JP2019195076A - インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法 - Google Patents

インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019195076A
JP2019195076A JP2019112459A JP2019112459A JP2019195076A JP 2019195076 A JP2019195076 A JP 2019195076A JP 2019112459 A JP2019112459 A JP 2019112459A JP 2019112459 A JP2019112459 A JP 2019112459A JP 2019195076 A JP2019195076 A JP 2019195076A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
stamp
unsubstituted
groups
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019112459A
Other languages
English (en)
Inventor
マーカス アントニウス ベルシューレン
Antonius Verschuuren Marcus
マーカス アントニウス ベルシューレン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2019195076A publication Critical patent/JP2019195076A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B29C33/424Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/0046Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate using stamping, e.g. imprinting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0075Manufacture of substrate-free structures
    • B81C99/009Manufacturing the stamps or the moulds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/06Preparatory processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B29C33/424Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
    • B29C2033/426Stampers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2083/00Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as moulding material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00Other particular articles
    • B29L2031/757Moulds, cores, dies
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups

Abstract

【課題】インプリンティング組成物の固化を促進する。【解決手段】ポリシロキサンバルク部分を含むエラストマースタンプ本体、及びインプリンティング組成物をインプリンティングするためのフィーチャパターンを含むパターン形成された表面を含む、インプリントリソグラフィープロセス用のスタンプであって、エラストマースタンプ本体が、エラストマースタンプ本体の総重量に対して、少なくとも0.1重量%の量で塩基性有機アミンを含む、スタンプ。【選択図】なし

