JP2019206733A - 蒸発源装置、蒸着装置、および蒸着システム - Google Patents
蒸発源装置、蒸着装置、および蒸着システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019206733A JP2019206733A JP2018102198A JP2018102198A JP2019206733A JP 2019206733 A JP2019206733 A JP 2019206733A JP 2018102198 A JP2018102198 A JP 2018102198A JP 2018102198 A JP2018102198 A JP 2018102198A JP 2019206733 A JP2019206733 A JP 2019206733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation source
- vapor deposition
- cooling
- container
- source device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 124
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 121
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 153
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 108
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 27
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明の別の一側面としての蒸発源装置は、蒸着材料をそれぞれ収容する複数の容器と、複数の冷却部材と、前記複数の容器のそれぞれの開口から放出される蒸着材料の放射角度を一定の角度以下にそれぞれ制限する複数の制限部材と、を備える蒸発源装置であって、前記複数の制限部材のそれぞれは、前記冷却部材のそれぞれと対向する対向面を有し、前記複数の容器のそれぞれについて、前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、前記複数の冷却部材のそれぞれは、前記複数の容器のそれぞれの少なくとも一部を挟むように配置され、前記複数の制限部材のそれぞれは、前記複数の冷却部材のそれぞれの少なくとも一部を挟むに配置され、前記複数の容器は並んで配置されて
おり、隣り合う2つの前記容器のそれぞれに対応する2つの前記制限部材は、対向して配置されることを特徴とする。
<真空装置の概略構成>
図1は、蒸着装置(成膜装置)100の構成を示す模式図である。蒸着装置100は、真空チャンバ200を有する。真空チャンバ200の内部は、減圧雰囲気に維持される。真空チャンバ200の内部には、被処理体設置台(基板ホルダ)210によって保持された被処理体である基板10と、マスク220と、蒸発源装置240が設けられる。被処理体設置台210は、基板10を載置するための受け爪などの支持具や、基板を押圧保持するためのクランプなどの押圧具を備え、基板を保持する。
0を加熱する加熱部430を備える。その他の各構成要素については、後ほど詳しく述べる。蒸着装置100は、蒸発源装置240の他に、蒸着材料242の放出を抑えるシャッタや、基板10に形成された膜の膜厚を計測するための膜厚モニタなどを備えていてよい(いずれも不図示)。また、蒸着装置100は、成膜を一様に行うために蒸発源装置240を移動させる、移動機構250を備えてもよい。移動機構250は、蒸発源装置240をXY方向、すなわち、基板10の基板面に平行な方向に移動させる機構であることが好ましいが、これに限定はされず、Z方向、すなわち基板10の基板面に垂直な方向に移動させる機構であってもよい。移動機構250は、蒸発源装置240を搭載できる構成が好ましい。なお、図1における蒸発源装置240の各構成要素の形状、位置関係、サイズ比は例示にすぎない。
される蒸着材料242は、蒸着材料242の気体(蒸気)であり、この蒸気は加熱部430によって加熱されている。複数の容器に別種の蒸着材料をそれぞれ収容しておくことで、共蒸着を行うことも可能である。
図2(a)は、本実施形態の蒸発源装置240の構成を説明するための概略断面図である。図2(b)は、線状の蒸発源装置240の概略上面図であり、図2(c)は、点状の蒸発源装置240の概略上面図である。図2(b)、(c)のA−A断面が、図2(a)で示されている。なお、A−A断面は、後述する容器400の開口401の開口面の法線方向を含み、制限部材410の冷却部材420と対向する対向面に垂直な断面である。図2(a)〜(c)の図1と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
は、モリブデンで構成されるが、タングステン、イリジウム、ルデニウム等の材料で構成されてもよい。また、反射部材440は、複数枚で構成され、それぞれの反射部材の間に空間を設ける構造としてもよい。
などによって組み合わせて構成されてもよい。制限部材410を構成する複数の部品は、制限部材410のうちの蒸気の制限をする部分(制限部)を構成する部品と、制限部材410のうちの冷却部材420で冷却される部分(基部、冷却部)を構成する部品とを含みうる。これらの部品は、制限部が基部を介して冷却部材420で冷却されるように、複数の部品が熱的に接続されていればよい。
図3に示す本実施例の蒸発源装置240は、容器400の高さ方向に対して、制限部材の構成が実施例1と異なる例を示す。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。図3に示すように、容器400を以下のように分けて説明する。ノズル部400(a)は、開口401を形成し、容器400の面(第1の面)に突出して設けられる領域である。収容部400(c)は、固体状態または液体状態の蒸着材料を収容する領域である。蒸発部400(b)は、ノズル部400(a)と収容部400(c)の間に位置し、気体状態の蒸着材料を収容する領域である。蒸発部400(b)は、収容部400(c)と連通しており、収容部400(c)で生じた気体状態の蒸着材料が移動可能に構成されている。なお、図3は図2(a)と同様に、容器400の開口401の開口面の法線方向を含み、制限部材412の冷却部材420と対向する対向面に垂直な断面(A−A断面)を示している。
400(c)に対向する第2の加熱部430(b)に分かれた構成となっている。このような構成にすることにより、蒸発部400(b)への加熱温度と収容部400(c)への加熱温度とを個別に調節することが可能となる。
