JP2019204039A - 透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置 - Google Patents
透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019204039A JP2019204039A JP2018100288A JP2018100288A JP2019204039A JP 2019204039 A JP2019204039 A JP 2019204039A JP 2018100288 A JP2018100288 A JP 2018100288A JP 2018100288 A JP2018100288 A JP 2018100288A JP 2019204039 A JP2019204039 A JP 2019204039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- resin
- emitting device
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 81
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 328
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 328
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 97
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 97
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 20
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 11
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 50
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 31
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 10
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 6
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 6
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- RGYAVZGBAJFMIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylhex-2-ene Chemical compound CCCC(C)=C(C)C RGYAVZGBAJFMIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N F.F.F.P Chemical compound F.F.F.P XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000012844 infrared spectroscopy analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70016—Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
図1および図2は、本開示の第1の実施形態による透光性部材の製造方法の概要を示すフローチャートである。図1に例示された透光性部材の製造方法は、概略的には、シリコーン樹脂を含む樹脂体の主面を、遮光領域および透過領域を有するフォトマスクを介して紫外線で照射する工程(ステップS11)を含む。後述するように、シリコーン樹脂を含む樹脂体の主面の一部に選択的に紫外線を照射することにより、主面のうち紫外線で照射された領域の高さと、主面のうち紫外線が当たらなかった領域の高さとを互いに異ならせ得る。すなわち、樹脂体の主面に基本的に非接触で凹凸を形成することが可能である。
図8は、本開示の第2の実施形態による発光装置の製造方法によって得られる例示的な発光装置の断面を模式的に示す。図8に示す発光装置100Aは、発光素子110Aと、波長変換部材120Aと、導光部材130Aと、透光性部材140Aと、光反射性部材150Aとを有する。
まず、発光素子および透光性の樹脂体を有する発光体を準備する(図9のステップS21)。ここでは、図11に例示するような、発光素子110Aの上面の上方に配置されたシート状の樹脂体140Uを含む発光体100Uを準備する。図11は、発光体100Uを発光体100Uの上面100Uaに垂直に切断したときの断面を模式的に示している。
発光体100Uの準備後、表面に凹凸のパターンを有し、発光素子110Aの上面を覆う透光性部材を形成する(図9のステップS22)。本実施形態では、フォトマスクを介した紫外線の照射により、樹脂体の表面、ここでは、樹脂体140Uの上面140aに複数の凹部を形成する。
図35は、第2の実施形態による発光装置の製造方法によって得られる発光装置のさらに他の一例を示す。図35に示す発光装置100Cは、図8を参照して説明した例と同様に、発光素子110A、波長変換部材120A、導光部材130A、透光性部材140Aおよび光反射性部材150Cを有する。光反射性部材150Cが、発光素子110Aの側面を取り囲み、かつ、素子本体111の下面111bのうち、正極112Aおよび負極114Aの配置された領域以外の領域を覆う点は、図8に示す発光装置100Aの光反射性部材150Aと同様である。ただし、この例では、光反射性部材150Cは、波長変換部材120Aの側面120cおよび透光性部材140Aの側面140cを覆っていない。
図41および図42は、第3の実施形態による発光装置の製造方法によって得られる発光装置の一例を示す。図41は、発光装置を上面側から見た例示的な外観を示し、図42は、図41のXLII−XLII断面を示す。
以下の手順に従って実施例1−1〜実施例1−3のサンプルを作製し、各サンプルの表面の形状を紫外線の照射の前後で比較した。
Dユニットを有する有機ポリシロキサンを含有する、未硬化のシリコーン樹脂原料(信越化学工業株式会社製、LPS−3541)を用いたこと以外は実施例1−1のサンプルと同様にして、実施例1−2のサンプルを作製した。ここで、LPS−3541は、上述のKE−1011と同様に、フェニル基を分子中に有する有機ポリシロキサンを含有する。このときに得られた透光シートの厚さは、およそ100μmであった。
YAG蛍光体の粉末(平均粒径:10.5μm)をシリコーン樹脂中に混合することにより、YAG蛍光体の粉末が分散されたシリコーン樹脂原料を調製した。シリコーン樹脂としては、上述のLPS−3541を用いた。シリコーン樹脂原料中のYAG蛍光体の粉末の含有量は、質量比で46%であった。YAG蛍光体の粉末が分散されたシリコーン樹脂原料をシート状に整形して予備硬化させることにより透光シートを形成したこと以外は実施例1−1のサンプルと同様にして、実施例1−3のサンプルを作製した。このときに得られた透光シートの厚さは、およそ100μmであった。