Description

本発明は、インプリントリソグラフィープロセスのためのスタンプ、このようなスタンプの製造方法、及びインプリンティングプロセスにおいてスタンプを使用してインプリンティングする方法又はこのようなスタンプの使用に関する。
インプリントリソグラフィーは、マスキング層などのパターン形成層が、半導体基板などの基板上に、又は光学層として、固化可能な(硬化可能とも呼ばれる)インプリンティング可能な組成物(媒体又はインクとも称される)の堆積によって形成される技法である。続いて、インプリンティング可能な媒体は、該媒体が固化した後又は固化する間に、その表面の1つの上に、レリーフパターンを有するスタンプにより媒体をインプリンティングすることによって、パターン形成される。固化は、例えば、媒体を光、例えばUV光に曝露させて、媒体中で固化(硬化)反応を開始させると達成され得る。この反応が完了した後、スタンプは、硬化した媒体から取り除かれ、パターン形成層が残り、この層が、例えば、半導体基板上のマスク層として、又は担体上の官能(光学的)層として働く。
この技法は、とりわけ、大表面積が、可視光の波長に匹敵するか、又はそれより小さなサイズのフィーチャを設けることを必要とする場合、従来的な光学的リソグラフィープロセスよりも著しいコスト削減を潜在的に実現することができるので、近年、大きな関心が寄せられている。平坦な表面のインプリンティングに加えて、インプリントリソグラフィーは、いわゆる2.5D表面、すなわち例えば、1つ又は複数の突起部、例えば主に平坦な平面から発生する屈曲した突起部を含む輪郭表面上に、ナノスケールのパターンを形成するために使用することができる。このような技法は、光学的素子、例えばレンズ上、又は例えば、骨若しくは組織再生を促進するための医療用インプラント上にナノスケールのパターンを作製することによって、太陽電池セル、ナノワイヤ、垂直(外部)キャビティ面発光レーザー、医療用インプラントなどをパターン形成するために使用される。この目的のため、スタンプのパターンが、パターン形成される輪郭表面に接触するよう、ポリシロキサンをベースとするゴム様スタンプなどの平坦で可撓性のパターン形成されたスタンプは、輪郭表面上で通常、変形する。このようなスタンプの一例は、US2008/0011934A1に示されている。
少なくとも一部のインプリントリソグラフィーの用途において、以下の反応スキームIに従って、シロキサンゾルゲル化学に基づいた、インプリンティング組成物(インプリント媒体又はインプリントインクとも称される)が使用される。
Figure 2019195076
ゾルゲル系を形成する反応では、酸又は塩基の存在下で、反応スキームIに示されている反応ステップを受けるアルコキシシランを使用する。反応スキームIは、酸触媒反応を示す。アルコキシシランは加水分解を受け、これは、次いで、2つの加水分解したアルコキシシラン間での縮合反応(水縮合反応)、又は加水分解したアルコキシシランと未反応アルコキシシランとの間の縮合反応(アルコール縮合反応)が続き、この場合、架橋化無機ネットワークが形成される。架橋度は、アルコキシシラン及び/又は溶媒、及び水含有量を適切に選択することにより制御することができる。
このようなゾルゲル反応は、通常、PDMSスタンプなどのスタンプへの1種又は複数の試薬の拡散によって、平衡が重合(重縮合)の方にシフトする、平衡反応である。ゾルゲル反応により、インプリンティング組成物は、このように重合の方にシフトすると、スタンプのインプリンティング表面上に固化して、フィーチャパターンの反転したものを固まらせて、固化したインプリンティング組成物になる。
しかし、例えば、エラストマースタンプによるそのインプリンティングの前の、インプリンティング組成物の早期固化により、スタンプのフィーチャパターンの信頼に足る複製が妨げられる。この理由のため、インプリンティング組成物は、インプリンティングスタンプがインプリンティング組成物上に一旦、置かれると活性化される、光酸発生剤(PAG)又は光塩基発生剤(PBG)を含むことができ、これにより、記載した固化ゾルゲル反応の早期開始が回避される。
インプリンティング組成物の固化を活性化するためのPAG又はPBGの使用は、問題がないわけではない。第1に、このような化合物は高価であり、したがって、インプリンティング組成物のコストを押し上げる。したがって、利益幅がかなり圧縮されるアプリケーションドメインにこのようなインプリンティング組成物が使用されることを考慮すると、このようなインプリンティング組成物のコストをできるだけ低く維持することが必要である。第2に、本発明者らはまた、このようなPAG又はPBGの分解により生成する反応生成物はスタンプ内に拡散し、ここで、それらの反応生成物はスタンプを汚染する、例えば、スタンプ材料と反応してスタンプ材料の化学的性質の変化を引き起こすことを認識している。このような汚染は、50〜100回のインプリンティングサイクル後に、スタンプがもはや、インプリンティング組成物上に高品質のフィーチャパターンを付与することができないという意味で、スタンプの寿命を短くすることが見出された。これは、1回の生成試行で、多いボリュームの製品を生産する必要がある、すなわち、スタンプを交換する必要のない、生成プロセスにおいては、やはり非常に望ましくない。
本発明の目的は、上記の欠点の少なくとも1つを、少なくとも一部、低減することである。この目的は、独立請求項によって定義されている、スタンプ、このようなスタンプを製造する方法、及びインプリントプロセスにおいてこのようなスタンプを使用する方法を提供することを追求した本発明により達成される。従属請求項は、有利な実施形態を提供する。
本発明は、このようにインプリントリソグラフィープロセス用のスタンプを提供する。本スタンプは、そのスタンプ本体によるエラストマースタンプであり、これにより、インプリンティングプロセス中に利用することができる、ある程度の弾性及び可撓性がもたらされる。
スタンプがインプリンティング組成物と接触すると、インプリンティング組成物の固化を促進する(支援する又は引き起こす)ことが可能な、少なくとも1種のある量の塩基性有機基をスタンプ本体に供給することにより、インプリンティング組成物において、高価な感光性活性化剤(PBGなど)の必要性を回避することができ、これにより、インプリンティング組成物の全体的なコストが削減され、このような活性化剤の光分解生成物によるスタンプの分解がやはり回避されるので、エラストマースタンプの寿命が改善される。こうして、本発明は、一層持続性のある、コスト効率の高いインプリントプロセスを容易にする。
本発明のスタンプは、塩基性有機基を有するそのレリーフ表面にのみ修飾されるスタンプとは区別されるべきである。このような表面修飾は、例えば、グラフト官能基化又は修飾により行われる。本発明のスタンプは、むしろ塩基のみ有しているか、又はやはり、その内部ボリューム又はバルク部分の少なくとも一部に分散している塩基を有する。知られている表面修飾の欠点の1つは、表面修飾は、レリーフ表面の調製後に行われる物理的又は化学的プロセスによって多くの場合、得られること、及びこのようなプロセスは、フィーチャパターンの完全性を破壊することである。この問題は、より小さなフィーチャパターンの場合、一層深刻になる。同様に、表面に存在する塩基の量は、空間的に制限がある。したがって、本発明のスタンプは、フィーチャパターン完全性の改善、固化特徴の改善、及び一層容易かつ信頼性の高い製造法を有する。
本発明のスタンプが有利に使用され得るインプリンティング組成物は、スタンプの塩基性有機基によってもたらされるような塩基への曝露時に固化し得るものである。したがって、例えば、背景技術に記載されているものなどの、ゾルゲルをベースとするインプリンティング組成物は、本発明のスタンプと共に有利に使用される。本インプリンティング組成物は、例えば層形態の基板上に設けられる。基板は、平面又は曲面とすることができる。
本発明のスタンプのパターン形成された表面をインプリンティング組成物に接触させると、インプリンティング組成物の固化の促進が起こり得、塩基性有機基は、その固化のために、インプリンティング組成物中で重合反応を促進することができる。促進は、触媒作用の形態とすることができる。固化は、ゾルゲルインプリンティング溶液のpHが変化して、これにより、固化を促進することによるものとすることができる。
本発明は、共有結合など、スタンプに結合している塩基性基、及びスタンプ内に単に物理的に保持されている塩基性基を包含することが意図されている。後者のタイプは、スタンプ本体のために隔離されている1つ又は複数の塩基性有機基を含む物質の形態にあることができる。この物質は、スタンプ本体を移動することが可能である。
理論に縛られることを望むものではないが、スタンプが、インプリンティング組成物と接触すると、固化過程を促進することができるいくつかの態様が存在する。したがって、スタンプのパターン形成された表面に位置する塩基性有機基の量の一部が存在する場合、このフラクションは、インプリント組成物に直接接触して、その効果を発揮することができる。これには、不透過性の有機ポリマーバルク部分が必要となることがあり、この不透過性の有機ポリマーバルク部分は、溶媒などのインプリンティング組成物、及び塩基性有機基が、相互作用して固化を促進することができるプロトン又はヒドロニウムイオンなどの最も留意すべきルイス酸からなる構成成分に対して不透過性である。しかし、スタンプの有機ポリマーバルク部分が、上記のインプリンティング組成物の構成成分に透過性である場合、塩基性有機基は、インプリンティング組成物の構成成分がスタンプへと移動することにより到達されるので、表面に存在している必要はない。代替として又は追加的に、有機ポリマーバルク部分が、この部分に化学的に結合していない別の物質の一部として塩基性有機基を含み、この部分が、このような物質がスタンプを移動することが可能となるように構成されている場合、固化は、物質がレリーフ表面に向かって、及びインプリンティング組成物にさえ移動することによって促進され得る。
有機ポリマーバルク部分(又は、スタンプ本体全体)は、浸透性又は多孔性のものであってもよく、好ましくは浸透性又は多孔性のものである。スタンプのパターン形成された表面は、スタンプの有機ポリマーバルク部分と好ましくは流体連通している。これにより、インプリント組成物、又はその1種若しくは複数の溶媒、又は他の構成成分は、インプリンティング組成物からバルク部分に入り、例えば、酸(プロトン、ヒドロニウムイオンなど)の取り込み、又は塩基性有機基がスタンプに化学的に結合していない場合、スタンプから組成物への該基の置き換えを促進することができる。
好ましくは、塩基性有機基は、酸素、窒素、硫黄及びリンからなる群から選択される、少なくとも1つのドナー原子を有する非帯電ルイス塩基である。非帯電塩基は、固化したインプリンティング組成物に組み込まれないので、ゾルゲルをベースとするインプリンティング組成物に最適である。窒素の形態のドナー原子は、他のスタンプ材料に適合可能であると同時に、良好なpk値を有する良好な塩基を供給するので、最も好ましい。例えば、窒素をベースとするルイス酸は、帯電した化学種に弱いスタンプ材料重合触媒を必要とするスタンプの製造方法と適合可能である。ポリシロキサンバルク部分及び又は表面層を有するスタンプを得るポリシロキサンの架橋に使用されるPt又はRh触媒はその例である(本明細書において以下を参照されたい)。
窒素ドナーを有するルイス酸は、好ましくはアミンである。好ましくは、これらのアミンは、少なくとも1個のsp3炭素原子、又は少なくとも2個のsp3炭素原子、又は少なくとも3個のsp3炭素原子を有する。
塩基性有機基は、8〜13の間のpKaを有する。ゾルゲルをベースとする組成物は、このような塩基により都合よく(十分な速度で)固化され得る。好ましくは、pKaは、9〜13の間であるか、又は10〜13の間でさえある。13より大きなpKaを有する塩基は、時として、固化反応を妨害する。
実施形態では、塩基性有機基は、式8による構造を含むか、又は式8による化合物(塩基性有機アミンなど):
Figure 2019195076
である。
式8中、R1〜R3は、水素、無置換又は置換C2〜C20アルキル基、無置換又は置換C2〜C20アルケニル基、無置換又は置換C2〜C20アルキニル基、無置換又は置換C3〜C20シクロアルキル基、無置換又は置換C4〜C20シクロアルケニル基、無置換又は置換C3〜C20複素環式基、無置換又は置換C6〜C30アリール基、無置換又は置換C6〜C30アルキルアリール基、無置換又は置換C4〜C30ヘテロアリール基から個別に選択されるが、但し、R1〜R3はすべてが水素とは限らないことを条件とし、R1〜R3のうちの少なくとも2つは、同一の、無置換若しくは置換C3〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C4〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C3〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C6〜C30アリール基又は無置換若しくは置換C4〜C30ヘテロアリール基の部分を形成する。
式8中、この構造は、ルイス塩基の孤立電子対のドナー原子として、窒素を有する非帯電ルイス塩基を表す。
塩基性有機アミンは、二級又は三級アミンである。例えば、二級アミンの場合、式8中のR1は水素であり、R2及びR3は、分岐状の無置換又は置換C3〜C20アルキル基、無置換又は置換C2〜C20アルケニル基、無置換又は置換C2〜C20アルキニル基、無置換又は置換C3〜C20シクロアルキル基、無置換又は置換C4〜C20シクロアルケニル基、無置換又は置換C3〜C20複素環式基、無置換又は置換C6〜C30アリール基、無置換又は置換C6〜C30アルキルアリール基、無置換又は置換C4〜C30ヘテロアリール基から個別に選択され、好ましくはR2及びR3は、分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基又は無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基から個別に選択される。
例えば、三級アミンの場合、式8中のR1〜R3は、線状の無置換若しくは置換C2〜C20アルキル基又は分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基、無置換若しくは置換C2〜C20アルケニル基、無置換若しくは置換C2〜C20アルキニル基、無置換若しくは置換C3〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C4〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C3〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C6〜C30アリール基、無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基、無置換若しくは置換C4〜C30ヘテロアリール基から個別に選択され、好ましくはR1〜R3は、線状の無置換若しくは置換C2〜C20アルキル基、分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基、又は無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基から個別に選択される。
塩基性有機基は、好ましくは、式9による構造:
Figure 2019195076
を含む。
本明細書において、Nはルイス酸のドナー原子とすることができ、Xは、酸素、窒素、硫黄及びリンからなる群から選択され、こうして、Xは、ルイス酸ドナー原子としてやはり働く。R〜Rは、無置換又は置換アリール基、線状のC2〜C20アルキル基又は分岐状のC3〜C20アルキル基から個別に選択され、好ましくは、R〜Rは、メチル、エチル又はプロピルから個別に選択される。
〜Rは、個々の有機基、又は20個未満の炭素原子を含む、1個又は複数の水素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子を含む、全く同一の有機基とすることができる。好ましくは、10個未満の炭素原子が存在する。好ましくは、R〜Rは、式9である少なくとも2つのオレフィン結合、及び1つの他の二重結合(C=N、C=O又はC=C)、及び又は少なくとも1つの他の炭素−炭素三重結合を含む、共役系を有する基を形成する。好ましくは、共役系は、芳香族又は複素芳香族系である。好ましくは、複素芳香族系は、少なくとも2つのベンゼン環を含む。
これらの化合物は、それらがプロトン又は他のルイス酸を保持するのを強化する2個のドナー原子を有するのが効果的である。したがって、それらの化合物は、形式電荷を有していない、強塩基を供給する。それらの化合物は、多くの場合、超塩基(superbasis)と称される。
塩基性有機基(式9の特別な場合として)は、式10による構造:
Figure 2019195076
を有する。
式10中、R〜Rは、線状の無置換若しくは置換C2〜C20アルキル基、又は分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基から個別に選択され、好ましくはR1〜R4は、メチル、エチル又はプロピルから個別に選択される。
芳香族基は、ポリシロキサンスタンプ製造の強度及び適合性に関して、特に有利な塩基を供給する。
塩基性有機基が、エラストマースタンプ本体、特に、バルク有機部分及び/又は表面層に化学的に結合している場合、式8、9又は10によるものを含めた塩基性有機基のすべての中で、R〜Rのうちの少なくとも1つは、基が、スタンプ本体、有機ポリマーバルク部分及び又は有機ポリマー表面層(本明細書の以下に記載されている通り)に共有結合している、少なくとも1つの自由原子価を有する。次に、結合は、通常、スタンプ本体の材料のポリマー主鎖又は側鎖基に対するものである。このような結合は、炭素−炭素、エーテル、エステルアミドなどによるものである。好ましくは、結合は、炭素の単結合などの、炭素−炭素結合によるものである。有機塩基性基が、本記載中のポリシロキサンに結合している例となるスタンプは、炭素−炭素単結合を介する結合の例を提示する。塩基性有機基が、決してエラストマースタンプに化学結合していないが、個々の物質内に含まれている場合、少なくとも1つの自由原子価を使用して、水素、又は他の任意の好適な又は適合可能な化学基に結合する。
実施形態の一群では、塩基性有機基は、エラストマースタンプ本体に化学的に結合していない物質の一部である。このようなスタンプは、使用される様々なスタンプ材料の大多数への接近をもたらすスタンプの含浸により作製され得る。好ましくは、エラストマースタンプ本体は、エラストマースタンプ本体の総重量に対して、少なくとも0.1重量%の量の物質を含む。これにより、ポリシロキサンスタンプ本体及びケイ素をベースとするゾルゲルインプリンティング組成物を少なくとも一緒に使用すると、良好な固化速度が実現される。
塩基性有機基は、25℃の温度において、0.2mbar以下の蒸気圧を好ましくは有する。これにより、室温(25℃)において行われるインプリンティングプロセスの場合、塩基性有機物質(アミン)が、スタンプ内に効果的に保持され、これにより、スタンプの寿命が延び、かつ揮発性物質のスタンプからインプリンティング組成物への望ましくない拡散によりスタンプがインプリンティング組成物の近傍に集まるときの、インプリンティング組成物の早期重合が回避されることが確実となる。
実施形態の別の群では、スタンプが個別の物質の一部ではない場合、塩基性有機基は、有機ポリマーバルク部分内のエラストマースタンプ本体に共有結合しているか、又はスタンプ本体が、有機ポリマーバルク部分に接着している有機ポリマー表面層(120)を含む場合、この表面層は、有機ポリマー表面層内の塩基性有機基の量の少なくとも一部に対するパターン形成層を含む。
