JP2019192815A

JP2019192815A - 基板

Info

Publication number: JP2019192815A
Application number: JP2018085072A
Authority: JP
Inventors: 鈴木　慎吾; Shingo Suzuki; 慎吾鈴木; アントニーガフ; Ngahu Antony
Original assignee: Yazaki Corp
Current assignee: Yazaki Corp
Priority date: 2018-04-26
Filing date: 2018-04-26
Publication date: 2019-10-31
Anticipated expiration: 2038-04-26
Also published as: CN110418492B; US11524349B2; US20190329340A1; EP3561822B1; EP3561822A1; CN110418492A; JP7109979B2

Abstract

【課題】ノイズを低コストで低減することができる基板を提供する。【解決手段】基板１は、複数の回路体３３が絶縁層３２を介して積層方向に積層され、各絶縁層３２に形成された接続導体３６を介して層間接続された多層基板本体３と、少なくとも一部または全部が複数の回路体３３を挟んで積層方向に配置される磁性体４とを備える。複数の回路体３３は、少なくとも第１回路体３３ａと第２回路体３３ｄとを含むものである。第１回路体３３ａは、入力側から配線方向に沿って第１方向に延在する第１延在部３３ａａと、第１延在部３３ａａの第１方向の端部から第１方向と反対側の第２方向に向けて折り返す第１折り返し部３３ａｂとで構成される。第２回路体３３ｄは、出力側から第２方向に延在する第２延在部３３ｄａと、第２延在部ｄａの第２方向の端部から第１方向に向けて折り返す第２折り返し部３３ｄｂとで構成される。【選択図】図２

Description

本発明は、基板に関する。

プリント基板には、回路設計等を変更することなくノイズを低減させる方法として、例えば、一対の板状の磁性体を、絶縁層上にパターン形成されたインダクタンス回路の上方、下方及び両側面から覆うように配置するものがある（例えば、特許文献１参照）。

ところで、複数の誘電体層を積層してなる積層基板には、内部にバンドパスフィルタを積層方向と直交する方向に並べて配置し、バンドパスフィルタが、直列に接続することで螺旋状に形成された複数のコイルパターンを有するものがある（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１１−１８５０５号公報特開２００９−１５３１０６号公報

上記従来の基板では、透磁率の高いフェライト製の磁性体を使用したとしても、高いインダクタンス値を得ることが困難であることから、例えば高周波ノイズを低減しきれないおそれがある。その結果、ノイズ対策用の部品を別途追加する必要が生じることから、コスト面で改善の余地がある。

本発明は、上記課題に鑑みて成されたものであり、低コストでノイズを低減することができる基板を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る基板は、複数の回路体が絶縁層を介して積層方向に積層され、各絶縁層に形成された接続導体を介して層間接続された多層基板本体と、少なくとも一部または全部が複数の前記回路体を挟んで積層方向に配置される磁性体と、を備え、複数の前記回路体は、入力側から配線方向に沿って第１方向に延在する第１延在部と、前記第１延在部の前記第１方向の端部から前記第１方向と反対側の第２方向に向けて折り返す第１折り返し部とで構成される第１回路体と、出力側から前記第２方向に延在する第２延在部と、前記第２延在部の前記第２方向の端部から前記第１方向に向けて折り返す第２折り返し部とで構成される第２回路体と、を含むことを特徴とする。

上記基板において、複数の前記回路体は、さらに、ＧＮＤに接続されたＧＮＤ回路体を含み、前記第１回路体とＧＮＤ回路体とは、コンデンサを介して互いに接続されるものである。