図4に示す本実施例の蒸発源装置240は、容器400のノズル部400(a)周辺の制限部材の構成が実施例1、2と異なる例を示す。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。冷却部材420を以下のように分けて説明する。対向部420(a)は、ノズル部400(a)が配置される容器400の上面である面(第1の面)に対向して配置される領域である。側面部420(b)は、容器400の側面に対向して配置される領域である。底面部420(c)は、容器400の底面に対向して配置される領域である。なお、図4は図2(a)と同様に、容器400の開口401の開口面の法線方向を含み、制限部材414の冷却部材420と対向する対向面に垂直な断面(A−A断面)を示している。
図5に示す本実施例の蒸発源装置240は、蒸発部400(b)と収容部400(c)をつなぐ中間部400(d)を設ける例を示す。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。なお、図5は図2(a)と同様に、容器400の開口401の開口面の法線方向を含み、制限部材416の冷却部材420と対向する対向面に垂直な断面(A−A断面)を示している。
本実施例の蒸発源装置240は、容器400を複数設ける例を示す。図6に示すように、蒸発源装置240は、実施例4での蒸発源装置が2つ並べられた構成を有している。なお、図6は図2(a)と同様に、容器400の開口401の開口面の法線方向を含み、制限部材416の冷却部材420と対向する対向面に垂直な断面(A−A断面)を示している。
る配線等(不図示)を収納することができる。この移動機構250が移動されることで、蒸発源装置240を移動しながら、蒸着することが可能となる。
<有機電子デバイスの製造方法の具体例>
本実施形態では、蒸発源装置を備える蒸着装置(蒸着装置)を用いた有機電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、有機電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成および製造方法を例示する。まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図7(a)は有機EL表示装置60の全体図、図7(b)は1画素の断面構造を表している。本実施形態の蒸着装置が備える蒸発源装置240としては、上記の各実施形態にいずれかに記載の装置を用いる。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板63を準備する。
こで、本ステップでの成膜や、以下の各レイヤーの成膜において用いられる蒸着装置は、上記各実施形態のいずれかに記載された蒸発源装置を備えている。
前記容器は、固体状態または液体状態の前記蒸着材料を収容する収容部と、前記開口と前記収容部との間に配置され、前記収容部と連通し、気体状態の前記蒸着材料を収容する蒸発部と、前記収容部と前記蒸発部との間に配置され、前記収容部および前記蒸発部のそれぞれと連通する中間部と、を有し、前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、前記冷却部材は、前記容器の少なくとも一部を挟むように配置され、前記制限部材は、前記冷却部材の少なくとも一部を挟むように配置され、前記中間部の幅は、前記蒸発部の幅および前記収容部の幅よりも小さいことを特徴とする。
本発明の別の一側面としての蒸発源装置は、蒸着材料をそれぞれ収容する複数の容器と、複数の冷却部材と、前記複数の容器のそれぞれの開口から放出される蒸着材料の放射角度を一定の角度以下にそれぞれ制限する複数の制限部材と、を備える蒸発源装置であって、前記複数の制限部材のそれぞれは、前記冷却部材のそれぞれと対向する対向面を有し、前記複数の容器のそれぞれについて、前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、前記複数の冷却部材のそれぞれは、前記複数の容器のそれぞれの少なくとも一部を挟むように配置され、前記複数の制限部材のそれぞれは、前記複数の冷却部材のそれぞれの少なくとも一部を挟むように配置され、前記複数の容器は並んで配置されており、隣り合う2つの前記容器のそれぞれに対応する2つの前記制限部材は、対向して配置されることを特徴とする。
本発明の別の一側面としての蒸発源装置は、蒸着材料を収容する容器と、冷却部材と、前記容器の開口から放出される蒸着材料の放射角度を一定の角度以下に制限する制限部材と、を備える蒸発源装置であって、前記制限部材は、前記冷却部材と対向する対向面を有し、前記冷却部材は、前記蒸発部の少なくとも一部を取り囲む第1の冷却部と、前記収容部の少なくとも一部を取り囲む第2の冷却部と、を有し、前記容器は、固体状態または液体状態の前記蒸着材料を収容する収容部と、前記開口と前記収容部との間に配置され、前記収容部と連通し、気体状態の前記蒸着材料を収容する蒸発部と、を含み、前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、前記冷却部材は、前記容器の少なくとも一部を挟むように配置され、前記制限部材は、前記冷却部材の少なくとも一部を挟むように配置され、前記蒸発部の前記対向面に垂直な方向の幅は、前記収容部の前記対向面に垂直な方向の幅よりも小さく、前記第1の冷却部の前記対向面に垂直な方向における幅は、前記第2の冷却部の前記対向面に垂直な方向における幅よりも小さいことを特徴とする。
本発明の別の一側面としての蒸発源装置は、蒸着材料を収容する容器と、冷却部材と、前記容器の開口から放出される蒸着材料の放射角度を一定の角度以下に制限する制限部材と、を備える蒸発源装置であって、前記制限部材は、前記冷却部材と対向する対向面を有し、前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、前記冷却部材は、前記容器の少なくとも一部を挟むように配置され、前記制限部材は、前記冷却部材の少なくとも一部を挟むように配置され、前記容器は、前記開口を形成するノズル部を含み、前記ノズル部は、前記容器の第1の面に対して突出して設けられ、前記冷却部材は、前記容器の前記第1の面に対向して配置される対向部を含み、前記制限部材は、前記対向部に対向するように延在する延在部を含むことを特徴とする。
