KR101224773B1 - 유도가열 방식을 이용한 초고속 진공 증착기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공의 챔버 내에서 기판에 금속 및 산화물의 소스를 불순물이 거의 없는 고진공 상태 (증착시 압력 : 10-6 Torr이하)에서 초고속 증착속도(50Å/Sec ~ 5㎛/Sec)로 진공 증착을 실현 가능하게 한 진공 증착기에 대한 것이다.
상기의 초고속 증착속도를 구현하기 위하여 도가니 히터와 도가니가 분리된 이중 구조의 히팅 방식으로 고안된 가열부와 가열부의 외각과 유도가열 코일 사이에 위치하여 열손실을 최소화하고 보온효과를 극대화시킬 수 있는 구조 및 재질의 다중 다층구조의 단열부, 단열부 외각을 감도록 위치한 유도가열코일, 및 유도가열코일의 외부를 둘러싼 유도전류 차단용 칸막이, 및 유도가열코일의 외각을 냉각하기 위한 냉각장치를 포함하고, 유도가열방식에 의해 가열된 도가니히터 및 도가니의 열손실을 최소화하고 단열 및 보온을 최대화하여, 초고속의 증착률(50Å/Sec ~ 5㎛/Sec)로 금속 및 산화물 소스를 진공 증착시킬 수 있는 유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기이다.

Description

유도가열 방식을 이용한 초고속 진공 증착기{A superhigh speed vacuum evaporator using induction coil}
본 발명은 기존의 진공 증착 방식으로는 현실적으로 구현하지 못했던 초고속의 증착속도(50Å/sec ~ 5㎛/Sec)를 구현할 수 있는 진공 증착기에 관한 것으로, 유도가열방식을 이용하여 금속 및 산화물에 대하여 불순물이 거의 없는 고진공 상태(10-6 Torr이하)에서 초고속으로 진공 증착할 수 있는 진공 증착기에 관한 것이다.
진공 챔버부, 도가니를 고온까지 승온시킬 수 있는 도가니 히터와 금속 및 산화물 소스를 포용하는 도가니로 구성된 이중 구조 히팅 방식의 가열부, 도가니 히터와 유도가열코일 사이에 2층 이상의 다중 다층구조의 단열부, 유도가열코일의 외각을 둘러싼 유도전류 차폐용 칸막이 및 유도가열코일과 유도전류 차폐용 칸막이 외곽을 냉각하기 위한 냉각부를 통하여 증착속도를 획기적으로 증가시킨 유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기에 관한 것이다.
현재까지 금속 및 산화물을 진공상태에서 증착할 수 있는 진공증착 방법에는 PVD(Physical Vapor Deposition)와 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 크게 구분되고 PVD 방식으로는 Electron Beam Evaporator(전자빔 증착방식), Magnetron Sputtering(스퍼터링 증착방식), Thermal Evaporator(저항가열 증착방식), Ion Plating, 기타로 이루어지고 CVD 방식으로는 Plasma Enhanced CVD, Metal Organic CVD, Low Pressure CVD, 기타 등으로 이루어진다.
상기의 다양한 종류의 진공 증착기들은 오래전부터 보편화되어 국내 및 전 세계적으로 상용화하여 사용하고 있으나 상기의 모든 진공 증착기는 증착하는 물질에 따라 다소 차이는 있지만, 단일 증착 소스부로 최대 20 ~ 60Å/sec이하의 낮은 증착속도를 가진다.
상기의 일반적인 진공 증착기는 반도체, Display, LED, Solar-Cell등 제조에 사용되는 것으로써 박막(Thin Film ; 최대 약3㎛이하의 박막)의 증착을 위한 용도로 사용되고 있고, 그 외의 후막(Thick Film ; 약 3㎛이상)이 필요한 공정에 대해서는 기존 진공 증착기의 낮은 증착속도로 인하여 후막의 증착을 위하여 엄청난 증착시간과 인력 및 증착기의 대수를 늘림으로써 그 문제점을 극복하는 방법밖에 없는 것이 현실이었다.