上記基板において、前記磁性体は、少なくとも前記第１回路体及び前記第２回路体の外側を前記配線方向周りに連続して包囲するものである。

上記基板において、前記磁性体は、シート状に形成され、かつ少なくとも前記第１回路体及び前記第２回路体を挟んで対向する積層方向に配置されるものである。

本発明に係る基板によれば、低コストでノイズを低減することができるという効果を奏する。

図１は、第１実施形態に係る基板の概略構成を示す斜視図である。図２は、第１実施形態に係る基板の概略構成を示す平面図である。図３は、第１実施形態に係る基板の概略構成を示す部分断面図である。図４は、第１実施形態に係る回路体の概略構成を示す斜視図である。図５は、第１実施形態に係る回路体の回路構成を示す図である。図６は、第２実施形態に係る基板の概略構成を示す斜視図である。図７は、第２実施形態に係る基板の概略構成を示す部分断面図である。図８は、第３実施形態に係る基板の概略構成を示す斜視図である。図９は、第３実施形態に係る基板の概略構成を示す部分断面図である。図１０は、第１実施形態の第１変形例に係る基板の概略構成を示す部分断面図である。図１１は、第１実施形態の第２変形例に係る基板の概略構成を示す部分断面図である。図１２は、第１実施形態の第２変形例に係る回路体の概略構成を示す斜視図である。図１３は、第１実施形態の第３変形例に係る回路体の概略構成を示す分解斜視図である。

以下に、本発明に係る基板の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本実施形態により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、いわゆる当業者が容易に想定できるもの、あるいは実質的に同一のものが含まれる。また、下記実施形態における構成要素は、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。

［第１実施形態］
第１実施形態に係る基板１Ａについて図１〜図５を参照して説明する。なお、図４は、図２に示すＡ−Ａ部分断面図に相当する。図１〜図４（図６〜図１３も同様）おいて、基板１Ａ（基板１Ｂ〜１Ｅも同様）のＸ方向を「幅方向」、Ｙ方向を「奥行き方向」、Ｚ方向を「積層方向」と呼ぶものとする。幅方向（Ｘ方向）、奥行き方向（Ｙ方向）、及び積層方向（Ｚ方向）は、相互に直交する。ここで積層方向は、後述する多層基板本体３の各層が積層される方向に相当する。以下の説明で用いる各方向は、特に断りのない限り、各部が相互に組み付けられた状態での方向を表すものとする。

図１及び図２に示す基板１Ａは、例えば、自動車等の車両に搭載される各種電子部品ユニットに適用されるものである。電子ユニットは、例えば、各種電子部品が実装された基板１Ａを含んで構成される。電子部品は、例えば、ヒューズ、コンデンサ、リレー、抵抗、トランジスタ、トランス、コイル、ＩＰＳ（ＩｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔＰｏｗｅｒＳｗｉｔｃｈ）、マイコン等を含むＥＣＵ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｏｎｔｒｏｌＵｎｉｔ；電子制御ユニット）、各種センサ、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）、スピーカ等であるが、これらに限られない。本実施形態の基板１Ａは、多層基板本体３と、磁性体４とを含んで構成される。

多層基板本体３は、上述した各種電子部品が実装され、これらを電気的に接続する電気回路を構成するものである。多層基板本体３は、例えば、図１及び図２に示すように、幅方向及び奥行き方向に沿って延在し略矩形の板状に形成される。多層基板本体３は、例えば、積層方向の両側の実装面３１が形成され、当該実装面３１に各種電子部品が実装される。多層基板本体３は、いわゆるプリント回路基板（ＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔＢｏａｒｄ）である。多層基板本体３は、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、紙エポキシ樹脂やセラミック等の絶縁性の材料からなる絶縁層３２に、銅等の導電性の材料によって配線パターン（プリントパターン）が印刷されることで当該配線パターンによって回路体３３が構成される。多層基板本体３は、当該多層基板本体３を積層方向に沿って貫通して形成されるスルーホール（不図示）を有する。スルーホールには、電子部品のリード線や端子が挿入されハンダ付け等によって回路体３３に電気的に接続される。

多層基板本体３は、複数の回路体３３が絶縁層３２を介して積層方向に積層され、各絶縁層３２に形成された接続導体３６を介して層間接続されたものである。多層基板本体３は、図３に示すように、回路体３３が印刷された絶縁層３２を複数積層させることで、複数の絶縁層３２と複数の回路体３３とが交互に積層されて多層化された、いわゆる多層基板を構成する。多層基板本体３は、層分の絶縁層３２に対して交互に回路体３３による導体層が積層されることで、当該回路体３３による導体層が層分積層されている。回路体３３による導体層は、例えば、多層基板本体３において、積層方向の一方側から他方側に向かって第１層３４Ａ、第２層３４Ｂ、第３層３４Ｃの順に積層されて構成される。接続導体３６は、例えばビア（ｖｉａ）であり、複数の回路体３３間を電気的に接続するものである。