本発明の別の一側面としての蒸発源装置は、蒸着材料を収容する容器と、冷却部材と、前記容器の開口から放出される蒸着材料の放射角度を一定の角度以下に制限する制限部材と、を備える蒸発源装置であって、前記制限部材は、前記冷却部材と対向する対向面を有し、前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、前記冷却部材は、前記容器の少なくとも一部を挟むように配置され、前記制限部材は、前記冷却部材の少なくとも一部を挟むように配置され、前記容器は、固体状態または液体状態の前記蒸着材料を収容する収容部と、前記開口と前記収容部との間に配置され、前記収容部と連通し、気体状態の前記蒸着材料を収容する蒸発部と、を含み、前記容器の前記収容部には、前記蒸着材料を収容するための坩堝部材と、前記坩堝部材の上部に配置された仕切部材が配置されることを特徴とする。
Claims (23)
- 蒸着材料を収容する容器と、
冷却部材と、
前記容器の開口から放出される蒸着材料の放射角度を一定の角度以下に制限する制限部材と、を備える蒸発源装置であって、
前記制限部材は、前記冷却部材と対向する対向面を有し、
前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、
前記冷却部材は、前記容器の少なくとも一部を挟むように配置され、
前記制限部材は、前記冷却部材の少なくとも一部を挟むように配置される
ことを特徴とする蒸発源装置。 - 前記制限部材は、前記冷却部材により冷却される
ことを特徴とする請求項1に記載の蒸発源装置。 - 前記制限部材は、前記冷却部材と熱的に接続されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載の蒸発源装置。 - 前記制限部材は、前記制限部材を前記冷却部材に対して固定する固定部材を介して、前記冷却部材と熱的に接続されている
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記冷却部材は、前記容器の少なくとも一部を取り囲むように配置されている
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記容器は、固体状態または液体状態の前記蒸着材料を収容する収容部と、前記開口と前記収容部との間に配置され、前記収容部と連通し、気体状態の前記蒸着材料を収容する蒸発部と、を含み、
前記制限部材は、前記蒸発部の少なくとも一部および前記冷却部材の少なくとも一部を挟むように配置されている
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記容器は、前記収容部と前記蒸発部との間に配置され、前記収容部および前記蒸発部のそれぞれと連通する中間部をさらに含む
ことを特徴とする請求項6に記載の蒸発源装置。 - 前記制限部材は、前記冷却部材と対向する対向面を有し、
前記冷却部材は、前記蒸発部の少なくとも一部を取り囲む第1の冷却部と、前記収容部の少なくとも一部を取り囲む第2の冷却部と、を有し、
前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、
前記蒸発部の前記対向面に垂直な方向の幅は、前記収容部の前記対向面に垂直な方向の幅よりも小さく、
前記第1の冷却部の前記対向面に垂直な方向における幅は、前記第2の冷却部の前記対向面に垂直な方向における幅よりも小さい
ことを特徴とする請求項6または7に記載の蒸発源装置。 - 前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、
前記制限部材の前記蒸発部の少なくとも一部を挟む部分の前記対向面に垂直な方向における間隔は、前記第2の冷却部の前記対向面に垂直な方向における幅よりも小さい
ことを特徴とする請求項8に記載の蒸発源装置。 - 前記容器を加熱する加熱部をさらに備え、
前記加熱部は、前記容器と前記冷却部材との間に配置される
ことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記容器を加熱する加熱部をさらに備え、
前記加熱部は、第1の加熱部と第2の加熱部とを含み、
前記第1の加熱部は、前記蒸発部に対向するように配置され、
前記第2の加熱部は、前記収容部に対向するように配置され、
前記第1の加熱部および前記第2の加熱部は、前記容器と前記冷却部材との間に配置されることを特徴とする請求項6から9のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記第1の加熱部は、前記第2の加熱部よりも高い温度で制御される
ことを特徴とする請求項11に記載の蒸発源装置。 - 前記加熱部の温度が250℃以上1400℃以下となるように制御される
ことを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記加熱部と前記冷却部材との間に配置され、前記加熱部からの熱を反射する反射部材をさらに備え、
前記反射部材は、前記冷却部材により冷却される
ことを特徴とする請求項10から13のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記反射部材はモリブデンにより構成され、前記容器はタンタルにより構成され、前記制限部材は、ステンレスにより構成される
ことを特徴とする請求項14に記載の蒸発源装置。 - 前記制限部材は、前記冷却部材の表面に沿って取り外し可能に設けられている
ことを特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記容器は、前記開口を形成するノズル部を含み、
前記ノズル部は、前記容器の第1の面に対して突出して設けられ、
前記冷却部材は、前記容器の前記第1の面に対向して配置される対向部を含み、
前記制限部材は、前記対向部に対向するように延在する延在部を含む
ことを特徴とする請求項1乃至16のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記冷却部材は、前記冷却部材の内部に、冷却用の液体を流動させるための流路が設けられている
ことを特徴とする請求項1から17のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 前記容器は、前記開口を複数有する
ことを特徴とする請求項1から18のいずれか一項に記載の蒸発源装置。 - 蒸着材料をそれぞれ収容する複数の容器と、
複数の冷却部材と、
前記複数の容器のそれぞれの開口から放出される蒸着材料の放射角度を一定の角度以下にそれぞれ制限する複数の制限部材と、を備える蒸発源装置であって、
前記複数の制限部材のそれぞれは、前記冷却部材のそれぞれと対向する対向面を有し、
前記複数の容器のそれぞれについて、前記開口の開口面の法線方向を含み、前記対向面に垂直な断面において、
前記複数の冷却部材のそれぞれは、前記複数の容器のそれぞれの少なくとも一部を挟むように配置され、