まず、上述のシリコーン樹脂LPS−3541をスクリーン印刷法によってシート状に整形した後、150℃の温度下で4時間加熱することにより、厚さ150μmの樹脂シートを作製した。次に、複数の凸部を表面に有する型を準備した。樹脂シートの一方の主面と、型の凸部とを対向させ、周囲の温度を300℃に上昇させた状態で、ヒートプレス装置を用いて5MPaの圧力で樹脂シートの主面に型を押し付けることにより、樹脂シートの主面に複数の凹部を形成した。ここでは、1.5μmの高さを有する円錐状の凸部が二次元に配置された型を用いた。これらの凸部は、それぞれの頂部が三角格子の格子点上に位置するように型の表面に二次元に配置されており、互いに隣接する2つの凸部の間の頂部の間隔は、3μmであった。
次に、樹脂シートに部分的に紫外線の照射を行った参考例3のサンプルを作製し、赤外分光分析により、紫外線で照射された部分と、紫外線で照射されなかった部分との間でスペクトルの比較を行った。参考例3のサンプルは、上述のシリコーン樹脂LPS−3541を予備硬化させることにより形成された、厚さ150μmの透光シートの表面の一部を紫外線で照射することによって作製した。その後、透光シート中のシリコーン樹脂を本硬化させた。
以下の手順により、参考例3−1および参考例3−2のサンプルならびに比較例のサンプルを作製した。上述の参考例2−1のサンプルと同様にして、信越化学工業株式会社製のシリコーン樹脂LPS3541をスクリーン印刷法によってシート状に整形し、150℃の温度下で4時間加熱することにより、厚さ150μmの樹脂シートを作製した。ただし、ここでは、型の押し付けによる形状の付与は行わず、樹脂シートを切断することによって複数の樹脂シート片を得た。これらの樹脂シート片から無作為に3枚の樹脂シート片を抽出し、参考例2−1のサンプルと同様にして、一方の主面を240J/cm2の照射量、30秒程度の照射時間で紫外線で照射した。紫外線の照射後の樹脂シート片を電気炉内に配置し、300℃の温度下に40分間おいた後に電気炉から取り出して室温まで自然冷却させ、参考例3−1のサンプルとした。
紫外線の照射量を22.4J/cm2に変更したこと以外は参考例3−1のサンプルと同様にして、参考例3−2のサンプルを作製した。
紫外線の照射を実行しなかったことたこと以外は参考例3−1のサンプルと同様にして、比較例のサンプルを作製した。
100U、100Y 発光体
110、110A、110B 発光素子
110a 発光素子の上面
110b 発光素子の下面
112A、112B 発光素子の正極
114A、114B 発光素子の負極
120A 波長変換部材
120L、120V 波長変換層
130A 導光部材
140、140A 透光性部材
140L、140V 透光層
140U、140X、340Z 樹脂体
140a 上面
140b 下面
140d 凹部
150A〜150C 光反射性部材
170 樹脂層
170V、LB 積層シート片
172 透光部
174 光反射性樹脂部
200 フォトマスク
200s フォトマスクの遮光領域
200t フォトマスクの透過領域
300 パッケージ
300F 複合基板
320A、320B 波長変換部材
340 透光性部材
340Z 樹脂体
320d、340d 凹部
350 基台
361、362 リード
371、372 ワイヤ
400A、400B 複合基板
410A、410B 基板
411A、411B 第1導電部
412A、412B 第2導電部
500 紫外線照射装置
Claims (23)
- 主面を有し、シリコーン樹脂を含む硬化後の樹脂体の前記主面を、遮光領域および透過領域を有するフォトマスクを介して紫外線で照射することにより、前記主面のうち前記フォトマスクの前記遮光領域に対応する第1領域の高さと、前記主面のうち前記フォトマスクの前記透過領域に対応する第2領域の高さとを互いに異ならせる工程を含む、透光性部材の形成方法。
- 紫外線の照射量は、20J/cm2以上である、請求項1に記載の透光性部材の形成方法。
- 紫外線の照射後の前記第2領域と前記第1領域との間の高さの差は、0.1μm以上である、請求項1または2に記載の透光性部材の形成方法。
- 前記シリコーン樹脂は、少なくとも1つのフェニル基を分子中に有する有機ポリシロキサンを含有する、請求項1から3のいずれかに記載の透光性部材の形成方法。
- 前記シリコーン樹脂は、2つのメチル基がケイ素原子に結合したDユニットを有する有機ポリシロキサンを含有する、請求項1から4のいずれかに記載の透光性部材の形成方法。
- 上面を有する発光素子と、主面を有し、未硬化のシリコーン樹脂原料を硬化させることによって形成された透光性の樹脂体であって、前記発光素子の前記上面を少なくとも覆う樹脂体とを有する発光体を準備する工程(a)と、
表面に凹凸のパターンを有し、前記発光素子の前記上面を少なくとも覆う透光性部材を形成する工程(b)と
を含み、
前記工程(b)は、前記樹脂体の前記主面を、遮光領域および透過領域を有するフォトマスクを介して紫外線で照射することにより、前記主面のうち前記フォトマスクの前記遮光領域に対応する第1領域の高さと、前記主面のうち前記フォトマスクの前記透過領域に対応する第2領域の高さとを互いに異ならせる工程(b1)を含む、発光装置の製造方法。 - 前記工程(a)は、
前記発光素子を準備する工程であって、前記発光素子は、前記上面とは反対側に正極および負極を有する、工程(a1)と、
前記発光素子の前記上面または前記樹脂体に未硬化の透光性樹脂材料を付与する工程(a2)と、
前記透光性樹脂材料を硬化させることにより、前記発光素子の前記上面の上方に前記樹脂体を配置する工程(a3)と
を含む、請求項6に記載の発光装置の製造方法。 - 上面を有し、前記上面とは反対側に正極および負極が設けられた発光素子を準備する工程(a)と、
表面に凹凸のパターンを有し、前記発光素子の前記上面を少なくとも覆う透光性部材を形成する工程(b)と
を含み、
前記工程(b)は、
未硬化のシリコーン樹脂原料を硬化させることによって形成された透光性の樹脂体の表面を、遮光領域および透過領域を有するフォトマスクを介して紫外線で照射することにより、前記表面のうち前記フォトマスクの前記遮光領域に対応する第1領域の高さと、前記表面のうち前記フォトマスクの前記透過領域に対応する第2領域の高さとを互いに異ならせる工程(b1)
を含む、発光装置の製造方法。 - 前記工程(a)は、
前記発光素子を準備する工程(a1)と、
未硬化のシリコーン樹脂原料で前記発光素子を覆い、前記シリコーン樹脂原料を硬化させることによって前記樹脂体を形成する工程(a2)と
を含む、請求項6に記載の発光装置の製造方法。 - 前記工程(a)と前記工程(b)との間に、前記発光素子の側面を少なくとも覆う光反射性部材を形成する工程(c)をさらに含む、請求項6から8のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記樹脂体は、少なくとも1つのフェニル基を分子中に有する有機ポリシロキサンを含有する、請求項6から10のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記樹脂体は、2つのメチル基がケイ素原子に結合したDユニットを有する有機ポリシロキサンを含有する、請求項6から11のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 上面を有し、前記上面とは反対側に正極および負極が設けられた発光素子を準備する工程(a)と、
