FR2935542A1 - Light transmitting device i.e. LED, for LCD of e.g. electronic device, has destructured structure formed on photoemissive surface of wafer, and with light dispersion coefficient/absorption ratio directly proportional to intensity difference - Google Patents
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 16
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 101100135641 Caenorhabditis elegans par-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/003—Light absorbing elements
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- G02—OPTICS
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- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
1 Domaine de l'invention La présente invention concerne un dispositif photoémetteur et plus particulièrement un procédé de fabrication d'un dispositif photoémetteur ayant une intensité lumineuse appropriée. FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a light emitting device and more particularly to a method of manufacturing a light emitting device having a suitable light intensity.
Etat de la technique Actuellement, on utilise les modules d'éclairage arrière dans les dispositifs d'affichage pour émettre un faisceau lumineux. En fonction des standards du système RoHS, les diodes photoémissives LED ont remplacé les lampes fluorescentes à cathode froide (CCFL) pour le module d'éclairage arrière en servant de source lumineuse. Un module d'éclairage arrière de grande dimension, par exemple dont les dimensions dépassent 70 cm, s'utilise dans les téléviseurs. Un module d'éclairage arrière de dimension moyenne, par exemple dont les dimensions sont inférieures à 17 pouces et supérieures à 12 pouces sert pour les écrans d'ordinateur des petits ordinateurs portables. Un dispositif d'affichage à cristaux liquides de petite dimension, par exemple dont les dimensions sont inférieures à 10 pouces, s'utilise pour les téléphones mobiles, les assistants numériques personnels, les caméras numériques et autres appareils de ce type. State of the art Currently, the rear light modules are used in the display devices to emit a light beam. Based on RoHS standards, LED light emitting diodes replaced cold cathode fluorescent lamps (CCFL) for the rear light module as a light source. A large rear lighting module, for example, whose dimensions exceed 70 cm, is used in televisions. A medium-sized rear light module, for example, whose dimensions are less than 17 inches and greater than 12 inches is used for computer screens of small laptops. A small-sized liquid crystal display device, for example, whose dimensions are less than 10 inches, is used for mobile phones, personal digital assistants, digital cameras and the like.
Généralement, le module d'éclairage arrière comporte de nombreuses diodes LED installées en ligne ou en réseau pour fournir une intensité lumineuse suffisante. En fonction de la distribution de l'intensité lumineuse du module à éclairage arrière, toutes les diodes LED du module d'éclairage arrière sont nécessaires pour donner une intensité lumineuse appropriée. Pour fabriquer un module d'éclairage arrière dont la distribution de l'intensité lumineuse est uniforme, on choisit et on sélectionne les diodes LED donnant une intensité lumineuse appropriée et on les traite avant de fabriquer le module d'éclairage arrière. Toutefois, l'élimination des diodes LED dont l'intensité lumineuse est différente de l'intensité lumineuse appropriée, augmente les coûts. But de l'invention La présente invention a pour but de développer un dispositif photoémetteur évitant les inconvénients des solutions connues. Generally, the rear light module has many LEDs installed in line or in a network to provide sufficient light intensity. Depending on the light intensity distribution of the rear-illuminated module, all LEDs in the rear light module are required to provide adequate light intensity. To manufacture a rear light module with a uniform light intensity distribution, LEDs of appropriate light intensity are selected and selected and processed prior to manufacturing the rear light module. However, the elimination of LEDs whose light intensity is different from the appropriate light intensity, increases the costs. OBJECT OF THE INVENTION The present invention aims to develop a light emitting device avoiding the disadvantages of known solutions.
2 A cet effet, l'invention concerne un dispositif photoémetteur caractérisé en ce qu'il comprend : - une base, - une plaquette photoémissive installée sur la base et constituant une surface photoémissive, - un capuchon réfléchissant installé sur la base et recevant la plaquette photoémissive, et - une structure déstructurée formée sur la surface photoémissive de la plaquette photoémissive. 2 For this purpose, the invention relates to a light emitting device characterized in that it comprises: - a base, - a photoemissive plate installed on the base and constituting a photoemissive surface, - a reflective cap installed on the base and receiving the wafer photoemissive, and - a destructured structure formed on the photoemissive surface of the photoemissive plate.
L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une telle diode photoémissive caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - on fixe un seuil d'intensité lumineuse, - on mesure l'intensité lumineuse émise par le dispositif photoémetteur, - on calcule l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée, émise par le dispositif photoémetteur, et - on réalise une structure déstructurée permettant de diminuer l'énergie du faisceau lumineux à la surface de l'élément optique du dispositif photoémetteur mesuré, l'efficacité de diminution de l'énergie de la structure déstructurée étant directement proportionnelle à l'écart. Le dispositif photoémetteur selon l'invention est en outre caractérisé en ce que la structure déstructurée est un artefact brûlé ou une structure grumeleuse. The invention also relates to a method of manufacturing such a light emitting diode characterized in that it comprises the following steps: a light intensity threshold is fixed, the light intensity emitted by the light emitting device is measured, the difference between the light intensity threshold and the measured light intensity emitted by the light emitting device is calculated, and a destructured structure is produced which makes it possible to reduce the energy of the light beam at the surface of the optical element measured light emitting device, the efficiency of energy reduction of the destructured structure being directly proportional to the difference. The light emitting device according to the invention is further characterized in that the destructured structure is a burnt artefact or a lumpy structure.
Une autre caractéristique est que la base comprend : - un substrat, - un premier contact métallique placé sur la surface supérieure du substrat, la plaquette photoémissive étant montée sur celle-ci et reliée au premier contact métallique, - un second contact métallique étant prévu sur la surface supérieure du substrat, - un câble reliant la plaquette photoémissive et le second contact métallique, et - un moyen d'encapsulage est formé dans le capuchon réfléchissant pour encapsuler la plaquette photoémissive. Another feature is that the base comprises: - a substrate, - a first metal contact placed on the upper surface of the substrate, the light emitting plate being mounted on it and connected to the first metal contact, - a second metal contact being provided on the upper surface of the substrate; a cable connecting the light emitting plate and the second metal contact; and encapsulating means is formed in the reflective cap to encapsulate the light emitting wafer.
3 Une caractéristique du dispositif photoémetteur est qu'il comprend : - une base, - une plaquette photoémissive installée sur la base et constituant une surface photoémissive, - un capuchon réfléchissant installé sur la base et recevant la plaquette photoémissive, et - un élément optique étant placé dans le chemin lumineux, et - une structure déstructurée étant formée sur au moins une face de l'élément optique. De plus la structure déstructurée est un artefact brûlé ou une structure grumeleuse. En outre l'élément optique est un élément transparent ou un élément réfléchissant la lumière. 3 A feature of the light emitting device is that it comprises: - a base, - a photoemissive plate installed on the base and constituting a light emitting surface, - a reflective cap installed on the base and receiving the light emitting plate, and - an optical element being placed in the light path, and - a destructured structure being formed on at least one face of the optical element. In addition, the destructured structure is a burnt artefact or a lumpy structure. In addition, the optical element is a transparent element or a light reflecting element.
Par ailleurs le procédé selon l'invention se caractérise en ce que la base comprend : - un substrat, - un premier contact métallique placé sur la surface supérieure du substrat, la plaquette photoémissive étant installée sur cette surface et reliée au premier contact métallique, - un second contact métallique est prévu sur la surface supérieure du substrat, - un fil reliant la plaquette photoémissive et le second contact métallique, et - un moyen d'encapsulage étant installé sur le substrat pour couvrir la plaquette photoémissive. Le procédé de fabrication d'un dispositif photoémetteur est en outre caractérisé en ce que le procédé de fabrication de la structure déstructurée comprend les étapes suivantes : - on fixe un seuil de plage des intensités lumineuses, - on forme un artefact brûlé dans l'élément optique par un faisceau laser si l'intensité lumineuse mesurée émise par le dispositif photoémetteur dépasse la plage de seuils des intensités lumineuses, Furthermore, the method according to the invention is characterized in that the base comprises: a substrate, a first metal contact placed on the upper surface of the substrate, the light emitting wafer being installed on this surface and connected to the first metal contact, a second metal contact is provided on the upper surface of the substrate, - a wire connecting the light emitting wafer and the second metal contact, and - an encapsulation means being installed on the substrate to cover the light emitting wafer. The method for manufacturing a light-emitting device is further characterized in that the method of manufacturing the destructured structure comprises the following steps: a threshold of the range of the light intensities is fixed; an artifact burned in the element is formed; optical by a laser beam if the measured light intensity emitted by the light emitting device exceeds the threshold range of the light intensities,
4 l'efficacité de la diminution de l'énergie par rapport au rapport d'absorption de la lumière par l'artefact brûlé étant directement proportionnelle au degré ou à la surface de l'artefact brûlé. Le procédé de fabrication d'un dispositif photoémetteur selon l'invention présente les caractéristiques suivantes : - l'élément optique est une plaquette photoémissive et l'artefact brûlé est formé sur la surface photoémissive de la plaquette photoémissive, - l'élément optique est un moyen d'encapsulage et l'artefact brûlé est formé sur la surface photoémissive du moyen d'encapsulage, io - l'élément optique est un élément optique transparent et l'artefact brûlé est réalisé à la surface de cet élément optique transparent, - l'élément optique est un élément réfléchissant la lumière et l'artefact brûlé est réalisé à la surface de l'élément réfléchissant la lumière. Il se caractérise en outre par les étapes suivantes : 15 - on fixe une plage de seuils des l'intensités lumineuses, et - on forme une structure grumeleuse sur l'élément optique par micro-sablage si l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur dépasse la plage de seuils des intensités lumineuses, l'efficacité de la diminution d'énergie par rapport à un coefficient de dis- 20 persion de lumière pour la structure grumeleuse est directement proportionnelle au degré ou à la surface de la structure grumeleuse. Enfin le procédé de fabrication selon l'invention a pour caractéristique que : - l'élément optique est une plaquette photoémissive et la structure gru- 25 meleuse est formée sur la surface photoémissive de la plaquette photoémissive, - l'élément optique est un moyen d'encapsulage et la structure grumeleuse est réalisée sur la surface photoémissive du moyen d'encapsulage, - l'élément optique est un élément optique transparent et la structure 30 grumeleuse est formée à la surface de cet élément optique transparent, - l'élément optique est un élément réfléchissant la lumière et la structure grumeleuse est formée à la surface de cet élément réfléchissant la lumière, - l'élément optique est une plaquette photoémissive ou un élément 35 transparent ou un élément réfléchissant la lumière. Ainsi, le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive du dispositif photoémetteur arrive en partie sur la structure déstructurée de sorte qu'un peu d'énergie lumineuse est absorbée ou est dispersée par la structure déstructurée, ce qui diminue l'intensité 5 lumineuse globale. Le dispositif photoémetteur ayant une structure déstructurée donne ainsi une intensité lumineuse appropriée grâce au rapport d'absorption de la lumière ou au coefficient de dispersion de la lumière de la structure déstructurée, qui sont directement proportionnels à l'écart de l'intensité lumineuse. 4 the efficiency of the decrease in energy with respect to the light absorption ratio by the burned artifact being directly proportional to the degree or surface of the burned artifact. The method of manufacturing a light emitting device according to the invention has the following characteristics: the optical element is a photoemissive plate and the burned artifact is formed on the photoemissive surface of the light emitting plate; the optical element is a encapsulation means and the burn artifact is formed on the light emitting surface of the encapsulating means, the optical element is a transparent optical element and the burn artifact is formed on the surface of this transparent optical element, The optical element is a light reflecting member and the burned artifact is made on the surface of the light reflecting member. It is further characterized by the following steps: a threshold range of the light intensities is set, and a lumpy structure is formed on the optical element by micro-sandblasting if the measured light intensity of the light emitting device exceeds In the light intensity threshold range, the efficiency of the energy reduction with respect to a light scattering coefficient for the lumpy structure is directly proportional to the degree or surface of the lumpy structure. Finally, the method of manufacture according to the invention has the characteristic that: the optical element is a photoemissive plate and the gritty structure is formed on the photoemissive surface of the light emitting plate; the optical element is a means of encapsulation and the lumpy structure is formed on the light emitting surface of the encapsulating means, the optical element is a transparent optical element and the lumpy structure is formed on the surface of this transparent optical element, the optical element is a light reflecting member and lumpy structure is formed on the surface of this light reflecting member; the optical member is a light emitting board or a transparent member or a light reflecting member. Thus, the light beam emitted by the light emitting plate of the light emitting device arrives partly on the destructured structure so that a little light energy is absorbed or is dispersed by the destructured structure, which reduces the overall light intensity. The light emitting device having a destructured structure thus gives a suitable light intensity due to the light absorption ratio or the dispersion coefficient of the light of the destructured structure, which are directly proportional to the difference in light intensity.
Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide de modes de réalisation préférentielle représentés dans les dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est une vue en coupe d'un premier mode de réalisation d'un dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 2 est une vue en coupe d'un second mode de réalisation d'un dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 3 est un ordinogramme présentant un procédé de fabrication du dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 4 est un ordinogramme montrant un procédé de fabrication d'une structure déstructurée par un faisceau laser selon l'invention ; - la figure 5 est un ordinogramme présentant un procédé de fabrication de la structure déstructurée par micro-sablage selon l'invention ; - la figure 6 est une vue en coupe d'un troisième mode de réalisation du dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 7 est une vue en coupe d'un quatrième mode de réalisation du dispositif photoémetteur selon l'invention ; - la figure 8 est une vue en coupe d'un cinquième mode de réalisation du dispositif photoémetteur selon l'invention ; et - la figure 9 est une vue en coupe d'un sixième mode de réalisation d'un dispositif photoémetteur selon l'invention. Drawings The present invention will be described below in more detail with the aid of preferred embodiments shown in the accompanying drawings in which: - Figure 1 is a sectional view of a first embodiment of a device photoemitter according to the invention; - Figure 2 is a sectional view of a second embodiment of a light emitting device according to the invention; FIG. 3 is a flow chart showing a method of manufacturing the light emitting device according to the invention; FIG. 4 is a flow chart showing a method of manufacturing a structure destructured by a laser beam according to the invention; - Figure 5 is a flow chart showing a method of manufacturing the structure destructured by micro-sanding according to the invention; FIG. 6 is a sectional view of a third embodiment of the light emitting device according to the invention; FIG. 7 is a sectional view of a fourth embodiment of the light emitting device according to the invention; FIG. 8 is a sectional view of a fifth embodiment of the light emitting device according to the invention; and FIG. 9 is a sectional view of a sixth embodiment of a light emitting device according to the invention.
6 Description détaillée des modes de réalisation préférentielle La figure 1 montre un premier exemple de réalisation d'un dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 comporte une base 1, une plaquette photoémissive 2 placée sur le des- sus de la base 1 et au moins une structure déstructurée. La base 1 comporte un substrat 10, un premier contact métallique 11, un second contact métallique 12, ainsi qu'un fil de liaison 13 et un capuchon réflecteur 14. Le premier contact métallique 11 et le second contact métallique 12 sont placés sur la surface supérieure du substrat 10. La plaquette photoémissive 2 forme une première surface photoémissive 20, sur sa face supérieure. Cette face est en contact avec le premier contact métallique 11. Le fil de liaison 13 relie la plaquette photoémissive 2 et le second contact métallique 12. Le capuchon réflecteur 14 est placé sur la surface supérieure du substrat 10 portant la plaquette photoémissive 2 et le fil de liaison 13. En particulier, la structure déstructurée est un artefact brûlé 3 sur la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2. Une source d'alimentation est reliée au premier contact métallique 11 et au second contact métallique 12 pour que la plaquette photoémissive 2 puisse rayonner un faisceau lumineux. Le faisceau lumineux se développe vers l'extérieur de la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 pour définir un chemin lumineux 4 (les flèches dans les figures). DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a first exemplary embodiment of a light emitting device 100. The light emitting device 100 comprises a base 1, a light emitting plate 2 placed on the top of the base 1 and at least a structure unstructured. The base 1 comprises a substrate 10, a first metal contact 11, a second metal contact 12, and a connecting wire 13 and a reflector cap 14. The first metal contact 11 and the second metal contact 12 are placed on the surface 10. The photoemissive plate 2 forms a first photoemissive surface 20, on its upper face. This face is in contact with the first metal contact 11. The connecting wire 13 connects the light-emitting plate 2 and the second metal contact 12. The reflector cap 14 is placed on the upper surface of the substrate 10 carrying the light-emitting plate 2 and the wire In particular, the destructured structure is a burnt artifact 3 on the first light-emitting surface 20 of the light-emitting wafer 2. A power source is connected to the first metal contact 11 and the second metal contact 12 so that the light-emitting wafer 2 can radiate a light beam. The light beam develops towards the outside of the first light emitting surface 20 of the light emitting plate 2 to define a light path 4 (the arrows in the figures).
La figure 2 montre un second mode de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 comporte en outre un moyen d'encapsulage 15. Le moyen d'encapsulage 15 est formé d'un capuchon réfléchissant 14 pour emprisonner la plaquette photoémissive 20 et constituer une seconde surface photoémissive 150. FIG. 2 shows a second embodiment of the light-emitting device 100. The light-emitting device 100 further comprises an encapsulation means 15. The encapsulation means 15 is formed of a reflective cap 14 for trapping the light-emitting wafer 20 and constituting a second photoemissive surface 150.
L'artefact brulé 3 est formé dans la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15. De façon particulière, le moyen d'encapsulage 15 est une résine transparente ou mélangée des luminophores 151. Si le moyen d'encapsulage 15 est en une résine transpa- rente, le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 tra- The burned artifact 3 is formed in the second light emitting surface 150 of the encapsulating means 15. In particular, the encapsulating means 15 is a transparent or mixed resin of the luminophores 151. If the encapsulation means 15 is in one transparency, the light beam emitted by the photoemissive plate 2
7 verse le moyen d'encapsulage 15, directement, et sort par la seconde surface photoémissive 150. Mais si le moyen d'encapsulage 15 est une résine transparente mélangée à des luminophores 151, le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 excite les luminophores 151 qui en modifient le spectre de fréquence et réfléchissent le faisceau. Le faisceau lumineux modifié est rayonné vers l'extérieur par la seconde surface photoémissive 150. De manière particulière, le spectre des fréquences du faisceau lumineux rayonné par la surface photoémissive 150 de l'unité photoémissive 100 peut être réglé en choisissant le spectre de fréquence du faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 et les luminophores 151 La figure 3 est un ordinogramme du procédé de fabrication du dispositif photoémetteur 100. Le procédé de fabrication corn- prend les étapes suivantes : SO1 : on règle préalablement une plage seuils de l'intensité lumineuse. S02 : on mesure l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur. S03 : on compare l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur et le seuil de l'intensité lumineuse ; si l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur mesuré est incluse dans la plage de seuil de l'intensité lumineuse, on effectue l'étape SO4. Si l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur est inférieure au seuil de l'intensité lumineuse on effectue l'opération S05. Si l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur mesuré dépasse le seuil de l'intensité lumineuse effectue l'étape S06. SO4 : on peut utiliser directement l'unité photoémissive mesurée. S05 : l'unité photoémissive mesurée est inutilisable. S06 : on forme l'artefact brulé 3 sur la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 du dispositif photoémetteur me- suré ou de la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 du dispositif photoémetteur mesuré de manière à diminuer son intensité lumineuse et pour que l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur mesuré avec l'artefact brûlé 3 se trouve dans la plage seuils de l'intensité lumineuse. 7 pours the encapsulation means 15, directly, and leaves by the second light emitting surface 150. But if the encapsulation means 15 is a transparent resin mixed with luminophores 151, the light beam emitted by the light emitting platelet 2 excites the phosphors 151 which modify the frequency spectrum and reflect the beam. The modified light beam is radiated outwards by the second light emitting surface 150. In particular, the frequency spectrum of the light beam radiated by the light emitting surface 150 of the light emitting unit 100 can be adjusted by choosing the frequency spectrum of the light beam emitted by the light emitting plate 2 and the luminophores 151 FIG. 3 is a flow chart of the manufacturing process of the light emitting device 100. The manufacturing method comprises the following steps: SO1: a threshold range of the intensity is first set light. S02: the light intensity of the light emitting device is measured. S03: the measured light intensity of the light emitting device is compared with the threshold of the light intensity; if the measured luminous intensity of the measured light emitting device is included in the threshold range of the light intensity, the step SO4 is carried out. If the measured luminous intensity of the light emitting device is below the threshold of the light intensity, the operation S05 is carried out. If the measured light intensity of the measured light emitter exceeds the light intensity threshold, then step S06. SO4: the measured light emitting unit can be used directly. S05: The measured light emitting unit is unusable. S06: The burned artifact 3 is formed on the first light emitting surface 20 of the light emitting plate 2 of the measured light emitting device or the second light emitting surface 150 of the encapsulating means 15 of the light emitter measured so as to reduce its light intensity. and so that the light intensity of the light emitting device measured with the burned artefact 3 is in the threshold range of the light intensity.
8 La figure 4 montre un ordinogramme d'un procédé de fabrication de l'artefact brulé 3 à l'aide d'un faisceau laser. Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : S60 : on calcule une valeur d'écart entre le seuil de l'intensité lumi- neuse et l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur et S61 : on émet le faisceau laser avec une énergie suffisante par la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou de la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 pour former au moins un artefact brulé 3, l'amplitude ou la surface de Parte- fact brûlé 3 étant directement proportionnelle à la valeur de l'écart. On fixe le seuil de l'intensité lumineuse à 100 lm/w (lu-men par watt). La plage du seuil de l'intensité lumineuse est fixée à 1 %, et ainsi la plage du seuil de l'intensité lumineuse varie de 99 lm/w à 101 lm/w. Si l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur mesuré dépasse 101 lm/w, on forme au moins un artefact brûlé 3 sur la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou de la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 avec le faisceau laser émis avec une énergie suffisante. De manière précise, on peut diriger le faisceau laser sur le luminophore 151 pour endommager le luminophore 151. C'est pour-quoi le faisceau émis par la plaquette photoémissive 2 ne pourra pas être excité et réfléchi par les phosphores endommagés 151 ce qui diminue l"intensité lumineuse du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur mesuré est utilisé tel quel si son intensité lumineuse se situe dans la plage de seuils de l'intensité lumineuse. Si l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur mesuré dépasse la plage de seuil de l'intensité lumineuse, on réalise l'artefact brûlé 3 dans la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'en- capsulage 15 du dispositif photoémetteur mesuré par un faisceau laser d'énergie suffisante. L'importance ou la surface de l'artefact brûlé 3 vis-à-vis du rapport d'absorption lumineuse est directement proportionnelle à l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée. Lorsque le faisceau lumineux émis par la plaquette photoé- FIG. 4 shows a flowchart of a method of manufacturing the burned artifact 3 using a laser beam. The manufacturing method comprises the following steps: S60: a difference value is calculated between the threshold of the light intensity and the measured light intensity of the light emitting device and S61: the laser beam is emitted with sufficient energy by the first light emitting surface 20 of the light emitting platelet 2 or the second light emitting surface 150 of the encapsulating means 15 to form at least one burned artifact 3, the amplitude or area of burned par 3 being directly proportional to the value of the gap. The threshold of the luminous intensity is fixed at 100 lm / w (lu-men per watt). The light intensity threshold range is set at 1%, and thus the threshold range of light intensity varies from 99 lm / w to 101 lm / w. If the light intensity of the light emitter measured exceeds 101 lm / w, at least one burned artifact 3 is formed on the first light emitting surface 20 of the light emitting wafer 2 or the second light emitting surface 150 of the encapsulating means 15 with the beam laser emitted with sufficient energy. Precisely, one can direct the laser beam on the phosphor 151 to damage the phosphor 151. That is why the beam emitted by the photoemissive plate 2 can not be excited and reflected by the damaged phosphors 151 which decreases the luminophore 15. The light emitting device of the light emitting device 100. The light emitting device measured is used as it is if its light intensity is within the threshold range of the light intensity If the light intensity of the light emitting device measured exceeds the threshold range of the light emitting device At a light intensity, the burned artifact 3 is produced in the first light emitting surface 20 of the light emitting platelet 2 or the second light emitting surface 150 of the encapsulating means 15 of the light emitting device measured by a laser beam of sufficient energy. importance or the surface of the burnt artefact 3 vis-à-vis the light absorption ratio is directly proportional to the deviation re the threshold of the luminous intensity and the measured luminous intensity. When the light beam emitted by the photo-
9 missive 2 traverse l'artefact brûlé 3, un peu d'énergie lumineuse est absorbée par cet artefact brûlé 3 pour diminuer l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur 100. La quantité d'énergie lumineuse absorbée dépend du rapport d'absorption lumineuse de l'élément factice. C'est pourquoi le dispositif photoémetteur 100 avec l'artefact brûlé 3 a une intensité lumineuse importante. La figure 5 montre un ordinogramme d'un procédé de fabrication de la structure déstructurée par micro-sablage. Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : S60' : on calcule une valeur de l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée du dispositif photoémetteur. S61' : on effectue un micro-sablage de la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou de la seconde surface pho- toémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 pour former au moins une structure grumeleuse 5 ; la quantité ou la surface de la structure grumeleuse 5 est directement proportionnelle à la valeur de décalage. Dans un autre cas, on fixe le seuil de l'intensité lumineuse à 100 lm/w. Le seuil de l'intensité lumineuse est fixé à 1 %, et ainsi la plage de seuils de l'intensité lumineuse varie de 99 lm/w à 101 lm/w. Si l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur mesuré dé-passe 101 lm/w, on forme au moins une structure grumeleuse 5 au ni-veau de la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2 ou de la seconde surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15 par micro-sablage. La figure 6 montre un troisième exemple de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 a au moins une structure grumeleuse 5 formée sur la première surface photoémissive 20 de la plaquette photoémissive 2. 9 missive 2 passes through the burned artifact 3, a little light energy is absorbed by this burnt artifact 3 to decrease the light intensity of the light emitting device 100. The amount of light energy absorbed depends on the light absorption ratio of the light-emitting device. factitious element. This is why the light emitting device 100 with the burned artifact 3 has a high light intensity. Figure 5 shows a flow chart of a method of manufacturing the structure destructured by micro-sandblasting. The manufacturing method comprises the following steps: S60 ': a value of the difference between the threshold of the light intensity and the measured light intensity of the light emitting device is calculated. S61 ': the first photoemissive surface 20 of the photoemissive wafer 2 or the second photoemissive surface 150 of the encapsulation means 15 is microblasted to form at least one lumpy structure 5; the amount or area of the lumpy structure is directly proportional to the offset value. In another case, the threshold of the luminous intensity is fixed at 100 lm / w. The light intensity threshold is set at 1%, and thus the threshold range of light intensity varies from 99 lm / w to 101 lm / w. If the light intensity of the light emitting device measured exceeds 101 lm / w, at least one lumpy structure 5 is formed at the level of the first light emitting surface 20 of the light emitting plate 2 or the second light emitting surface 150 of the light emitting means. encapsulation 15 by micro-sanding. FIG. 6 shows a third exemplary embodiment of the light emitting device 100. The light emitting device 100 has at least one lumpy structure 5 formed on the first light emitting surface 20 of the light emitting plate 2.
La figure 7 montre un quatrième exemple de mode de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 a au moins une structure grumeleuse 5 formée sur la seconde sur-face photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15. La quantité ou la surface de la structure grumeleuse 50 par rapport au coefficient de diffraction de lumière est directement pro- FIG. 7 shows a fourth exemplary embodiment of the light emitting device 100. The light emitting device 100 has at least one lumpy structure 5 formed on the second light emitting surface 150 of the encapsulating means 15. The quantity or surface of the light emitting device lumpy structure 50 with respect to the light diffraction coefficient is directly pro-
10 portionnelle à l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée. Lorsque le faisceau lumineux rayonné par la plaquette photoémissive 2 traverse la structure grumeleuse 5, un peu de lumière est dispersée ce qui diminue l'énergie lumineuse. 10 portional to the difference between the threshold of the luminous intensity and the measured luminous intensity. When the light beam radiated by the light emitting plate 2 passes through the lumpy structure 5, a little light is dispersed which reduces the light energy.
Le dispositif photoémetteur 100 avec la structure grumeleuse 5 donne une intensité lumineuse consistante grâce au faisceau lumineux dispersé à cause du coefficient de dispersion de la lumière par la structure grumeleuse 5. La figure 8 montre un cinquième mode de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 comporte en outre un élément optique transparent 6 en forme de plaque tel qu'un verre transparent placé dans le chemin lumineux 4. La structure destructive est formée sur au moins une surface de l'élément optique transparent 6. L'élément optique transparent 6 est placé parallèlement et de façon écartée par rapport à la seconde surface photoémissive 150. De plus, l'élément optique transparent 6 peut être relié à la seconde surface photoémissive 150. De manière particulière, l'élément optique transparent 6 peut être réalisé en verre ou en matière plastique. La structure déstruc- turée formée sur l'élément optique transparent 6 peut être l'artefact brulé 3 ou la structure grumeleuse 5. Le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 est rayonné vers l'extérieur par la seconde surface photoémissive 150 puis à travers l'élément optique transparent 6. Comme une petite partie du faisceau lumineux est rayonnée vers la structure déstructurée pour diminuer l'énergie lumineuse, l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur 100 est ainsi diminuée. La figure 9 montre un sixième exemple de mode de réalisation du dispositif photoémetteur 100. Le dispositif photoémetteur 100 comporte en outre un élément réfléchissant 7 en forme de plaque placé dans le chemin lumineux 4. La structure déstructurée est formée sur au moins une surface de l'élément réfléchissant la lumière 7. L'élément réfléchissant la lumière 7 est disposé dans une position oblique au-dessus et de façon écartée par rapport à la seconde surface photoémis- The light emitting device 100 with the lumpy structure 5 gives a consistent luminous intensity due to the scattered light beam due to the scattering coefficient of the light by the lumpy structure 5. FIG. 8 shows a fifth embodiment of the light emitting device 100. The device light emitter 100 further comprises a transparent optical element 6 in the form of a plate such as a transparent glass placed in the light path 4. The destructive structure is formed on at least one surface of the transparent optical element 6. The transparent optical element 6 is placed parallel and spaced apart from the second light-emitting surface 150. In addition, the transparent optical element 6 can be connected to the second light-emitting surface 150. In particular, the transparent optical element 6 can be realized by glass or plastic. The destructured structure formed on the transparent optical element 6 may be the burnt artifact 3 or the lumpy structure 5. The light beam emitted by the light emitting wafer 2 is radiated outwards by the second light emitting surface 150 and then through the transparent optical element 6. As a small portion of the light beam is radiated towards the destructured structure to reduce the light energy, the light intensity of the light emitting device 100 is thus reduced. FIG. 9 shows a sixth exemplary embodiment of the light-emitting device 100. The light-emitting device 100 further comprises a plate-shaped reflecting element 7 placed in the light path 4. The destructured structure is formed on at least one surface of the light emitting device. light reflecting member 7. The light reflecting member 7 is disposed in an oblique position above and spaced from the second light-emitting surface.
11 sive 150. La structure déstructurée formée sur l'élément réfléchissant la lumière 7 peut être l'artefact brulé 3 ou la structure grumeleuse 5. Le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 est rayonné vers l'extérieur par la surface photoémissive 150 pour être réfléchi par l'élément réfléchissant 7. Une fraction du faisceau lumineux est dirigée vers la structure déstructurée de manière à diminuer son énergie lumineuse, ce qui diminue l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur 100. Dans un autre cas, on prépare préalablement de nombreux éléments optiques transparents 6 et des éléments réfléchissants 7 avec des degrés différents ou des surfaces de structure déstructurées. Après avoir mesuré l'intensité lumineuse du dispositif photoémetteur et calculé l'écart, on place un élément optique transparent 6 ou un élément réfléchissant la lumière 7 dont le degré ou la surface de la struc- 15 ture déstructurée par rapport à l'écart est choisi parmi les éléments optiques transparents 6 ou les éléments réfléchissants la lumière 7. L'élément optique transparent 6 correspondant ou l'élément réfléchissant la lumière 7 et le dispositif photoémetteur mesuré sont ensuite as-semblés. 20 La structure déstructurée telle que l'artefact brulé 3 et la structure grumeleuse 5 sont formés à la surface de la plaquette photoémissive ou de l'élément optique, tel que le moyen d'encapsulage 15, l'élément optique transparent 6 et l'élément réfléchissant la lumière 7 par micro-sablage ou par un faisceau laser. 25 Le degré ou la surface de structure déstructurée par rapport à l'absorption lumineuse ou au coefficient de dispersion de lumière sont directement proportionnels à l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse d'origine émise par le dispositif photoémetteur 100. 30 Le faisceau lumineux rayonné par le dispositif photoémetteur mesuré au niveau de la structure déstructurée fait qu'une fraction de l'énergie lumineuse est absorbée ou est dispersée par la structure déstructurée, ce qui diminue l'intensité lumineuse. Le dispositif photoémetteur 100 avec la structure déstructurée a une intensité 35 lumineuse appropriée grâce au rapport d'absorption de lumière ou au The destructured structure formed on the light reflecting member 7 may be the burnt artifact 3 or the lumpy structure 5. The light beam emitted by the light emitting wafer 2 is radiated outwardly by the light emitting surface 150 to be reflected by the reflective element 7. A fraction of the light beam is directed towards the destructured structure so as to reduce its light energy, which decreases the light intensity of the light emitting device 100. In another case, a large number of transparent optical elements 6 and reflecting elements 7 with different degrees or unstructured structural surfaces. After measuring the light intensity of the light emitting device and calculating the deviation, a transparent optical element 6 or a light reflecting element 7 is placed, the degree or surface of the structure of which is destructured with respect to the deviation. selected from the transparent optical elements 6 or the light reflecting elements 7. The corresponding transparent optical element 6 or the light reflecting element 7 and the measured light emitting device are then assembled. The destructured structure such as the burnt artifact 3 and the lumpy structure 5 are formed on the surface of the light emitting wafer or optical element, such as the encapsulation means 15, the transparent optical element 6 and the element reflecting the light 7 by micro-sanding or by a laser beam. The degree or structure surface destructured with respect to light absorption or light scattering coefficient is directly proportional to the difference between the threshold of light intensity and the original light intensity emitted by the device. The light beam radiated by the light emitting device measured at the level of the destructured structure causes a fraction of the light energy to be absorbed or dispersed by the destructured structure, which decreases the light intensity. The light emitting device 100 with the unstructured structure has an appropriate light intensity due to the light absorption ratio or
12 coefficient de dispersion de lumière de la structure déstructurée qui est directement proportionnel à l'écart de l'intensité lumineuse. La présente invention n'est pas limitée au mode de réalisation décrit ci-dessus et de nombreuses additions, variantes ou analo- gues, peuvent être faites dans le cadre de l'invention sans sortir du domaine de celle-ci. 12 light dispersion coefficient of the destructured structure which is directly proportional to the difference in light intensity. The present invention is not limited to the embodiment described above and many additions, variations or analogs can be made within the scope of the invention without departing from the scope thereof.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0855894A FR2935542A1 (en) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | Light transmitting device i.e. LED, for LCD of e.g. electronic device, has destructured structure formed on photoemissive surface of wafer, and with light dispersion coefficient/absorption ratio directly proportional to intensity difference |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| FR0855894A FR2935542A1 (en) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | Light transmitting device i.e. LED, for LCD of e.g. electronic device, has destructured structure formed on photoemissive surface of wafer, and with light dispersion coefficient/absorption ratio directly proportional to intensity difference |
Publications (1)
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| FR2935542A1 true FR2935542A1 (en) | 2010-03-05 |
Family
ID=40451068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| FR0855894A Pending FR2935542A1 (en) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | Light transmitting device i.e. LED, for LCD of e.g. electronic device, has destructured structure formed on photoemissive surface of wafer, and with light dispersion coefficient/absorption ratio directly proportional to intensity difference |
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| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2935542A1 (en) |
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-
2008
- 2008-09-03 FR FR0855894A patent/FR2935542A1/en active Pending
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