FR2935542A1 - Dispositif photoemetteur et procede de fabrication - Google Patents

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Abstract

Dispositif photoémetteur comprenant : - une base (1), - une plaquette photoémissive (2) installée sur la base (1) et constituant une surface photoémissive (20), - un capuchon réfléchissant (14) installé sur la base (1) et recevant la plaquette photoémissive (2), et - une structure déstructurée (3) formée sur la surface photoémissive (20) de la plaquette photoémissive (2).

Description

1 Domaine de l'invention La présente invention concerne un dispositif photoémetteur et plus particulièrement un procédé de fabrication d'un dispositif photoémetteur ayant une intensité lumineuse appropriée.
Etat de la technique Actuellement, on utilise les modules d'éclairage arrière dans les dispositifs d'affichage pour émettre un faisceau lumineux. En fonction des standards du système RoHS, les diodes photoémissives LED ont remplacé les lampes fluorescentes à cathode froide (CCFL) pour le module d'éclairage arrière en servant de source lumineuse. Un module d'éclairage arrière de grande dimension, par exemple dont les dimensions dépassent 70 cm, s'utilise dans les téléviseurs. Un module d'éclairage arrière de dimension moyenne, par exemple dont les dimensions sont inférieures à 17 pouces et supérieures à 12 pouces sert pour les écrans d'ordinateur des petits ordinateurs portables. Un dispositif d'affichage à cristaux liquides de petite dimension, par exemple dont les dimensions sont inférieures à 10 pouces, s'utilise pour les téléphones mobiles, les assistants numériques personnels, les caméras numériques et autres appareils de ce type.
Généralement, le module d'éclairage arrière comporte de nombreuses diodes LED installées en ligne ou en réseau pour fournir une intensité lumineuse suffisante. En fonction de la distribution de l'intensité lumineuse du module à éclairage arrière, toutes les diodes LED du module d'éclairage arrière sont nécessaires pour donner une intensité lumineuse appropriée. Pour fabriquer un module d'éclairage arrière dont la distribution de l'intensité lumineuse est uniforme, on choisit et on sélectionne les diodes LED donnant une intensité lumineuse appropriée et on les traite avant de fabriquer le module d'éclairage arrière. Toutefois, l'élimination des diodes LED dont l'intensité lumineuse est différente de l'intensité lumineuse appropriée, augmente les coûts. But de l'invention La présente invention a pour but de développer un dispositif photoémetteur évitant les inconvénients des solutions connues.
2 A cet effet, l'invention concerne un dispositif photoémetteur caractérisé en ce qu'il comprend : - une base, - une plaquette photoémissive installée sur la base et constituant une surface photoémissive, - un capuchon réfléchissant installé sur la base et recevant la plaquette photoémissive, et - une structure déstructurée formée sur la surface photoémissive de la plaquette photoémissive.
L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une telle diode photoémissive caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - on fixe un seuil d'intensité lumineuse, - on mesure l'intensité lumineuse émise par le dispositif photoémetteur, - on calcule l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée, émise par le dispositif photoémetteur, et - on réalise une structure déstructurée permettant de diminuer l'énergie du faisceau lumineux à la surface de l'élément optique du dispositif photoémetteur mesuré, l'efficacité de diminution de l'énergie de la structure déstructurée étant directement proportionnelle à l'écart. Le dispositif photoémetteur selon l'invention est en outre caractérisé en ce que la structure déstructurée est un artefact brûlé ou une structure grumeleuse.
Une autre caractéristique est que la base comprend : - un substrat, - un premier contact métallique placé sur la surface supérieure du substrat, la plaquette photoémissive étant montée sur celle-ci et reliée au premier contact métallique, - un second contact métallique étant prévu sur la surface supérieure du substrat, - un câble reliant la plaquette photoémissive et le second contact métallique, et - un moyen d'encapsulage est formé dans le capuchon réfléchissant pour encapsuler la plaquette photoémissive.
3 Une caractéristique du dispositif photoémetteur est qu'il comprend : - une base, - une plaquette photoémissive installée sur la base et constituant une surface photoémissive, - un capuchon réfléchissant installé sur la base et recevant la plaquette photoémissive, et - un élément optique étant placé dans le chemin lumineux, et - une structure déstructurée étant formée sur au moins une face de l'élément optique. De plus la structure déstructurée est un artefact brûlé ou une structure grumeleuse. En outre l'élément optique est un élément transparent ou un élément réfléchissant la lumière.
Par ailleurs le procédé selon l'invention se caractérise en ce que la base comprend : - un substrat, - un premier contact métallique placé sur la surface supérieure du substrat, la plaquette photoémissive étant installée sur cette surface et reliée au premier contact métallique, - un second contact métallique est prévu sur la surface supérieure du substrat, - un fil reliant la plaquette photoémissive et le second contact métallique, et - un moyen d'encapsulage étant installé sur le substrat pour couvrir la plaquette photoémissive. Le procédé de fabrication d'un dispositif photoémetteur est en outre caractérisé en ce que le procédé de fabrication de la structure déstructurée comprend les étapes suivantes : - on fixe un seuil de plage des intensités lumineuses, - on forme un artefact brûlé dans l'élément optique par un faisceau laser si l'intensité lumineuse mesurée émise par le dispositif photoémetteur dépasse la plage de seuils des intensités lumineuses,
4 l'efficacité de la diminution de l'énergie par rapport au rapport d'absorption de la lumière par l'artefact brûlé étant directement proportionnelle au degré ou à la surface de l'artefact brûlé. Le procédé de fabrication d'un dispositif photoémetteur selon l'invention présente les caractéristiques suivantes : - l'élément optique est une plaquette photoémissive et l'artefact brûlé est formé sur la surface photoémissive de la plaquette photoémissive, - l'élément optique est un moyen d'encapsulage et l'artefact brûlé est formé sur la surface photoémissive du moyen d'encapsulage, io - l'élément optique est un élément optique transparent et l'artefact brûlé est réalisé à la surface de cet élément optique transparent, - l'élément optique est un élément réfléchissant la lumière et l'artefact brûlé est réalisé à la surface de l'élément réfléchissant la lumière. Il se caractérise en outre par les étapes suivantes : 15 - on fixe une plage de seuils des l'intensités lumineuses, et - on forme une structure grumeleuse sur l'élément optique par micro-sablage si l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur dépasse la plage de seuils des intensités lumineuses, l'efficacité de la diminution d'énergie par rapport à un coefficient de dis- 20 persion de lumière pour la structure grumeleuse est directement proportionnelle au degré ou à la surface de la structure grumeleuse. Enfin le procédé de fabrication selon l'invention a pour caractéristique que : - l'élément optique est une plaquette photoémissive et la structure gru- 25 meleuse est formée sur la surface photoémissive de la plaquette photoémissive, - l'élément optique est un moyen d'encapsulage et la structure grumeleuse est réalisée sur la surface photoémissive du moyen d'encapsulage, - l'élément optique est un élément optique transparent et la structure 30 grumeleuse est formée à la surface de cet élément optique transparent, - l'élément optique est un élément réfléchissant la lumière et la structure grumeleuse est formée à la surface de cet élément réfléchissant la lumière, - l'élément optique est une plaquette photoémissive ou un élément 35 transparent ou un élément réfléchissant la lumière. Ainsi, le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive du dispositif photoémetteur arrive en partie sur la structure déstructurée de sorte qu'un peu d'énergie lumineuse est absorbée ou est dispersée par la structure déstructurée, ce qui diminue l'intensité 5 lumineuse globale. Le dispositif photoémetteur ayant une structure déstructurée donne ainsi une intensité lumineuse appropriée grâce au rapport d'absorption de la lumière ou au coefficient de dispersion de la lumière de la structure déstructurée, qui sont directement proportionnels à l'écart de l'intensité lumineuse.
Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide de modes de réalisation préférentielle représentés dans les dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est une vue en coupe d'un premier mode de réalisation d'un dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 2 est une vue en coupe d'un second mode de réalisation d'un dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 3 est un ordinogramme présentant un procédé de fabrication du dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 4 est un ordinogramme montrant un procédé de fabrication d'une structure déstructurée par un faisceau laser selon l'invention ; - la figure 5 est un ordinogramme présentant un procédé de fabrication de la structure déstructurée par micro-sablage selon l'invention ; - la figure 6 est une vue en coupe d'un troisième mode de réalisation du dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 7 est une vue en coupe d'un quatrième mode de réalisation du dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 8 est une vue en coupe d'un cinquième mode de réalisation du dispositif photoémetteur selon l'invention ; et - la figure 9 est une vue en coupe d'un sixième mode de réalisation d'un dispositif photoémetteur selon l'invention.
6 Description détaillée des modes de réalisation préférentielle La figure 1 montre un premier exemple de réalisation d'un dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 comporte une base 1, une plaquette photoémissive 2 placée sur le des- sus de la base 1 et au moins une structure déstructurée. La base 1 comporte un substrat 10, un premier contact métallique 11, un second contact métallique 12, ainsi qu'un fil de liaison 13 et un capuchon réflecteur 14. Le premier contact métallique 11 et le second contact métallique 12 sont placés sur la surface supérieure du substrat 10. La plaquette photoémissive 2 forme une première surface photoémissive 20, sur sa face supérieure. Cette face est en contact avec le premier contact métallique 11. Le fil de liaison 13 relie la plaquette photoémissive 2 et le second contact métallique 12. Le capuchon réflecteur 14 est placé sur la surface supérieure du substrat 10 portant la plaquette photoémissive 2 et le fil de liaison 13. En particulier, la structure déstructurée est un artefact brûlé 3 sur la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2. Une source d'alimentation est reliée au premier contact métallique 11 et au second contact métallique 12 pour que la plaquette photoémissive 2 puisse rayonner un faisceau lumineux. Le faisceau lumineux se développe vers l'extérieur de la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 pour définir un chemin lumineux 4 (les flèches dans les figures).
La figure 2 montre un second mode de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 comporte en outre un moyen d'encapsulage 15. Le moyen d'encapsulage 15 est formé d'un capuchon réfléchissant 14 pour emprisonner la plaquette photoémissive 20 et constituer une seconde surface photoémissive 150.
L'artefact brulé 3 est formé dans la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15. De façon particulière, le moyen d'encapsulage 15 est une résine transparente ou mélangée des luminophores 151. Si le moyen d'encapsulage 15 est en une résine transpa- rente, le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 tra-
7 verse le moyen d'encapsulage 15, directement, et sort par la seconde surface photoémissive 150. Mais si le moyen d'encapsulage 15 est une résine transparente mélangée à des luminophores 151, le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 excite les luminophores 151 qui en modifient le spectre de fréquence et réfléchissent le faisceau. Le faisceau lumineux modifié est rayonné vers l'extérieur par la seconde surface photoémissive 150. De manière particulière, le spectre des fréquences du faisceau lumineux rayonné par la surface photoémissive 150 de l'unité photoémissive 100 peut être réglé en choisissant le spectre de fréquence du faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 et les luminophores 151 La figure 3 est un ordinogramme du procédé de fabrication du dispositif photoémetteur 100. Le procédé de fabrication corn- prend les étapes suivantes : SO1 : on règle préalablement une plage seuils de l'intensité lumineuse. S02 : on mesure l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur. S03 : on compare l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur et le seuil de l'intensité lumineuse ; si l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur mesuré est incluse dans la plage de seuil de l'intensité lumineuse, on effectue l'étape SO4. Si l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur est inférieure au seuil de l'intensité lumineuse on effectue l'opération S05. Si l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur mesuré dépasse le seuil de l'intensité lumineuse effectue l'étape S06. SO4 : on peut utiliser directement l'unité photoémissive mesurée. S05 : l'unité photoémissive mesurée est inutilisable. S06 : on forme l'artefact brulé 3 sur la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 du dispositif photoémetteur me- suré ou de la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 du dispositif photoémetteur mesuré de manière à diminuer son intensité lumineuse et pour que l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur mesuré avec l'artefact brûlé 3 se trouve dans la plage seuils de l'intensité lumineuse.
8 La figure 4 montre un ordinogramme d'un procédé de fabrication de l'artefact brulé 3 à l'aide d'un faisceau laser. Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : S60 : on calcule une valeur d'écart entre le seuil de l'intensité lumi- neuse et l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur et S61 : on émet le faisceau laser avec une énergie suffisante par la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou de la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 pour former au moins un artefact brulé 3, l'amplitude ou la surface de Parte- fact brûlé 3 étant directement proportionnelle à la valeur de l'écart. On fixe le seuil de l'intensité lumineuse à 100 lm/w (lu-men par watt). La plage du seuil de l'intensité lumineuse est fixée à 1 %, et ainsi la plage du seuil de l'intensité lumineuse varie de 99 lm/w à 101 lm/w. Si l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur mesuré dépasse 101 lm/w, on forme au moins un artefact brûlé 3 sur la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou de la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 avec le faisceau laser émis avec une énergie suffisante. De manière précise, on peut diriger le faisceau laser sur le luminophore 151 pour endommager le luminophore 151. C'est pour-quoi le faisceau émis par la plaquette photoémissive 2 ne pourra pas être excité et réfléchi par les phosphores endommagés 151 ce qui diminue l"intensité lumineuse du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur mesuré est utilisé tel quel si son intensité lumineuse se situe dans la plage de seuils de l'intensité lumineuse. Si l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur mesuré dépasse la plage de seuil de l'intensité lumineuse, on réalise l'artefact brûlé 3 dans la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'en- capsulage 15 du dispositif photoémetteur mesuré par un faisceau laser d'énergie suffisante. L'importance ou la surface de l'artefact brûlé 3 vis-à-vis du rapport d'absorption lumineuse est directement proportionnelle à l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée. Lorsque le faisceau lumineux émis par la plaquette photoé-
9 missive 2 traverse l'artefact brûlé 3, un peu d'énergie lumineuse est absorbée par cet artefact brûlé 3 pour diminuer l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur 100. La quantité d'énergie lumineuse absorbée dépend du rapport d'absorption lumineuse de l'élément factice. C'est pourquoi le dispositif photoémetteur 100 avec l'artefact brûlé 3 a une intensité lumineuse importante. La figure 5 montre un ordinogramme d'un procédé de fabrication de la structure déstructurée par micro-sablage. Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : S60' : on calcule une valeur de l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur. S61' : on effectue un micro-sablage de la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou de la seconde surface pho- toémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 pour former au moins une structure grumeleuse 5 ; la quantité ou la surface de la structure grumeleuse 5 est directement proportionnelle à la valeur de décalage. Dans un autre cas, on fixe le seuil de l'intensité lumineuse à 100 lm/w. Le seuil de l'intensité lumineuse est fixé à 1 %, et ainsi la plage de seuils de l'intensité lumineuse varie de 99 lm/w à 101 lm/w. Si l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur mesuré dé-passe 101 lm/w, on forme au moins une structure grumeleuse 5 au ni-veau de la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou de la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 par micro-sablage. La figure 6 montre un troisième exemple de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 a au moins une structure grumeleuse 5 formée sur la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2.
La figure 7 montre un quatrième exemple de mode de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 a au moins une structure grumeleuse 5 formée sur la seconde sur-face photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15. La quantité ou la surface de la structure grumeleuse 50 par rapport au coefficient de diffraction de lumière est directement pro-
10 portionnelle à l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée. Lorsque le faisceau lumineux rayonné par la plaquette photoémissive 2 traverse la structure grumeleuse 5, un peu de lumière est dispersée ce qui diminue l'énergie lumineuse.
Le dispositif photoémetteur 100 avec la structure grumeleuse 5 donne une intensité lumineuse consistante grâce au faisceau lumineux dispersé à cause du coefficient de dispersion de la lumière par la structure grumeleuse 5. La figure 8 montre un cinquième mode de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 comporte en outre un élément optique transparent 6 en forme de plaque tel qu'un verre transparent placé dans le chemin lumineux 4. La structure destructive est formée sur au moins une surface de l'élément optique transparent 6. L'élément optique transparent 6 est placé parallèlement et de façon écartée par rapport à la seconde surface photoémissive 150. De plus, l'élément optique transparent 6 peut être relié à la seconde surface photoémissive 150. De manière particulière, l'élément optique transparent 6 peut être réalisé en verre ou en matière plastique. La structure déstruc- turée formée sur l'élément optique transparent 6 peut être l'artefact brulé 3 ou la structure grumeleuse 5. Le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 est rayonné vers l'extérieur par la seconde surface photoémissive 150 puis à travers l'élément optique transparent 6. Comme une petite partie du faisceau lumineux est rayonnée vers la structure déstructurée pour diminuer l'énergie lumineuse, l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur 100 est ainsi diminuée. La figure 9 montre un sixième exemple de mode de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 comporte en outre un élément réfléchissant 7 en forme de plaque placé dans le chemin lumineux 4. La structure déstructurée est formée sur au moins une surface de l'élément réfléchissant la lumière 7. L'élément réfléchissant la lumière 7 est disposé dans une position oblique au-dessus et de façon écartée par rapport à la seconde surface photoémis-
11 sive 150. La structure déstructurée formée sur l'élément réfléchissant la lumière 7 peut être l'artefact brulé 3 ou la structure grumeleuse 5. Le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 est rayonné vers l'extérieur par la surface photoémissive 150 pour être réfléchi par l'élément réfléchissant 7. Une fraction du faisceau lumineux est dirigée vers la structure déstructurée de manière à diminuer son énergie lumineuse, ce qui diminue l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur 100. Dans un autre cas, on prépare préalablement de nombreux éléments optiques transparents 6 et des éléments réfléchissants 7 avec des degrés différents ou des surfaces de structure déstructurées. Après avoir mesuré l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur et calculé l'écart, on place un élément optique transparent 6 ou un élément réfléchissant la lumière 7 dont le degré ou la surface de la struc- 15 ture déstructurée par rapport à l'écart est choisi parmi les éléments optiques transparents 6 ou les éléments réfléchissants la lumière 7. L'élément optique transparent 6 correspondant ou l'élément réfléchissant la lumière 7 et le dispositif photoémetteur mesuré sont ensuite as-semblés. 20 La structure déstructurée telle que l'artefact brulé 3 et la structure grumeleuse 5 sont formés à la surface de la plaquette photoémissive ou de l'élément optique, tel que le moyen d'encapsulage 15, l'élément optique transparent 6 et l'élément réfléchissant la lumière 7 par micro-sablage ou par un faisceau laser. 25 Le degré ou la surface de structure déstructurée par rapport à l'absorption lumineuse ou au coefficient de dispersion de lumière sont directement proportionnels à l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse d'origine émise par le dispositif photoémetteur 100. 30 Le faisceau lumineux rayonné par le dispositif photoémetteur mesuré au niveau de la structure déstructurée fait qu'une fraction de l'énergie lumineuse est absorbée ou est dispersée par la structure déstructurée, ce qui diminue l'intensité lumineuse. Le dispositif photoémetteur 100 avec la structure déstructurée a une intensité 35 lumineuse appropriée grâce au rapport d'absorption de lumière ou au
12 coefficient de dispersion de lumière de la structure déstructurée qui est directement proportionnel à l'écart de l'intensité lumineuse. La présente invention n'est pas limitée au mode de réalisation décrit ci-dessus et de nombreuses additions, variantes ou analo- gues, peuvent être faites dans le cadre de l'invention sans sortir du domaine de celle-ci.

Claims (1)

  1. REVENDICATIONS1 °) Dispositif photoémetteur caractérisé en ce qu'il comprend : - une base (1), - une plaquette photoémissive (2) installée sur la base (1) et constituant une surface photoémissive, - un capuchon réfléchissant installé sur la base et recevant la plaquette photoémissive, et - une structure déstructurée (3) formée sur la surface photoémissive de la plaquette photoémissive. 2°) Dispositif photoémetteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure déstructurée est un artefact brulé ou une structure grumeleuse (3). 3°) Dispositif photoémetteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la base (1) comprend : - un substrat (10), - un premier contact métallique (11) placé sur la surface supérieure du substrat (10), la plaquette photoémissive (2) étant montée sur celle-ci et reliée au premier contact métallique (11), - un second contact métallique (12) étant prévu sur la surface supérieure du substrat (10), - un câble (13) reliant la plaquette photoémissive (2) et le second contact métallique (12), et - un moyen d'encapsulage (15) est formé dans le capuchon réfléchissant (14) pour encapsuler la plaquette photoémissive (2). 4°) Dispositif photoémetteur comprenant : - une base (1), - une plaquette photoémissive (2) installée sur la base (1) et constituant une surface photoémissive, - un capuchon réfléchissant installé sur la base et recevant la plaquette photoémissive, 14 - un élément optique (6) étant placé dans le chemin lumineux (4), et - une structure déstructurée étant formée sur au moins une face de l'élément optique (6). 5°) Dispositif photoémetteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la structure déstructurée est un artefact brûlé (3) ou une structure grumeleuse (5). 6°) Dispositif photoémetteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'élément optique (6) est un élément transparent ou un élément réfléchissant la lumière. 7°) Dispositif photoémetteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la base (1) comprend : - un substrat (10), - un premier contact métallique (11) placé sur la surface supérieure du substrat (10), la plaquette photoémissive (2) étant installée sur cette surface et reliée au premier contact métallique (11), - un second contact métallique (12) est prévu sur la surface supérieure du substrat (10), - un fil (13) reliant la plaquette photoémissive (2) et le second contact métallique (12), et - un moyen d'encapsulage (15) étant installé sur le substrat (10) pour couvrir la plaquette photoémissive (2). 8°) Procédé de fabrication d'un dispositif photoémetteur caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - on fixe un seuil d'intensité lumineuse, - on mesure l'intensité lumineuse émise par le dispositif photoémetteur, - on calcule l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée, émise par le dispositif photoémetteur (2), et 15 - on réalise une structure déstructurée permettant de diminuer l'énergie du faisceau lumineux à la surface de l'élément optique (6) du dispositif photoémetteur mesuré, l'efficacité de diminution de l'énergie de la structure déstructurée étant directement proportionnelle à l'écart. 9°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 8, caractérisé en ce que le procédé de fabrication de la structure déstructurée comprend les étapes suivantes : - on fixe un seuil de plage des intensités lumineuses, - on forme un artefact brûlé dans l'élément optique par un faisceau laser si l'intensité lumineuse mesurée émise par le dispositif photoémet- teur (2) dépasse la plage de seuils des intensités lumineuses, l'efficacité de la diminution de l'énergie par rapport au rapport d'absorption de la lumière par l'artefact brûlé étant directement proportionnelle au degré ou à la surface de l'artefact brûlé. 10°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément optique est une plaquette photoémissive et l'artefact brûlé est formé sur la surface photoémissive de la plaquette photoémissive (2). 11 °) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément optique est un moyen d'encapsulage (15) et l'artefact brûlé est formé sur la surface photoémissive du moyen d'encapsulage (15). 12°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 9, caractérisé en ce que 16 l'élément optique est un élément optique transparent et l'artefact brulé est réalisé à la surface de cet élément optique transparent. 13°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendi- cation 9, caractérisé en ce que l'élément optique est un élément réfléchissant la lumière et l'artefact brûlé est réalisé à la surface de l'élément réfléchissant la lumière. 14°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 8, caractérisé en ce que le procédé de réalisation d'une structure déstructurée comprend les étapes suivantes : - on fixe une plage de seuils des intensités lumineuses, et - on forme une structure grumeleuse (5) sur l'élément optique (6) par micro-sablage si l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur dépasse la plage de seuils des intensités lumineuses, l'efficacité de la diminution d'énergie par rapport à un coefficient de dis- persion de lumière pour la structure grumeleuse (5) est directement proportionnelle au degré ou à la surface de la structure grumeleuse. 15°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'élément optique est une plaquette photoémissive et la structure grumeleuse (5) est formée sur la surface photoémissive (20) de la plaquette photoémissive (2). 16°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'élément optique est un moyen d'encapsulage (15) et la structure grumeleuse (5) est réalisée sur la surface photoémissive (150) du moyen d'encapsulage (15).17 17°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'élément optique (6) est un élément optique transparent et la structure 5 grumeleuse (5) est formée à la surface de cet élément optique transparent. 18°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 14, 10 caractérisé en ce que l'élément optique est un élément (7) réfléchissant la lumière et la structure grumeleuse (5) est formée à la surface de cet élément (7) réfléchissant la lumière. 15 19°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'élément optique est une plaquette photoémissive ou un élément transparent ou un élément réfléchissant la lumière. 20
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