JPH02225653A - 高密着力プラズマ溶射法 - Google Patents
高密着力プラズマ溶射法Info
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- JPH02225653A JPH02225653A JP1044094A JP4409489A JPH02225653A JP H02225653 A JPH02225653 A JP H02225653A JP 1044094 A JP1044094 A JP 1044094A JP 4409489 A JP4409489 A JP 4409489A JP H02225653 A JPH02225653 A JP H02225653A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、母材金属の表面を被覆する溶射法に係り、特
にプラズマジェットを用いる溶射法に関する。
にプラズマジェットを用いる溶射法に関する。
[従来の技術]
従来、母材金属表面に金属粉末等を溶射する場合、溶射
皮膜の母材に対する密着力を上げる゛ため、大気溶射に
おいては溶射前にショツトブラストを行って被加工物母
材表面に付着しているスケール・油脂・汚れ等を除去す
るとともに母材表面に凹凸をつけ溶射皮膜のアンカー効
果を上げるようにし、減圧プラズマ溶射においては、被
加工物にショツトブラストを行った後、減圧下でArイ
オンを母材に衝突させてFe30a (酸化皮膜)を除
去するスパッタリングと母材の加熱を行い、溶射皮膜の
密着力を上げるようにしている。
皮膜の母材に対する密着力を上げる゛ため、大気溶射に
おいては溶射前にショツトブラストを行って被加工物母
材表面に付着しているスケール・油脂・汚れ等を除去す
るとともに母材表面に凹凸をつけ溶射皮膜のアンカー効
果を上げるようにし、減圧プラズマ溶射においては、被
加工物にショツトブラストを行った後、減圧下でArイ
オンを母材に衝突させてFe30a (酸化皮膜)を除
去するスパッタリングと母材の加熱を行い、溶射皮膜の
密着力を上げるようにしている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら上記従来の溶射法の場合、大気溶射におい
てはショツトブラストを行フても溶射皮膜の密着力は3
〜6kg/IM+2シか得られず、また減圧プラズマ溶
射装置はその設備費が大気プラズマ溶射法に対して5〜
6倍と高価であり、生産性が低く、減圧チャンバ内では
溶射ロボットの作動範囲と姿勢が制限されるという問題
点があった。
てはショツトブラストを行フても溶射皮膜の密着力は3
〜6kg/IM+2シか得られず、また減圧プラズマ溶
射装置はその設備費が大気プラズマ溶射法に対して5〜
6倍と高価であり、生産性が低く、減圧チャンバ内では
溶射ロボットの作動範囲と姿勢が制限されるという問題
点があった。
本発明は上記従来の問題点に着目し、生産性が高く、安
価な設備で従来の3〜5倍以上の高密着力が得られるよ
うな溶射法を提供することを目的とする。なおここでい
う高密着力とは、鉄系溶射皮膜の場合20 kg /
arm2以上、銅系溶射皮膜の場合 15kg/m2以
上である。
価な設備で従来の3〜5倍以上の高密着力が得られるよ
うな溶射法を提供することを目的とする。なおここでい
う高密着力とは、鉄系溶射皮膜の場合20 kg /
arm2以上、銅系溶射皮膜の場合 15kg/m2以
上である。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために本発明に係る高密着力プラズ
マ溶射法は、プラズマジェットを利用した溶射において
、被加工物の溶射部直前を部分加熱することにより該溶
射直前部表面を活性化させ、時間間隔をおかずに溶射す
るものとし、溶射ガンと、被加工物の溶射部直前を加熱
する加熱トーチとを装着治具に取着して一体構成とする
とともに、溶射部と溶射部直前の加熱部との周囲に不活
性ガスを噴射して外気を遮断し、活性化された被加工物
表面の酸化を防止するものとし、被加工物の溶射部直前
を部分加熱する際加熱トーチをウィービングさせ、溶射
ゾーンに加熱ゾーンを一致させるように構成した。
マ溶射法は、プラズマジェットを利用した溶射において
、被加工物の溶射部直前を部分加熱することにより該溶
射直前部表面を活性化させ、時間間隔をおかずに溶射す
るものとし、溶射ガンと、被加工物の溶射部直前を加熱
する加熱トーチとを装着治具に取着して一体構成とする
とともに、溶射部と溶射部直前の加熱部との周囲に不活
性ガスを噴射して外気を遮断し、活性化された被加工物
表面の酸化を防止するものとし、被加工物の溶射部直前
を部分加熱する際加熱トーチをウィービングさせ、溶射
ゾーンに加熱ゾーンを一致させるように構成した。
[作用]
上記構成によれば、不活性ガスによって外気から遮断さ
れた溶射ゾーンを加熱し、その直後に溶射を行うように
したので、高密着力を有する溶射皮膜を安価な設備で、
高能率のもとに得ることができる。
れた溶射ゾーンを加熱し、その直後に溶射を行うように
したので、高密着力を有する溶射皮膜を安価な設備で、
高能率のもとに得ることができる。
[実施例コ