前記複数の制限部材のそれぞれは、前記複数の冷却部材のそれぞれの少なくとも一部を挟むに配置され、
前記複数の容器は並んで配置されており、
隣り合う2つの前記容器のそれぞれに対応する2つの前記制限部材は、対向して配置される
ことを特徴とする蒸発源装置。 - 請求項1から20のいずれか一項に記載の蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、蒸着が行われる真空チャンバと、を備える
ことを特徴とする蒸着装置。 - 前記蒸着装置は、前記蒸発源装置が搭載される移動機構を有し、
前記移動機構を移動させて蒸着を行う
ことを特徴とする請求項21に記載の蒸着装置。 - 各々が請求項1から請求項20のいずれか一項の蒸発源装置を備える複数の蒸着装置と、
前記複数の蒸着装置が接続される基板搬送装置と、を備える蒸着システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018102198A JP6686069B2 (ja) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 蒸発源装置、蒸着装置、および蒸着システム |
KR1020180125114A KR102590304B1 (ko) | 2018-05-29 | 2018-10-19 | 증발원 장치, 증착 장치 및 증착 시스템 |
CN201811362781.3A CN110541146B (zh) | 2018-05-29 | 2018-11-16 | 蒸发源装置、蒸镀装置及蒸镀系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018102198A JP6686069B2 (ja) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 蒸発源装置、蒸着装置、および蒸着システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019206733A true JP2019206733A (ja) | 2019-12-05 |
JP6686069B2 JP6686069B2 (ja) | 2020-04-22 |
Family
ID=68701307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018102198A Active JP6686069B2 (ja) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 蒸発源装置、蒸着装置、および蒸着システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6686069B2 (ja) |
KR (1) | KR102590304B1 (ja) |
CN (1) | CN110541146B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7346329B2 (ja) | 2020-02-28 | 2023-09-19 | 株式会社アルバック | 材料供給装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109321883B (zh) * | 2018-10-15 | 2020-10-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种蒸镀机 |
CN112011762B (zh) * | 2020-07-28 | 2023-05-23 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种蒸镀装置 |
JP7242626B2 (ja) * | 2020-12-10 | 2023-03-20 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214120A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Sony Corp | 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法 |
JP2007186787A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-07-26 | Hitachi Displays Ltd | 蒸着坩堝並びにこれを備えた薄膜形成装置、及び表示装置の製造方法 |
JP2011049163A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-03-10 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子用材料入り容器、並びに、有機電界発光素子用材料、蒸着膜及びその製造方法、有機電界発光素子、及び容器のスクリーニング方法 |
JP2012207238A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸着方法および蒸着装置 |
JP2014015637A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸着装置 |
JP2018003122A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸着装置及び蒸発源 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2967784B2 (ja) * | 1989-12-11 | 1999-10-25 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法及びその装置 |
JP4490160B2 (ja) | 2004-05-13 | 2010-06-23 | 株式会社アルバック | 有機薄膜の成膜装置 |
JP4728882B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2011-07-20 | 長州産業株式会社 | 薄膜堆積用分子線源用坩堝の製造方法 |
JP2009064631A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置の製造装置 |
KR101224773B1 (ko) * | 2012-02-23 | 2013-01-21 | 박철수 | 유도가열 방식을 이용한 초고속 진공 증착기 |
JP6641226B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2020-02-05 | キヤノントッキ株式会社 | 真空蒸着装置並びに蒸発源の冷却方法 |
-
2018
- 2018-05-29 JP JP2018102198A patent/JP6686069B2/ja active Active
- 2018-10-19 KR KR1020180125114A patent/KR102590304B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-16 CN CN201811362781.3A patent/CN110541146B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214120A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Sony Corp | 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法 |
JP2007186787A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-07-26 | Hitachi Displays Ltd | 蒸着坩堝並びにこれを備えた薄膜形成装置、及び表示装置の製造方法 |
JP2011049163A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-03-10 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子用材料入り容器、並びに、有機電界発光素子用材料、蒸着膜及びその製造方法、有機電界発光素子、及び容器のスクリーニング方法 |
JP2012207238A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸着方法および蒸着装置 |
JP2014015637A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸着装置 |
JP2018003122A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸着装置及び蒸発源 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7346329B2 (ja) | 2020-02-28 | 2023-09-19 | 株式会社アルバック | 材料供給装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6686069B2 (ja) | 2020-04-22 |
KR20190135901A (ko) | 2019-12-09 |
CN110541146B (zh) | 2023-08-01 |
KR102590304B1 (ko) | 2023-10-16 |
CN110541146A (zh) | 2019-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6686069B2 (ja) | 蒸発源装置、蒸着装置、および蒸着システム | |
JP5502092B2 (ja) | 蒸着方法および蒸着装置 | |
KR101597887B1 (ko) | 증착 방법 및 증착 장치 | |
JP6436544B1 (ja) | 蒸発源装置およびその制御方法 | |
KR20130113302A (ko) | 진공 증착 방법 및 그 장치 | |
JP6429491B2 (ja) | 蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2014065973A (ja) | 蒸着粒子射出装置および蒸着装置 | |
KR102638573B1 (ko) | 증발원 장치 및 증착 장치 | |
TW201814073A (zh) | 爐床單元、蒸發源及成膜裝置 | |
JP2014189878A (ja) | 蒸着装置 | |
JP7241604B2 (ja) | 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
JP6556802B2 (ja) | 真空装置、蒸着装置及びゲートバルブ | |
JP7314209B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源ユニット | |
JP7241603B2 (ja) | 加熱装置、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
JP7088891B2 (ja) | 蒸発源装置及び蒸着装置 | |
JP7202971B2 (ja) | 蒸発源装置、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
JP7314210B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源ユニット | |
JP7291197B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源ユニット | |
JP2023013263A (ja) | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源 | |
JP2023006678A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2024063338A (ja) | 蒸発源、成膜装置、及び成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181026 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20181026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190221 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190827 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200303 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6686069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |