所示，A-B間初始90度剝離力為1.37N/25mm。此外，包含撕裂之A-B間90度剝離力為0.27N/25mm。此值係用於後述之實施例3及4、比較例2及3。
(1-3.B-D間90度剝離試驗) 接著，準備載玻片作為被黏體，並準備東亞合成股份有限公司製“Alonics UVX5800”作為接著層用的接著劑。另一方面，從轉印體剝除光學體以製備單體的光學體。接著，將接著劑塗佈至被黏體，並將光學體積層至塗佈面。接著，使接著劑硬化。令硬化後的接著層厚度為5μm。對此試驗用樣品進行B-D間90度剝離試驗。令試驗機與上述相同，且試驗條件為密著寬度25mm、試驗長度150mm以上、牽引速度200mm/min。令試驗用樣品的寬度等於25mm。結果，在實施例1中，B-D間90度剝離力為13.0N/25mm。因此，A-B間初始90度剝離力(=1.37N/25mm)為B-D間90度剝離力(=13.0N/25mm)的10.5%。
(1-4.轉印試驗) 接著，在被黏體塗佈接著劑，並於塗佈面積層轉印體與光學體的積層體。接著，使接著劑硬化。令硬化後的接著層厚度為5μm。接著，作業者將該積層體剝離。結果，只有被配置於接著層上的一部分光學體被轉印至被黏體，殘餘的部分與轉印體一起從被黏體剝除。因此，可高精度地將光學體轉印至被黏體的至少一部分上。
>2.實施例2> 除了將基材膜改為厚度20μm的Si膜、製造光學體時的塗佈厚度改為1.5μm、接著層用的接著劑改為東亞合成股份有限公司製“Alonics LCR0632”以外，進行與實施例1相同的試驗。結果，A-B間初始90度剝離力為7.93N/25mm，B-D間90度剝離力為11.8N/25mm。在圖4表示A-B間90度剝離試驗的結果。因此，在實施例2中，A-B間初始90度剝離力(=7.93N/25mm)為B-D間90度剝離力(=11.8N/25mm)的67.2%。在轉印試驗得到與實施例1相同的結果。
>3.比較例1> 令基材膜為厚度125μm的PET膜(具體而言為東洋紡股份有限公司製“A4100”)，且轉印體之微細凹凸結構用的樹脂為Dexerials Inc.製“SK1120”。再者，令轉印體之微細凹凸結構的軌道間距離(軌道間距)為153nm、軌道內距離(點間距)為230nm、凹凸的高度平均為225nm、光學體用的為UVX2(為將東亞合成股份有限公司製“UVX6366”、大阪有機化學股份有限公司製“Biscoat#150”、及MIWON公司製“MiramerM200”以6：2：2的質量比混合的紫外線硬化樹脂，並添加2質量%的BASF製“Irgacure184”作為硬化起始劑)、製造光學體時的塗佈厚度為4.0μm。再者，在將氧化鎢濺鍍至轉印體之微細凹凸結構上時，不進行脫模處理。除了這些之外，進行與實施例1相同的處理。結果，A-B間初始90度剝離力為9.30N/25mm，B-D間90度剝離力為13.0N/25mm。在圖4表示A-B間90度剝離試驗的結果。因此，在比較例1中，A-B間初始90度剝離力(=9.30N/25mm)為B-D間90度剝離力(=13.0N/25mm)的71.5%。在轉印試驗中，光學體未轉印至接著層上，全部的光學體都殘留在轉印體。將實施例1及2、比較例1的結果彙整並表示於表1。
[表1]
Figure 02_image001
>4.實施例3> (4-1.試驗用樣品的準備) 在實施例3、4及比較例2、3中，檢討關於光學體與包覆體的剝離力。首先，說明關於實施例3。在實施例3中，製造與實施例1相同的轉印體。接著，在將光學體用的樹脂(與實施例1相同)塗佈至此轉印體的微細凹凸結構上後，將Sun A. Kaken Co.,Ltd.製“PAC2-70”作為包覆體積層至未硬化樹脂層上。此時，以輥塗機壓接包覆體，並令未硬化樹脂層的塗佈厚度為與實施例1相同的1μm。接著，藉由使未硬化樹脂層硬化的方式，製造轉印用積層體(試驗用樣品)。
(4-2.B-C間90度剝離試驗) 接著，對此試驗樣品進行B-C間90度剝離試驗。令試驗機與上述相同，且試驗條件為密著寬度25mm、試驗長度150mm以上、牽引速度200mm/min。令試驗用樣品的寬度等於25mm。結果，B-C間90度剝離力為0.13N/25mm。由於包含撕裂之A-B間90度剝離力為實施例1中測量的0.27N/25mm，因此B-C間90度剝離力小於包含撕裂之A-B間90度剝離力。此外，剝離試驗中，光學體沒有被破壞而殘留在轉印體上。
>5.實施例4> 除了令包覆體為Futamura Chemical Co.,Ltd.製FSA020M之外，進行與實施例3相同的試驗。結果，B-C間90度剝離力為0.20N/25mm。由於包含撕裂之A-B間90度剝離力為實施例1中測量的0.27N/25mm，因此B-C間90度剝離力小於包含撕裂之A-B間90度剝離力。此外，剝離試驗中，光學體沒有被破壞而殘留在轉印體上。
>6.比較例2> 除了令包覆體為以60℃處理1小時的FSA020M之外，進行與實施例3相同的處理。B-C間90度剝離力為0.56N/25mm。由於包含撕裂之A-B間90度剝離力為實施例1中測量的0.27N/25mm，因此B-C間90度剝離力大於包含撕裂之A-B間90度剝離力。結果，剝離試驗中，光學體的一部分被破壞，移動至包覆體。
>7.比較例3> 除了令包覆體為以60℃處理1小時的Futamura Chemical Co.,Ltd.製“FSA050M”之外，進行與實施例3相同的處理。B-C間90度剝離力為0.93N/25mm。由於包含撕裂之A-B間90度剝離力為實施例1中測量的0.27N/25mm，因此B-C間90度剝離力大於包含撕裂之A-B間90度剝離力。結果，剝離試驗中，光學體的一部分被破壞，移動至包覆體。將實施例3及4、比較例2及3的結果彙整並表示於表2。
[表2]
Figure 02_image003
以上實施例及比較例的結果，明確顯示出為了高精度地將光學體轉印至包覆體，A-B間初始90度剝離力必須為B-D間90度剝離力的70%以下。再者，亦明確顯示出為了高精度地將包覆體從光學體剝離，B-C間90度剝離力必須小於包含撕裂之A-B間90度剝離力。
以上參照附圖詳細說明關於本發明之適當的實施形態，但本發明並不受這些例所限制。只要為本發明所屬技術領域中具通常知識者，於申請專利範圍所記載之技術思想範疇內所能思及之各種變更例或修正例係為明確，且應知曉該等亦屬本發明之技術範圍。
10‧‧‧光學積層體 20‧‧‧轉印用積層體 30‧‧‧轉印體 31‧‧‧基材膜 32‧‧‧微細凹凸結構 32a‧‧‧微細凸部 32b‧‧‧微細凹部 40‧‧‧光學體 41‧‧‧微細凹凸結構 41a‧‧‧微細凸部 41b‧‧‧微細凹部 50‧‧‧包覆體 60‧‧‧接著層60 70‧‧‧被黏體 100‧‧‧母盤 110‧‧‧母盤基材 120‧‧‧母盤凹凸結構 200‧‧‧曝光裝置 200A‧‧‧調變雷射光 201‧‧‧雷射光源 203‧‧‧第1鏡 205‧‧‧光電二極體 207‧‧‧聚光透鏡 209‧‧‧電光偏轉元件 211‧‧‧準直透鏡 213‧‧‧第2鏡 220‧‧‧移動光學台 221‧‧‧擴束器 223‧‧‧物鏡 225‧‧‧轉軸馬達 227‧‧‧轉盤 230‧‧‧控制機構 231‧‧‧格式器 233‧‧‧驅動器 300‧‧‧轉印裝置 301‧‧‧基材供應輥 302‧‧‧捲繞輥 303,304‧‧‧導引輥 305‧‧‧夾輥 306‧‧‧剝離輥 307‧‧‧塗佈裝置 309‧‧‧光源 420‧‧‧未硬化樹脂層 450‧‧‧轉印膜 A,R‧‧‧箭頭 X‧‧‧區域 X1,X2‧‧‧邊界面
圖1係表示與本發明一實施形態有關之轉印用積層體之結構的剖面圖。 圖2係表示由構成與同實施形態有關之轉印用積層體之光學體的一部分被轉印至被黏體的狀態的說明圖。 圖3係用以說明與同實施形態有關之初始90度剝離力及包含撕裂之90度剝離力的平面圖。 圖4係表示與同實施形態有關之90度剝離力之時間變化的圖表。 圖5係表示與同實施形態有關之母盤外觀例的透視圖。 圖6係表示與同實施形態有關之曝光裝置之構成例的方塊圖。 圖7係表示以輥對輥方式製造與同實施形態有關之轉印體的轉印裝置之例的示意圖。
20‧‧‧轉印用積層體
30‧‧‧轉印體
31‧‧‧基材膜
32‧‧‧微細凹凸結構
32a‧‧‧微細凸部
32b‧‧‧微細凹部
40‧‧‧光學體
41‧‧‧微細凹凸結構
41a‧‧‧微細凸部
41b‧‧‧微細凹部
50‧‧‧包覆體

Claims (9)

  1. 一種光學積層體，具有： 被黏體； 接著層，形成於該被黏體表面的至少一部分；及 光學體，透過該接著層接著於該被黏體， 在該光學體至少一側表面形成有微細凹凸結構，其凹凸以可見光波長以下之平均週期配置，且在該光學體的另一側表面設置有該接著層， 在將該光學體從具有與該光學體之該微細凹凸結構嵌合之反轉凹凸結構的轉印體剝除時，其初始90度剝離力為該光學體與該接著層之90度剝離力的70%以下。
  2. 如請求項1之光學積層體，其中該光學體係剝離自轉印用積層體者； 該轉印用積層體具有：該光學體；該轉印體；及包覆體，其包覆在該光學體表面中未設置該轉印體之側的表面； 該光學體與該包覆體之90度剝離力小於包含撕裂該光學體之該光學體與該轉印體之90度剝離力。
  3. 一種光學積層體，具有： 被黏體； 接著層，形成於該被黏體表面的至少一部分；及 光學體，透過該接著層接著於該被黏體， 在該光學體至少一側表面形成有微細凹凸結構，其凹凸以可見光波長以下之平均週期配置，且在該光學體的另一側表面形成有該接著層， 該光學體與該接著層之90度剝離力為13N/25mm以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之光學積層體，其中該光學體與該接著層的總厚度為15μm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之光學積層體，其中該接著層係由紫外線硬化性樹脂構成。
  6. 一種轉印用積層體，具有： 光學體，在至少一側表面形成有微細凹凸結構，其凹凸以可見光波長以下之平均週期配置； 轉印體，具有與該光學體之該微細凹凸結構嵌合之反轉凹凸結構；及 包覆體，其包覆在該光學體表面中未設置該轉印體之側的表面， 該光學體與該包覆體之90度剝離力小於包含撕裂該光學體之該光學體與該轉印體之90度剝離力。
  7. 如請求項6之轉印用積層體，其中該反轉凹凸結構的表面施行了脫模處理。
  8. 一種光學積層體之製造方法，包含下述步驟： 製作具有光學體及轉印體之轉印用積層體之步驟，其中在該光學體至少一側表面形成有凹凸以可見光波長以下之平均週期配置的微細凹凸結構，且該轉印體具有與該光學體之該微細凹凸結構嵌合之反轉凹凸結構； 在被黏體表面的至少一部分形成未硬化接著層之步驟； 將該轉印用積層體按壓至該被黏體以使該光學體的露出面接觸該未硬化接著層之步驟； 使該未硬化接著層硬化之步驟；及 從該轉印體剝除該光學體之步驟， 在將該光學體從該轉印體剝除時，其初始90度剝離力為該光學體與該接著層之90度剝離力的70%以下。
  9. 如請求項8之光學積層體之製造方法，其中該轉印用積層體更具有包覆體，其包覆在該光學體表面中未設置該轉印體之側的表面； 在該光學積層體之製造方法中，在從該轉印用積層體剝除該包覆體後，將該轉印用積層體按壓至該被黏體； 該光學體與該包覆體之90度剝離力小於包含撕裂該光學體之該光學體與該轉印體之90度剝離力。
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