JP2019195076A - インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法 - Google Patents
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Abstract
Description
− 有機ポリマーバルク部分及びレリーフ表面を有するエラストマースタンプ本体を用意するステップ、
− パターン形成された表面に接触すると、インプリンティング組成物の固化を促進する塩基性有機基を含むある量の物質を、エラストマースタンプ本体に含浸させて、含浸したエラストマースタンプ本体を得るステップ、及び
− 含浸したエラストマースタンプ本体から溶媒の少なくとも一部を除去して、塩基性有機物質を含むエラストマースタンプ本体を残すステップ
を有する。
− 有機溶媒の総重量に対して少なくとも1重量%の物質が有機溶媒中に溶解した当該有機溶媒をエラストマースタンプ本体に含浸させて、含浸したエラストマースタンプ本体を得るステップ、及び
− 含浸したエラストマースタンプ本体から有機溶媒を除去するステップ
を有する。
− 以下の混合物:
− 重合して有機ポリマーバルク部分を形成することができる、少なくとも1つの第1の反応性基をそれぞれが含む、1種又は複数の前駆体、及び
− 塩基性有機基、又は重合を妨害しない保護されている塩基性有機基を含む物質
を用意するステップ、並びに、
− 有機ポリマーバルク部分前駆体を重合して、物質内に取り囲まれた有機ポリマーバルク部分を形成するステップ、及び場合により、物質が保護されている塩基性有機基を含む場合、この塩基性有機基を脱保護するステップ
を有する。この任意選択ステップにより、塩基性有機基が回収される。
− 少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、第1のポリシロキサン前駆体、及び
− 少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体
を有することができ、
これらの混合物は、
− 不飽和結合間にヒドロシラン基を付加する触媒のためのヒドロシリル化触媒
をさらに含み、重合が、不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を起こさせて、これにより有機ポリマーバルク部分を形成させることを含む。
重合は、第1の反応性基と第2の反応性基との間で反応して、これにより物質を有機ポリマーバルク部分に結合させることを含む。
− 1種又は複数の前駆体は、
− 少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、第1のポリシロキサン前駆体、及び
− 少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体、
を含み、
− 少なくとも1つの第2の反応性基は、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン、イミン及びヒドロシランからなる群から選択され、
混合物は、
− 不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を触媒するヒドロシリル化触媒
をさらに含み、
重合ステップは、不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を起こさせて、これにより有機ポリマーバルク部分を形成することを含む。
− 有機塩基性基の影響下で固化することが可能なインプリンティング組成物(12)の層を設けるステップ、
− レリーフフィーチャパターン(16)がインプリンティング組成物の層にインプリンティングされるよう、請求項1〜18のいずれかに記載のスタンプ(14)に層を接触させるステップ、
− インプリンティングされた組成物が、所望の固化度に到達するまで、インプリンティング組成物の層とスタンプとの間の接触を保持するステップ、及び
− インプリンティング組成物の固化層からスタンプを取り出し、パターン形成層を得るステップ
を有する。
Claims (30)
- 有機ポリマーバルク部分、及びインプリンティング組成物をインプリンティングするためのレリーフフィーチャパターンを有するパターン形成された表面を有する、エラストマースタンプ本体を含む、インプリントリソグラフィープロセス用のスタンプであって、
前記エラストマースタンプ本体が、前記パターン形成された表面と接触すると前記インプリンティング組成物の固化を促進することができる少なくとも1つのある量の塩基性有機基を含む、スタンプ。 - 前記塩基性有機基が、酸素、窒素、硫黄及びリンからなる群から選択される、少なくとも1個のドナー原子を有する非帯電ルイス塩基である、請求項1に記載のスタンプ。
- 前記ドナー原子が窒素原子である、請求項2に記載のスタンプ。
- 前記塩基性有機基が、8〜12の間のpKaを有する、請求項1又は2に記載のスタンプ。
- 前記塩基性有機基が式8による構造:
- R1〜R3が、水素、線状の無置換若しくは置換C6〜C20アルキル基、又は分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基、無置換若しくは置換C2〜C20アルケニル基、無置換若しくは置換C2〜C20アルキニル基、無置換若しくは置換C3〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C4〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C3〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C6〜C30アリール基、無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基、無置換若しくは置換C4〜C30ヘテロアリール基から個別に選択されるが、但し、R1〜R3のうちの1つのみ水素であることを条件とし、好ましくはR1〜R3は、水素、線状の無置換若しくは置換C6〜C20アルキル基、分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基、又は無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基から個別に選択されるが、但し、R1〜R3の1つのみ水素であることを条件とする、請求項5に記載のスタンプ。
- R1〜R3が、線状の無置換若しくは置換C2〜C20アルキル基、又は分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基、無置換若しくは置換C2〜C20アルケニル基、無置換若しくは置換C2〜C20アルキニル基、無置換若しくは置換C3〜C20シクロアルキル基、無置換若しくは置換C4〜C20シクロアルケニル基、無置換若しくは置換C3〜C20複素環式基、無置換若しくは置換C6〜C30アリール基、無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基、無置換若しくは置換C4〜C30ヘテロアリール基から個別に選択され、好ましくはR1〜R3は、線状の無置換若しくは置換C2〜C20アルキル基、分岐状の無置換若しくは置換C3〜C20アルキル基、又は無置換若しくは置換C6〜C30アルキルアリール基から個別に選択される、請求項6に記載のスタンプ。
- 前記塩基性有機基が、前記エラストマースタンプ本体に共有結合していない物質の部分である、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載のスタンプ。 - 前記エラストマースタンプ本体が、前記エラストマースタンプ本体の総重量に対して、少なくとも0.1重量%の量で前記物質を含む、請求項10に記載のスタンプ。
- 前記物質が、25℃の温度において、0.2mbar以下の蒸気圧を有する、請求項10又は11に記載のスタンプ。
- 前記塩基性有機基が、前記有機ポリマーバルク部分に共有結合しているか、又は、
前記エラストマースタンプ本体が、前記有機ポリマーバルク部分に接着している有機ポリマー表面層を含み、前記パターン形成された表面が、前記有機ポリマー表面層の部分を形成し、前記塩基性有機基の量の少なくとも一部が、前記有機ポリマー表面層に共有結合している、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のスタンプ。 - 前記エラストマースタンプ本体、又は前記有機ポリマーバルク部分が、少なくとも1種のポリシロキサン、少なくとも1種のパー−フルオロ−ポリ−エーテル又はそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むか、又はこれらからなる、請求項1乃至13のいずれか一項に記載のスタンプ。
- 前記エラストマースタンプ本体が、前記有機ポリマーバルク部分に接着した有機ポリマー表面層を含むか、又はこれからなり、前記パターン形成された表面層が、前記有機ポリマー表面層の部分であり、前記有機ポリマー表面層が、少なくとも1種のポリシロキサン、少なくとも1種のパー−フルオロ−ポリ−エーテル(PFPE)又はそれらの混合物からなる群から選択される材料を含むか、又はこれらからなる、請求項1乃至14のいずれか一項に記載のスタンプ。
- 前記ポリシロキサンが、ポリジメチルシロキサン(PDMS)を含むか、又はこれからなる、請求項14、15のいずれか一項に記載のスタンプ。
- 前記ポリマー有機バルク部分が、有機ポリマー部分表面層に接着した有機ポリマー表面層を含むか、又はこれからなり、前記パターン形成された表面層が、前記有機ポリマー表面層の部分を形成し、前記有機ポリマー表面層が、前記有機ポリマー部分表面層のヤング率より大きいヤング率を有する、請求項1乃至16のいずれか一項に記載のスタンプ。
- 担体をさらに含む、請求項1乃至17のいずれか一項に記載のスタンプであって、前記有機ポリマーバルク部分が、直接又は少なくとも1つのさらなる層を介してのどちらか一方で、前記パターン形成された表面から遠位で前記担体の主表面に結合している、スタンプ。
- 有機ポリマーバルク部分及びレリーフ表面を有するエラストマースタンプ本体を用意するステップ、
前記エラストマースタンプ本体にある量の塩基性有機物質を含浸させて、含浸したエラストマースタンプ本体を提供するステップであって、前記塩基性有機物質が、前記パターン形成された表面に接触すると、前記インプリンティング組成物の固化を促進する塩基性有機基を含む、ステップ、及び
前記含浸したエラストマースタンプ本体から溶媒の少なくとも一部を除去して、前記塩基性有機物質を含む前記エラストマースタンプ本体を残すステップ
を含む、請求項1乃至18のいずれか一項に記載のスタンプを、製造する方法。 - 前記有機ポリマーバルク部分が、ポリシロキサンを含むか、又はこれからなり、前記浸漬するステップが、好ましくはC1〜C6脂肪族アルコール又はそれらの混合物である有機溶媒中に、ある量の前記塩基性有機物質を溶解することにより行われる、請求項19に記載の方法。
- それぞれが、重合して前記有機ポリマーバルク部分を形成することができる、少なくとも1つの第1の反応性基を含む、1種又は複数の前駆体、及び
前記塩基性有機基を含むか、又は前記1種若しくは複数の前駆体の重合を実質的に阻害しない保護されている塩基性有機基を含む物質
からなる混合物を用意するステップ、
前記有機ポリマーバルク部分前駆体を重合して、その中に前記物質を取り囲んだ前記有機ポリマーバルク部分を形成する、ステップ、及び
前記物質が、前記保護されている塩基性有機基を含む場合、前記塩基性有機基を脱保護して、前記塩基性有機基を提供するステップ
を含む、請求項1乃至18のいずれか一項に記載のスタンプを、製造する方法。 - 前記1種又は複数の前駆体が、
前記少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、前記少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、前記少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、前記第1のポリシロキサン前駆体、及び
少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体
を含み、
前記混合物が、
前記不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を触媒するヒドロシリル化触媒
をさらに含み、