금속 후막 증착의 경우 습식으로 도금을 하는 경우도 있지만 도금이 가능한 물질도 금(Au), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 아연(Zn) 등의 몇 가지 금속에 대해서 한정되어 있을 뿐 아니라 도금하여 성장된 금속막은 진공상태가 아닌 대기압 상태에서 작업이 이루어지므로 불순물이 매우 많이 함유되어 있어 막질의 상태가 매우 불량하고, 그 막질 또한 매우 다공성(Porus)이고 도금 후에도 세척이 원활하지 않아 오염이 심각하여 PCB 제조 등을 제외한 반도체, LED, Solar-Cell, Display등의 진공기반의 클린(Clean) 공정에는 습식도금의 단점으로 인하여 적용하지 못하고 있는 현실이다.
본원 발명인 초고속 진공 증착기는 금속 및 산화물에 대하여 불순물이 거의 없는 고진공(증착시 압력 : 10-6 Torr이하)상태에서 진공 증착하여 양질의 박막 및 후막의 막(Film)을 구현할 수 있으며 기존의 진공 증착기에 비하여 획기적으로 증착속도((50Å/sec ~ 5㎛/Sec)를 향상시킨 초고속의 증착속도를 가진 진공 증착기이다.
상기한 바와 같은 기존의 진공 증착기의 문제점(낮은 증착속도)을 해결하기 위하여 진공 챔버 내에 증착 소스부의 구조(이중 구조 히팅 방식의 가열부, 다중 다층구조의 단열부, 및 단열부 외곽을 감싸도록 위치한 유도가열코일, 유도가열코일의 외곽부위를 냉각하기 위한 냉각부)및 형상, 소재(재질) 등의 특징을 활용하여 일반적인 진공 증착기에서 구현할 수 없는 초고속의 증착속도(50Å/Sec ~ 5㎛/Sec)를 구현할 수 있는 유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기를 제공하고자 한다.
또한, 현재 습식도금에 의존하던 종래의 재래적인 방식에서 벗어나 불순물이 없는 고진공(증착시 압력 : 10-6 Torr이하)상태에서 진공 증착하며, 그 증착 속도 또한 초고속의 증착속도(50Å/Sec ~ 5㎛/Sec)를 구현할 수 있는 진공 증착기를 제공하고자 한다.
본 유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기를 통하여 기존 진공 증착기의 낮은 증착속도로 인하여 두꺼운 후막의 진공 증착을 하기 위하여 필요한 시간적인 손실, 진공 증착기의 장시간 증착으로 인한 고장, 수명단축 및 진공 증착기의 증설에 대한 설비의 도급비용, 그와 관련된 인력의 손실 등을 획기적으로 줄이고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 진공의 챔버 내에서 기판에 금속 및 산화물 소스를 증착하기 위한 유도가열방식의 초고속 진공 증착기에 있어서, 상기 소스를 수용하는 이중 구조 히팅 방식의 가열부; 상기 가열부의 외곽에 위치한 다중 다층구조의 단열부; 상기 단열부 외곽을 감도록 위치한 유도가열코일; 및 상기 유도가열코일의 외곽을 냉각하기 위한 냉각장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 초고속 진공 증착기를 제공한다.
또한, 상기 초고속 진공 증착기의 진공 증착속도가 50Å/Sec 내지 5㎛/Sec인 것이 바람직하다.
또한, 상기 가열부는, 소스를 수용하는 도가니; 및 상기 도가니의 외곽에 위치하고, 상기 유도가열코일에 의하여 유도가열 방식에 따라 가열되는 도가니 히터를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도가니와 상기 도가니 히터의 접촉면적이 30%이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 도가니는 PBN(Pyrolytic Boron Nitride), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 및 탄탈(Ta) 중 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도가니 히터는 탄소계(C, Graphite, SiC), 규소(Si), 및 금속계(W, Mo, Ta, Pt) 중 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 단열부는, 상기 도가니 히터에서 발생되는 열이 상기 유도가열코일에 전달되는 것을 차단하는 제 1 차 단열층; 및 상기 도가니 히터의 복사열을 차단하기 위한 제 2 차 단열층을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 단열부는, 상기 도가니 히터 및 상기 유도가열 코일 사이에 위치하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1 차 단열층은 산화물 소재(산화알루미늄, 사파이어, 석영), PBN, ALN, 및 BN을 단열체로 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 2 차 단열층은 가시광 범위에서 불투명한 소재를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유도가열코일에 0.5Hz 내지 50MHz 범위의 주파수를 갖는 전류를 인가하여 유도가열방식으로 상기 도가니 히터를 가열하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유도가열코일과 상기 냉각장치 사이에 위치하며, 석영소재 또는 산화알루미늄으로 제조된 유도전류 차폐용 칸막이를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 도가니는 상기 제 1 차 단열층 상부를 덮는 것이 바람직하다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본원 발명인 유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기는 기존의 일반적인 진공 증착기에 비하여 획기적인 증착속도의 증가를 제공한다.
기존의 진공 증착기의 증착속도(20 ~ 60Å/sec이하)와 본 증착기의 고속 증착속도(50Å/Sec ~ 5㎛/Sec)를 단순히 증착하는 시간만을 비교해도 획기적으로 증착시간을 단축할 수 있다.
예를 들어, 기존의 진공 증착기로 장시간 후막(약 0.15mm 의 Film을 증착할 경우)증착을 진행할 경우 진공펌핑 시간, 장시간 증착으로 인한 기판의 온도상승을 막기위한 기판 냉각시간 등의 시간을 제외하고 순수 증착시간만 산정시 최대의 증착속도인 60Å/sec의 증착속도로 증착할 경우를 생각하면 대략 6시간~ 18시간 소요되는데 반해 본 초고속 진공 증착기로 증착할 경우 수분 이내면 증착을 완료할 수 있다.
또한, 기존의 진공 증착기로 6시간 ~ 18시간을 연속적으로 증착할 경우, 그 증착 두께가 매우 얇은 박막 증착용이라는 증착기의 특성으로 인하여 증착 소스부 등의 내구성으로 인한 치명적인 문제가 발생하고, 장시간 증착으로 인하여 기판의 온도 상승 등의 문제(장시간 증착으로 인하여 기판의 온도가 일정온도 이상 상승시 기판의 온도에 대한 손상(Damage)을 막기 위하여 기판이 허용되는 온도까지 냉각하여야 하고 반복적으로 증착을 진행해야함)로 장시간의 연속적인 공정은 불가능하였다. 그러나, 본원 발명에 따른 초고속 진공 증착기는 증착 소스부의 견고한 구조와 빠른 증착속도로 증착을 하기 때문에 상기의 일반적인 진공 증착기의 문제점들을 모두 해결할 수 있다.
또한, 증착속도의 증가에 따라 금속 및 산화물 소스에 대하여 초고속 증착속도(50Å/Sec ~ 5㎛/Sec)로 짧은 시간 내에 박막 및 후막을 증착함은 물론이며 그 증착한 박막 및 후막의 질(Quality) 또한 불순물이 거의 없는 고진공(증착시 압력 : 10-6 Torr이하)상태에서 증착된 것으로써 반도체, LED, Solar-Cell, Display등의 진공기반의 클린(Clean) 공정에서 필요로 하는 막(Film)을 제공하는데 문제가 없다.
도 1은 본 발명에 따른 유도가열 방식을 이용한 초고속 증착속도(50Å/Sec ~ 5㎛/Sec)를 가진 진공 증착기의 중요부를 도시하는 단면도,
도 2a는 가열부, 단열부, 및 유도가열코일의 평면도,
도 2b은 가열부, 단열부, 및 유도가열코일의 단면도,
도 3a 및 3b는 첫번째 증착 실험으로써 구리(Cu)를 소스로 사용하여 1154Å/Sec 의 증착속도로 25분간 진공 증착하여 0.173mm두께의 구리(Cu) 후막을 증착한 사진,
도 3c는 도 3b의 증착된 구리(Cu) 후막의 두께를 디지털 마이크로미터로 측정한 사진,
도 4는 두번째 증착 실험으로써 구리(Cu)를 소스로 사용하여 1147Å/Sec의 증착속도로 25분간 진공 증착하여 0.172mm두께의 구리(Cu) 후막을 증착한 사진이다.
이하에서 사용되는 "기판"은 진공 증착기에 의해 금속 및 산화물 소스가 증착되는 피증착물로 정의한다.
이하에서 사용되는 "이중 구조 히팅 방식"은 소스를 수용하는 구성요소와 상기 소스를 수용하는 구성요소를 가열하는 구성요소를 포함하여 소스를 가열하는 방식으로 정의한다.
이하에서 사용되는 "다중 다층구조"는 2 이상의 층으로 이루어진 구조로 정의한다.
이하에서 사용되는 "초고속"은 약 50Å/Sec 내지 5㎛/Sec 의 속도를 의미하도록 정의한다.
유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기의 구조의 설명
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 따른 초고속 증착속도(50Å/Sec 내지 5㎛/Sec)를 가진 유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기를 상세히 설명한다.
도 1에 도시된 것과 같이, 본 발명은 소스(20)를 수용하는 이중 구조 히팅 방식의 가열부(100), 가열부(100)의 외곽에 위치한 다중 다층구조의 단열부(200), 단열부(200) 외곽을 감도록 위치한 유도가열코일(300), 및 유도가열코일(300)의 외곽을 냉각하기 위한 냉각장치(400)를 포함한다.
가열부(100)는 도가니(110) 및 도가니 히터(120)를 포함한다.
도가니(110)는 도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같이, 소스(20)를 수용하기 위한 형상을 갖는다.
도가니(110)는 일례로서 아래로 갈수록 좁아지는 형태일 수 있으나, 소스(20)를 수용 가능한 어떠한 형태도 가능하다.
바람직하게, 도가니는(110)는 PBN(Pyrolytic Boron Nitride), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 및 탄탈(Ta) 중 어느 하나로 제조된다. 또한, 상기 재료들 중의 둘 이상을 조합하여 제조될 수 있다. 위의 재료들을 사용하는 경우 소스(20)를 충분히 고온으로 가열하는 것이 가능하다.
또한, 도가니(110)는 일례로서 위를 향할수록 개구부가 넓어지는 형태일 수 있으며, 이 경우 최대한의 증착각도를 확보하는 것이 가능하다.
바람직하게, 도가니(110)의 상단부는 제 1 차 단열층(210)의 상부를 덮을 수 있도록 형성된다.
도가니 히터(120)는 유도가열코일(300)에 의해 가열된다.
상세하게는, 가열부(100) 및 단열부(200)를 둘러싸고 있는 유도가열코일(300)에 의해 유도된 2차 전류가 도가니 히터(120)에 흘러 발생되는 줄열(Joule heat)을 이용하여 가열된다.
바람직하게, 도가니 히터(120)는 탄소계(C, Graphite, SiC 등), 규소(Si), 및 금속계(W, Mo, Ta, Pt 등) 등 중 어느 하나 또는 어느 하나 이상의 조합으로 제작될 수 있다.
유도가열코일(300)에 의해 가열된 도가니 히터(120)는 도가니(110)를 접촉에의한 전도 및 복사열에 의해 가열한다.
바람직하게, 도가니 히터(120)와 도가니(110)의 접촉면적은 30%이상이다.
단열부(200)는 제 1 단열층(210), 및 제 2 단열층(220)을 포함할 수 있다.
제 1 차 단열층(210)은 도가니 히터(120)에서 발생되는 열이 유도가열코일(300)에 전달되는 것을 차단하는 역할과 도가니 히터(120)의 외부 열 복사로 인한 열손실을 최소화하는 역할을 한다.
제 2 차 단열층(220)은 도가니 히터(120)와 제 1 차 단열층(210) 사이에 위치하여 도가니 히터(120)의 열손실을 줄이는 역할과 도가니 히터(120)의 열을 보온시키는 역할을 한다.
바람직하게, 제 2 차 단열층(220)은 가시광 범위에서 불투명한 소재를 사용하여 제조된다.
유도가열코일(300)은, 유도가열방식으로 도가니 히터(120)가 도가니(110)를 가열하도록 2차 전류가 도가니히터(120)에 흐르게 유도한다.
바람직하게, 유도가열코일(300)에 0.5Hz 내지 50MHz 범위의 주파수를 갖는 전류가 인가되어 도가니 히터(120)를 유도가열방식으로 가열한다.
냉각장치(400)는 도 1에 도시된 바와 같이 유도가열코일(300)의 외곽을 둘러싸도록 위치할 수 있다. 이를 통해 진공챔버(700)의 온도 상승을 방치한다.
냉각장치(400)는 일례로서 냉각수(410)를 이용할 수 있으나, 증착과정에서 진공챔버(700)의 과도한 온도상승을 방지할 수 있는 어떠한 구조 및 형태로도 제작될 있다.
일례로서, 본 발명에 따른 유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기는 유도전류 차폐용 칸막이(500)를 더 포함할 수 있다.
유도전류 차폐용 칸막이(500)는 도 1 에 도시된 바와 같이, 일례로서 유도가열코일(300)과 냉각장치(400) 사이에 위치하여, 유도가열코일(300)로부터 유도되는 유도전류를 차폐한다.
바람직하게, 유도전류 차폐용 칸막이(500)는 불투명 석영소재 또는 산화알루미늄으로 제조된다.
일례로서, 본 발명에 따른 유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기는 셔터(610, 620)를 더 포함할 수 있다.
셔터(610, 620)는 도 1에 도시된 바와 같이, 일례로서 제 1 셔터(610)와 제 2 셔터(620)를 포함할 수 있다. 셔터(610, 620)는 예열과정에서 진공챔버(700), 및 기판(10)의 온도상승을 방지한다.
제 1 셔터(610)는 냉각장치(400)의 상단 개구부를 막도록 위치할 수 있으며, 제 2 셔터(620)는 기판(10)과 소정거리 이격되어 하단에 위치할 수 있다.
위와 같이, 가열부(100), 및 단열부(200)의 구조 및 재질, 형상을 통하여 증착속도를 획기적으로 향상시킨바 실제 증착속도에 따른 증착결과물을 하기의 작동방법의 설명에서 실시예를 통해 설명한다.
작동방법의 설명
본 발명에 따른 유도가열방식을 이용한 초고속 진공 증착기는 진공챔버(700)를 고진공(10-6Torr이하) 상태로 만들며 시작된다.
고진공 상태를 만들기 위하여 터보 펌프 또는 크라이오 펌프를 사용할 수 있다.
진공챔버(700) 내의 가열부(100)는 위의 설명과 같이 도가니(110), 및 도가니 히터(120)를 포함하며, 가열부(100)를 둘러싼 유도가열코일(300)에 전원이 연결되어 전기가 공급되면, 유도가열코일(300)은 유도가열방식, 즉 2차 전류가 도가니히터(120)에 흐르도록 유도되며 도가니히터(120)는 가열된다.
상기의 예열과정에서 셔터(610, 620)를 닫힌 상태로 유지하여 진공챔버(700) 내부 및 기판(10)의 불필요한 온도 상승을 방지한다.
도가니히터(120)는 발열이 시작되며, 도가니히터(120)에 의해 가열된 도가니(110)는 소스(20)를 소정의 온도까지 가열한다.
증착이 가능한 상태까지 도가니(110)가 가열되면 셔터(610, 620)를 개방하고 가열된 소스(20)는 설정된 소스 파워부(미도시)의 출력값에 맞추어 원하는 증착속도를 가지고 증착이 진행된다.
증착 과정에서 냉각장치(400), 및 유도전류 차폐용 칸막이(500)는 진공챔버(600) 내부 및 기판(10)의 온도 상승을 방지하는 역할을 한다.
위의 증착 과정을 통해 원하는 두께만큼의 박막 및 후막을 기판(10)에 증착 시킬수 있다.
상기 초고속 진공 증착의 실시예로 하기의 실험을 실시하였다.
첫 번째 실험으로 소스(20)를 구리(Cu)로 사용하여 25분간 진공 증착하였다.
기판(10)은 4" Si Wafer 와 2" Si Wafer를 사용하였고 증착과정에서 회전시켰으며, 구리(Cu) 소스와 기판(10) 사이의 거리는 250mm로 맞추어 증착을 진행하였다.
증착 완료 후, 디지털 마이크로미터로 측정한 결과 0.173mm의 두께를 확인하였고 그 증착 결과물의 외관사진이 도 3a 및 도 3b에 도시된다.
도 3a는 4" Si Wafer위에 Metal Mask를 사용하여 증착한 사진이고, 도 3b는 2" Si Wafer위에 Edge 1mm를 Metal Mask를 사용하여 증착한 사진이다.
Figure 112012015027383-pat00001
상기의 수학식 1을 통해 약 1154Å/Sec의 증착속도를 확인하였다.
(1154Å/Sec = 0.173mm / 1500초(25분))
도 3c는 도 3b의 증착된 구리(Cu) 후막의 두께를 디지털 마이크로미터로 측정한 사진이다.
두번째 실험으로 소스(20)는 동일하게 구리(Cu)를 사용하였으며, 2" Si Wafer 위에 Metal Mask를 사용하여 증착하였다. 첫번째 실험과 마찬가지로 증착 과정 중 기판(10)을 회전시켰으며, 소스(20)와 기판(10) 사이의 거리도 250mm로 맞추었다.
첫번째 실험과 비교를 위해 증착은 동일하게 25분 동안 진행하였다.
도 4는 두번째 실험에 따른 증착 결과물의 외관사진이다.
디지털 마이크로미터로 측정한 결과 0.172mm의 두께가 측정되었다.
상기 수학식 1을 통해 약 1147Å/Sec의 증착속도를 확인하였다.
(1147Å/Sec = 0.172mm / 1500초(25분))
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니한다. 즉, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 첨부된 특허청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능하며, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정의 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
10 : 기판
20 : 소스
100 : 가열부
110 : 도가니
120 : 도가니 히터
200 : 단열부
210 : 제 1 차 단열층
220 : 제 2 차 단열층
300 : 유도가열코일
400 : 냉각장치
410 : 냉각수
500 : 유도전류 차폐용 칸막이
610 : 제 1 셔터
620 : 제 2 셔터
700 : 진공챔버

Claims (13)

  1. 챔버 내에서 기판에 금속 또는 산화물 소스를 증착하기 위한 유도가열방식의 초고속 진공 증착기에 있어서,
    상기 챔버 내에 10-6 Torr이하의 고진공을 조성하는 진공 펌프;
    상단 개방형 원통으로서, 상기 상단 개방형 원통의 내경은 하단으로부터 상단까지 점진적으로 커지며, 상기 소스를 수용하는 도가니;
    상기 도가니를 둘러싸게 위치하는 도가니 히터;
    상기 도가니 히터의 외곽에 위치한 다중 다층구조의 단열부;
    상기 단열부 외곽을 감도록 위치한 유도가열코일;
    상기 유도가열코일의 외부에 위치하며 유도전류를 차폐하기 위한 유도전류 차폐용 칸막이; 및
    상기 유도가열코일의 외곽을 냉각하기 위한 냉각장치;
    를 포함하며,
    상기 단열부는,
    상기 도가니 히터에서 발생되는 열이 상기 유도가열코일에 전달되는 것을 차단하는 제 1 차 단열층; 및
    상기 도가니 히터의 복사열을 차단하기 위한 제 2 차 단열층을 포함하고,
    상기 도가니는 상기 도가니 히터의 상단 및 상기 단열부의 상단을 덮는 구조인 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 초고속 진공 증착기의 진공 증착속도가 50Å/Sec 내지 5㎛/Sec인 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 도가니와 상기 도가니 히터의 접촉면적이 30%이상인 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 도가니는 PBN(Pyrolytic Boron Nitride), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 및 탄탈(Ta) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 도가니 히터는 탄소계(C, Graphite, SiC), 규소(Si), 및 금속계(W, Mo, Ta, Pt) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 차 단열층은 산화물 소재(산화알루미늄, 사파이어, 석영), PBN, ALN, 및 BN을 단열체로 사용하는 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 차 단열층은 가시광 범위에서 불투명한 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 유도가열코일에 0.5Hz 내지 50MHz 범위의 주파수를 갖는 전류를 인가하여 유도가열방식으로 상기 도가니 히터를 가열하는 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 유도전류 차폐용 칸막이는,
    상기 유도가열코일과 상기 냉각장치 사이에 위치하며, 석영소재 또는 산화알루미늄으로 제조되는 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 도가니는 상기 제 1 차 단열층 상부를 덮는 것을 특징으로 하는,
    초고속 진공 증착기.
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