JP2007227926A - 発光ダイオードパッケージの製造方法 - Google Patents

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フン チャン、ミュン
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Abstract

【課題】モールディング樹脂やレンズなどの投光性樹脂部の表面における光抽出効率を増加させるＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０５を実装した後、モールディング樹脂１０７でＬＥＤチップ１０５を封止する（段階Ｓ１）。モールディング樹脂１０７としては、例えばシリコン樹脂を使用することができる。その後、ＬＥＤチップ１０５を封止するモールディング樹脂１０７を硬化させる（段階Ｓ２）。その後、レーザアブレーション工程を用いてモールディング樹脂１０７の表面に粗さを形成する（段階Ｓ３）。
【選択図】図４

Description

本発明は、発光ダイオードパッケージの製造方法に関するものであって、特に、光抽出効率をさらに効果的に高めることが出来る発光ダイオードパッケージの製造方法に関する。
最近、発光ダイオード（以下、ＬＥＤともする）は、公害を引き起こさない親環境性光源として様々な分野で注目を浴びている。例えば、ＬＥＤは、信号灯、指示ランプ、携帯用電話機のキーパッドなどに応用され、LＣＤ装置のバックライトや照明用光源としてもその使用可能性が認められている。このようなＬＥＤは、様々な構造の基板と結合してパッケージ形態で製造されて使用される。
高輝度高効率のＬＥＤ製品を具現するためには、ＬＥＤチップ自体の内部量子効率が高いと共に、チップから発生した光子が外部へ効率的に抽出されるべきである。ＬＥＤパッケージにおいて、外部抽出効率を上げるために、様々な方案が提案され、例えば、モールディング樹脂の屈折率の調整または半球形のポリマーレンズの使用などがこれに該当する。ところが、高品質のＬＥＤパッケージを具現するためには、さらに高い光抽出効率が求められる。特に、サイドビュー（ｓｉｄｅ ｖｉｅｗ）方式のＬＥＤパッケージの場合、屈折率調整による光抽出効率改善の効果はそれほど高くないと判明された。
図１は、従来の一例によるＬＥＤパッケージを示した側断面図である。図１を参照すると、ＬＥＤパッケージ１０は、上部に反射コップが形成されたパッケージ本体１１と、この本体１１に実装されたＬＥＤチップ１５とを含む。ＬＥＤチップ１５は、反射コップの底に設置されたリードフレーム１３と電気的に連結され、シリコン樹脂などの投光性モールディング樹脂１７により、封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）されている。モールディング樹脂１７には、波長変換用の蛍光体が分散されＬＥＤチップ１５の放出光とは異なる波長の光を出すことが出来る。必要に応じてモールディング樹脂１７上にレンズを搭載することも出来る。
ＬＥＤチップ１５から発生した光は、チップ１５から出てモールディング樹脂１７を経由し、外部空気へ抽出される。従って、より高い光抽出効率を得るためには、モールディング樹脂から外部空気へ光がうまく抜け出さなければならない。ところが、モールディング樹脂１７の屈折率ｎ１は、外部空気の屈折率ｎ２に比べて大きいため、臨界角以上でモールディング樹脂１７の表面に入射した光は全反射し、これによって外部へ抽出されずパッケージ内部で消滅してしまう。モールディング樹脂１７上にレンズ（図示せず）が形成されている場合には、レンズと外部空気との間から上記のような問題が発生する。
モールディング樹脂またはレンズ表面での光抽出効率を改善するために、金型、スタンパまたはエッチングなどを用いてモールディング樹脂またはレンズ表面に凸凹パターンを形成する方案が提案された（特許文献１参照）。しかし、この方案は、反射コップを有するＬＥＤパッケージ（図１参照）には適しておらず、この方案では凸凹パターン形成工程を必要に応じて精密に制御することが出来ない。特に、微細な凸凹パターンを有する金型の製作自体が困難で費用も高い。また、凸凹パターンを有するスタンパにモールディング樹脂を加圧する過程やエッチングする過程において、モールディング樹脂が過度に損傷されることにより、光学的特性が劣化され得る。
特開２００５−２５１８７５号公報
本発明は、上記の問題を解決するためのものであって、本発明の目的は、モールディング樹脂やレンズなどの投光性樹脂部の表面における光抽出効率を増加させることが出来るＬＥＤパッケージの製造方法を提供することである。また、本発明の目的は、投光性樹脂部の劣化を抑えつつ、その表面に様々な粗さを容易に形成できるＬＥＤパッケージの製造方法を提供することである。
上述の課題を達成すべく、本発明によるＬＥＤパッケージの製造方法は、ＬＥＤパッケージ用投光性樹脂部を形成する段階と、上記ＬＥＤパッケージ用投光性樹脂部表面に粗さを形成するよう上記表面にレーザービームを照射する段階とを含む。
本発明の一実施形態によると、上記投光性樹脂部は、ＬＥＤチップを封止するモールディング樹脂である。この場合、上記投光性樹脂部を形成する段階は、上記モールディング樹脂でＬＥＤチップを封止する段階と、その後上記モールディング樹脂を硬化する段階とを含む。本発明の好ましい一実施形態によると、上記モールディング樹脂はシリコン樹脂で形成される。
ほかにも、上記モールディング樹脂は、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳｓ；ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅｓ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫｓ）、ポリカーボネート（ＰＣｓ）、ポリイミド（ＰＩｓ）、ポリエーテルイミド、セルローストリアセテート樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリスルホン樹脂及びフッ化樹脂からなるグループから選択されたものであることが出来る。
本発明の他の実施形態によると、上記投光性樹脂部はレンズである。この場合、上記製造方法は、上記投光性樹脂部を形成する段階と上記レーザービーム照射段階との間に、上記レンズをＬＥＤチップが実装されたパッケージ本体上に搭載する段階をさらに含むことが出来る。これと異なって、上記製造方法は、上記レーザービーム照射段階後に上記レンズをＬＥＤチップが実装されたパッケージ本体上に搭載する段階をさらに含むことも出来る。本発明の好ましい一実施形態によると、上記レンズは、シリコン樹脂またはエポキシ樹脂で形成される。
好ましくは、上記レーザービーム照射段階において、上記投光性樹脂部上に上記レーザービームに対する投光特性を有するカバー板を配置する。このようなカバー板を配置することにより、レーザー照射により上記投光性樹脂部から蒸発したり飛ばされたりした物質がレーザー照射装置のレンズなどを汚すことを防ぐことが出来る。
本発明の実施形態によると、上記投光性樹脂部上には、上記レーザービームを選択的に透過させるパターンマスク（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｍａｓｋ）を配置することが出来る。このようなパターンマスクを使用することにより、上記投光性樹脂部の表面には、規則的な凸凹パターンまたは粗さパターンを形成することが出来る。例えば、多数のスリットを有するパターンマスクを上記投光性樹脂部上に配置することにより、上記投光性樹脂部の表面に多数のストライプ形状の凸凹パターンを形成することが出来る。
好ましくは、上記レーザービームとしては、パルスレーザービームを使用し、特にエキシマレーザービームを使用する。上記レーザービームとしては、例えば、２４８ｎｍ波長のＫｒＦレーザービーム、１９３ｎｍ波長のＡｒＦレーザービーム、ＣＯ２ガスパルスレーザービーム、３５５ｎｍ波長のＮｄ−ＹＡＧパルスレーザービームを使用することが出来る。
本発明の一実施形態によると、上記投光性樹脂はシリコン樹脂で形成され、上記レーザービームとしては５００乃至１０００ｍＪ／ｃｍ２のパワー及び１００Ｈｚの反復周波数を有するＫｒＦレーザービームを使用することが出来る。
本発明によると、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）工程を用いてＬＥＤパッケージ用投光性樹脂部（モールディング樹脂または樹脂レンズ）の表面に粗さを形成する。レーザーアブレーションは、レーザービーム（通常、パルスレーザービーム）を物体に照射して物体表面を削る工程を称する。特に、樹脂表面にレーザービームを照射する場合、樹脂表面が溶けて飛ばされたり削られることになる。
レーザービーム照射により、上記投光性樹脂部表面に形成された粗さは外部空気への光抽出効率を高める役割をする。さらに、レーザーアブレーションを用いる場合、レーザービームのパワー、反復周波数、持続時間などを調節することにより、工程を精密に制御することができ透明樹脂部に対する所望としない損傷を防ぐことが出来る。
本発明によると、レーザーアブレーション工程を用いてモールディング樹脂またはレンズ表面に粗さを形成することにより、ＬＥＤパッケージの光抽出効率を効果的に向上させることが出来る。また、工程条件を調節することにより、粗さ形成工程を精密かつ容易に制御することができ、モールディング樹脂またはレンズの損傷による劣化を防ぐことが出来る。
以下、図面を参照に本発明の実施形態に関して詳しく説明する。本発明の実施形態は、様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限られるのではない。本発明の実施形態は、当業界において平均的な知識を有している者に本発明をより完全に説明するため提供される。従って、図面において要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることができ、図面上の同一符号で表示される要素は同一要素である。
図２及び図３は、本発明の種々の実施形態のＬＥＤパッケージの製造方法によって製造されたＬＥＤパッケージの断面図である。図２を参照すると、ＬＥＤパッケージ１００は、リードフレーム１０３が設置されたＬＥＤパッケージ本体１０１と、これに実装されたＬＥＤチップ１０５とを含む。ＬＥＤチップ１０５は、シリコン樹脂などからなるモールディング樹脂１０７により封止される。図２に図示された通り、モールディング樹脂１０７の表面１０８には粗さが形成されており、この粗さは後述するようなレーザーアブレーション工程により形成される。
レーザーアブレーション工程による樹脂表面における粗さ形成は、モールディング樹脂１０７だけでなく樹脂レンズにも適用されることが出来る。このような例が図３に図示されている。図３を参照すると、ＬＥＤパッケージ２００は、パッケージ本体１０１上に搭載された樹脂レンズ１１０をさらに含む。このレンズ１１０の表面１１１には、レーザーアブレーション工程により形成された粗さが形成されている。
このように、モールディング樹脂１０７の表面または樹脂レンズ１１０の表面に、レーザーアブレーション工程による粗さを提供することにより、外部空気への光抽出効率及びこれによるパッケージ全体の光効率は大幅に向上される。
図４は、本発明の一実施形態によるレーザーアブレーション工程を示した概略図で、図７は、一実施形態によるＬＥＤパッケージの製造方法を示した工程フロー図である。図４及び図７を参照して一実施形態によるＬＥＤパッケージの製造方法を説明すると次の通りである。
先ず、ＬＥＤチップ１０５を実装した後、モールディング樹脂１０７でＬＥＤチップ１０５を封止する（段階Ｓ１）。モールディング樹脂１０７としては、例えば、シリコン樹脂を使用することが出来る。その後、ＬＥＤチップ１０５を封止するモールディング樹脂１０７を硬化させる（段階Ｓ２）。その後、図４に図示されたようなレーザーアブレーション工程を用いてモールディング樹脂１０７の表面に粗さを形成する（段階Ｓ３）。
図４を参照すると、支持基板５０上には、ＬＥＤパッケージ１００が固定されている。パッケージ１００上に設置されたレーザービーム照射装置５００は、モールディング樹脂１０７の表面１０８にレーザービームを照射して、その表面１０８に粗さを形成する。このようなレーザービーム照射により、モールディング樹脂１０７の表面ではポリマーが溶けたり削られたりし、また飛ばされたり屑が残ったりもする。これによって、モールディング樹脂１０７の表面にはテクスチャまたは粗さが形成される。このようなレーザーアブレーション工程を使用すると、表面１０８以外にはモールディング樹脂１０７自体に如何なる損傷も与えなくなる。
好ましくは、パッケージ１００とレーザービーム照射装置５００との間には、レーザービームに対して投光性を有するサファイアウェーハなどのカバー板４００を配置する。このようなカバー板４００を配置することにより、レーザービーム照射によりモールディング樹脂１０７から蒸発されたり飛ばされたりしたポリマーが、レーザー照射装置５００のレンズ５１０などを汚すことを防ぐことが出来る。
このようなレーザーアブレーション工程に用いられるレーザービームは様々な種類がある。好ましくは、パワーの強いパルスレーザービームを使用し、その中でもエキシマレーザービームを使用する。レーザービームとしては、例えば、２４８ｎｍ波長のＫｒＦレーザービーム、１９３ｎｍ波長のＡｒＦレーザービーム、ＣＯ２ガスパルスレーザービーム、３５５ｎｍ波長のＮｄ−ＹＡＧパルスレーザービームを使用することが出来る。
レーザービーム照射時に調節される工程条件は、レーザービームのパワー、パルス持続時間（ｐｕｌｓｅ ｄｕｒａｔｉｏｎ）、反復周波数（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）、ビームサイズ（ｆｏｃｕｓｅｄ ｂｅａｍ ｓｉｚｅ）などである。このような条件を調節することにより、レーザーアブレーション工程を精密かつ容易に制御することが出来る。
モールディング樹脂１０７の材料としては、シリコン系列のポリマー樹脂を使用することが出来る。ほかにも、モールディング樹脂１０７は、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳｓ；ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅｓ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫｓ）、ポリカーボネート（ＰＣｓ）、ポリイミド（ＰＩｓ）、ポリエーテルイミド、セルローストリアセテート樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリスルホン樹脂及びフッ化樹脂からなるグループから選択されたものであることが出来る。
モールディング樹脂１０７を構成するポリマーによって、レーザーアブレーションされる程度と粗さの形成形態が異なる。その原因は、ポリマー内に存在する鎖形態の立体障害（ｓｔｅｒｉｃ ｈｉｎｄｒａｎｃｅ）と空間電荷（ｓｐａｃｅ ｃｈａｒｇｅ）が異なり、ポリマーを構成するモノマー同士の結合強度が異なるためである。従って、モールディング樹脂１０７に照射されるレーザーのパワーが一定であっても、ポリマーを分解するに必要なエネルギーは、各々のポリマーによって相互異なる。
微視的観点から、モールディング樹脂１０７にエキシマレーザービームを照射した場合、そのレーザービームのフォトンのエネルギーがポリマー内部のモノマーまたは分子に伝達される。この伝達されたエネルギーがポリマー内の化学結合を解離することになり、これによって、ポリマーが昇華されたり屑が残ることになる。このような過程を経てモールディング樹脂１０７の表面には粗さが形成される。このようなレーザーアブレーション工程時に重要なのは、単位面積当たりレーザービームを、どの程度のパワーでどれだけの時間を何時間おきに照射するのかである。
特に、最も大事な工程条件は、レーザービームのパワーである。同じ総エネルギーをモールディング樹脂１０７に伝達しても、小さいパワーで数回レーザービームを照射した場合より、大きいパワーのレーザービームを少ない回数で照射した場合にモールディング樹脂表面に与えるアブレーション効果は大きく表れる。これは、ポリマーを形成する様々な化学結合には、各々のしきい解離エネルギー（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ ｅｎｅｒｇｙ）が存在するからである。即ち、モールディング樹脂１０７内の化学結合を解離させるためには、１回に一定エネルギー以上のエネルギーが投入されるべきである。
図５は、樹脂レンズに対するレーザーアブレーション工程を示した概略図で、図８は、図５のレーザーアブレーション工程を使用したＬＥＤパッケージの製造方法の一例を示した工程フロー図である。図５及び図８を参照してＬＥＤパッケージの製造方法を説明すると次の通りである。
先ず、射出成形などで樹脂レンズ１１０（例えば、シリコンまたはエポキシ樹脂からなるレンズ）を形成する（段階Ｓ’１）、その後、ＬＥＤチップ１０５が実装されたパッケージ本体１０１上に上記レンズ１１０を搭載する（段階Ｓ’２）。その後、図５に図示されたようなレーザービーム照射装置５００を使用して上記樹脂レンズ１１０の表面にレーザービームを照射（レーザーアブレーション）して、その表面１１１に粗さを形成する（段階Ｓ’３）。
図８の実施形態と違って、先にレーザーアブレーション工程を実施した後にレンズ搭載工程を実施しても構わない。即ち、図９に図示された通り、射出成形などでレンズ１１０を形成した後（段階Ｓ’’１）、レンズ１１０表面にレーザービームを照射して、その表面１１１に粗さを提供する（段階Ｓ’’２）。その後、表面に粗さが形成されたレンズ１１０をパッケージ本体１０１上に搭載する（段階Ｓ’’３）。
必要に応じて、パターンマスク（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｍａｓｋ）を使用して投光性樹脂部（モールディング樹脂またはレンズ）の表面に所望の粗さを規則的に形成させることが出来る。例えば、図６ａに図示された通り、投光性樹脂部（モールディング樹脂１０７またはレンズ１１１）とレーザービーム照射装置５００との間にパターンマスク６００を配置した状態で、レーザーアブレーション工程を実施することも出来る。多数のスリット６１０を有するパターンマスク６００を用いることにより、投光性樹脂部表面１０８ａに多数のストライプ形状の規則的な凸凹パターンを形成することが出来る（図６ｂ参照）。
本発明者らは、モールディング樹脂で使用されるシリコン樹脂の表面に対するレーザーアブレーション工程を実施した。レーザーアブレーション工程の工程条件セットは２種類に分けられている。
先ず、シリコン樹脂を使用してＬＥＤチップを封止した。その後、シリコン樹脂を乾燥して１５０℃で硬化させた。ＫｒＦ ２４８ｎｍエキシマレーザーを使用して、上記硬化されたシリコン樹脂に対して次の２種類の工程条件でレーザーアブレーションを実施した。
（１）ビームパワー：５００ｍＪ／ｃｍ２、ビームサイズ：１ｍｍ×１ｍｍ、反復周波数：１００Ｈｚ、パルス持続時間：数十ナノ秒。
（２）ビームパワー：１０００ｍＪ／ｃｍ２、ビームサイズ：１ｍｍ×１ｍｍ、反復周波数：１００Ｈｚ、パルス持続時間：数十ナノ秒。
レーザーアブレーション工程を実施する前には、硬化されたシリコン樹脂表面は、約０.６ｎｍの平均粗さ（Ａｖｅｒａｇｅ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ：Ｒａ）を表した。ところが、上記（１）の工程条件でレーザーアブレーション工程を実施した場合、シリコン樹脂表面の平均粗さ（Ｒａ）が約２１ｎｍで、１００ｎｍ程度のコーン（ｃｏｎｅ）形態の突出がシリコン樹脂の表面に存在することを確認した。
上記（２）の工程条件でレーザーアブレーション工程を実施した場合、シリコン樹脂の表面の平均粗さ（Ｒａ）が約８５ｎｍで、２４０−２７０ｎｍ程度のコーン形態の突出がシリコン樹脂の表面に存在することを確認した。
図１０（ａ）は、レーザーアブレーション処理しない比較例サンプルのＡＦＭ及びＳＥＭ写真を示し、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は、それぞれ上記（１）及び（２）の工程条件でレーザーアブレーション処理された実施例サンプルのＡＦＭ及びＳＥＭ写真をを示す。図１０にも表れた通り、レーザービームを照射しないシリコン樹脂サンプル（図１０（ａ））は、非常に滑らかな表面を有している反面、レーザーアブレーション処理されたシリコン樹脂サンプル（図１０（ｂ）、図１０（ｃ））は、比較的大きい表面粗さを表した。特に、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）のＳＥＭ写真を比べてみると、１０００ｍＪ／ｃｍ２パワーを用いた場合の表面状態（図１０（ｂ））は、５００ｍＪ／ｃｍ２パワーを用いた場合の表面状態と確実に異なることが分かる。
本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求範囲により限定される。また、本発明は請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な形態の置換、変形及び変更が出来るということは当技術分野の通常の知識を有している者には自明である。
従来の一例による発光ダイオードパッケージの断面図である。 本発明の一実施形態の製造方法により製造された発光ダイオードパッケージの断面図である。 本発明の他の実施形態の製造方法により製造された発光ダイオードパッケージの断面図である。 本発明の一実施形態による製造方法において、モールディング樹脂表面に対するレーザーアブレーション工程を示した概略図である。 本発明の他の実施形態による製造方法において、レンズ表面に対するレーザーアブレーション工程を示した概略図である。 本発明の一実施形態による製造方法において、パターンマスクを使用するレーザーアブレーション工程を示した概略図である。 図６ａのレーザーアブレーション工程により得られる投光性樹脂部の凸凹表面を示した図面である。 本発明の一実施形態による製造方法を示した工程フロー図である。 本発明の他の実施形態による製造方法を示した工程フロー図である。 本発明のまた異なる実施形態による製造方法を示した工程フロー図である。 比較例及び実施例によって得られたモールディング樹脂表面に対するＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）イメージ及びＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を示す。
符号の説明
１００、２００ ＬＥＤパッケージ
１０１ パッケージ本体
１０３ リードフレーム
１０５ ＬＥＤチップ
１０７ モールディング樹脂
１０８ モールディング樹脂表面
１１０ ＬＥＤ用レンズ
１１１ ＬＥＤ用レンズ表面
４００ 透明カバー板
５００ レーザービーム照射装置
５１０ レーザー装置用レンズ
６００ パターンマスク

Claims (14)

  1. ＬＥＤパッケージ用投光性樹脂部を形成する段階と、
    前記ＬＥＤパッケージ用投光性樹脂部の表面に粗さを形成するよう前記表面にレーザービームを照射する段階と、を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージの製造方法。
  2. 前記投光性樹脂部は、ＬＥＤチップを封止するモールディング樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  3. 前記投光性樹脂部を形成する段階は、前記モールディング樹脂でＬＥＤチップを封止する段階と、その後に前記モールディング樹脂を硬化する段階と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  4. 前記モールディング樹脂は、シリコン樹脂で形成されることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  5. 前記モールディング樹脂は、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳｓ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫｓ）、ポリカーボネート（ＰＣｓ）、ポリイミド（ＰＩｓ）、ポリエーテルイミド、セルローストリアセテート樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリスルホン樹脂及びフッ化樹脂からなるグループから選択されたことを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  6. 前記投光性樹脂部は、レンズであることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  7. 前記投光性樹脂部を形成する段階と前記レーザービーム照射段階との間に、前記レンズをＬＥＤチップが実装されたパッケージ本体上に搭載する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  8. 前記レーザービーム照射段階後に前記レンズをＬＥＤチップが実装されたパッケージ本体上に搭載する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  9. 前記レンズは、シリコン樹脂またはエポキシ樹脂で形成されることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  10. 前記レーザービーム照射段階において、前記投光性樹脂部上に前記レーザービームに対して投光特性を有するカバー板を配置することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  11. 前記レーザービーム照射段階において、前記投光性樹脂部上には前記レーザービームを選択的に透過させるパターンマスクを配置することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  12. 前記パターンマスクは、多数のスリットを有することを特徴とする請求項１１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  13. 前記レーザービームは、２４８ｎｍ波長のＫｒＦレーザービーム、１９３ｎｍ波長のＡｒＦレーザービーム、ＣＯ２ガスパルスレーザービーム及び３５５ｎｍ波長のＮｄ−ＹＡＧパルスレーザービームの何れか一つであることを特徴とする発請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
  14. 前記投光性樹脂はシリコン樹脂で形成され、前記レーザービームとして５００乃至１０００ｍＪ／ｃｍ２のパワー及び１００Ｈｚの反復周波数を有するＫｒＦレーザービームを使用することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
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