結合している塩基性有機基スタンプでは、塩基性有機基の量の少なくとも一部が、スタンプのレリーフ表面近くに位置している。これは、単層スタンプに存在するが、多層スタンプにも存在する。塩基性基は、ここで、スタンプに位置が固定されているので、スタンプの操作機構は、固化の直接的な表面接触促進、又はインプリンティング溶液から塩基性有機基部位にルイス酸構成成分(例えば、プロトン又はヒドロニウムイオン)の移動を介する固化のどちらかに減じる。両方の場合において、レリーフ表面近くの基の位置は、移動に時間がかかるので、許容される操作速度を確実にする。有利には、この種のスタンプでは、スタンプの使用は、塩基性有機基がバルク部分に結合しているので、塩基性有機基の喪失による塩基性機能は喪失しない。同様に、このようなスタンプは、レリーフ層の調製後に塩基をロードする必要がないので、完全性の改善されたスタンプを作製することが可能である。このようなロードは多くの場合、溶媒支援含浸を必要とし、このことは、スタンプの膨潤、及びしたがって、フィーチャ完全性の喪失を暗示する。
バルク部分は、一部の実施形態において、ポリジメチルシロキサン(PDMS)をベースとするバルク部分などのポリシロキサンバルク部分である。PDMSは、流体透過性エラストマースタンプをもたらすので、ポリシロキサンとしてスタンプにおいて使用するのに特に好適である。PDMSはまた、パー−フルオロ−ポリ−エーテル、又はその混合物である。このような材料は、アミン又はアルキルアミンなどのNドナーを有するルイス酸の形態の塩基性有機基と少なくとも適合性がある。さらに、それらは、良好な可撓性及び透過性又は多孔度を有する。
有機ポリマー表面層は、少なくとも1種のポリシロキサン、少なくとも1種のパー−フルオロ−ポリ−エーテル(PFPE)、又はそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むことができるか、又はこれらからなることができる。やはり、ポリシロキサンは、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、X−PDMS、又はそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むことができるか、又はこれらからなることができる。ひいては、好ましくは、同様に、バルク部分は、やはりポリシロキサンバルク部分でもある。
多層スタンプにより、バルク部分の残部の可撓性とは異なる、表面層の可撓性を選択することにより、プリンティング特性の最適化が可能になる。したがって、表面層は、有機ポリマーバルク部分よりも高いヤング率を好ましくは有する。好ましくは、異なるヤング率を有するバルク部分と表面層とのどちらも、ポリシロキサンである。好ましくは、表面層は、より高いヤング率を有しており、好ましくは、そのものは、X−PDMSから作製される(以下を参照されたい)。例えば、この実施形態は、例えば、フィーチャパターンを有するインプリンティング組成物の層をインプリントする際の、ゆがみからフィーチャパターンを保護するために、バルク材料が、フィーチャパターン含有表面層よりも可撓性が高いことが必要な場合に有利である。
表面層は、好ましくは、流体透過性の層であり、スタンプ自体がやはり流体透過性である場合、このことはとりわけ有利である。表面層は、多孔質層であることさえある。このような表面層に好適な材料には、以下に限定されないが、PDMS及びPFPE(パー−フルオロ−ポリ−エーテル)が含まれる。
スタンプは、ポリシロキサンバルク部分が、フィーチャパターンから遠位の部分で担体の主表面に結合している、担体をさらに含む。例えば、このような担体は、例えば、プリンティング装置に担体を固定することにより、スタンプを安定させる、及びこのような装置にスタンプを装着するのを容易にする。担体は、剛直な担体であるか、又はインプリントプロセスに使用している間のスタンプの変形を支持するために、可撓性の度合いが限定された可撓性担体であり、基板へのスタンプの適用、及び/又は基板からのスタンプの取り出しは、スタンプの屈曲を含む。
上記の実施形態によるスタンプは、いくつかの好適な製造方法によって製造される。
すなわち、本発明は、前述の請求項のいずれかによるスタンプを製造する第1の方法を提供し、この方法は、
− 有機ポリマーバルク部分及びレリーフ表面を有するエラストマースタンプ本体を用意するステップ、
− パターン形成された表面に接触すると、インプリンティング組成物の固化を促進する塩基性有機基を含むある量の物質を、エラストマースタンプ本体に含浸させて、含浸したエラストマースタンプ本体を得るステップ、及び
− 含浸したエラストマースタンプ本体から溶媒の少なくとも一部を除去して、塩基性有機物質を含むエラストマースタンプ本体を残すステップ
を有する。
態様によれば、本出願に記載されている実施形態のいずれかによるスタンプを製造する方法が提供され、この方法は、
− 有機溶媒の総重量に対して少なくとも1重量%の物質が有機溶媒中に溶解した当該有機溶媒をエラストマースタンプ本体に含浸させて、含浸したエラストマースタンプ本体を得るステップ、及び
− 含浸したエラストマースタンプ本体から有機溶媒を除去するステップ
を有する。
この含浸及び溶媒の除去後、乾燥した含浸済みスタンプ本体が得られる。これを、インプリンティングプロセスに使用するための最終スタンプに変換するために、さらなるステップを必要とすることがある。このようなステップは、パターン形成された表面の遠位端部の担体に乾燥した含浸済みスタンプ本体を結合することを含む。或いは、含浸は、最後のステップとして、例えば、担体へのスタンプ本体の結合後に行われ、その結果、有機溶媒の除去により、インプリンティングプロセスに使用する準備の整ったスタンプを得ることができる。
この方法は、スタンプに含浸され得る限り、実質的にいずれの塩基性有機基も、好ましいスタンプに供給されるという利点を有する。好ましくは、とりわけエラストマースタンプ本体が、ポリシロキサンから作製されている場合、有機溶媒は、メタノール、エタノール、(イソ−)プロパノール、(イソ−)ブタノール、(シクロ)ペンタノール又は(シクロ)ヘキサノールなどのC〜C脂肪族アルコールであり、なぜなら、このような極性溶媒の使用は、含浸中にスタンプ本体に適度な膨潤を引き起こすだけであり、したがって、スタンプ本体は、乾燥時に、その元のサイズに戻るからである。したがって、このようなフィーチャパターンが含浸前に存在している場合、フィーチャパターン忠実性が維持される。
この方法では、物質は、その担体溶媒の蒸気圧よりもかなり低い、例えばその担体溶媒の蒸気圧の20%未満、10%未満、又は1%未満にさえなる蒸気圧を好ましくは有して、スタンプを乾燥した際に、この物質がスタンプ内に保持されるのが確実となる。
本出願に記載されている実施形態の一部による、インプリントリソグラフィープロセスのためのスタンプを製造するさらなる方法が提供される。
すなわち、請求項1から18のいずれか一項に記載のスタンプ(14)を製造するさらなる方法が提供され、この方法は、
− 以下の混合物:
− 重合して有機ポリマーバルク部分を形成することができる、少なくとも1つの第1の反応性基をそれぞれが含む、1種又は複数の前駆体、及び
− 塩基性有機基、又は重合を妨害しない保護されている塩基性有機基を含む物質
を用意するステップ、並びに、
− 有機ポリマーバルク部分前駆体を重合して、物質内に取り囲まれた有機ポリマーバルク部分を形成するステップ、及び場合により、物質が保護されている塩基性有機基を含む場合、この塩基性有機基を脱保護するステップ
を有する。この任意選択ステップにより、塩基性有機基が回収される。
この方法では、1種又は複数の前駆体は、
− 少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、第1のポリシロキサン前駆体、及び
− 少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体
を有することができ、
これらの混合物は、
− 不飽和結合間にヒドロシラン基を付加する触媒のためのヒドロシリル化触媒
をさらに含み、重合が、不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を起こさせて、これにより有機ポリマーバルク部分を形成させることを含む。
物質は、第1の反応性基と反応するための、少なくとも1つの第2の反応性基をさらに含み、重合は、第1の反応性基と第2の反応性基との間で反応させて、これにより物質を有機ポリマーバルク部分に結合させることを含む。
本方法は、ポリシロキサン前駆体の1つに物質を溶解するステップを有し、次に、好ましくは、不飽和結合を有する物質を第1の前駆体と混合し、その一方、不飽和結合間に付加され得る基を有する物質は、第2の前駆体と混合される。
この製造方法は、物質をスタンプにロードしている間のスタンプの膨潤が回避されるという利点を有するが、この方法は、上記の含浸方法に使用するのに好適なアミンの一部の群にのみ好適である。これは、一部の基材物質が、白金触媒の毒となり、これにより、ヒドロシリル化架橋反応が所望のレベルまで完了するのを妨げるからである。
この方法のためのアミン塩基の形態の好適な物質は、式8である二級アミンを含み、式中、R1は水素であり、R2及びR3は、分岐状の無置換又は置換C3〜C20アルキル基、無置換又は置換C2〜C20アルケニル基、無置換又は置換C2〜C20アルキニル基、無置換又は置換C3〜C20シクロアルキル基、無置換又は置換C4〜C20シクロアルケニル基、無置換又は置換C3〜C20複素環式基、無置換又は置換C6〜C30アリール基、無置換又は置換C6〜C30アルキルアリール基、無置換又は置換C4〜C30ヘテロアリール基から個別に選択され、好ましくはR2及びR3は、分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基又は無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基から個別に選択される。
この方法に好適なアミンには、式8である三級アミンがさらに含まれ、R1〜R3は、線状の無置換若しくは置換C2〜C20アルキル基又は分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基、無置換若しくは置換C2〜C20アルケニル基、無置換若しくは置換C2〜C20アルキニル基、無置換若しくは置換C3〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C4〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C3〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C6〜C30アリール基、無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基、無置換若しくは置換C4〜C30ヘテロアリール基から個別に選択され、好ましくはR1〜R3は、線状の無置換若しくは置換C2〜C20アルキル基、分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基、又は無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基から個別に選択される。
好適なアミンには、式10による化合物がさらに含まれる:
Figure 2019195076
式10中、R1〜R4は、線状の無置換若しくは置換C2〜C20アルキル基、又は分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基から個別に選択され、好ましくはR1〜R4は、メチル、エチル又はプロピルから個別に選択される。
実施形態では、本方法は、パターン形成された表面を含む表面層を塩基性有機アミンを含むスタンプ本体にグラフトするステップ又は接着させるステップをさらに有し、表面層は、ポリシロキサンをベースとするバルク部分よりも大きなヤング率を有する。これは、表面層が、硬化の間に、塩基性有機アミンに曝露されず、これにより、この表面層がその必要なヤング率を達成しないというリスクを回避する利点を有する。ポリシロキサンをベースとするバルク部分は、表面層とスタンプ担体との間の接着剤として作用する。
介在物法では、塩基性前駆体は、第1の反応性基と反応することが可能な、少なくとも1つの第2の反応性基をさらに含み、
重合は、第1の反応性基と第2の反応性基との間で反応して、これにより物質を有機ポリマーバルク部分に結合させることを含む。
この方法により、塩基性有機基は、エラストマースタンプ、存在する場合、有機ポリマーバルク部分及び/又は表面層に効果的に結合することができる。
この方法では、好ましくは、
− 1種又は複数の前駆体は、
− 少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、第1のポリシロキサン前駆体、及び
− 少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体、
を含み、
− 少なくとも1つの第2の反応性基は、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン、イミン及びヒドロシランからなる群から選択され、
混合物は、
− 不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を触媒するヒドロシリル化触媒
をさらに含み、
重合ステップは、不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を起こさせて、これにより有機ポリマーバルク部分を形成することを含む。
本発明は、スタンプの製造方法と共に使用するためのパーツキットを提供する。スタンプ構成成分に指定された特徴はすべて、パーツキットを指定するために使用することができる。パーツキットは、本発明の方法を記載するマニュアルを含むことができる。パーツキットは、アミンを保護するためのBoc基(カルバメートの形態でアミンを保護するため)又は他の塩基を保護するためのBoc基をもたらすためなどの、1種又は複数の作用剤を含むことができる。
本発明はまた、パターン形成層を形成するための、インプリントリソグラフィープロセスにおける、請求項1〜19のいずれか一項に記載のスタンプの使用を提供する。
本発明は、またパターン形成層を形成する方法を提供し、この方法は
− 有機塩基性基の影響下で固化することが可能なインプリンティング組成物(12)の層を設けるステップ、
− レリーフフィーチャパターン(16)がインプリンティング組成物の層にインプリンティングされるよう、請求項1〜18のいずれかに記載のスタンプ(14)に層を接触させるステップ、
− インプリンティングされた組成物が、所望の固化度に到達するまで、インプリンティング組成物の層とスタンプとの間の接触を保持するステップ、及び
− インプリンティング組成物の固化層からスタンプを取り出し、パターン形成層を得るステップ
を有する。
使用又は方法のさらなる規格は、以下とすることができる。パターン形成層は、平面又は曲面である基板の上に形成される。可撓性スタンプは、基板表面に追従することができるので、曲面の基板のパターン形成に極めて有利である。有利な実施形態では、インプリントプロセスは、塩基により促進可能な固化可能インプリンティング組成物を使用する。より好ましくは、これは、アルコキシシロキサンをベースとするゾルゲルインプリンティング組成物などの、ゾルゲル又はケイ素化学的性質をベースとするゾルゲルインプリンティング組成物である。このようなゾルゲルは、塩基により促進可能なその化学的性質によるものである。さらに、それらは、少なくとも一部が水性であることが多く、したがって、容易な適用及びゴム/エラストマースタンプからの取り出しを実現する。これは、スタンプがポリシロキサンバルク部分、及び又は表面層若しくはスタンプ本体に基づく場合、とりわけ該当する。インプリンティング組成物は、好ましくは、インプリンティング組成物を固化するための感光性活性化剤を含んでいない。したがって、好ましくは、アルコキシシロキサンをベースとするインプリンティング組成物は、アルコキシシロキサンの重合反応の感光性活性化剤を含まない。
固化度に到達することは、インプリンティング組成物内のアルコキシシロキサンの所望の架橋度に到達させることを含むか、又はそれからなる。このようなインプリンティング法は、以下の事実から恩恵を受ける:インプリンティング組成物の固化の促進は、固化遅延型インプリントレジストを使用した場合でさえも可能である(このようなレジストは、本明細書の以下にも一部記載されている、例えば、WO2014/097096に開示されている)と同時に、高価な光不安定性活性化剤、例えば、PAG又はPBGが、インプリンティング組成物に含まれる、インプリンティング法よりもコスト効率が高い。さらなる恩恵は、塩基性有機アミンをロードしたスタンプは、このような光不安定性活性化剤の光分解生成物によって分解されないので、長い寿命を有することができるということに起因する。
1つ又は複数の接触するステップ及び保持するステップの間(好ましくは、保持するステップのみ)に、インプリンティング組成物は、上記の環境温度(通常、室温)まで加熱される。加熱は、30℃超、40℃超、又は50℃超、又は80℃超にもなる温度まで行うことができる。これは、より速い固化に有利である。これは、塩基性基が、スタンプ本体に結合されておらず、移動が自由であるスタンプを使用した場合、とりわけ有利である。移動は、より高い温度でより速くなり得る。
好ましくは、式9の化合物は1つ又は複数の置換基を含み、その各々は、少なくとも1つのビニル基を含む。より好ましくは、1つ又は複数の置換基は、水素の代わりに、水素を有する位置の1つにおいて、芳香族系に結合している。
表面層120は、ポリシロキサンをベースとする本体110と同じ材料で作製されており、例えば、ポリシロキサンをベースとする本体110の一体部分を形成してもよく、又はポリシロキサンをベースとする本体110と異なる材料で作製されている個別の表面層であってもよい。
表面層120は、通常、スタンプ層120が所望の可撓特性を有するのを確実とするよう、数mm以下、例えば1mm以下の厚さを有するであろう。一部の実施形態では、表面層120は、20〜50ミクロンの範囲の厚さを有する。表面層120の好適な厚さは、表面層120用に選択された材料に依存することが理解されよう。
請求項22に記載の方法では、第1及び第2のポリシロキサン前駆体の少なくとも一方は、前駆体の分岐T又は分岐Qである分岐点を含む。
本発明の実施形態は、添付の図式及び概略図を参照しながら、一層詳細に、かつ非限定例により記載されており、同一又は類似の部分を示すよう、同じ参照番号が図面全体にわたり使用されている。
インプリントリソグラフィー法の様々なステップを図示している。 インプリントリソグラフィー法の様々なステップを図示している。 インプリントリソグラフィー法の様々なステップを図示している。 インプリントリソグラフィー法において使用するための、パターン形成されたスタンプを図示している。
本出願のコンテキストでは、用語の一部は、以下の意味を有する。
用語エラストマーは、化学の分野におけるその通常の意味を有する。一般に、エラストマーは、そのガラス転移温度超で存在し、粘弾性及び弱い分子間力を有する、アモルファス性ポリマーであって、一般に、他の材料と比べて、低いヤング率及び高い破損ひずみを有する、アモルファス性ポリマーである。この用語にはゴムが含まれる。エラストマーは、通常、熱硬化系(加硫が必要である)であるが、熱可塑性であってもよい。長いポリマー鎖は、通常、架橋化(すなわち、例えば、硬化の間の加硫)される。弾性は、印加される応力を分布させるために、それ自体を再構成する長鎖の能力に起因する。共有結合性の交差連結は、エラストマーが、応力が除かれると、その元の立体配置に戻ることを確実とする。
ゾルゲルをベースとするインプリンティング溶液などのインプリンティング溶液の固化を促進する(触媒する又は補助する)ために、スタンプ内部(ボリューム)内に塩基性有機基(アミン)を含ませることは、いくつかの個別の利点を有する。例えば、インプリンティング組成物は、重合触媒、例えば、PAG又はPBGなどの活性化剤の存在をもはや必要とせず、このことは、こうした組成物のコストを大幅に削減し、重合活性化剤の意図しない活性化及びその後の組成物の固化が回避されるので、その保存寿命を改善する。さらに、このような活性化剤が存在しないため、その活性化時のこのような活性化剤の分解生成物の形成が回避される。このような分解生成物が存在しないために、このような分解生成物との反応によるスタンプ材料の分解が回避されるので、スタンプの寿命が延びる。
塩基性有機基を言及する場合、これは、化学結合を介して、スタンプ本体の一部、又はこうした基のうちの1つ又は複数を含めた、個別の物質の一部である、基又は官能基を包含することが意図されており、この物質は、スタンプ本体のボリューム中に存在している。したがって、塩基性有機基をロードしたエラストマースタンプを言及する場合、これは、塩基性有機基が、スタンプ本体内、すなわち、スタンプのボリューム中で、物理的又は化学的に結合されている実施形態を包含することが意図されている。この化学結合は、例えば、分子間力、水素結合、イオン結合及び共有結合、又はそれらの組合せによる吸収又は吸着のうちの少なくとも1つを含む。一部の実施形態では、塩基性有機基(アミン)は、スタンプに可逆的に結合して、スタンプ材料から塩基性有機アミンの可逆的(部分的)脱着を容易にし、スタンプに接触するインプリンティング組成物中での重合反応の促進又は触媒作用を加速する。流体透過性エラストマースタンプは、通常、ガス及び液体に対して透過性である。流体透過性エラストマースタンプは、多孔性スタンプ(すなわち、開放穴又はそれに通じる開放チャネルを有する)であってもよいが、これは、この場合を必要とするものではない。(流体透過性)エラストマースタンプ材料の例には、ポリジメチルシロキサン(PDMS)及びPFPEパーフルオロポリエーテルが含まれるが、本発明の実施形態は、これらの例に限定されない。
塩基性有機基という用語は、アレーニウス塩基又はルイス塩基として作用する、有機基又は官能基を含むことが意図されている。塩基性有機基は、酸の共役塩基である。好ましくは、この基は形式電荷を有さない。この基は、塩基性有機アミンとすることができる。
ルイス塩基という用語は、化学において通常の意味を有する。したがって、指導書によれば、ルイス塩基は、ルイス酸と反応して、ルイス付加物を形成する化学種である。次に、ルイス塩基は、ルイス酸に一対の電子(孤立電子対)を供与してルイス付加物を形成する任意の化学種である。付加物では、ルイス酸及びルイス塩基は、ルイス塩基によって供給される電子対を共有する。例えば、OH及びNHは、電子の孤立電子対を供与することができるので、それらはルイス塩基である。OHは、形式的な負電荷を有するルイス塩基の一例であり、NHは、形式電荷を有さない非帯電ルイス塩基の一例である。ルイス塩基は、ドナー原子に位置する、供与に利用可能なその電子対を有する。ドナー原子の多くの例が、存在する:例えばエーテルの中の酸素、例えばアミン、アルキルアミン又はピリジン中の窒素、例えばスルフィド中の硫黄、及びホスフィン又はアルキルホスフィン中のリン。
量という用語は、スタンプがインプリンティング組成物に接触すると、固化に影響を及ぼすほど十分な塩基性有機基が存在することを意味するという意味での有効量である。この量は、スタンプ本体の重量あたりの塩基性有機基(それぞれが、プロトン1当量に結合することができる)の数(モル数)として特定される。例えば、スタンプ本体の1グラムあたりのモル数での、基の量は、>1−6、>0.5−5、>1−5、>0.5−4、又は>1−4、又は>0.5−3にもなる。一般に、量が多いほど、固化は迅速に働くことができる。その中に塩基性基を有するスタンプが、本明細書の以下に記載されているインシチュでの介在手順のいずれかを使用して調製される場合(含浸手順とは反対)、この量は、質量分率が、生じる好適なゴム本体にとって大きくなりすぎるので、上限値を有する。好適な量は、<1−3若しくは<5−4(モル重量が30〜100を有する基の場合)、<5−4若しくは<2.5−4(モル重量が100〜200を有する基の場合)、<3−4若しくは<1.3−5(モル重量が200〜300を有する基の場合)、<2.5−4若しくは<1.2−4(モル重量が300〜400を有する基の場合)、又は<2−4若しくは<1−4(モル重量が400〜500を有する基の場合)とすることができる。基のモル重量を使用することを使用し、重量百分率とは異なる量を計算することができる。
塩基性有機基が、別々の物質の部分として存在する場合、それらの量は、物質分子あたりの塩基性有機基の数を考慮に入れた、スタンプ本体の重量あたりの物質の所与の重量である。例えば、有機ポリマーバルク部分は、有機ポリマーバルク部分の総重量に対して、少なくとも0.1重量%の物質を含む。
したがって、本発明の少なくとも一部の実施形態は、インプリントリソグラフィー技法に使用されるアルコキシシランをベースとするインプリンティング組成物において、ゾルゲル反応を触媒するための、エラストマースタンプの総重量に対して、少なくとも0.1重量%の量で、塩基性有機基を含む(これをロードした)スタンプを提供することに関する。この場合、好ましいスタンプの1つは、有機ポリマーバルク部分がポリシロキサンであるものである。
本発明のスタンプがどのようにインプリンティング組成物に働くかを例示するため、軟質(可撓性)インプリンティングスタンプ(基板コンフォーマル(共形)インプリントリソグラフィー(SCIL)など)に基づく、コンフォーマルインプリントリソグラフィーとして知られているインプリントリソグラフィー技法の実施形態(可撓性の流体浸透性モールド又はスタンプが使用される)が、本明細書の以下に記載される。読み手には、装置(WO2003/099463)、方法及びレジスト(WO2008/053418及びWO2014/097096)に関する一層詳細な情報に関して、以下の開示が参照される。コンフォーマルインプリントリソグラフィーの主な利点は、スタンプの可撓性により、スタンプパターンと表面との間に完全な接触が可能となるため、微細構造が、不規則(例えば、非平坦)表面及び曲面上に複製され得るということである。
図1は、本発明による、インプリントリソグラフィープロセスの例となる実施形態を概略して図示している。ステップAでは、ケイ素基板、絶縁基板上のケイ素、GaAs基板、GaN基板、AlGaN基板、Al又はCr基板などの金属製基板、PMMA基板などのポリマー製基板、ガラス製基板、サファイヤなどのセラミック製基板などの任意の好適な担体である、基板10の主表面が、硬化可能なインプリンティング可能な組成物12の層により被覆される。この被覆は、例えばスピンコーティングを用いて行うことができるが、他の技法を必要に応じて、使用することができる。
インプリンティング組成物12の化学的性質は、特に限定されない。例えば、任意の好適なゾルゲルインプリンティング組成物が、この目的に使用される。アルコキシシランをベースとするゾルゲルインプリンティング組成物は、特に所望の特性を有する固化したパターン形成層を設けること、及び例えば、スピンコーティング法、ドクターブレード法、インクジェット法などを使用する、基板10上へのインプリンティング組成物の容易な堆積にとって望ましい特性を示すことが知られているので、このようなインプリンティング組成物が特に好適であり、この場合、インプリンティング組成物12中のシラン化合物の重縮合が、必要に応じて活性化されて、インプリンティングスタンプによりインプリンティング組成物をインプリンティングするためのプロセスウインドウが、インプリンティング組成物中のシラン化合物の早期重縮合により狭められないことを確実にすることができる。このような組成物は、例えばWO2008/053418又はWO2014/097096に記載されている。
実施形態では、インプリンティング組成物は、式1、式2のシランモノマー、又はそれらの組合せに基づく:
Figure 2019195076
Figure 2019195076
(式中、R〜Rは、C〜C線状又は分岐状アルキル基、及びフェニル基からなる群から個々に選択される)。このようなシラン化合物の特に好適な例は、式4〜7の化合物:
Figure 2019195076
Figure 2019195076
Figure 2019195076
Figure 2019195076
によって定義される。
インプリンティング組成物は、式1である第1のシラン化合物、及び式2である第2のシラン化合物に基づく。これは、第1と第2の硬化性化合物との間の比を変えることにより、架橋量を制御することができるという利点を有する。通常、第1の硬化性化合物への比を向上すると、重縮合反応中に形成されるネットワーク中の架橋密度が低下する。最も望ましい架橋密度を得るため、第1のシラン化合物と第2のシラン化合物とのモル比は、5:1〜1:5の範囲内にある。
特に好適な実施形態では、第1のシラン化合物はMTMSである。MTMSを完全に無機のシラン化合物、すなわち式2によるシラン化合物と組み合わせると、固化時にインク組成物の望ましくない収縮をかなり回避することができることが見出された。MTMSと組み合わせて使用するのに特に好適な第2のシラン化合物の実施形態は、TMOS及びTEOSである。
インプリンティング組成物が堆積する前に、インプリンティング組成物における所望の重合度を実現するため、すなわち、基板10上へのその堆積を容易にするようインプリンティング組成物の粘性を調節するため、インク組成物のpHは3〜5、好ましくは3.5〜4.5の範囲に設定される。特に、約pH4が好ましい。pHは、任意の好適なプロトン酸、例えば、酢酸若しくはギ酸などの有機酸、又は塩酸などの無機酸を使用して設定される。
酸含有物の大部分は、通常、乾燥時にインプリンティング組成物から蒸発し、これは、層形成後及びスタンプの適用前に起こるので、このような酸の存在は、通常、本発明の塩基がロードされたエラストマースタンプを妨害しないことに留意されたい。同様に、インク組成物のpHをスタンプ中の有機塩基のpHにまでする必要はない。インク組成物のpHが、アルカリ性pH(すなわち、pH>7)まで向上される限り、インプリンティングのアルコキシシラン含有物の迅速な重縮合を実現することができる。
インク組成物は、反応計画Iに示されている通り、重縮合反応中にシラン化合物と競合する式3による重縮合の阻害剤:
Figure 2019195076
(式中、Rは、C〜C線状又は分岐状アルキル基、及びフェニル基からなる群から選択され、nは、少なくとも2の値を有する正の整数である)をさらに含む。特定の有利な実施形態では、nは、2、3、4又は5である。
特に、式3であるポリエチレングリコールモノエーテルの有利な例には、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(EEOL)、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル及びテトラエチレングリコールモノエチルエーテルが含まれる。
3〜5のpH、好ましくは3〜5〜4.5のpH、より好ましく約4のpHにおいて、式3の化合物により、インク又は組成物中のシラン化合物間の重縮合反応の完了レベルが低下されること、すなわち、重縮合反応の平衡が、この平衡のオリゴマー/モノマー側の方によりシフトすることが見出された。特に、式3の化合物を含むシランオリゴマーが形成される。このような重縮合遅延剤を例えば使用して、インプリンティング組成物の保存寿命を高め、その粘性を調節することができ、こうして、インプリンティング組成物は、インプリンティングされる基板表面に一層、効果的に適用され得る。本発明の実施形態による塩基性有機アミンをロードしたスタンプは、このような阻害剤の存在下で、このようなインプリンティング組成物における平衡反応を重縮合の方に速やかにシフトすることが可能であることが見出された。
実施形態では、インク又は組成物は、重縮合反応に関与しないが、インク又は組成物の特徴を改善するために使用される、1種又は複数の添加物をさらに含む。例えば、インク又は組成物は、インクのフィルム成形特性を改善する添加物を含有する。このような添加物の非限定例は、1−エトキシ−2−(2−エトキシエトキシ)エタン(EEE):
Figure 2019195076
である。
このようなインプリンティング組成物は、表Iに指定されている範囲から選択される組成物を非限定例として有する。表Iでは、重量百分率(重量%)を言及する場合、これは、別段の指定がない限り、インプリンティング組成物の総重量に対するものである。
Figure 2019195076
他の好適な組成物は、スタンプ塩基性有機基によって、pHの変化、又は別の構成成分(例えば、固化反応に関与する金属又は他のイオンなど)の変化により固化され得るものとして、当業者に明白となろう。
有利には、インプリンティング組成物12は、PAG又はPBGなどの重縮合活性化剤の存在を必要としない。これは、以下により詳細に説明されている通り、アルコキシシランをベースとするインプリンティングのゾルゲル縮合反応を触媒することができる、有機塩基がロードされるスタンプ14が使用されるからである。したがって、インプリンティング組成物は、インプリンティング組成物の粘性を増加させて、その結果、スタンプ14が、インプリンティング組成物を所望のパターンにインプリンティングする能力を低減させる、早期重縮合反応に対してほとんど影響されない。可撓性スタンプ14は、ステップBに示されている通り、空間的に隔離された突起部16により形成されるレリーフフィーチャパターンを有し、硬化可能なインプリンティング可能な媒体12にインプリンティングされ、これにより、この層に逆のパターンが転写される。明示的に示されていないが、可撓性スタンプ14を用いた、堆積された硬化可能なインプリンティング可能な媒体12のインプリンティングは、溶媒系の一部を、所望の場合に堆積された硬化可能なインプリンティング可能な媒体12の粘性を向上させるために蒸発させる、乾燥ステップにより行われる。
次に、ステップCに図示されている通り、インプリンティングスタック(基板+インプリンティング+可撓性流体透過性エラストマースタンプ)は、可撓性流体透過性エラストマースタンプ14中の有機(アミン)塩基が、重縮合反応を触媒して、インプリンティング組成物の固化(ゾル形成)を引き起こすことができるよう、接触して維持される。場合により、インプリンティングスタックは、重縮合反応をさらに加速させるよう加熱される。この重合反応が完了すると、スタンプ14は、ステップDで除去され、基板10上のパターン部分18が後に残る。
このような硬化可能なインプリンティング組成物を使用すると、無機含有量が高くかつ架橋密度が高い硬化済みパターン形成層を実現することができるため、硬化可能なインプリンティング組成物はやはり、光学特性を調節した三次元構造などの多層構造、例えば、発光ダイオード、干渉計、フォトニック結晶などの形成に使用される。このような三次元構造は、図2に示されている通り、パターン形成層20に上に、平坦化材料22を堆積することにより、パターン形成層20を充填又は平坦化することにより生成され、必要な場合、エッチング又はポリッシングにより、過剰の材料が除去される。平坦化材料22は、熱分解可能なポリマー(TDP)などの任意の熱分解性材料である。TDPの非限定例は、ポリノルボルネン又はポリスチレンである。或いは、平坦化材料22は、特定の溶媒に可溶である。一般に、硬化可能なインプリンティング可能な組成物から形成されたパターン形成層を損なうことなく、形成された多層構造から選択的に除去することができる任意の平坦化材料22が使用される。
このような三次元構造を製造する方法の非限定例が、図3に示されている。ステップAでは、既に説明した通り、平坦化層30が、基板又は担体10上に形成される。平坦化層30のパターン形成された部分20は、図1に示されている方法に従い、硬化可能なインプリンティング組成物12を使用して、インプリントリソグラフィー(例えば、基板コンフォーマルインプリントリソグラフィー、SCIL)によって生成される。パターン20が充填される、すなわち充填材料22により平坦化される。ステップBでは、任意の好適な様式で、例えば、スピンコーティング法、分注法又はドクターブレード法によって、ステップAの平坦化層30の上に、硬化可能なインプリンティング組成物12の次の層が適用される。
ステップBにおいて堆積された硬化可能なインプリンティング組成物12は、続いて、ステップCにおいて示されている通り、基板10に対してスタンプを整列させた後に、好適にパターン形成された流体透過性エラストマースタンプ14によりエンボス加工される。ステップCにおいて、基板10によるスタンプ14のインプリンティング配向を、第1のパターン形成層20を形成させるために使用したインプリンティング配向に対して、90°回転させる。他の配向回転角度が等しく実現可能であることが理解されよう。続いて、硬化可能なインプリンティング組成物12は、例えば図1に示されている通り、固化され(高密度化され)、ステップDに示されている通り、固化部分20’を形成する。明らかに、固化部分20’の形成は、スタンプ14を取り除いた後、すなわち既に議論した通り、無機物の重合反応を完了することにより完成される。スタンプ14を取り除くと、ステップAの平坦化層30上に高密度部分20’が残る。新しく形成されたパターン形成層は、ステップEに示されている通り、再度、平坦化され、この後、ステップB〜Eを繰り返すことにより追加の層が形成される。パターン形成層のパターン形成部分の高さは、例えば、反応性イオンエッチングにより、追加の加工ステップを使用して小さくされる。
充填材料22は、ステップFに示されている通り、例えば適切な溶媒中に充填材料22を溶解することにより、又は熱分解することによって、その後に除去されて、こうしてスタック構造を得ることができる。アルコキシシランをベースとするゾルゲル系は、そのゾル状態において、平坦化材料22を溶解するために必要な大部分の溶媒に耐えることができ、かつ最大600℃又は1000℃にもなる高温に耐えて、これにより、TDPなどの熱分解性化合物の使用に特に好適となるので、アルコキシシランをベースとするゾルゲル系は、特に、この方法における用途に対するインプリンティングとして適性があると言える。
例えば、基板10上の層が、マスクとしてインプリント構造体を使用してパターン形成されると、例えば、基板10から残留インプリント構造体を除去する必要がある。このインプリント構造体は、任意の好適なエッチング技法、例えば、反応性イオンエッチングにより除去される。
図4は、より詳細に、スタンプ14(例えば、流体透過性エラストマー)の例となる実施形態を概略的に図示している。スタンプ14は、ポリシロキサンをベースとする材料から好ましくは作製される本体110を通常、含む。以下の説明は、ポリシロキサン(バルク部分を有するスタンプに関するものであるが、他のエラストマー又はゴム材料がバルク部分に使用され得る。当業者は、問題なく、このような他の材料を適用して、本発明を使用することができよう。以下の例において、ポリシロキサンバルク部分に関して記載する。このようなポリシロキサンをベースとする材料の例は、PDMS(ポリジメチルシロキサン)であるが、類似のポリシロキサンをベースとする材料、例えばメチル基の少なくとも一部がより大きなアルキル基、例えば、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル基などにより置き換えられたポリシロキサンも企図されることを理解すべきである。或いは、ポリシロキサンをベースとする材料は、例えば、WO2009/147602A2に開示されている、T分岐及び/又はQ分岐したポリシロキサンをベースとするゴム様材料を含む。誤解のないように記載すると、T分岐ポリシロキサンは、例えば、線状ポリシロキサンにより架橋されると、3方向分岐鎖、すなわちネットワークを含むことが留意される。同様に、Q分岐ポリシロキサンは、例えば、線状ポリシロキサンにより架橋されると、4方向分岐鎖、すなわちネットワークを含む。このような分岐状材料を使用して、本発明の以下において示されている通り、より高いヤング率を有するスタンプ本体部分を作製することができる。
スタンプ14は、図4中の上に拡大した挿入図に示されている通り、パターン16を有する(例えば流体透過性)表面層120をさらに含む。しかし、この層は、本発明の実施に必要ではない。表面層120は、ポリシロキサンをベースとする本体110と同じ材料で作製されており、例えば、ポリシロキサンをベースとする本体110の一体部分を形成してもよく、又はポリシロキサンをベースとする本体110のそれとは異なる材料で作製されている個別の表面層であってもよい。表面層120がこのような異なる材料で作製されている実施形態では、表面層120は、ポリシロキサンをベースとする本体110上にグラフトされるか、又はポリシロキサンをベースとする本体110に接着される。実施形態では、ポリシロキサンをベースとする本体110は、例えば、硬化前に、表面層120に接着され、その結果、本体110は、表面層120と担体130との間で、接着剤又はのりとして作用する。例えばポリシロキサンをベースとする本体110に比べてより剛直な表面層120が望ましい実施形態において、例えば、フィーチャパターン16のフィーチャのゆがみ又は崩壊を防止するために、異なる表面層120が企図される。フィーチャパターン16のフィーチャサイズが、特に、小さい、例えば、0.5〜1ミクロンより小さい場合、軟質表面層120において崩壊のこのようなゆがみが例えば起こり得る。
実施形態では、表面層120は、ポリシロキサンをベースとする本体110よりも高いヤング率を有する。フィーチャ16の寸法は、例えば、200nm〜2ミクロンの範囲にあり、硬質PDMSなどの7〜11MPaの範囲のヤング率を有するゴム状材料が企図される一方、1nm〜200nmの範囲のフィーチャ16の寸法を有するスタンプの場合、かなり硬質のPDMS(時として、X−PDMSと称される)などの40〜80MPaの範囲にあるヤング率を有するゴム状材料が企図される。表面層120の好適な材料の別の例は、PFPE(パー−フルオロ−ポリ−エーテル)である。所望のヤング率を有する表面層120の他の好適なポリマー材料は、当業者に直ぐに明白となろう。誤解のないように記載すると、報告されているヤング率は、規格により指定されている条件下で、剛直ボールがゴム材料を貫通することによるASTM D1415−06(2012)規格に準拠した標準硬度試験により決定したことが留意される。
表面層120は、通常、スタンプ層120が所望の可撓特性を有するのを確実とするよう、数mm以下、例えば1mm以下の厚さを有するであろう。一部の実施形態では、表面層120は、20〜50ミクロンの範囲の厚さを有する。表面層120の好適な厚さは、表面層120に選択された材料に依存することが理解されよう。
ポリシロキサンをベースとする本体110は、特に、ポリシロキサンをベースとする本体110が表面層120より低いヤング率を有する場合、スタンプ14に可撓性をもたらすよう、表面層120より厚い。例えば、ポリシロキサンをベースとする本体110は、0.5〜2mmなど、0.1〜5mmの範囲の厚さを有する。
フィーチャパターン16のフィーチャは、数ミクロン〜数ナノメートルの範囲のフィーチャサイズを有しており、すなわちフィーチャ122は、ナノパターンを画定するが、より大きなフィーチャサイズを使用することもやはり実現可能である。表面層120は、製造されるスタンプのフィーチャ122の所期のサイズに調節されたヤング率を有する。例えば、比較的大きなフィーチャサイズ、例えば、500nmから最大数ミクロン、例えば2ミクロン又は5ミクロンのサイズである場合、比較的軟質のゴム状材料、例えば、軟質PDMSなどの2.5〜5MPaの範囲のヤング率を有するゴム状材料が使用される。これは、比較的大きなサイズのフィーチャは、スタンプの製造プロセス又はインプリンティングプロセスの間の表面張力により、比較的崩壊しにくいのが理由である。このような崩壊は、通常、フィーチャ間距離に関連しており、小さなフィーチャ間距離は、表面エネルギーの影響下では、過度に可撓性のフィーチャが一緒になって付着することを引き起こす。フィーチャ間距離は、通常、フィーチャサイズに必ずしも関連していないことに留意されたい。したがって、より小さなサイズのフィーチャ(及び/又はより小さなフィーチャ間距離)が必要な場合、上述の表面張力のために、より小さなサイズのフィーチャの崩壊を防止するため、一層剛直なゴム状材料が企図される。
フィーチャパターン16は、任意の好適な様式で、表面層120に形成される。電子ビームパターニング(及び反応性イオンエッチング)エッチング又は干渉リソグラフィー(及び、その後のエッチング)などの知られている技法を使用して、フィーチャパターン16が形成される。
スタンプ14が装着されて、例えば、担体又は支持体130に接着されて、スタンプ14の安定性が改善される。好ましくは、この担体又は支持体130は、剛直であり、可撓性の程度は制限されている。したがって、この支持体は、スタンプ又はスタンプ本体よりも少なくとも剛直であり、その結果、この支持体は、スタンプを支持することができる。支持体130は、好ましくは、流体不浸透性であり、その結果、この物質は、スタンプ14から支持体130に拡散することはできない。支持体130は、例えば、ガラス、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)などの好適な(コ)ポリマー、他のプラスチック、金属又は金属合金などから作製される。基板10がスタンプ14に接触したときにインプリンティング組成物12の流出を防止するため、支持体130は、剛直な支持体130の縁領域において、1つ又は複数のゴムシール140を含み、これにより、フィーチャパターン16がインプリンティング組成物12に押圧されるために、基板10からインプリンティング組成物12の一部に力が加えられる。
エラストマースタンプ14は、任意の好適な様式で、塩基性有機基がロードされる。
第1の例の方法は含浸による。この方法では、スタンプ14は、30分間〜12時間の範囲の期間、好ましくは1時間〜6時間の範囲の期間などの、ある期間、有機溶媒中の塩基性有機基(塩基性有機アミンなど)を含む物質の溶液中に浸漬される。この物質は、好ましくは、有機溶媒の総重量に対して、少なくとも1重量%の量で、有機溶媒中に存在する。例えば、塩基性有機アミンは、有機溶媒の総重量に対して、1〜5重量%の範囲の量で存在する。有機溶媒中の物質の量は、好ましくは、スタンプ14に物質をロードすると、有機溶媒の除去後の、スタンプ14中の物質の量が、スタンプ14の総重量(すなわち、バルク材料110及び表面層120の総重量)に対して、少なくとも0.1重量%となるものである。スタンプ14の物質の量が、スタンプ14の総重量に対して0.1重量%未満である場合、塩基性有機基によって触媒されるインプリンティング組成物の重合は遅すぎる。スタンプ14における物質の総量に対する上限値に、具体的な要件はないが、スタンプ14の総重量に対して約3重量%超の物質の量が、インプリンティング組成物12の重合速度にもはや影響を及ぼさないことが見出され、その結果、一部の実施形態では、スタンプ14の物質の量は、スタンプ14の総重量に対して、0.1〜3重量%の範囲となる。
多くの有機溶媒が、物質を溶解するために使用され、次いで、スタンプ14が浸漬される。極性溶媒が特に好ましい。このような極性溶媒の中で、メタノール、エタノール、プロパノール、イソ−プロパノール、ブタノール、ペンタノール、n−ヘキサノール及びシクロヘキサノールなどのアルコールは、スタンプ14(の、例えばポリシロキサンバルク部分)を適度に膨潤するだけであるため好ましい。このような膨潤は、フィーチャパターン16をゆがめる恐れがあるので、できる限り回避すべきである一方、過度な膨潤は、スタンプ14の乾燥時に、完全な可逆性にはならず、したがって、上記のインプリンティング法において使用するのに好適ではない、ゆがんだスタンプ14をもたらす。
浸漬ステップ後、浸漬したスタンプ14を水で洗浄し、スタンプから残留溶媒を除去する。この洗浄は、任意の好適な回数、繰り返される。任意選択の洗浄ステップに続いて、浸漬したスタンプ14を乾燥して、スタンプから有機溶媒を除去し、これにより、スタンプ14にロードした物質が後に残る。このような乾燥は、高温で、例えばオーブン中などで行われ、エラストマースタンプ14の乾燥時間が短縮される。しかし、実施形態では、スタンプ14は、これを、少なくとも12時間、例えば16時間、24時間、又は48時間もの間、室温(25℃)で周囲圧又は減圧下に曝露させることにより乾燥されて、スタンプ14から残留有機溶媒を蒸発させる。
この含浸方法の実施形態は、スタンプ14の全体に物質を含浸させるために使用される。代替実施形態では、スタンプ14の(ポリシロキサン)バルク部分110のみに、この様式で含浸され、個別の表面層120が、含浸後に(ポリシロキサン)バルク部分110にグラフト又は接着される。表面層120は、表面層120と担体130との間の接着剤として使用される、ポリシロキサンバルク部分110の製造前に製造される。この実施形態では、物質は、ポリシロキサンバルク部分110及び表面層120から、表面層120に拡散する。
少なくとも、本明細書に記載されている含浸方法により、バルク部分110及び/又は表面層120、又はスタンプ全体でさえも、流体透過性である場合、特に有利である。次に、含浸を迅速に行うことができる。
上記の含浸方法を使用してエラストマースタンプ14に含浸するために、塩基性有機基(及び、とりわけ窒素ドナーを有するルイス塩基)を有する幅広い物質が使用され、続いて、図1〜図3を参照して記載されているプロセスなどの、リソグラフィーインプリンティングプロセスにおける、インプリンティング組成物12の重合を触媒することが見出された。
表2に列挙されている例となる物質1〜36が、含浸により、PDMSスタンプに首尾良くロードされた。物質1〜18及び20〜39がロードされたPDMSスタンプは、ロードした対応する物質を含まない同一スタンプを用いて達成される速度と比較して、室温において、より速い速度で、アルコキシシロキサンをベースとするインプリンティング組成物を固化するのに首尾良く使用された。化合物19は、塩基ではなく、この1つのダイ(die)は、インプリンティング組成物を加速しなかったことに留意されたい。この塩基は、本明細書の以下に説明されている通り、別の目的の場合に、表に含まれている。化合物はすべて、スタンプをインプリンティング溶液に接触させた後、室温(RT)で、1〜5分以内に、ケイ素基板上に55nm〜150nmの厚さのインプリンティング溶液の固化を引き起こす。比較のため、ケイ素上の類似の厚さのインプリンティング溶液は、室温で約40分間、及び50℃で10分間、塩基なしにスタンプにより硬化した。
Figure 2019195076
Figure 2019195076
Figure 2019195076
これは、これらの物質が、7より大きなpKaを有する、幅広い塩基から選択されることを明確に実証している。一般に、強塩基ほど(pKaが高いほど、又はpKbが低いほど)、アルコキシシロキサンをベースとするインプリンティング組成物の固化がより迅速に起こることが観察された。好ましくは、塩基は、8〜13の間のpKaを有する。より好ましくは、pKaは、10〜13の間である。当分野で知られているそれらのpKA値に基づくと、当業者は、本発明の適切な塩基を選択することができる。
幅広い様々な好適な物質には、以下に限定されないが、式8を有する化合物:
Figure 2019195076
が含まれる。
式8中、R〜Rは、水素、無置換又は置換C〜C20アルキル基、無置換又は置換C〜C20アルケニル基、無置換又は置換C〜C20アルキニル基、無置換又は置換C〜C20シクロアルキル基、無置換又は置換C〜C20シクロアルケニル基、無置換又は置換C〜C20複素環式基、無置換又は置換C〜C30アリール基、無置換又は置換C〜C30アルキルアリール基、無置換又は置換C〜C30ヘテロアリール基から個別に選択されるが、但しR〜Rはすべてが水素とは限らないことを条件とする。
〜Rのうちの少なくとも2つは、同一の無置換若しくは置換C〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C〜C30アリール基又は無置換若しくは置換C〜C30ヘテロアリール基の部分を形成し、すなわち、同一環構造の部分を形成する。
用語「置換されている」とは、化合物又は基の水素が、ハロゲン(F、Br、Cl又はI)、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アジド基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、カルボニル基、カルバミル基、チオール基、エステル基、カルボキシル基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、C〜C20アルキル基、C〜C20アルコキシ基、C〜C20アルケニル基、C〜C20アルキニル基、C〜C30アリール基、C〜C30アリールアルキル基、C〜C20ヘテロアルキル基、C〜C20ヘテロアリール基、C〜C20ヘテロアリールアルキル基、C〜C30シクロアルキル基、C〜C15シクロアルケニル基、C〜C15シクロアルキニル基、C〜C20ヘテロシクロアルキル基及びそれらの組合せから選択される置換基により置換されていることを指す。
実施形態では、R〜Rの1つのみ水素であり、すなわちこの物質は、二級アミンである。さらに別の実施形態では、R〜Rのいずれも水素ではなく、すなわちこの塩基性有機アミンは、三級アミンである。
本発明、及び本明細書に記載されている実施形態では、スタンプ、スタンプ本体及び/又は表面層は流体透過性とすることができる。本明細書の上に示されている通り、例えば、含浸方法により作製されたスタンプの場合、このような透過性は有利となり得る。
塩基性有機基をスタンプ14にロードする代替例となる方法は、その形成中に、スタンプ本体中で、塩基性有機基を取り囲むことによる。この例では、このような形成は、例えば、基材料をさらなる材料と共に硬化又は架橋して、スタンプ本体のポリシロキサンバルク部分110を形成することによる。したがって、この方法におけるポリシロキサンをベースとするバルク部分110は、反応性の、例えば架橋可能なポリシロキサン基材料を、基材料と反応させること(これは、好ましくは、架橋を含む)により形成される。
この代替的な囲い込み法、及びこの方法により作製されるスタンプは、溶媒含浸によるスタンプ14の膨潤が回避され、その結果、高品質のフィーチャパターン16、すなわちこのような膨潤作用によりゆがみの生じないフィーチャパターン16を有するスタンプ14を生成するのに一層簡単になるという利点を有する。それはまた、スタンプ製造時間を節約する。
ポリシロキサンバルク部分スタンプの場合、適切な基材料は、ヒドロシラン修飾ポリシロキサンのヒドロシラン部分と反応することが可能な、例えばビニル基などの遊離アルキン又はアルケン(不飽和結合)基を有するものである。アルデヒド及びケトンなどの他のものを使用することができ、これらは異なる架橋化学をもたらすが、この方法の原理は、アルケンを使用するものとは違いがない。このような架橋ポリシロキサンの例は、HMS−301及びHMS−501を含み、これらのどちらも、Gelest,Incorporatedという会社により上市されている、トリメチルシロキシ末端メチルヒドロシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーである。遊離アルケン基により修飾されたポリシロキサンバルク部分の例は、Dow Corning Corporationによって上市されている製品であるSylgard(登録商標)のファミリーであり、これらは、ポリジメチルシロキサンオリゴマー、又はビニル末端基を有するポリマー(一例は、線状ビニル末端官能基化ポリシロキサンを表す式11により示されており、nは、必要に応じて選択される)である。
Figure 2019195076
したがって、ビニル置換部分のビニル基は、ヒドロシリル化触媒により触媒される、いわゆるヒドロシリル化反応を記載している、例えば反応スキームIIによる、ヒドロシラン部分と反応することができる。ヒドロシリル化は、この場合、ビニル基の不飽和結合にヒドロシラン基が付加することを含む。ヒドロシリル化は、それ自体が知られているので、ここでは詳細に記載しない。有用な触媒は、本明細書の以下に記載されている。
Figure 2019195076
基材料が修飾ヒドロシランであり、反応性ポリシロキサンがアルケン修飾ポリシロキサンである反対の状況も使用することができることは明白であろう。
この方法に従って、物質(塩基性有機基を含む)は、ポリシロキサン基材料の総重量に対して少なくとも0.2重量%の量で、例えば、ポリシロキサン基材料の総重量に対して0.2重量%〜5重量%の範囲の量でポリシロキサン基材料に溶解される。基材料は、スタンプ本体のポリシロキサンバルク部分に対する前駆体の1つである。好適なポリシロキサンバルク部分の基材料の一例は、例えば、商標名Sylgard(登録商標)でDow Corning Corporationにより上市されている軟質PDMS(10未満である低ヤング率を有する)、又は参照により本明細書に組み込まれている、WO2009/147602に記載されているように例えば20超のより大きなヤング率を有するように特別に設計されたX−PDMSである。言及される基材料はすべて、重合する反応性基としてビニル基を有する。Sylgardでは、基材料は、線状ポリマー又はオリゴマーポリシロキサン鎖(chan)を有している一方、X−PDMS前駆体基材料では、複数の分岐点(3つ又は4つの分岐点)がビニル基を含む、分岐点が存在する。
そこに溶解された物質を含むポリシロキサンバルク部分の基材料は、続いて、ある期間、例えば8〜12時間の間など少なくとも6時間、静置される。そこに溶解された物質を含むポリシロキサン基材料は、高温でこの期間、静置されて、ポリシロキサン基材料に物質が分布するのを促進させる。好適な温度は、30℃〜100℃の範囲、例えば50℃で選択される。
次に、架橋ポリシロキサンを任意の好適な比、例えば、架橋ポリシロキサン1部あたりポリシロキサンバルク部分基材料を2〜5重量部で、バルク部分基材料に加える。架橋ポリシロキサンは、重合することができるか、又は第1の前駆体と反応することができる第2の前駆体である。この混合物は、フィーチャパターン16が、スタンプ14のポリシロキサンバルク部分110で再生成される場合に、好適なモールド、又はフィーチャパターン16のネガを含むマスターに置かれる。続いて、この混合物は、好適な期間、例えば、少なくとも4時間、例えば6〜12時間、硬化(固化)されて、スタンプ14の硬化済み(架橋)ポリシロキサンバルク部分を形成し、この硬化は、硬化反応の反応速度を向上するため、高温で行われる。例えば、硬化反応が行われる高温は、30℃〜100℃の範囲、例えば、50℃〜100℃の範囲で選択される。この様式で生成するスタンプ14は、モールド又はフィーチャパターン16のネガを含むマスターから問題なく、取り出されることが見出された。
硬化反応は、スタンプ14のポリシロキサンバルク部分110の(ヤング)率を調整するために使用される。線状架橋ポリシロキサン鎖を含ませると、ポリシロキサンバルク部分110のヤング率が調節され、そうして、硬化反応の反応条件、例えば架橋ポリシロキサンの量、硬化反応の期間及び/又は温度を使用し、ポリシロキサンバルク部分110のヤング率を指定のヤング率に調節する、すなわちポリシロキサンバルク部分110の可撓性又は圧縮性を調節することができる。より具体的には、低いヤング率のシロキサンは、末端に反応性ビニル基を有する線状鎖からなり、この反応性ビニル基は、ポリシロキサンバルク部分110のヤング率を調節するため、鎖に沿って官能基化された線状ヒドロシロキサンにより架橋される。
この時点で、上記の架橋反応(反応スキームIIを参照されたい)は、ヒドロシロキサンタイプを有するビニルの金属錯体を触媒とするヒドロシリル化のものであることが留意される。本明細書の上に記載されているもののようなヒドロシリル化反応は、それ自体、よく知られている通り(例えば、CHEMISTRY AND CHEMICAL TECHNOLOGY・TECHNOLOGY OF ORGANIC SUBSTANCESにおけるD.A.Vekki及びN.K.SkvortsovによるMetal complex catalyzed hydrosilylation of vinyl−with hydrosiloxanes(総説)という表題の総説を参照されたい)、白金又はロジウム触媒によって、通常、触媒される。この明細書に記載されている実験で使用された好適な触媒は、Gelest,Incorporated社により上市されている、例えば白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体(COSi)3〜5Pt;シクロメチルビニルシロキサン中の2%Pt(CAS番号68585−32−0)又は白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体(C2454PtSi);キシレン中の2%Pt(CAS番号68478−92−2)である。しかし、他のものを使用することができる。すべての場合において、触媒は物質、特にポリシロキサン基材料に添加されるその塩基性有機基によって毒されないことに注意を払わなければならない。ルイス酸は、一般に、触媒毒になることができることが知られている。したがって、アミンのような塩基性有機基もやはり、このような白金又はロジウム触媒の毒となり、これらの触媒を架橋反応に対して無効にする。本明細書の上において示されている物質の場合、塩基性有機基の部分内の立体障害は、物質が触媒と適合可能か否かに関して重要であると思われる。一般に、塩基性基又はルイス塩基のドナー原子の立体障害が高いほど、塩基は白金触媒との適合性が高まる傾向がある。当業者は、可能性として立体障害基準と組み合わせた実験により、互いに適合可能な触媒及び/又は塩基性有機基(アミンなど)を選択する方法を知っていよう。
表2中の化合物のすべてに、未硬化PDMSの総重量に対して0.5〜3重量%の間の量で未硬化PDMSに物質を溶解した、上記の囲い込み法を施し、一晩、静置して、その後に、Gelest,Incorporatedから得たHMS−301及びHMS−501の1:1混合物を、未硬化PDMSの総重量に対して1〜5重量%の比で加え、50℃の温度で一晩、静置した。表2中の化合物の中で、化合物14、17、18〜34は、白金を触媒とする硬化反応を満足できるほどに行うことができ、こうして、ゴム本体のスタンプにした。他の化合物のいずれでも、スタンプ材料前駆体の硬化が妨げられ(化合物1、2、4〜6、9、10、12、13、16、35及び36)、明らかに触媒毒を引き起こしているか、又は前駆体基材料(化合物3、7、8、11、15)と混合されなかった。
理論によって拘泥されることを望むものではないが、上記の囲い込み法に使用するのに好適な二級アミンは、Rが水素であり、R及びRが、分岐状の無置換又は置換C〜C20アルキル基、無置換又は置換C〜C20アルケニル基、無置換又は置換C〜C20アルキニル基、無置換又は置換C〜C20シクロアルキル基、無置換又は置換C〜C20シクロアルケニル基、無置換又は置換C〜C20複素環式基、無置換又は置換C〜C30アリール基、無置換又は置換C〜C30アルキルアリール基、無置換又は置換C〜C30ヘテロアリール基から個別に選択される、式8によるアミンであると思われる。
この二級アミンの実施形態では、R及びRは、分岐状の無置換又は置換C〜C20アルキル基及び無置換又は置換C〜C30アルキルアリール基から個別に選択される。
好ましくは、R2及びR3のうちの少なくとも1つ、及びより好ましくはこれらのうちの少なくとも2つは、2個の炭素原子などの、Hとは異なる少なくとも2個の他の原子を有する窒素に結合されている炭素原子を有する。したがって、これらのR2及びR3は、例えば、20個未満のC原子を有するイソアルキル(例えば、イソプロピル、イソブチル、イソペンチル、イソヘキシル、イソヘプチル、イソオクチル、イソノニル、イソデシル、イソウンデシル、イソドデシル又はイソブチル)である。
したがって、明らかなことに、ヒドロシリル化触媒の毒となることを防止するほど十分な立体障害を導入するいくつかの二級アミンは、有することができる。三級アミンもまた、この特徴を満足する。
したがって、上記の囲い込み法に使用するのに好適な三級アミンは、R〜Rが、線状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基又は分岐状の無置換又は置換C〜C20アルキル基、無置換若しくは置換C〜C20アルケニル基、無置換若しくは置換C〜C20アルキニル基、無置換若しくは置換C〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C〜C30アリール基、無置換若しくは置換C〜C30アルキルアリール基、無置換若しくは置換C〜C30ヘテロアリール基から個別に選択される、式8によるアミンである。この三級アミンの実施形態では、R〜Rは、線状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、又は分岐状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、及び無置換若しくは置換C〜C30アルキルアリール基から個別に選択される。
上記の囲い込み法で使用するための好適な三級アミンは、式10によるアミン:
Figure 2019195076
である。
式10中、R〜Rは、線状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、又は分岐状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基から個別に選択される。例えば、R〜Rは、メチル、エチル又はプロピルから個別に選択される。実施形態では、R〜Rは、メチル又はエチルなど、すべて同一である。
より一般に、塩基性有機基は、好ましくは、式9による構造:
Figure 2019195076
を含む。
本明細書において、Nはルイス酸のドナー原子とすることができ、Xは、酸素、窒素、硫黄及びリンからなる群から選択され、こうして、Xは、ルイス酸ドナー原子としてやはり働くことができる。R〜Rは、無置換又は置換アリール基、線状C〜C20アルキル基又は分岐状C〜C20アルキル基から個別に選択され、好ましくは、R〜Rは、メチル、エチル又はプロピルから個別に選択される。R〜Rは、個々の有機基、又は20個未満の炭素原子を含む、1個又は複数の水素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子を含む、全く同一の有機基とすることができる。好ましくは、10個未満の炭素原子が存在する。好ましくは、R〜Rは、式9の少なくとも2つのオレフィン結合、及び1つの他の二重結合(C=N、C=O又はC=C)、及び又は少なくとも1つの他の炭素−炭素三重結合を含む、共役系を有する基を形成する。好ましくは、共役系は、芳香族又は複素芳香族系である。好ましくは、複素芳香族系は、少なくとも2つのベンゼン環を含む。
これらの化合物は、それらがプロトン又は他のルイス酸を保持するのを強化する2個のドナー原子を効果的に有する。したがって、それらの化合物は、形式電荷を有していない、強塩基を供給する。それらの化合物は、多くの場合、超塩基と称される。
モノアルキルアミン及びジアルキルアミンの一部は、明らかに触媒の毒となるので、これらのアミンは、上記の方法によりスタンプに直接取り込ませることはできないので(例えば、化合物9〜13、16を参照されたい)、さらなる方法は、物質の一部として保護アミンを使用する。アミンを保護する方法の1つは、tert−ブチルオキシカルボニル(Boc)基を用いる反応によるものである。このような基を用いるアミンの保護及び脱保護に関する化学は、それ自体、よく知られており、詳細には記載しない。方法の1つは、約40℃でテトラヒドロフラン(THF)中、保護すべきアミンとジ−tert−ブチルジカーボネート(BocO)との混合物を加熱することである。脱保護(遊離アミン基をもたらす)は、周囲温度で、例えば3M塩酸に保護アミン(カルバメート)を曝露することにより行うことができる。Bocを用いる保護及び脱保護に関する他の方法が使用される。その方法は、アミンが有する1個又は2個の水素原子を保護するために使用され、一級及び二級アミンに働く。例えば、R.Varala、S.Nuvula、S.R.Adapa、J.Org.Chem.、2006年、71巻、8283〜8286頁を参照されたい。次に、保護アミンは、本明細書の上に記載されている、ポリシロキサン材料などの、スタンプ材料前駆体を硬化している間に使用することができる。
化合物30を使用して、スタンプと共にBoc保護方法を試験した。それは、そのまま購入されて、本明細書の上に記載されている通り、硬化中、ヒドロシリル化触媒の毒とならなかったので、首尾よく構築された。Boc基は、室温で60分間、水中の3M HClに化合物30を含むスタンプを曝露することにより除去した。Boc基は、脱保護に際し、副生物としてスタンプ機能を妨害しない、二酸化炭素及びt−ブタノールをもたらす。この試験は、数回行い、一部のスタンプは、HClへの曝露後、イソプロパノール及び水により洗浄して、90℃のオーブン中で乾燥した。スタンプの一部は、HClへのその曝露後、ある期間、塩基溶液に曝露した。この塩基は、炭酸水素ナトリウム、又はブライン溶液、又は水酸化ナトリウム溶液でさえあり得る。これは、遊離アミン基に結合しているHClを除去するために行われる。
したがって、この方法を用いることにより、アミンはすべて、インシチュでの硬化法を使用して効果的に取り込まれ得る。
上記の囲い込み法によって形成されたPDMSスタンプの場合、約4.5のpHを有する、EEOLを含む及び含まない、ケイ素基板上の70〜250nmの厚さの1:1(重量基準)のTMOS−MTMSゾルゲル層にこのスタンプを接触させると、スタンプはすべて、60秒未満で、TMOS−MTMSゾルゲル層を効果的に固化させることが見出された。例えば、14、22〜24などの化合物(すべての三級アミン)の一部の場合、これは、固化済みTMOS−MTMSゾルゲル層に形成されたフィーチャパターンの忠実性において、TMOS−MTMSゾルゲル層の硬化時間が大幅に増加することなく、観測可能な分解なしに、少なくとも50回、繰り返すことができ、したがって、本塩基性有機アミンは、そのフィーチャパターン16を分解することなく、PDMSスタンプ内に実質的に保持されることを実証している。
比較例として、EEOLを含む及び含まない、約4.5のpHを有するケイ素基板上に70〜250nmの厚さのTMOS−MTMSゾルゲル層をインプリントするために、取り囲み物質を含まないPDMSスタンプを使用した。この比較例では、ゾルゲル系の架橋の完成に約20分間、かかった。このことは、可能性として、酸性条件下、主に線状鎖が重縮合反応において形成される一方、塩基性条件下では、主に架橋鎖が重合反応中に形成され、その結果、塩基による重縮合反応の触媒作用により、架橋ポリシロキサンネットワークを形成するために必要な時間が短縮されるということにより説明することができる。さらに一般に、塩基を触媒とするアルコキシシラン重縮合反応は、酸を触媒とするアルコキシシラン重縮合反応よりも速い。
スタンプ14内の塩基性化合物の優れた保持は、上記の実験において、インプリンティングプロセスの後にスタンプ上に残留するゾルゲル系の残留物は、1%HF溶液にスタンプを2分間、浸漬し、脱イオン水により洗浄し、その後このスタンプを70℃のホットプレート上で15分間焼くことにより除去され得るということによってさらに実証される。この清浄手順の後、その後のインプリンティングサイクルにおけるスタンプの触媒活性は影響を受けなかった。
実施形態では、スタンプ14は、先に説明した通り、個別の表面層120を含む。この実施形態では、表面層120は、ポリシロキサンバルク材料の硬化前、ポリシロキサンバルク材料の部分硬化後、又はポリシロキサンバルク材料の硬化後に、塩基性有機アミンが溶解されているポリシロキサンバルク材料にグラフト又は接着される。これは、フィーチャパターン16を含む表面層120が、その製造中、例えばその硬化中に、塩基性有機アミンに曝露されないという利点を有する。したがって、特に表面層の硬化反応中の塩基性有機アミンの干渉が回避されるので、この表面層の所望のエラストマー特性が保護される。代わりに、塩基性有機アミンは、ポリシロキサンバルク110へのそのグラフト化又は接着後に、表面層120に拡散する。この理由のため、表面層120は、ポリシロキサンバルク110の硬化反応前(その完了前)に、ポリシロキサンバルク110にグラフト又は接着されるのが好ましく、その結果、硬化反応が行われる高温、例えば30〜100℃の範囲の温度は、拡散プロセスを加速することができ、これにより、エラストマースタンプ14が、インプリンティング組成物層12に接触するようになると、十分な塩基性有機アミンが表面層120に拡散されて、このインプリンティング組成物層12における重合反応を効果的に触媒することが確実となる。
実験では、化合物22は、2%、1%、0.5%、0.25及び0.125%の量で、軟質PDMSスタンプ層(約2〜3MPaのヤング率)中で取り囲まれ、この後、X−PDMS層(約70〜80MPaのヤング率)は、軟質PDMSスタンプ層に接着される。次いで、層スタックを50℃で2〜24時間、硬化させた。硬化後、直ちに、500〜1000ミクロンの合計の厚さを有する、こうして得られたスタンプを、30秒内に達成されたゾルゲル層の所望の架橋を有するケイ素基板上に、60〜150nmの厚さのTMOS−MTMSゾルゲル層と接触させた。
上記の実施形態では、塩基性有機アミンは、スタンプ14からの塩基性有機物質の過度の蒸発を回避するため、25℃で0.2mbarを超過しない蒸気圧を好ましくは有する。例えば、基板10上のスタンプ14の位置決め中に、インプリンティング組成物12の近傍において、このような蒸発により、スタンプ14からインプリンティング組成物12への塩基性有機アミンの望ましくない移動が引き起こされる恐れがあり、この望ましくない移動は、インプリンティング組成物12の早期重合を引き起こし得る。インプリンティング組成物12のこのような早期の固化は、既に説明した通り、インプリンティング組成物12における、フィーチャパターン16の再生成(高度に忠実性のある)を阻害する恐れがある。大幅な蒸発を回避するためには、一般により大きなモル重量物質が好ましい。すなわち、例えば、スタンプ中のモノアルキルアミン、ジアルキルアミン及びトリアルキルアミンなどの首尾よく含ませた化合物の置換基は、5個超の炭素原子を有する。好ましくは、10個超、より好ましくは15個超、又は20個超にもなる。例えば、このような数の化合物を有する、上記の二級又は三級アミンを使用することができる。当業者は、例えば、これらの概念に従い、表2から関連するものを選ぶことができる。
本明細書の上に記載されているもの以外の他の反応性の架橋性材料及び反応スキームを使用して、含浸によって又は反応によるビルドインのどちらかによって組み込まれた基材を有する本発明のスタンプに到達することができる。
しかし、本発明によるスタンプの製造の別の方法は、スタンプ本体材料の硬化が、例えば、ポリシロキサン及び有機アミン化合物のスタンプ本体について本明細書の上に記載されている有機塩基性基を有する物質の存在下で行われる方法に基づいて構築する。これは、組み込み法と呼ばれる。この方法では、物質は、例えば、エラストマー本体前駆体材料が硬化する間にエラストマー本体前駆体材料と反応して、有機ポリマーバルク部分及び/又は表面層を形成する反応性基を含むよう選択される。この手法を使用し、物質、及びそれに伴う塩基性有機基は、エラストマースタンプ本体に恒久的に連結され得る(共有結合により)。
この方法は、本明細書の上に記載されているポリシロキサンスタンプに関して例示される。すなわち、ビニル末端基を有するPDMS基材料(前駆体)は、表2の化合物30〜36のいずれか1つと混合した。使用した濃度又は量は、本明細書の上に記載されている硬化方法で使用したものと同じとした。これらの化合物の大部分はまた、反応性基としてトリアルコキシシラン基を有する、化合物35及び36を除いて、ビニル末端基を有する。化合物30〜32は、1重量%の量で硬化可能な混合物全体に加えた一方、化合物33〜36の場合、これらの量は3%である。この混合物に、先に記載した硬化実験について行った通り、ヒドロシラン基を有する架橋ポリシロキサン及びヒドロシリル化触媒を加えた。基材料(第1の前駆体)及び架橋剤ポリシロキサン(第2の前駆体)の量は、本明細書の上に記載されている介在物法で使用されている通りである。
化合物35及び36を有するものを除いた前駆体(硬化可能な)混合物のすべてが、エラストマースタンプ本体の架橋化ポリシロキサン主鎖に結合している、添加された化合物を有するエラストマー固化ポリシロキサンバルク部分をもたらした。化合物33及び34を有するスタンプの剛性は、いくらか高く、それほど有用なスタンプには至らなかった。ビニル末端基は、ヒドロシリル化反応に良好に関与するが、トリアルコキシシラン化合物35及び36は、アルコキシシランによって架橋しなかった。
やはり本明細書の上に記載されている通り、化合物30は保護アミンであり、このものは、本明細書の上に記載されている通り、脱保護が施されたスタンプ材料の硬化後でのものであった。
後者の方法におけるPDMSは、軟質PDMS(本明細書の上に記載されている通りSylgardをベースとするもの、及び線状の基材料に基づくものなど)又は分岐状の基材料に基づくX−PDMSなどのいくらかより硬いPDMSとすることができる。それらのどちらか一方は、第2の前駆体を含有する線状ヒドロシランと混合され得る。
スタンプが有機物表面層を有するよう指定されている場合、これは、結合した塩基性化合物を好ましくは含む層である。したがって、これを実現するため、本明細書の上に記載されている介在物法に使用されている方法が、組み込み法に使用され得る。
この方法の場合もやはり、塩基性有機基の性質は、硬化反応を妨害しないように選択されなければならないことは明らかであろう。したがって、立体障害アミンは、ヒドロシリル化が、硬化反応及び架橋反応に使用される場合、最良に働くであろう。同様に保護アミン又は他の保護ルイス酸塩基を本発明により使用することができる。
結合した塩基により得られたスタンプは本明細書の上に使用されているものと類似の試験状況を使用して、インプリントプロセスで試験した。それらはすべて、組み込まれた化合物を有していない類似のスタンプと比べて、インプリント時に固化速度が向上することを示したが、化合物31〜34は、化合物35及び36によるスタンプよりも速い固化をもたらした。化合物32は、良好な速度を実現したが、化合物31は、最良の硬化及びスタンプ特徴をもたらした。
インプリンティング溶液の固化を促進するのに好適な塩基を含むエラストマースタンプを有する本発明を、ポリシロキサンバルク部分を含むエラストマースタンプ本体に関して、詳細に検討した。本発明の概念から逸脱することなく、他のエラストマー及びゴムも使用されることは明白であろう。多数のこのような材料は、従来技術で及び商業的に入手可能である。実際に、含浸方法に関すると、このようなゴムは、透過性でなければならない。そうでない場合、塩基又は保護塩基のインシチュでの存在によるバルク部分前駆体の硬化(重合)による介在物法を行う必要がある。これらは、明示的に本明細書に記載されていないが、実施される本発明が、依然として働くことができる。
上記の実施形態は、本発明を限定しているというよりはむしろ例示していること、及び当業者は、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、多数の代替実施形態を設計することができることに留意すべきである。特許請求の範囲では、括弧間に置かれているいずれの参照記号も、特許請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。語「含む(comprising)」は、特許請求の範囲に列挙されているもの以外の要素又はステップの存在を排除するものではない。要素の前に付く語「a」又は「an」は、このような要素が複数存在していることを排除するものではない。本発明は、いくつかの別個の要素を含むハードウェアによって実施することができる。いくつかの手段を列挙しているデバイスの特許請求の範囲では、これらの手段のいくつかは、ハードウェアの1つの同じ項目により具現化され得る。ある種の手段が、相互に異なる従属する特許請求の範囲に列挙されていることは単に、これらの手段の組合せが有益性を発揮するために使用され得ないことを示すわけではない。

Claims (30)

  1. 有機ポリマーバルク部分、及びインプリンティング組成物をインプリンティングするためのレリーフフィーチャパターンを有するパターン形成された表面を有する、エラストマースタンプ本体を含む、インプリントリソグラフィープロセス用のスタンプであって、
    前記エラストマースタンプ本体が、前記パターン形成された表面と接触すると前記インプリンティング組成物の固化を促進することができる少なくとも1つのある量の塩基性有機基を含む、スタンプ。
  2. 前記塩基性有機基が、酸素、窒素、硫黄及びリンからなる群から選択される、少なくとも1個のドナー原子を有する非帯電ルイス塩基である、請求項1に記載のスタンプ。
  3. 前記ドナー原子が窒素原子である、請求項2に記載のスタンプ。
  4. 前記塩基性有機基が、8〜12の間のpKaを有する、請求項1又は2に記載のスタンプ。
  5. 前記塩基性有機基が式8による構造:
    Figure 2019195076
    を含み、式中、Nは前記ドナー原子であり、R〜Rは、水素、無置換又は置換C〜C20アルキル基、無置換又は置換C〜C20アルケニル基、無置換又は置換C〜C20アルキニル基、無置換又は置換C〜C20シクロアルキル基、無置換又は置換C〜C20シクロアルケニル基、無置換又は置換C〜C20複素環式基、無置換又は置換C〜C30アリール基、無置換又は置換C〜C30アルキルアリール基、無置換又は置換C〜C30ヘテロアリール基から個別に選択されるが、但し、R〜Rはすべてが水素とは限らないことを条件とし、R〜Rのうちの少なくとも2つは、同一の無置換若しくは置換C〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C〜C30アリール基、又は無置換若しくは置換C〜C30ヘテロアリール基の部分を形成する、請求項3又は4に記載のスタンプ。
  6. 〜Rが、水素、線状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、又は分岐状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、無置換若しくは置換C〜C20アルケニル基、無置換若しくは置換C〜C20アルキニル基、無置換若しくは置換C〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C〜C30アリール基、無置換若しくは置換C〜C30アルキルアリール基、無置換若しくは置換C〜C30ヘテロアリール基から個別に選択されるが、但し、R〜Rのうちの1つのみ水素であることを条件とし、好ましくはR〜Rは、水素、線状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、分岐状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、又は無置換若しくは置換C〜C30アルキルアリール基から個別に選択されるが、但し、R〜Rの1つのみ水素であることを条件とする、請求項5に記載のスタンプ。
  7. 〜Rが、線状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、又は分岐状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、無置換若しくは置換C〜C20アルケニル基、無置換若しくは置換C〜C20アルキニル基、無置換若しくは置換C〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C〜C30アリール基、無置換若しくは置換C〜C30アルキルアリール基、無置換若しくは置換C〜C30ヘテロアリール基から個別に選択され、好ましくはR〜Rは、線状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、分岐状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基、又は無置換若しくは置換C〜C30アルキルアリール基から個別に選択される、請求項6に記載のスタンプ。
  8. 前記塩基性有機基が式9による構造:
    Figure 2019195076
    を含み、式中、Nは前記ドナー原子であり、Xは、酸素、窒素、硫黄及びリンからなる群から選択され、R〜Rは、線状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基又は分岐状の無置換若しくは置換C〜C20アルキル基から個別に選択され、好ましくは、R〜Rは、メチル、エチル又はプロピルから個別に選択され、R〜Rは、個々の有機基であるか、又は20個未満の炭素原子を含み、1個又は複数の水素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子を含む全く同一の有機基である、請求項3又は4に記載のスタンプ。
  9. 前記構造が式10:
    Figure 2019195076
    によるものである、請求項8に記載のスタンプ。
  10. 前記塩基性有機基が、前記エラストマースタンプ本体に共有結合していない物質の部分である、
    請求項1乃至9のいずれか一項に記載のスタンプ。
  11. 前記エラストマースタンプ本体が、前記エラストマースタンプ本体の総重量に対して、少なくとも0.1重量%の量で前記物質を含む、請求項10に記載のスタンプ。
  12. 前記物質が、25℃の温度において、0.2mbar以下の蒸気圧を有する、請求項10又は11に記載のスタンプ。
  13. 前記塩基性有機基が、前記有機ポリマーバルク部分に共有結合しているか、又は、
    前記エラストマースタンプ本体が、前記有機ポリマーバルク部分に接着している有機ポリマー表面層を含み、前記パターン形成された表面が、前記有機ポリマー表面層の部分を形成し、前記塩基性有機基の量の少なくとも一部が、前記有機ポリマー表面層に共有結合している、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のスタンプ。
  14. 前記エラストマースタンプ本体、又は前記有機ポリマーバルク部分が、少なくとも1種のポリシロキサン、少なくとも1種のパー−フルオロ−ポリ−エーテル又はそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むか、又はこれらからなる、請求項1乃至13のいずれか一項に記載のスタンプ。
  15. 前記エラストマースタンプ本体が、前記有機ポリマーバルク部分に接着した有機ポリマー表面層を含むか、又はこれからなり、前記パターン形成された表面層が、前記有機ポリマー表面層の部分であり、前記有機ポリマー表面層が、少なくとも1種のポリシロキサン、少なくとも1種のパー−フルオロ−ポリ−エーテル(PFPE)又はそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むか、又はこれらからなる、請求項1乃至14のいずれか一項に記載のスタンプ。
  16. 前記ポリシロキサンが、ポリジメチルシロキサン(PDMS)を含むか、又はこれからなる、請求項14、15のいずれか一項に記載のスタンプ。
  17. 前記ポリマー有機バルク部分が、有機ポリマー部分表面層に接着した有機ポリマー表面層を含むか、又はこれからなり、前記パターン形成された表面層が、前記有機ポリマー表面層の部分を形成し、前記有機ポリマー表面層が、前記有機ポリマー部分表面層のヤング率より大きいヤング率を有する、請求項1乃至16のいずれか一項に記載のスタンプ。
  18. 担体をさらに含む、請求項1乃至17のいずれか一項に記載のスタンプであって、前記有機ポリマーバルク部分が、直接又は少なくとも1つのさらなる層を介してのどちらか一方で、前記パターン形成された表面から遠位で前記担体の主表面に結合している、スタンプ。
  19. 有機ポリマーバルク部分及びレリーフ表面を有するエラストマースタンプ本体を用意するステップ、
    前記エラストマースタンプ本体にある量の塩基性有機物質を含浸させて、含浸したエラストマースタンプ本体を提供するステップであって、前記塩基性有機物質が、前記パターン形成された表面に接触すると、前記インプリンティング組成物の固化を促進する塩基性有機基を含む、ステップ、及び
    前記含浸したエラストマースタンプ本体から溶媒の少なくとも一部を除去して、前記塩基性有機物質を含む前記エラストマースタンプ本体を残すステップ
    を含む、請求項1乃至18のいずれか一項に記載のスタンプを、製造する方法。
  20. 前記有機ポリマーバルク部分が、ポリシロキサンを含むか、又はこれからなり、前記浸漬するステップが、好ましくはC〜C脂肪族アルコール又はそれらの混合物である有機溶媒中に、ある量の前記塩基性有機物質を溶解することにより行われる、請求項19に記載の方法。
  21. それぞれが、重合して前記有機ポリマーバルク部分を形成することができる、少なくとも1つの第1の反応性基を含む、1種又は複数の前駆体、及び
    前記塩基性有機基を含むか、又は前記1種若しくは複数の前駆体の重合を実質的に阻害しない保護されている塩基性有機基を含む物質
    からなる混合物を用意するステップ、
    前記有機ポリマーバルク部分前駆体を重合して、その中に前記物質を取り囲んだ前記有機ポリマーバルク部分を形成する、ステップ、及び
    前記物質が、前記保護されている塩基性有機基を含む場合、前記塩基性有機基を脱保護して、前記塩基性有機基を提供するステップ
    を含む、請求項1乃至18のいずれか一項に記載のスタンプを、製造する方法。
  22. 前記1種又は複数の前駆体が、
    前記少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、前記少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、前記少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、前記第1のポリシロキサン前駆体、及び
    少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体
    を含み、
    前記混合物が、
    前記不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を触媒するヒドロシリル化触媒
    をさらに含み、
    前記重合するステップが、前記不飽和結合への前記ヒドロシラン基の付加を起こさせて、これにより前記有機ポリマーバルク部分を形成するステップを含む、請求項21に記載の方法。
  23. 前記物質が、前記第1の反応性基と反応するための、少なくとも1つの第2の反応性基をさらに含み、
    前記重合するステップが、前記第1の反応性基と前記第2の反応性基との間で反応させて、これにより前記物質を前記有機ポリマーバルク部分に結合させるステップを含む、請求項21に記載の方法。
  24. 前記1種又は複数の前駆体が、
    前記少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、前記少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、前記少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、前記第1のポリシロキサン前駆体、及び
    少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体、
    を含み、
    前記少なくとも1つの第2の反応性基が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン、イミン及びヒドロシランからなる群から選択され、
    前記混合物が、
    前記不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を触媒するヒドロシリル化触媒
    をさらに含み、
    前記重合するステップが、前記不飽和結合への前記ヒドロシラン基の付加を起こさせて、これにより前記有機ポリマーバルク部分を形成するステップを含む、請求項23に記載の方法。
  25. 1つ又は複数の前駆体を含む第1の部分であって、前記1つ又は複数の前駆体の各々が、前記有機ポリマーバルク部分を形成するための、前記1つ又は複数の前駆体が重合することができる反応性基を有する、前記第1の部分、及び
    前記塩基性有機基を含むか、又は前記1種又は複数の前駆体の重合を実質的に阻害しない保護されている塩基性有機基を含む物質を含む第2の部分
    を含む、請求項1乃至18のいずれか一項に記載のスタンプを製造するためのパーツキット。
  26. 前記1種又は複数の前駆体が、
    少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、前記少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、前記少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、前記第1のポリシロキサン前駆体、
    少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体、
    前記不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を触媒するためのヒドロシリル化触媒
    を含む、請求項25に記載のパーツキット。
  27. 前記物質が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン、イミン及びヒドロシランからなる群から選択される反応性基を含む、請求項26に記載のパーツキット。
  28. 有機塩基性基の影響下で固化することが可能なインプリンティング組成物の層を設けるステップ、
    前記レリーフフィーチャパターンが前記インプリンティング組成物の前記層にインプリンティングされるよう、請求項1乃至18のいずれかに一項に記載のスタンプに前記層を接触させるステップ、
    前記インプリンティングされた組成物が、所望の固化度に到達するまで、前記インプリンティング組成物の前記層と前記スタンプとの間の接触を保持するステップ、及び
    前記インプリンティング組成物の前記固化層から前記スタンプを取り出し、パターン形成層を得るステップ
    を有する、パターン形成層を形成する方法。
  29. 前記インプリンティング組成物が、アルコキシシロキサンをベースとするインプリンティング組成物などの、ゾルゲルをベースとするインプリンティング組成物を含むか、又はこれからなる、請求項28に記載の方法。
  30. パターン形成層を形成するための、インプリントリソグラフィープロセスにおける、請求項1乃至19のいずれか一項に記載のスタンプの使用。
JP2019112459A 2016-04-06 2019-06-18 インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法 Pending JP2019195076A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16164085 2016-04-06
EP16164085.9 2016-04-06

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018552759A Division JP6545401B2 (ja) 2016-04-06 2017-04-06 インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019195076A true JP2019195076A (ja) 2019-11-07

Family

ID=55699493

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018552759A Active JP6545401B2 (ja) 2016-04-06 2017-04-06 インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法
JP2019112459A Pending JP2019195076A (ja) 2016-04-06 2019-06-18 インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018552759A Active JP6545401B2 (ja) 2016-04-06 2017-04-06 インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US11163230B2 (ja)
EP (1) EP3440509B1 (ja)
JP (2) JP6545401B2 (ja)
KR (1) KR102331438B1 (ja)
CN (1) CN109313386B (ja)
BR (1) BR112018070494A2 (ja)
RU (1) RU2745059C2 (ja)
WO (1) WO2017174755A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7359976B2 (ja) 2020-06-23 2023-10-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ インプリント方法及びパターン層

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6545401B2 (ja) * 2016-04-06 2019-07-17 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法
EP3481562A4 (en) * 2016-07-08 2019-06-26 University of Massachusetts MODELING NANOSTRUCTURES USING PRINT LITHOGRAPHY
IL305165A (en) 2021-02-19 2023-10-01 Sudo Biosciences Ltd TYK2 inhibitors and their uses
CN113406860B (zh) * 2021-07-30 2023-09-12 华天慧创科技(西安)有限公司 一种stamp基底及制备方法
US20230375759A1 (en) * 2022-05-18 2023-11-23 GE Precision Healthcare LLC Aligned and stacked high-aspect ratio metallized structures

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0245401B2 (ja) * 1983-05-31 1990-10-09 Mitsubishi Electric Corp
JP2004513809A (ja) * 2000-11-03 2004-05-13 プリントパック イリノイ インコーポレイテッド 押出しエンボシング方法及びシステム
JP2009501091A (ja) * 2005-06-02 2009-01-15 ダウ・コーニング・コーポレイション ナノパターニング方法、硬化されたレジストフィルム及び該レジストフィルムを含有する物品
JP2010285519A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Kaneka Corp 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ
WO2011016549A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 綜研化学株式会社 インプリント用樹脂製モールドおよびその製造方法
JP2011232632A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Jsr Corp ポジ型感放射線性組成物、層間絶縁膜及びその形成方法
WO2012018045A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 綜研化学株式会社 樹脂製モールド、その製造方法およびその使用方法
JP2017501568A (ja) * 2013-11-29 2017-01-12 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー スタンパ構造を備えたスタンパ並びにその製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000052080A1 (en) 1999-03-02 2000-09-08 Avery Dennison Corporation Printable release coatings and stamp constructions
US7163712B2 (en) 2000-03-03 2007-01-16 Duke University Microstamping activated polymer surfaces
AU2001284896A1 (en) 2000-08-14 2002-02-25 Surface Logix, Inc. Deformable stamp for patterning three-dimensional surfaces
EP1323195A1 (de) * 2000-09-22 2003-07-02 Siemens Aktiengesellschaft Elektrode und/oder leiterbahn für organische bauelemente und herstellungsverfahren dazu
EP1193056A1 (en) * 2000-09-29 2002-04-03 International Business Machines Corporation Silicone elastomer stamp with hydrophilic surfaces and method of making same
US6596346B2 (en) * 2000-09-29 2003-07-22 International Business Machines Corporation Silicone elastomer stamp with hydrophilic surfaces and method of making same
AU2003232962A1 (en) 2002-05-27 2003-12-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for transferring a pattern from a stamp to a substrate
JP2004046732A (ja) 2002-07-15 2004-02-12 Brother Ind Ltd 情報出力システム、電子機器、及びプログラム
GB0218204D0 (en) * 2002-08-06 2002-09-11 Avecia Ltd Organic field effect transistors
US8330569B2 (en) 2003-05-28 2012-12-11 Johnson Controls Technology Company System and method for receiving data for training a trainable transmitter
EP1538481A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-08 Sony International (Europe) GmbH A method of activating a silicon surface for subsequent patterning of molecules onto said surface
BRPI0515058A (pt) * 2004-09-08 2008-07-01 Nil Technology Aps selo por nanoimpressão e método para imprimir um padrão litográfico em um substrato receptor
DE602004013338T2 (de) * 2004-11-10 2009-06-10 Sony Deutschland Gmbh Stempel für die sanfte Lithographie, insbesondere für das Mikro-Kontaktdruckverfahren und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2007245702A (ja) 2006-02-20 2007-09-27 Asahi Glass Co Ltd テンプレートおよび転写微細パターンを有する処理基材の製造方法
US8318253B2 (en) 2006-06-30 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
CN101535892A (zh) 2006-11-01 2009-09-16 皇家飞利浦电子股份有限公司 凹凸层和制作凹凸层的压印方法
US7891636B2 (en) * 2007-08-27 2011-02-22 3M Innovative Properties Company Silicone mold and use thereof
US9429837B2 (en) 2008-05-20 2016-08-30 Asml Netherlands B.V. Aqueous curable imprintable medium and patterned layer forming method
EP2288662B1 (en) 2008-06-06 2014-07-30 Koninklijke Philips N.V. Silicone rubber material for soft lithography
US8101519B2 (en) * 2008-08-14 2012-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Mold, manufacturing method of mold, method for forming patterns using mold, and display substrate and display device manufactured by using method for forming patterns
JP2012018045A (ja) 2010-07-07 2012-01-26 Yamatake Corp センサ異常診断装置及びセンサシステム
DE102012112030A1 (de) * 2012-12-10 2014-06-12 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Mikrokontaktprägen
JP5897234B1 (ja) 2012-12-21 2016-03-30 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 組成物、インプリンティング・インクおよびインプリンティング方法
ITBO20120699A1 (it) 2012-12-21 2014-06-22 Balestri Marcella Spazzola industriale o per hobbistica e metodo per realizzarla.
JP6545401B2 (ja) * 2016-04-06 2019-07-17 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法
EP3481562A4 (en) * 2016-07-08 2019-06-26 University of Massachusetts MODELING NANOSTRUCTURES USING PRINT LITHOGRAPHY

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0245401B2 (ja) * 1983-05-31 1990-10-09 Mitsubishi Electric Corp
JP2004513809A (ja) * 2000-11-03 2004-05-13 プリントパック イリノイ インコーポレイテッド 押出しエンボシング方法及びシステム
JP2009501091A (ja) * 2005-06-02 2009-01-15 ダウ・コーニング・コーポレイション ナノパターニング方法、硬化されたレジストフィルム及び該レジストフィルムを含有する物品
JP2010285519A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Kaneka Corp 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ
WO2011016549A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 綜研化学株式会社 インプリント用樹脂製モールドおよびその製造方法
JP2011232632A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Jsr Corp ポジ型感放射線性組成物、層間絶縁膜及びその形成方法
WO2012018045A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 綜研化学株式会社 樹脂製モールド、その製造方法およびその使用方法
JP2017501568A (ja) * 2013-11-29 2017-01-12 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー スタンパ構造を備えたスタンパ並びにその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7359976B2 (ja) 2020-06-23 2023-10-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ インプリント方法及びパターン層

Also Published As

Publication number Publication date
US11860535B2 (en) 2024-01-02
RU2018138733A (ru) 2020-05-12
RU2745059C2 (ru) 2021-03-18
CN109313386B (zh) 2022-06-28
RU2018138733A3 (ja) 2020-05-26
US20220043341A1 (en) 2022-02-10
CN109313386A (zh) 2019-02-05
EP3440509B1 (en) 2020-06-17
BR112018070494A2 (pt) 2019-01-29
JP6545401B2 (ja) 2019-07-17
KR20180132825A (ko) 2018-12-12
WO2017174755A1 (en) 2017-10-12
US11163230B2 (en) 2021-11-02
JP2019514213A (ja) 2019-05-30
EP3440509A1 (en) 2019-02-13
US20210079167A1 (en) 2021-03-18
KR102331438B1 (ko) 2021-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019195076A (ja) インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法
JP5714496B2 (ja) インプリント・リソグラフィーにおける離型剤分離制御
JP5897234B1 (ja) 組成物、インプリンティング・インクおよびインプリンティング方法
US11086217B2 (en) Patterned stamp manufacturing method, patterned stamp and imprinting method
KR20100009568A (ko) 스탬프 형성 방법, 기판 패터닝 방법 및 이를 위한 스탬프와 패터닝 시스템
JP6700473B2 (ja) ポリオルガノシロキサン系スタンプを製造する方法
US11453232B2 (en) Patterned stamp manufacturing method, patterned stamp imprinting method and imprinted article
KR20080014854A (ko) 나노패턴화 방법, 내부에 사용하기 위한 경화된 레지스트필름, 및 이 레지스트 필름을 포함하는 물품
JP5218521B2 (ja) インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤
TW200525287A (en) Elastomeric stamp, patterning method using such a stamp and method for producing such a stamp
JP5332220B2 (ja) 微細樹脂構造体並びにその製造方法
WO2005001573A3 (en) Adhesion method using gray-scale photolithography
Kohli et al. Nanostructured crosslinkable micropatterns by amphiphilic dendrimer stamping
TW202104322A (zh) 壓印用光硬化性樹脂組合物、壓印用光硬化性樹脂組合物之製造方法、及圖案形成體之製造方法
TW201816017A (zh) 用於半導體奈米粒子之阻氣塗層
Chen et al. Chemical modification of surfaces utilizing noncovalent interactions
WO2009096420A1 (ja) 凹凸パターン形成方法、およびそれを利用した磁気記録媒体の製造方法
Shestopalov Chemical reactions and self-assembly in nano-confined environments: The development of new catalytic microcontact printing techniques and multicomponent inorganic Janus particles

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190625

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190625

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132

Effective date: 20200421

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20201124