表面に凹凸のパターンを有し、前記発光素子の前記上面を少なくとも覆う透光性部材を形成する工程(b)と
を含み、
前記工程(b)は、
未硬化のシリコーン樹脂原料を硬化させることによって形成された透光シートの主面を、遮光領域および透過領域を有するフォトマスクを介して紫外線で照射することにより、前記主面のうち前記フォトマスクの前記遮光領域に対応する第1領域の高さと、前記主面のうち前記フォトマスクの前記透過領域に対応する第2領域の高さとを互いに異ならせる工程(b1)と、
紫外線で照射された前記透光シートを前記発光素子の前記上面側に配置する工程(b2)と
を含む、発光装置の製造方法。 - 前記工程(b)の後に、前記発光素子の側面を少なくとも覆う光反射性部材を形成する工程(c)をさらに含む、請求項13に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材は、少なくとも1つのフェニル基を分子中に有する有機ポリシロキサンを含有する、請求項13または14に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材は、2つのメチル基がケイ素原子に結合したDユニットを有する有機ポリシロキサンを含有する、請求項13から15のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 紫外線の照射後の前記第2領域と前記第1領域との間の高さの差は、0.1μm以上である、請求項6から16のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記工程(b1)における紫外線の照射量は、20J/cm2以上である、請求項6から17のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 上面を有する発光素子と、
前記発光素子の前記上面を少なくとも覆い、前記発光素子の前記上面の上方に位置する主面を含む透光性部材と
を備え、
前記透光性部材の前記主面は、凹凸のパターンを有しており、
赤外分光によって得られる、前記透光性部材に関する吸収スペクトルの波数3700cm−1超3000cm−1未満の範囲に現れるSi−OH起因の吸収は、シリコーン樹脂に関する吸収スペクトルの前記範囲における吸収よりも大きく、前記透光性部材に関する吸収スペクトルの波数2960cm−1付近および800cm−1付近に現れるSi−CH3起因の吸収ピークは、それぞれ、シリコーン樹脂に関する吸収スペクトルの波数2960cm−1付近および800cm−1付近の吸収ピークと比較して小さい、発光装置。 - 上面を有する発光素子と、
前記発光素子の前記上面を少なくとも覆い、前記発光素子の前記上面の上方に位置する主面を含む透光性部材と
を備え、
前記透光性部材の前記主面は、凹凸のパターンを有しており、
前記透光性部材の前記主面の瞬間接着力は、シリコーン樹脂の瞬間接着力よりも低い、発光装置。 - 前記凹凸のパターンにおける凹部の底から凸部の頂部までの高さの差は、0.1μm以上である、請求項19または20に記載の発光装置。
- 前記透光性部材は、シリコーン樹脂を含み、
前記シリコーン樹脂は、少なくとも1つのフェニル基を分子中に有する有機ポリシロキサンを含有する、請求項19から21のいずれかに記載の発光装置。 - 前記透光性部材は、シリコーン樹脂を含み、
前記シリコーン樹脂は、2つのメチル基がケイ素原子に結合したDユニットを有する有機ポリシロキサンを含有する、請求項19から22のいずれかに記載の発光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018100288A JP6978690B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | 透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置 |
US16/422,653 US10978625B2 (en) | 2018-05-25 | 2019-05-24 | Method for forming light-transmissive member, method for producing light emitting device, and light emitting device |
CN201910446402.7A CN110534633B (zh) | 2018-05-25 | 2019-05-27 | 透光性部件的形成方法和发光装置的制造方法以及发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018100288A JP6978690B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | 透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019204039A true JP2019204039A (ja) | 2019-11-28 |
JP6978690B2 JP6978690B2 (ja) | 2021-12-08 |
Family
ID=68613995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018100288A Active JP6978690B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | 透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10978625B2 (ja) |
JP (1) | JP6978690B2 (ja) |
CN (1) | CN110534633B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023182379A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | デンカ株式会社 | 蛍光体シートおよび照明装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110023796B (zh) * | 2016-11-30 | 2021-10-08 | 富士胶片株式会社 | 波长转换部件及背光单元 |
CN113395936B (zh) * | 2018-12-06 | 2024-10-15 | 美国亚德诺半导体公司 | 屏蔽的集成器件封装 |
US11688709B2 (en) | 2018-12-06 | 2023-06-27 | Analog Devices, Inc. | Integrated device packages with passive device assemblies |
US11664340B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-05-30 | Analog Devices, Inc. | Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier |
CN114253027B (zh) * | 2020-09-24 | 2023-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光源组件、显示模组及光源组件的制造方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002267805A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Nippon Steel Chem Co Ltd | レンズフィルム |
JP2002368289A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Sony Corp | 樹脂形成素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法 |
JP2004123816A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | レーザー光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物の表面改質法 |
JP2004205615A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 基板上に表面凹凸形状を有する有機物層に用いられる感光性樹脂組成物及び感光性エレメント |
JP2007227926A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 発光ダイオードパッケージの製造方法 |
JP2008074982A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 加熱硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた発光ダイオード素子 |
JP2009020268A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JP2011059196A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 凸状シートの製造方法および凸状シートの製造装置 |
JP2015028991A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 豊田合成株式会社 | Ledランプの製造方法 |
JP2016047927A (ja) * | 2010-01-25 | 2016-04-07 | エルジー・ケム・リミテッド | シリコーン樹脂 |
JP2017032806A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 国立大学法人東京工業大学 | 反射防止用微細突起の製造方法 |
WO2017080461A1 (zh) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管装置与其制作方法 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11237625A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Alps Electric Co Ltd | フォトマスクおよびこれを用いた凹凸体の製造方法 |
JP3625196B2 (ja) | 2000-12-28 | 2005-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | Rfidタグの形成方法、rfidタグの形成装置、スピーカの形成方法、およびスピーカの形成装置 |
US6973710B2 (en) | 2001-08-03 | 2005-12-13 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for making devices |
JP2004034325A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 表面凹凸形成方法、それにより得られる光学フィルム及び拡散反射板並びに拡散反射板の製造方法 |
JP2005254033A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Okamoto Kogaku Kakosho:Kk | シリコーンゴムの紫外線硬化を利用したコーティング方法 |
WO2006046699A1 (ja) | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Asahi Glass Company, Limited | 撥水親水膜を表面に有する基材の製造方法 |
WO2006077889A1 (ja) | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 屈折率分布型レンズ、および屈折率分布型レンズの製造方法 |
JP2008089926A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微小光学素子、その製造方法及びフォトマスク |
JP2009173748A (ja) | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Mitsui Chemicals Inc | 樹脂成形物の表面処理方法および表面処理樹脂組成物 |
WO2012075056A2 (en) | 2010-11-29 | 2012-06-07 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Articles including surface microfeatures and methods for forming same |
JP2012195425A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置ウェーハおよび半導体発光装置の製造方法 |
US20140008685A1 (en) | 2011-03-25 | 2014-01-09 | Koninklijke Philips N.V. | Patterned uv sensitive silicone-phosphor layer over leds |
JP2013175531A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2015527428A (ja) | 2012-06-29 | 2015-09-17 | ポリマーズ シーアールシー リミテッドPolymers CRC Ltd. | ポリマー表面を改質する方法 |
US8852695B2 (en) | 2012-09-10 | 2014-10-07 | The Research Foundation For The State University Of New York | Optical barriers, waveguides, and methods for fabricating barriers and waveguides for use in harsh environments |
CN104823290B (zh) * | 2012-12-03 | 2017-03-15 | 西铁城时计株式会社 | Led模块 |
JP2014157989A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2015028992A (ja) | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 日本精機株式会社 | 回路基板の接続構造 |
CN203488965U (zh) * | 2013-08-27 | 2014-03-19 | 张庆州 | 具有紫外线固化立体纹路层的硬质基板 |
WO2015038611A1 (en) | 2013-09-12 | 2015-03-19 | Battelle Memorial Institute | Methods of altering optical power of a lens |
JP2015192103A (ja) | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 富士フイルム株式会社 | フッ素原子含有オルガノポリシロキサン膜およびその製造方法 |
JP2015192066A (ja) | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 富士フイルム株式会社 | 凹部を有するオルガノポリシロキサン膜の製造方法、積層体の製造方法、トランジスタの製造方法 |
JP6306443B2 (ja) | 2014-06-11 | 2018-04-04 | 旭化成株式会社 | 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
JP6712589B2 (ja) | 2014-06-19 | 2020-06-24 | インクロン オサケユキチュアInkron Oy | 透明シロキサン封入剤及び接着剤 |
JP6484982B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-03-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6459354B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法 |
JP6542007B2 (ja) | 2015-03-31 | 2019-07-10 | 株式会社巴川製紙所 | 異方性光学フィルム及びその製造方法 |
US10374134B2 (en) * | 2015-05-29 | 2019-08-06 | Nichia Corporation | Light emitting device, method of manufacturing covering member, and method of manufacturing light emitting device |
JP6131986B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2017-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6288009B2 (ja) * | 2015-08-31 | 2018-03-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6337919B2 (ja) | 2015-09-07 | 2018-06-06 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部品及び発光装置 |
US10324242B2 (en) | 2015-09-07 | 2019-06-18 | Nichia Corporation | Optical component and light emitting device |
JP6520736B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 照明装置 |
CN105974653B (zh) * | 2016-07-21 | 2019-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板及其制造方法、掩膜版及其制造方法、显示装置 |
JP2018022844A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2018041858A (ja) | 2016-09-08 | 2018-03-15 | 日東電工株式会社 | 被覆シート、シート被覆素子および光半導体装置 |
DE102017125413A1 (de) * | 2016-11-01 | 2018-05-03 | Nichia Corporation | Lichtemitierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
CN110366589A (zh) * | 2017-03-02 | 2019-10-22 | Ppg建筑涂层有限公司 | 密封剂组合物 |
US20200109285A1 (en) * | 2017-06-09 | 2020-04-09 | Dow Silicones Corporation | Uv curable silicone terminal sealant |
EP3872874B1 (en) * | 2017-12-22 | 2023-06-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP6773063B2 (ja) * | 2018-02-22 | 2020-10-21 | 日亜化学工業株式会社 | 透光性部材の形成方法 |
JP7082279B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
-
2018
- 2018-05-25 JP JP2018100288A patent/JP6978690B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-24 US US16/422,653 patent/US10978625B2/en active Active
- 2019-05-27 CN CN201910446402.7A patent/CN110534633B/zh active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002267805A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Nippon Steel Chem Co Ltd | レンズフィルム |
JP2002368289A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Sony Corp | 樹脂形成素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法 |
JP2004123816A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | レーザー光を用いたSi−O−Si結合を含む固体化合物の表面改質法 |