以下に本発明に係る高密着力プラズマ溶射法の実施例に
ついて、図面を参照して詳細に説明する。
ついて、図面を参照して詳細に説明する。
第1図および第2図において溶射ガン1と加熱トーチ2
とは、その中心距離が60〜100rr+mになるよう
な装着治具3に装着されたダブルトーチて、該装着治具
3の下縁全周に設けられたバイブ4の噴射穴からシール
ドガスが母材5に向けて噴射され、加熱トーチ2による
加熱ゾーン6と、溶射ガン1による溶射ゾーン7とを外
気から遮断するシールドゾーン8を形成するようになっ
ている。前記溶射ガンlの下端と母材5の表面との距離
は80〜140mmに保たれ、前記加熱トーチ2は進行
方向に対して直角方向にウィービングできるようになっ
ている。
とは、その中心距離が60〜100rr+mになるよう
な装着治具3に装着されたダブルトーチて、該装着治具
3の下縁全周に設けられたバイブ4の噴射穴からシール
ドガスが母材5に向けて噴射され、加熱トーチ2による
加熱ゾーン6と、溶射ガン1による溶射ゾーン7とを外
気から遮断するシールドゾーン8を形成するようになっ
ている。前記溶射ガンlの下端と母材5の表面との距離
は80〜140mmに保たれ、前記加熱トーチ2は進行
方向に対して直角方向にウィービングできるようになっ
ている。
溶射する場合、被加工物表面をショツトブラストした後
、加熱トーチ2で母材5の表面を700〜l000℃に
加熱して活性化し、その直後に溶射ガン1で該活性化部
分に被覆材を溶射する。このとき装着治具3の下縁のバ
イブ4から噴射されるN2ガス(30Q/mi n)が
外気を遮断して活性化された母材表面の酸化を防止し、
被覆材の密着力を向上させる。
、加熱トーチ2で母材5の表面を700〜l000℃に
加熱して活性化し、その直後に溶射ガン1で該活性化部
分に被覆材を溶射する。このとき装着治具3の下縁のバ
イブ4から噴射されるN2ガス(30Q/mi n)が
外気を遮断して活性化された母材表面の酸化を防止し、
被覆材の密着力を向上させる。
加熱トーチ2のウィービング幅は10〜20r。
m、 1〜2ヘルツ、また装着治具3の移動速度は3
00〜600mm/m i nである。
00〜600mm/m i nである。
本発明と従来法とを比較すると第1表の通りで、溶射皮
膜の密着力は大気溶射法の10〜15倍、生産性につい
ては大気溶射法と変わらず、減圧溶射法の10〜20倍
でありながら設備費は大気溶射法の 1.5倍に抑える
ことができる。
膜の密着力は大気溶射法の10〜15倍、生産性につい
ては大気溶射法と変わらず、減圧溶射法の10〜20倍
でありながら設備費は大気溶射法の 1.5倍に抑える
ことができる。
本実施例においてはシールドガスとしてN2ガス(30
2/mi n)を用いたがこれに限るものではなく、ま
た加熱トーチのウィービング幅、装普治具の移動速度は
被加工物の寸法・形状、溶射皮膜の厚さ等に応じて調節
するものとする。
2/mi n)を用いたがこれに限るものではなく、ま
た加熱トーチのウィービング幅、装普治具の移動速度は
被加工物の寸法・形状、溶射皮膜の厚さ等に応じて調節
するものとする。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、不活性ガスによっ
て外気から遮断された溶射ゾーンを加熱し、その直後に
溶射を行うようにしたので、従来の大気溶射法に比べて
10〜15倍の密着力を有し、設備費は大気溶射法の
1.5倍、生産性は大気溶射法と同等で減圧溶射法の1
0〜20倍という優れた効果を得ることができる。
て外気から遮断された溶射ゾーンを加熱し、その直後に
溶射を行うようにしたので、従来の大気溶射法に比べて
10〜15倍の密着力を有し、設備費は大気溶射法の
1.5倍、生産性は大気溶射法と同等で減圧溶射法の1
0〜20倍という優れた効果を得ることができる。
第1図は実施例に係る高密着力プラズマ溶射法を用いた
ダブルトーチの側面図、第2図はダブルトーチによる加
熱ゾーン、溶剤ゾーン、不活性ガスによるシールドゾー
ンの位置関係を示す説明図である。 l・・・・・・溶射ガン 2・・・・・・加熱トーチ 3・・・・・・装着治具 6・・・・・・加熱ゾーン 7・・・・・・溶剤ゾーン
ダブルトーチの側面図、第2図はダブルトーチによる加
熱ゾーン、溶剤ゾーン、不活性ガスによるシールドゾー
ンの位置関係を示す説明図である。 l・・・・・・溶射ガン 2・・・・・・加熱トーチ 3・・・・・・装着治具 6・・・・・・加熱ゾーン 7・・・・・・溶剤ゾーン
Claims (3)
- (1)プラズマジェットを利用した溶射において、被加
工物の溶射部直前を部分加熱することにより該溶射直前
部表面を活性化させ、時間間隔をおかずに溶射すること
を特徴とする高密着力プラズマ溶射法。 - (2)溶射ガン1と、被加工物の溶射部直前を加熱する
加熱トーチ2とを装着治具3に取着して一体構成とする
とともに、溶射部と溶射部直前の加熱部との周囲に不活
性ガスを噴射して外気を遮断し、活性化された被加工物
表面の酸化を防止する請求項(1)記載の高密着力プラ
ズマ溶射法。 - (3)被加工物の溶射部直前を部分加熱する際加熱トー
チ2をウィービングさせ、溶射ゾーン7に加熱ゾーン6
を一致させるようにした請求項(1)または(2)記載
の高密着力プラズマ溶射法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1044094A JPH02225653A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 高密着力プラズマ溶射法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1044094A JPH02225653A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 高密着力プラズマ溶射法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02225653A true JPH02225653A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12682034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1044094A Pending JPH02225653A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 高密着力プラズマ溶射法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02225653A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0593255A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Koshuha Kk | 基板へのプラズマ溶射方法 |
JP2001511484A (ja) * | 1997-07-28 | 2001-08-14 | フオルクスワーゲン・アクチエンゲゼルシヤフト | 特に滑り軸受用のサーマルコーティング方法 |
JP2005146413A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-06-09 | General Electric Co <Ge> | 低酸化物コーティングを形成するための成膜装置及び方法 |
US7438979B2 (en) | 2003-05-26 | 2008-10-21 | Komatsu Ltd. | Thermal spray membrane contact material, contact member and contact part, and apparatuses to which they are applied |
JP2016089275A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | ジーエム・グローバル・テクノロジー・オペレーションズ・エルエルシー | シリンダボアの溶射被覆のためのプラズマ噴射による表面活性化 |
JP2018202361A (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ溶射ヘッド、プラズマ溶射装置及びプラズマ溶射方法 |
JP2019183273A (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜の形成方法 |
KR20220103425A (ko) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 주식회사 그린리소스 | 플라즈마 용사 장치의 제어 방법 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044094A patent/JPH02225653A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0593255A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Koshuha Kk | 基板へのプラズマ溶射方法 |
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US7648773B2 (en) | 2003-05-26 | 2010-01-19 | Komatsu Ltd. | Thermal spray membrane contact material, contact member and contact part, and apparatuses to which they are applied |
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KR20220103425A (ko) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 주식회사 그린리소스 | 플라즈마 용사 장치의 제어 방법 |
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