JP2019183273A - 金属膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態に係る金属膜の形成方法が実施可能なプラズマ溶射装置の一例について説明する。図1は、本発明の実施形態に係るプラズマ溶射装置の全体構成の一例を示す断面図である。
本発明の実施形態に係る金属膜の形成方法の一例について説明する。以下に説明する金属膜の形成方法は、制御部80がプラズマ溶射装置1の各部を制御することで実施される。図2は、本発明の実施形態に係る金属膜の形成方法の一例を示すフローチャートである。
本発明の実施形態に係る金属膜の形成方法によって形成したCu溶射膜の膜特性を評価した実施例について説明する。
実施例1では、溶射工程S106における酸素濃度、作動ガス、電流値、及びステージ温度が異なる条件で、基材Wの一例であるAl膜付きチップ上のAl膜の上に金属膜の一例であるCu膜を形成した。なお、酸素濃度は処理容器40内の酸素濃度を、サイクルパージを行わず大気雰囲気と同じ約21%にした場合、サイクルパージを行わないが雰囲気をAr(圧力は大気圧)に置換して酸素濃度を約1%にした場合、およびサイクルパージを複数回行い酸素濃度を約10ppmまで下げた場合で比較した。酸素濃度は既に述べたように酸素濃度計で特定した。また、作動ガスとは前処理工程S105や溶射工程S106で使用するガス供給源21およびガス供給源24の両方から供給されるAr若しくはH2を添加したArである。ArにH2を添加する場合はガス供給源24から供給されるArのみにH2を添加する。電流値とは直流電源50から供給される電流値を意味し、ステージ温度とは溶射工程S106での溶射開始時のステージ41の温度を意味する。また、Cu膜の上に、はんだを介してピン(径φ2mm)を接合させた試料を作成し、Cu膜と下地との引張強度を測定することにより、密着性を評価した。引張強度の測定は、以下の手順で行った。まず、試験台の上に、はんだを介して試料を固定した。次いで、径φ2mmのピンを上方に引っ張ることにより引張荷重を加えた。そして、引張荷重を徐々に増加させることにより、試料が破壊した時の引張荷重を測定した。実施例1における引張強度(単位はN)は、試料が破壊した時の引張荷重である。引張強度を測定した後、破壊箇所を特定した。
実施例2では、溶射工程S106における酸素濃度、作動ガス、及び表面平滑化処理の有無を異ならせた条件で、基材Wの一例であるAl2O3板の上に金属膜の一例であるCu溶射膜を形成した。また、マイクロメータ(測定面がφ6.3mm)によりCu溶射膜の膜厚を測定し、四探針プローブ(端子間距離が2mm)によりCu溶射膜のシート抵抗値を測定し、Cu溶射膜の膜厚にシート抵抗値を掛け合わせることでCu溶射膜の比抵抗値を測定した。なお、表面平滑化処理とは、Cu溶射膜のシート抵抗値を四端子プローブにより測定する際、Cu溶射膜の表面凹凸によるシート抵抗値への影響を除去するために行う研磨処理である。この表面平滑化処理によりCu溶射膜のより正確な抵抗(比抵抗)を測定することができる。
実施例3では、溶射工程S106における酸素濃度を約10ppm、作動ガスをAr及び5%のH2が添加されたArにし、いくつかのステージ温度条件で、基材Wの一例である(Al−Si膜)の上に金属膜の一例であるCu溶射膜を形成した。なお、加熱手段70と及び冷却手段60によるステージ41への20℃の冷却水の供給の有無によって、ステージ温度を調整した。また、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)によりCu溶射膜の断面を観察した。
本発明の実施形態に係る金属膜の形成方法の適用例について、金属膜の一例であるCu溶射膜を、3D配線構造を有するIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールに適用する場合を例に挙げて説明する。図6は、本発明の実施形態に係る金属膜の形成方法の適用例を示す図であり、IGBTモジュールの断面を示す。
10 供給部
20 ガス供給部
30 プラズマ生成部
40 処理容器
41 ステージ
50 直流電源
60 冷却手段
70 加熱手段
80 制御部
100 IGBTモジュール
101 放熱板
102 絶縁基板
103 回路パターン
104 シリコンチップ
104c コレクタ電極
104e エミッタ電極
104g ゲート電極
105 電極膜
106 配線
107 配線
108 回路基板
P プラズマジェット
R1 Cu粉末
U プラズマ生成空間
W 基材
Claims (7)
- 基材を処理容器内のステージに載置して前記処理容器内の雰囲気を制御する雰囲気制御工程と、
前記処理容器内の前記基材に水素が添加された不活性ガスにより形成されるプラズマジェットを照射する前処理工程と、
前記前処理工程の後、前記ステージを100℃以上に加熱した状態で前記基材に金属材料を溶射する溶射工程と、
を有する、
金属膜の形成方法。 - 前記溶射工程の前に、前記ステージを100℃以上に昇温する昇温工程を有する、
請求項1に記載の金属膜の形成方法。 - 前記雰囲気制御工程は、前記処理容器内を100ppm以下の酸素濃度の雰囲気にする、
請求項1又は2に記載の金属膜の形成方法。 - 前記ステージは、XYステージであり、
前記前処理工程は、前記XYステージを移動させながら前記基材に前記プラズマジェットを照射する、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の金属膜の形成方法。 - 前記ステージは、XYステージであり、
前記溶射工程は、前記XYステージを移動させながら前記基材に前記金属材料を溶射する、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の金属膜の形成方法。 - 前記基材は、金属膜が形成された絶縁基板であり、
前記溶射工程は、前記金属膜の表面に前記金属材料を溶射する、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の金属膜の形成方法。 - 前記基材は、絶縁基板であり、
前記溶射工程は、前記絶縁基板の表面に前記金属材料を溶射する、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の金属膜の形成方法。
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