JP2004205615A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 基板上に表面凹凸形状を有する有機物層に用いられる感光性樹脂組成物及び感光性エレメント |
JP2007227926A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 発光ダイオードパッケージの製造方法 |
JP2008074982A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 加熱硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた発光ダイオード素子 |
JP2009020268A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JP2011059196A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 凸状シートの製造方法および凸状シートの製造装置 |
JP2016047927A (ja) * | 2010-01-25 | 2016-04-07 | エルジー・ケム・リミテッド | シリコーン樹脂 |
JP2015028991A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 豊田合成株式会社 | Ledランプの製造方法 |
JP2017032806A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 国立大学法人東京工業大学 | 反射防止用微細突起の製造方法 |
WO2017080461A1 (zh) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管装置与其制作方法 |
JP2018536297A (ja) * | 2015-11-10 | 2018-12-06 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. | 発光ダイオードデバイスおよびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023182379A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | デンカ株式会社 | 蛍光体シートおよび照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6978690B2 (ja) | 2021-12-08 |
US10978625B2 (en) | 2021-04-13 |
US20190363226A1 (en) | 2019-11-28 |
CN110534633B (zh) | 2023-06-13 |
CN110534633A (zh) | 2019-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6978690B2 (ja) | 透光性部材の形成方法および発光装置の製造方法、ならびに、発光装置 | |
JP6773063B2 (ja) | 透光性部材の形成方法 | |
US10522728B2 (en) | Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same | |
US10763404B2 (en) | Light emitting device with beveled reflector and manufacturing method of the same | |
TWI321594B (en) | Method for the production of a radiation-emitting optical component and radiation-emitting optical component | |
JP6386110B2 (ja) | 非対称放射パターンを有する発光素子およびその製造方法 | |
KR101892593B1 (ko) | 발광장치 및 그 제조방법 | |
US9601670B2 (en) | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate | |
KR20180127292A (ko) | 경사 반사기를 갖는 발광 디바이스 및 그 제조 방법 | |
JP2016115729A (ja) | 発光装置の製造法 | |
EP3203534B1 (en) | Light emitting device with beam shaping structure and manufacturing method of the same | |
TW201401584A (zh) | 反射層-螢光體層被覆led、其製造方法、led裝置及其製造方法 | |
JP2014168032A (ja) | 蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置 | |
JP2014168036A (ja) | 封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置 | |
US11081631B2 (en) | Asymmetrically shaped light-emitting device, backlight module using the same, and method for manufacturing the same | |
JP2019186513A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP7089191B2 (ja) | 発光装置の製造方法、および、発光装置 | |
JP2014168035A (ja) | 封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置 | |
JP2019201089A (ja) | チップスケールパッケージング発光素子の斜角チップ反射器およびその製造方法 | |
JP2017085085A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US20110254030A1 (en) | Liquid reflector | |
TWI669836B (zh) | 發光裝置的製造方法 | |
JP2019197885A (ja) | チップスケール線状発光装置 | |
JP2020113640A (ja) | 発光装置の製造方法および発光装置 | |
JP7260828B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20201001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211012 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211025 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6978690 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |