JPS60227856A - 低圧溶射装置 - Google Patents
低圧溶射装置Info
- Publication number
- JPS60227856A JPS60227856A JP59085789A JP8578984A JPS60227856A JP S60227856 A JPS60227856 A JP S60227856A JP 59085789 A JP59085789 A JP 59085789A JP 8578984 A JP8578984 A JP 8578984A JP S60227856 A JPS60227856 A JP S60227856A
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- JP
- Japan
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- treated
- chamber
- low
- pressure
- thermal spraying
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は低圧溶射装置に関するものであって、特に品
質の優れた溶射層を形成することのできる低圧溶射装置
に係る。
質の優れた溶射層を形成することのできる低圧溶射装置
に係る。
(従来の技術)
近年、被処理体をチャンバー内に配置すると共に、この
チャンバー内を20〜50Torr程度の真空に近い不
活性ガス雰囲気に保持し、この状態でプラズマ溶射を施
す溶射法(LPC溶射法)が注目されている。その理由
は、この方法においては、溶射が低圧雰囲気下で行われ
るために、ガンから被処理体へと向かう溶射粒子が、そ
の移動中に雰囲気ガスによって、冷却されたり酸化され
たりするのを防止し得ると共に、またその速度の低下を
も防止することができ、その結果、溶射被膜の性能を向
上することができるためである。またこの方法によれば
騒音の発生を防止し得るという利点もある。
チャンバー内を20〜50Torr程度の真空に近い不
活性ガス雰囲気に保持し、この状態でプラズマ溶射を施
す溶射法(LPC溶射法)が注目されている。その理由
は、この方法においては、溶射が低圧雰囲気下で行われ
るために、ガンから被処理体へと向かう溶射粒子が、そ
の移動中に雰囲気ガスによって、冷却されたり酸化され
たりするのを防止し得ると共に、またその速度の低下を
も防止することができ、その結果、溶射被膜の性能を向
上することができるためである。またこの方法によれば
騒音の発生を防止し得るという利点もある。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで被処理体には、溶射を行う前にブラスト処理を
施しておく必要があるが、上記した従来の方法において
は、溶射前に大気中でブラスト処理を行い、処理の終了
した被処理体をチャンバー内に搬入し、次いでチャンバ
ー内を低圧雰囲気とすると共に、プラズマ溶射を施すと
いう手順を採用するのが普通である。したがって従来法
においては、ブラスト処理の完了した清浄な被処理体の
表面が、溶射されるまでの間は再び大気にさらされ、酸
化されたり、酸素が付着することになる。
施しておく必要があるが、上記した従来の方法において
は、溶射前に大気中でブラスト処理を行い、処理の終了
した被処理体をチャンバー内に搬入し、次いでチャンバ
ー内を低圧雰囲気とすると共に、プラズマ溶射を施すと
いう手順を採用するのが普通である。したがって従来法
においては、ブラスト処理の完了した清浄な被処理体の
表面が、溶射されるまでの間は再び大気にさらされ、酸
化されたり、酸素が付着することになる。
この結果、たとえ低圧雰囲気下で溶射を行ったとしても
、被処理体の表面が上記のように酸化されたり酸素の付
着した状態となっているので、溶射層と被処理体との間
に充分な密着性が得られないという問題が生じている。
、被処理体の表面が上記のように酸化されたり酸素の付
着した状態となっているので、溶射層と被処理体との間