多層基板本体３は、積層方向と直交する幅方向に対して間隔をあけて形成された一対の貫通孔３５を有する。各貫通孔３５は、多層基板本体３を複数の回路体３３の積層方向に沿って貫通して設けられる中空部分である。各貫通孔３５は、後述する磁性体４が挿通され組み付けられる部分を構成する。各貫通孔３５は、積層方向と直交する方向の断面形状が略矩形状に形成される。一対の貫通孔３５は、多層基板本体３におけるノイズ低減対象部位１０１を挟んで幅方向に対向して形成される。ノイズ低減対象部位１０１とは、多層基板本体３において磁性体４によるノイズ低減の対象となる複数の回路体３３を含む部位である。本実施形態のノイズ低減対象部位１０１は、多層基板本体３において、一対の貫通孔３５に挟まれた部位である。

複数の回路体３３は、図２及び図３に示すように、第１回路体３３ａ，３３ｂ，３３ｃと、第２回路体３３ｄ，３３ｅ，３３ｆとを含んで構成される。ここで、本実施形態における３つの第１回路体３３ａ〜３３ｃは同一形状を有することから、特に断りのない限り、第１回路体３３ａについて説明する。同様に、本実施形態における３つの第２回路体３３ｄ〜３３ｆは同一形状を有することから、特に断りのない限り、第２回路体３３ｄについて説明する。第１回路体３３ａ及び第２回路体３３ｄは、図４に示すように、それぞれが略Ｊ字状に形成されている。第１回路体３３ａは、入力側から配線方向に沿って第１方向に延在する第１延在部３３ａａと、第１延在部３３ａａの第１方向の端部から第１方向と反対側の第２方向に向けて折り返す第１折り返し部３３ａｂとで構成される。第２回路体３３ｄは、出力側から第２方向に延在する第２延在部３３ｄａと、第２延在部３３ｄａの第２方向の端部から第１方向に向けて折り返す第２折り返し部３３ｄｂとで構成される。第１折り返し部３３ａｂ及び第２折り返し部３３ｄｂは、図示のように、それぞれが円弧状またはＵ字状に形成されている。ここで入力側は、例えば、信号源から信号が入力される側であり、電源から電力が供給される側である。出力側は、例えば、信号が電子部品に出力される側であり、電力が負荷に出力される側である。第１方向は、配線方向に沿って一方（入力側）から他方（出力側）に向かう方向であり、第２方向は、配線方向に沿って他方から一方に向かう方向である。なお、本実施形態では、入力側と出力側が反対方向に向けて設定されているが、これに限定されず、同一方向に向けて設定されていてもよいし、入力側に向かう方向と出力側に向かう方向とが交差する方向に向けて設定されていてもよい。回路体３３の配線方向は、多層基板本体３のノイズ低減対象部位１０１において、少なくとも第１延在部３３ａａ及び第２延在部３３ｄａが延在する方向に相当し、ここでは、一対の貫通孔３５が対向する幅方向と直交する奥行き方向に相当する。

本実施形態では、第１回路体３３ａと第２回路体３３ｄとを接続導体３６を介して接続して２ターン（１回巻）のコイル状導体が形成されている。同様に、第１回路体３３ｂと第２回路体３３ｅとを接続導体３６を介して接続して２ターンのコイル状導体が形成されている。同様に、第１回路体３３ｃと第２回路体３３ｆとを接続導体３６を介して接続して２ターンのコイル状導体が形成されている。本実施形態の第１回路体３３Ａは、第１層３４Ａにおいて、各第１回路体３３ａ，３３ｂ，３３ｃが独立した回路系統を構成する。そして、第２回路体３３Ｂは、第２層３４Ｂにおいて、各第２回路体３３ｄ，３３ｅ，３３ｆが独立した回路系統を構成する。第１回路体３３ａと第２回路体３３ｄとは、接続導体３６を介して層間接続され、同一の回路系統を構成する。第１回路体３３ａと第２回路体３３ｄとは、例えば、配線２０Ａ上で４８Ｖ電源に接続された電源回路を構成する。第１回路体３３ｂと第２回路体３３ｅとは、接続導体３６を介して層間接続され、同一の回路系統を構成する。第１回路体３３ｂと第２回路体３３ｅとは、例えば、配線２０Ｂ上で接地用のＧＮＤ線を構成する。第１回路体３３ｃと第２回路体３３ｆとは、接続導体３６を介して層間接続され、同一の回路系統を構成する。第１回路体３３ｃと第２回路体３３ｆとは、例えば、配線２０Ｃ上で１２Ｖ電源に接続された電源回路を構成する。

複数の回路体３３は、ＧＮＤに接続されたＧＮＤ回路体３７を含んで構成される。ＧＮＤ回路体３７は、例えば、図５に示すように、第１回路体３３ｂ及び第２回路体３３ｅを含んで構成される。本実施形態の第１回路体３３ａとＧＮＤ回路体３７（第１回路体３３ｂ）とは、コンデンサＣを介して互いに電気的に接続される。同様に、第１回路体３３ｃとＧＮＤ回路体３７とは、コンデンサＣを介して互いに電気的に接続される。複数の回路体３３は、ノイズ低減対象部位１０１において、１つが配線２０Ａ上で４８Ｖ電源に接続された電源回路を構成し、１つが配線２０Ｂ上で接地されたＧＮＤを構成し、１つが配線２０Ｃ上で１２Ｖ電源に接続された電源回路を構成する。配線２０Ａ，２０Ｃは、基板１Ａに接続される各種機器に所定の電圧の電力を伝送するための伝送路である。配線２０Ｂは、基板１Ａに接続される各種機器のいわゆるアース（接地）をとるための伝送路である。本実施形態の配線２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃは、それらの並びが、積層方向と直交する方向（幅方向）に４８Ｖ電源−ＧＮＤ−１２Ｖ電源の順で配置される。これにより、ＧＮＤの共通化を図ることができる。

磁性体４は、少なくとも一部または全部が複数の回路体３３を挟んで積層方向に配置されることで、各回路体３３におけるノイズを低減するものである。磁性体４は、例えば、透磁率の高い磁性体であるフェライトによって構成される。本実施形態の磁性体４は、貫通孔３５を介して多層基板本体３に組み付けられ、多層基板本体３において一対の貫通孔３５に挟まれた部位、すなわち、複数の回路体３３が積層されているノイズ低減対象部位１０１の外側を連続して包囲する。言い換えると、磁性体４は、少なくとも第１回路体３３ａ及び第２回路体３３ｄの外側を配線方向周りに連続して包囲する。磁性体４は、複数の分割体、例えば、２つの分割体４１，４２を組み合わせることで、複数の回路体３３の外側を当該複数の回路体３３の配線方向周りに連続して包囲するように略環状に形成される。分割体４１，４２は、それぞれの奥行き方向から見た断面形状が略Ｕ字形状に形成される。

上述した基板１Ａは、延在部（３３ａａ，３３ｄａ）と折り返し部（３３ａｂ，３３ｄｂ）とで構成される複数の回路体３３を接続導体３６を介して接続することで積層方向を中心軸とする１回巻のコイル状導体を形成し、当該コイル状導体を積層方向から磁性体４で挟んで構成される。このコイル状導体のインピーダンスＺは、下記の式（１）で求められる。
Ｚ＝Ｒ＋２πｆＬ・・・（１）
Ｒ：抵抗［ｍΩ］、Ｌ：インダクタンス［μＨ］、ｆ：周波数［ＨＺ］
コイル状導体のインダクタンスＬは、下記の式（２）で求まることから、透磁率、巻数、断面積を増やすことでインピーダンスＺをより高くすることができる。
Ｌ＝μＮ^２｜Ｓ｜／ｌ・・・（２）
μ：透磁率、Ｎ：巻数、ｌ：コイル状導体のコイル長、｜Ｓ｜：コイル状導体の断面積
したがって、延在部と折り返し部とで構成される複数の回路体３３を接続導体３６を介して接続しコイル状導体を形成することで、インピーダンスＺを高くすることができ、簡易な構成で周波数の高いノイズ成分が通りにくいノイズフィルタを得ることができる。

以上説明した基板１Ａは、複数の回路体３３が絶縁層３２を介して積層方向に積層され、各絶縁層３２に形成された接続導体３６を介して層間接続された多層基板本体３と、少なくとも一部または全部が複数の回路体３３を挟んで積層方向に配置される磁性体４とを備える。複数の回路体３３は、少なくとも第１回路体３３ａと第２回路体３３ｄとを含むものである。第１回路体３３ａは、入力側から配線方向に沿って第１方向に延在する第１延在部３３ａａと、第１延在部３３ａａの第１方向の端部から第１方向と反対側の第２方向に向けて折り返す第１折り返し部３３ａｂとで構成される。第２回路体３３ｄは、出力側から第２方向に延在する第２延在部３３ｄａと、第２延在部３３ｄａの第２方向の端部から第１方向に向けて折り返す第２折り返し部３３ｄｂとで構成される。上記構成により、延在部と折り返し部とで構成される複数の回路体３３を接続導体３６を介して接続しコイル状導体を形成してインピーダンスＺを高くすることができ、簡易な構成で周波数の高いノイズ成分が通りにくいノイズフィルタを得ることができる。この結果、低コストでノイズを効果的に低減し、ＥＭＣ（ＥｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃＣｏｍｐａｔｉｂｉｒｉｔｙ）性能を向上させることができる。また、ノイズ対策用の部品を追加する必要がないので、基板全体のサイズを維持または小型化することができる。

また、基板１Ａは、複数の回路体３３が、さらに、ＧＮＤに接続されたＧＮＤ回路体３７を含むものである。第１回路体３３ａとＧＮＤ回路体３７とは、コンデンサＣを介して互いに接続される。上記構成により、例えば、電源回路とＧＮＤとの間にコンデンサＣが接続されることで、電源回路上で生じるノイズを除去することができる。特に、ノイズ源が信号源に対して直列に接続され、信号線を通して負荷に伝わるノーマルモードノイズ、及び、信号線とＧＮＤ間にノイズ源が存在し、２本の信号線に伝わるコモンモードノイズを除去することができる。

また、基板１は、磁性体４が、少なくとも第１回路体３３ａ及び第２回路体３３ｄの外側を配線方向周りに連続して包囲する。これにより、各回路体３３の通電時に当該磁性体４に磁束が発生し、電流エネルギが磁気エネルギへ変換されると共に、電磁誘導によって再び磁気エネルギから電流エネルギに戻ろうとしたときに、磁気損失が起き、各回路体３３におけるノイズ電流の一部が抑制される。この結果、基板１Ａは、当該磁性体４によって外周側を包囲された各回路体３３のノイズが低減される。

［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る基板１Ｂについて図６及び図７を参照して説明する。なお、図７は、図６のＢ−Ｂ部分断面図に相当する。基板１Ｂは、その構成が、上記基板１Ａに対して、一対のシート状の磁性体１４が追加されている点で異なる。なお、以下の実施形態において、上述した第１実施形態と同様の構成要素には共通の符号を付すと共に、共通する構成、作用、効果については、重複した説明はできるだけ省略する。

基板１Ｂは、多層基板本体３と、磁性体４と、一対の磁性体１４とを含んで構成される。各磁性体１４は、例えば、幅方向及び奥行き方向に沿って延在する矩形のシート状（または薄板状）に形成される。各磁性体１４は、磁性体４と同様に、透磁率の高いフェライトによって構成される。各磁性体１４は、磁性体４の透磁率と同等以上の透磁率を有することが好ましいが、これに限定されるものではない。一対の磁性体１４は、略環状に形成された磁性体４の内側に配置される。一対の磁性体１４は、磁性体４の内側に配置されているが、例えば、各磁性体１４の奥行き方向の幅が磁性体４の奥行き方向の幅と同一または当該幅よりも長く延在して形成されていてもよい。一対の磁性体１４は、略環状に形成された磁性体４の内側に配置され、かつノイズ低減対象部位１０１を挟んで対向する位置に配置される。さらに言うと、一対の磁性体１４は、各磁性体１４の少なくとも一部または全部が磁性体４の内側に配置され、かつ少なくとも第１回路体３３ａ及び第２回路体３３ｄを挟んで対向する積層方向に配置される。

以上説明した基板１Ｂは、磁性体１４が、磁性体４の内側にあって、少なくとも第１回路体３３ａ及び第２回路体３３ｄを挟んで対向する積層方向に配置される。このように、磁性体１４を追加配置することで、透磁率μが増加してコイル状導体のインダクタンスＬを増加させることができ、上記式（１）によりインピーダンスＺをより高くすることができる。基板１Ｂは、基板１Ａに対して部品点数が増えるものの、上記第１実施形態の基板１Ａと同等以上の効果を得ることが可能となる。例えば、磁性体４のみが配置された基板１Ａに対してインピーダンスＺがおよそ２倍になり、高周波ノイズを効率よく低減することが可能となる。

［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る基板１Ｃについて図８及び図９を参照して説明する。なお、図９は、図８のＣ−Ｃ部分断面図に相当する。基板１Ｃは、その構成が、磁性体４に代えて、一対のシート状の磁性体１４が配置されている点で上記基板１Ａと異なる。

基板１Ｃは、多層基板本体３と、一対の磁性体１４とを含んで構成される。本実施形態の多層基板本体３は、一対の貫通孔３５が形成されていない。すなわち、多層基板本体３は、ノイズ低減対象部位１０１を挟んで幅方向に対向して形成される一対の貫通孔３５を有していない。

一対の磁性体１４は、ノイズ低減対象部位１０１を挟んで対向する位置に配置される。本実施形態のノイズ低減対象部位１０１は、多層基板本体３の積層方向に対向して配置される一対の磁性体１４で挟まれた部分である。一対の磁性体１４は、少なくとも第１回路体３３ａ及び第２回路体３３ｄを挟んで対向する積層方向に配置される。

以上説明した基板１Ｃは、磁性体１４が、少なくとも第１回路体３３ａ及び第２回路体３３ｄを挟んで対向する積層方向に配置される。このように、一対のシート状の磁性体１４を、複数の回路体３３を挟んで対向する積層方向に配置することで、磁性体１４でコイル状導体を広く覆うことが可能となる。この結果、透磁率μが増加してコイル状導体のインダクタンスＬを増加させることができ、上記式（１）によりインピーダンスＺをより高くすることができ、上記第１実施形態の基板１Ａと同等以上の効果を得ることが可能となる。ここで磁性体４は、図３に示すように、磁性体４の幅（幅方向）をＷ、内面側の積層方向の高さ（スリット高さ）をＨとした場合、同一の幅Ｗでスリット高さＨを小さくすると、高周波（例えば１０ＭＨｚ）において、式（１）によりインピーダンスＺが高くなる。そこで、一対のシート状の磁性体１４を、複数の回路体３３を挟んで対向する積層方向に配置することで、磁性体４に比べて、磁性体１４をノイズ低減対象部位１０１における複数の回路体３３に接近させることが可能となる。この結果、コイル状導体のインダクタンスＬを増加させてインピーダンスＺを高くすることができ、上記第１実施形態の基板１Ａと同等以上の効果を得ることが可能となる。

［変形例］
上記第１実施形態では、基板１Ａは、積層方向に隣り合う２つの導体層を接続して独立した回路系統を構成し、複数の当該回路系統が積層方向と直交する方向に並べて配置されているものについて説明したが、これに限定されるものではない。第１実施形態の第１変形例に係る基板１Ｄは、複数の当該回路系統が積層方向に沿って配置されている点で上記基板１Ａとは異なる。図１０は、第１実施形態の第１変形例に係る基板の概略構成を示す部分断面図である。

基板１Ｄは、多層基板本体３と、磁性体４とを含んで構成される。本実施形態の多層基板本体３は、図１０に示すように、層分の絶縁層３２に対して交互に回路体３３による導体層が積層されることで、当該回路体３３による導体層が７層分積層されている。回路体３３による導体層は、多層基板本体３において、積層方向の一方側から他方側に向かって第１層３４Ａ、第２層３４Ｂ、第３層３４Ｃ、第４層３４Ｄ、第５層３４Ｅ、第６層３４Ｆ、第７層３４Ｇの順に積層されて構成される。第１層３４Ａ及び第２層３４Ｂを構成する回路体３３は、接続導体３６を介して層間接続されている。第１層３４Ａは第１回路体３３ａを構成し、第２層３４Ｂは第２回路体３３ｄを構成する。第１回路体３３ａ及び第２回路体３３ｄは、ノイズ低減対象部位１０１において、例えば、配線２０Ａ上で４８Ｖ電源に接続された電源回路を構成する。第３層３４Ｃ及び第４層３４Ｄを構成する回路体３３は、接続導体３６を介して層間接続されている。第３層３４Ｃは第１回路体３３ｂを構成し、第４層３４Ｄは第２回路体３３ｅを構成する。第１回路体３３ｂ及び第２回路体３３ｅは、ノイズ低減対象部位１０１において、例えば、配線２０Ｂ上で接地されたＧＮＤ（ＧＮＤ回路体３７）を構成する。第５層３４Ｅ及び第６層３４Ｆを構成する回路体３３は、接続導体３６を介して層間接続されている。第５層３４Ｅは第１回路体３３ｃを構成し、第６層３４Ｆは第２回路体３３ｆを構成する。第１回路体３３ｃ及び第２回路体３３ｆは、ノイズ低減対象部位１０１において、例えば、配線２０Ｃ上で１２Ｖ電源に接続された電源回路を構成する。本実施形態の配線２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃは、それらの並びが、積層方向に４８Ｖ電源−ＧＮＤ−１２Ｖ電源の順で配置される。これにより、ＧＮＤの共通化を図ることができる。

以上説明した基板１Ｄは、上記構成により、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、上記構成を、上記第２実施形態に係る基板１Ｂ、第３実施形態に係る基板１Ｃに適用しても、同様の効果が得られることは言うまでもない。

また、上記第１実施形態では、例えば信号等の比較的に小さな電流が流れる回路に適用されるものについて説明したが、これに限定されるものではなく、大電流が流れる回路に適用することも可能である。第１実施形態の第２変形例に係る基板１Ｅは、複数の回路体３３を並列に接続して１つの独立した回路系統を構成する点で上記基板１Ａとは異なる。図１１は、第１実施形態の第２変形例に係る基板の概略構成を示す部分断面図である。図１２は、第１実施形態の第２変形例に係る回路体の概略構成を示す斜視図である。

基板１Ｅは、多層基板本体３と、磁性体４とを含んで構成される。本実施形態の多層基板本体３は、図１１に示すように、層分の絶縁層３２に対して交互に回路体３３による導体層が積層されることで、当該回路体３３による導体層が７層分積層されている。回路体３３による導体層は、多層基板本体３において、積層方向の一方側から他方側に向かって第１層３４Ａ、第２層３４Ｂ、第３層３４Ｃ、第４層３４Ｄ、第５層３４Ｅ、第６層３４Ｆ、第７層３４Ｇの順に積層されて構成される。第１層３４Ａ、第２層３４Ｂ、及び第３層３４Ｃを構成する回路体３３は、接続導体３６を介して層間接続されている。言い換えると、第１層３４Ａ〜第３層３４Ｃは、３つの第１回路体３３ａで構成される。第４層３４Ｄ、第５層３４Ｅ、及び第６層３４Ｆを構成する回路体３３は、接続導体３６を介して層間接続されている。言い換えると、第４層３４Ｄ〜第６層３４Ｆは、３つの第２回路体３３ｄで構成される。第１回路体３３ａ及び第２回路体３３ｄは、ノイズ低減対象部位１０１において、例えば、高圧電源に接続された電源回路、接地されたＧＮＤ（ＧＮＤ回路体３７）等を構成する。

以上説明した基板１Ｅは、上記構成により、コイル状導体の断面積が大きくなり、回路体３３の許容電流を上げることが可能となる。この結果、高い電力量を必要とする基板に適用することが可能となる。なお、上記構成を、上記第２実施形態に係る基板１Ｂ、上記第３実施形態に係る基板１Ｃに適用しても、同様の効果が得られることは言うまでもない。

なお、上記第１実施形態では、図４に示すように、第１回路体３３ａと第２回路体３３ｄとを接続導体３６を介して接続し２ターン（１回巻）のコイル状導体を形成しているが、これに限定されるものではない。例えば、図１３に示すように、第１回路体３３ａと第２回路体３３ｄとの間に２つの回路体３３ｇ，３３ｈを配置し、これらを接続導体３６を介して接続して４ターン（２回巻）のコイル状導体を形成してもよい。回路体３３ｇは、第２回路体３３ｄと同様に、出力側から第２方向に延在する第２延在部３３ｄａと、第２延在部３３ｄａの第２方向の端部から第１方向に向けて折り返す第２折り返し部３３ｄｂとで構成される。回路体３３ｈは、第１回路体３３ａと同様に、入力側から配線方向に沿って第１方向に延在する第１延在部３３ａａと、第１延在部３３ａａの第１方向の端部から第１方向と反対側の第２方向に向けて折り返す第１折り返し部３３ａｂとで構成される。上記構成により、コイル状導体のターン数、すなわち巻数を増やすことができるので、インピーダンスＺをより高くすることができる。なお、コイル状導体のターン数は、偶数ターンに限定されるものではなく、奇数ターンであってもよい。

また、上記第１実施形態では、第１折り返し部３３ａｂ及び第２折り返し部３３ｄｂは、それぞれが円弧状またはＵ字状に形成されているが、これらに限定されるものではなく、多角形状であってもよい。すなわち、第１回路体３３ａと第２回路体３３ｄとを接続導体３６を介して接続して形成されるコイル状導体の巻線部分が円形であっても多角形であってもよい。さらに、コイル状導体の巻線部分が円形や多角形を形成するものであれば、第１折り返し部３３ａｂや第２折り返し部３３ｄｂがどのような形状であってもよい。

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ基板
３多層基板本体
４，１４磁性体
２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ配線
３２絶縁層
３３回路体
３３Ａ，３３ａ，３３ｂ，３３ｃ第１回路体
３３Ｂ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ第２回路体
３５貫通孔
３６接続導体（ビア）
３７ＧＮＤ回路体
４１，４２分割体

Claims

複数の回路体が絶縁層を介して積層方向に積層され、各絶縁層に形成された接続導体を介して層間接続された多層基板本体と、
少なくとも一部または全部が複数の前記回路体を挟んで積層方向に配置される磁性体と、を備え、
複数の前記回路体は、
入力側から配線方向に沿って第１方向に延在する第１延在部と、前記第１延在部の前記第１方向の端部から前記第１方向と反対側の第２方向に向けて折り返す第１折り返し部とで構成される第１回路体と、
出力側から前記第２方向に延在する第２延在部と、前記第２延在部の前記第２方向の端部から前記第１方向に向けて折り返す第２折り返し部とで構成される第２回路体と、を含む
ことを特徴とする基板。
複数の前記回路体は、さらに、
ＧＮＤに接続されたＧＮＤ回路体を含み、
前記第１回路体とＧＮＤ回路体とは、コンデンサを介して互いに接続される
請求項１に記載の基板。
前記磁性体は、少なくとも前記第１回路体及び前記第２回路体の外側を前記配線方向周りに連続して包囲する、
請求項１または２に記載の基板。
前記磁性体は、シート状に形成され、かつ少なくとも前記第１回路体及び前記第２回路体を挟んで対向する積層方向に配置される、
請求項１または２に記載の基板。