前記重合するステップが、前記不飽和結合への前記ヒドロシラン基の付加を起こさせて、これにより前記有機ポリマーバルク部分を形成するステップを含む、請求項21に記載の方法。 - 前記物質が、前記第1の反応性基と反応するための、少なくとも1つの第2の反応性基をさらに含み、
前記重合するステップが、前記第1の反応性基と前記第2の反応性基との間で反応させて、これにより前記物質を前記有機ポリマーバルク部分に結合させるステップを含む、請求項21に記載の方法。 - 前記1種又は複数の前駆体が、
前記少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、前記少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、前記少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、前記第1のポリシロキサン前駆体、及び
少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体、
を含み、
前記少なくとも1つの第2の反応性基が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン、イミン及びヒドロシランからなる群から選択され、
前記混合物が、
前記不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を触媒するヒドロシリル化触媒
をさらに含み、
前記重合するステップが、前記不飽和結合への前記ヒドロシラン基の付加を起こさせて、これにより前記有機ポリマーバルク部分を形成するステップを含む、請求項23に記載の方法。 - 1つ又は複数の前駆体を含む第1の部分であって、前記1つ又は複数の前駆体の各々が、前記有機ポリマーバルク部分を形成するための、前記1つ又は複数の前駆体が重合することができる反応性基を有する、前記第1の部分、及び
前記塩基性有機基を含むか、又は前記1種又は複数の前駆体の重合を実質的に阻害しない保護されている塩基性有機基を含む物質を含む第2の部分
を含む、請求項1乃至18のいずれか一項に記載のスタンプを製造するためのパーツキット。 - 前記1種又は複数の前駆体が、
少なくとも1つの第1の反応性基として、少なくとも2つの基を有する第1のポリシロキサン前駆体であって、前記少なくとも2つの基の各々が不飽和結合を含み、前記少なくとも2つの基の各々が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン及びイミンからなる群から選択される、前記第1のポリシロキサン前駆体、
少なくとも2つのヒドロシラン基を有する第2のポリシロキサン前駆体、
前記不飽和結合へのヒドロシラン基の付加を触媒するためのヒドロシリル化触媒
を含む、請求項25に記載のパーツキット。 - 前記物質が、アルキン、アルケン、ビニル、アルデヒド、ケトン、イミン及びヒドロシランからなる群から選択される反応性基を含む、請求項26に記載のパーツキット。
- 有機塩基性基の影響下で固化することが可能なインプリンティング組成物の層を設けるステップ、
前記レリーフフィーチャパターンが前記インプリンティング組成物の前記層にインプリンティングされるよう、請求項1乃至18のいずれかに一項に記載のスタンプに前記層を接触させるステップ、
前記インプリンティングされた組成物が、所望の固化度に到達するまで、前記インプリンティング組成物の前記層と前記スタンプとの間の接触を保持するステップ、及び
前記インプリンティング組成物の前記固化層から前記スタンプを取り出し、パターン形成層を得るステップ
を有する、パターン形成層を形成する方法。 - 前記インプリンティング組成物が、アルコキシシロキサンをベースとするインプリンティング組成物などの、ゾルゲルをベースとするインプリンティング組成物を含むか、又はこれからなる、請求項28に記載の方法。
- パターン形成層を形成するための、インプリントリソグラフィープロセスにおける、請求項1乃至19のいずれか一項に記載のスタンプの使用。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7359976B2 (ja) | 2020-06-23 | 2023-10-11 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | インプリント方法及びパターン層 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6545401B2 (ja) * | 2016-04-06 | 2019-07-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法 |
EP3481562A4 (en) * | 2016-07-08 | 2019-06-26 | University of Massachusetts | MODELING NANOSTRUCTURES USING PRINT LITHOGRAPHY |
IL305165A (en) | 2021-02-19 | 2023-10-01 | Sudo Biosciences Ltd | TYK2 inhibitors and their uses |
CN113406860B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-09-12 | 华天慧创科技(西安)有限公司 | 一种stamp基底及制备方法 |
US20230375759A1 (en) * | 2022-05-18 | 2023-11-23 | GE Precision Healthcare LLC | Aligned and stacked high-aspect ratio metallized structures |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0245401B2 (ja) * | 1983-05-31 | 1990-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | |
JP2004513809A (ja) * | 2000-11-03 | 2004-05-13 | プリントパック イリノイ インコーポレイテッド | 押出しエンボシング方法及びシステム |
JP2009501091A (ja) * | 2005-06-02 | 2009-01-15 | ダウ・コーニング・コーポレイション | ナノパターニング方法、硬化されたレジストフィルム及び該レジストフィルムを含有する物品 |
JP2010285519A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Kaneka Corp | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
WO2011016549A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 綜研化学株式会社 | インプリント用樹脂製モールドおよびその製造方法 |
JP2011232632A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性組成物、層間絶縁膜及びその形成方法 |
WO2012018045A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | 綜研化学株式会社 | 樹脂製モールド、その製造方法およびその使用方法 |
JP2017501568A (ja) * | 2013-11-29 | 2017-01-12 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | スタンパ構造を備えたスタンパ並びにその製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000052080A1 (en) | 1999-03-02 | 2000-09-08 | Avery Dennison Corporation | Printable release coatings and stamp constructions |
US7163712B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-01-16 | Duke University | Microstamping activated polymer surfaces |
AU2001284896A1 (en) | 2000-08-14 | 2002-02-25 | Surface Logix, Inc. | Deformable stamp for patterning three-dimensional surfaces |
EP1323195A1 (de) * | 2000-09-22 | 2003-07-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrode und/oder leiterbahn für organische bauelemente und herstellungsverfahren dazu |
EP1193056A1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-03 | International Business Machines Corporation | Silicone elastomer stamp with hydrophilic surfaces and method of making same |
US6596346B2 (en) * | 2000-09-29 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Silicone elastomer stamp with hydrophilic surfaces and method of making same |
AU2003232962A1 (en) | 2002-05-27 | 2003-12-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for transferring a pattern from a stamp to a substrate |
JP2004046732A (ja) | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Brother Ind Ltd | 情報出力システム、電子機器、及びプログラム |
GB0218204D0 (en) * | 2002-08-06 | 2002-09-11 | Avecia Ltd | Organic field effect transistors |
US8330569B2 (en) | 2003-05-28 | 2012-12-11 | Johnson Controls Technology Company | System and method for receiving data for training a trainable transmitter |
EP1538481A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-08 | Sony International (Europe) GmbH | A method of activating a silicon surface for subsequent patterning of molecules onto said surface |
BRPI0515058A (pt) * | 2004-09-08 | 2008-07-01 | Nil Technology Aps | selo por nanoimpressão e método para imprimir um padrão litográfico em um substrato receptor |
DE602004013338T2 (de) * | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Sony Deutschland Gmbh | Stempel für die sanfte Lithographie, insbesondere für das Mikro-Kontaktdruckverfahren und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2007245702A (ja) | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Asahi Glass Co Ltd | テンプレートおよび転写微細パターンを有する処理基材の製造方法 |
US8318253B2 (en) | 2006-06-30 | 2012-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
CN101535892A (zh) | 2006-11-01 | 2009-09-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 凹凸层和制作凹凸层的压印方法 |
US7891636B2 (en) * | 2007-08-27 | 2011-02-22 | 3M Innovative Properties Company | Silicone mold and use thereof |
US9429837B2 (en) | 2008-05-20 | 2016-08-30 | Asml Netherlands B.V. | Aqueous curable imprintable medium and patterned layer forming method |
EP2288662B1 (en) | 2008-06-06 | 2014-07-30 | Koninklijke Philips N.V. | Silicone rubber material for soft lithography |
US8101519B2 (en) * | 2008-08-14 | 2012-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mold, manufacturing method of mold, method for forming patterns using mold, and display substrate and display device manufactured by using method for forming patterns |
JP2012018045A (ja) | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Yamatake Corp | センサ異常診断装置及びセンサシステム |
DE102012112030A1 (de) * | 2012-12-10 | 2014-06-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum Mikrokontaktprägen |
JP5897234B1 (ja) | 2012-12-21 | 2016-03-30 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 組成物、インプリンティング・インクおよびインプリンティング方法 |
ITBO20120699A1 (it) | 2012-12-21 | 2014-06-22 | Balestri Marcella | Spazzola industriale o per hobbistica e metodo per realizzarla. |
JP6545401B2 (ja) * | 2016-04-06 | 2019-07-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法 |
EP3481562A4 (en) * | 2016-07-08 | 2019-06-26 | University of Massachusetts | MODELING NANOSTRUCTURES USING PRINT LITHOGRAPHY |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0245401B2 (ja) * | 1983-05-31 | 1990-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | |
JP2004513809A (ja) * | 2000-11-03 | 2004-05-13 | プリントパック イリノイ インコーポレイテッド | 押出しエンボシング方法及びシステム |
JP2009501091A (ja) * | 2005-06-02 | 2009-01-15 | ダウ・コーニング・コーポレイション | ナノパターニング方法、硬化されたレジストフィルム及び該レジストフィルムを含有する物品 |
JP2010285519A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Kaneka Corp | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
WO2011016549A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 綜研化学株式会社 | インプリント用樹脂製モールドおよびその製造方法 |
JP2011232632A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性組成物、層間絶縁膜及びその形成方法 |
WO2012018045A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | 綜研化学株式会社 | 樹脂製モールド、その製造方法およびその使用方法 |
JP2017501568A (ja) * | 2013-11-29 | 2017-01-12 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | スタンパ構造を備えたスタンパ並びにその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7359976B2 (ja) | 2020-06-23 | 2023-10-11 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | インプリント方法及びパターン層 |
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