に充分な密着性が得られないという問題が生じている。
この点は、被処理体の材質が鋼やアルミニウムのような
場合にも問題とはなるが、特にタービンブレード(母材
MMOO7、溶射層ニコラリ:商品名)のように溶射層
の高温剥離強度の要求される場合に大きな問題となって
いる。
場合にも問題とはなるが、特にタービンブレード(母材
MMOO7、溶射層ニコラリ:商品名)のように溶射層
の高温剥離強度の要求される場合に大きな問題となって
いる。
この発明は上記に鑑みなされたもので、その目的は、品
質、特に母材との密着性の改善された溶射層を形成する
ことのできる低圧溶射装置を提供することにある。
質、特に母材との密着性の改善された溶射層を形成する
ことのできる低圧溶射装置を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
上記目的に沿うこの発明の低圧溶射装置は、チャンバー
と、このチャンバー内に配置された被処理体に溶射を行
うための溶射ガンとを有する低圧溶射装置において、さ
らに上記チャンバー内の被処理体にブラスト処理を行う
ためのブラストガンを設けたことを特徴とするものとな
る。
と、このチャンバー内に配置された被処理体に溶射を行
うための溶射ガンとを有する低圧溶射装置において、さ
らに上記チャンバー内の被処理体にブラスト処理を行う
ためのブラストガンを設けたことを特徴とするものとな
る。
(作用)
上記の結果、被処理体をチャンバー内の不活性雰囲気下
でブラスト処理し、次いで被処理体を大気にさらすこと
なく低圧溶射を行うことが可能となる。このため従来の
ように低圧溶射前に被処理体表面に酸化膜が形成された
り、酸素が付着することがなく、清浄な表面に溶射層を
形成することが可能となり、溶射層の品質、特に剥離強
度を改善することが可能となる。
でブラスト処理し、次いで被処理体を大気にさらすこと
なく低圧溶射を行うことが可能となる。このため従来の
ように低圧溶射前に被処理体表面に酸化膜が形成された
り、酸素が付着することがなく、清浄な表面に溶射層を
形成することが可能となり、溶射層の品質、特に剥離強
度を改善することが可能となる。
(実施例)
次ぎにこの発明の低圧溶射装置の具体的な実施例につき
、図面を参照しつつ詳細に説明する。
、図面を参照しつつ詳細に説明する。
第1図において、1は真空チャンバー、2は排気装置を
それぞれ示しており、この排気装置2によって真空チャ
ンバー1内を所定の真空度になるまで排気し得るような
されている。上記真空チャンバー1内には、被加工体へ
が配置されているが、この被加工体Aは上記チャンバー
1内において、図示しない駆動源によって必要な方向へ
の駆動、例えば図の場合には上下方向駆動及び回転駆動
し得るようなされている。また上記チャンバー1の一方
の側壁には横向きにプラズマ溶射ガン3が取着されてい
るが、この溶射ガン3によって被加工体Aに溶射を施す
訳である。なお、上記プラズマ溶射ガン3には、電源及
び粉末供給源4が接続されている。そしてさらに上記チ
ャンバー1の側壁の溶射ガン3よりも下方の位置には、
プラス1−ガン5が取着されており、このブラストガン
5にブラスト材供給源6が接続されている。この場合、
ブラスト材としては種々のものを用いることができるが
、具体的にはスチールボール、スチールチップ、ガラス
ピーズ、セラミックス系のプラス1〜材等を挙げること
ができる。また上記溶射ガン3とブラストガン5にはそ
れぞれ、アルゴン等の不活性ガス供給源7が接続されて
おり、不活性ガスを、必要に応じて溶射ガン3とブラス
トガン5とに切換供給し得るようなされている。
それぞれ示しており、この排気装置2によって真空チャ
ンバー1内を所定の真空度になるまで排気し得るような
されている。上記真空チャンバー1内には、被加工体へ
が配置されているが、この被加工体Aは上記チャンバー
1内において、図示しない駆動源によって必要な方向へ
の駆動、例えば図の場合には上下方向駆動及び回転駆動
し得るようなされている。また上記チャンバー1の一方
の側壁には横向きにプラズマ溶射ガン3が取着されてい
るが、この溶射ガン3によって被加工体Aに溶射を施す
訳である。なお、上記プラズマ溶射ガン3には、電源及
び粉末供給源4が接続されている。そしてさらに上記チ
ャンバー1の側壁の溶射ガン3よりも下方の位置には、
プラス1−ガン5が取着されており、このブラストガン
5にブラスト材供給源6が接続されている。この場合、
ブラスト材としては種々のものを用いることができるが
、具体的にはスチールボール、スチールチップ、ガラス
ピーズ、セラミックス系のプラス1〜材等を挙げること
ができる。また上記溶射ガン3とブラストガン5にはそ
れぞれ、アルゴン等の不活性ガス供給源7が接続されて
おり、不活性ガスを、必要に応じて溶射ガン3とブラス
トガン5とに切換供給し得るようなされている。
次ぎに上記した低圧溶射装置における被処理体Aの処理
手順について説明する。まず被処理体Aをチャンバー1
内に挿入すると共に、該チャンバー1内を所定の真空度
になるまで減圧する。次いでブラストガン5を作動させ
、一方被処理体へを駆動することによって、被処理体A
の表面にブラスト処理を行う。このブラスト処理が終了
すると、次いで溶射ガン3を作動させ、また被処理体A
を駆動することによって被処理体Aの表面に溶射層を形
成し、この溶射処理が終了するとチャンバー1内を大気
圧に戻して被処理体へをチャンバー1から取り出して一
連の処理を完了する。
手順について説明する。まず被処理体Aをチャンバー1
内に挿入すると共に、該チャンバー1内を所定の真空度
になるまで減圧する。次いでブラストガン5を作動させ
、一方被処理体へを駆動することによって、被処理体A
の表面にブラスト処理を行う。このブラスト処理が終了
すると、次いで溶射ガン3を作動させ、また被処理体A
を駆動することによって被処理体Aの表面に溶射層を形
成し、この溶射処理が終了するとチャンバー1内を大気
圧に戻して被処理体へをチャンバー1から取り出して一
連の処理を完了する。
上記においては、被処理体Aは、低圧のチャンバー1内
において、酸素等の有害なガスを含まない不活性雰囲気
下でブラスト処理され、次いでその表面を大気にさらす
ことなく、連続的に低圧溶射を行うことが可能となる。
において、酸素等の有害なガスを含まない不活性雰囲気
下でブラスト処理され、次いでその表面を大気にさらす
ことなく、連続的に低圧溶射を行うことが可能となる。
そのため従来のように汚染された被処理体Aの表面にで
はなく、ln浄な表面に溶射層を形成することが可能と
なり、その結果、溶射層の品質、特に母材と溶射被膜と
の密着性を改善することが可能となる。
はなく、ln浄な表面に溶射層を形成することが可能と
なり、その結果、溶射層の品質、特に母材と溶射被膜と
の密着性を改善することが可能となる。
第2図には低圧溶射装置の変更例を示すが、これはブラ
ストガン5と溶射ガン3とが一体的に形成された形式の
、すなわちプラスト18能を有する溶射ガン8を用いた
装置例である。この場合、他の部分は上記と略同様な構
造であり、同一の部分は同一の符合で示しである。
ストガン5と溶射ガン3とが一体的に形成された形式の
、すなわちプラスト18能を有する溶射ガン8を用いた
装置例である。この場合、他の部分は上記と略同様な構
造であり、同一の部分は同一の符合で示しである。
この装置においても上記装置と同様な一連の処理が可能
であり、品質の優れた溶射被膜を形成することが可能で
ある。
であり、品質の優れた溶射被膜を形成することが可能で
ある。
以上にこの発明の低圧溶射装置の実施例の説明をしたが
、この発明の低圧溶射装置は上記実施例に限定されるも
のではなく、種々変更して実施することが可能でる。例
えば上記においては、プラズマ溶射法を用いた例を示し
ているが、ガス溶射等の他の溶射法を採用することが可
能である。また上記においてはチャンバー内を減圧し、
この状態で不活性ガスを用いてブラスト処理を行う例を
示したが、チャンバー内を減圧せず、予めチャンバー内
に不活性ガスを充填しておき、この状態で不活性ガスを
用いてブラスト処理を行い、その後でチャンバー内を減
圧して溶射を行うという手順を採用することもある。
、この発明の低圧溶射装置は上記実施例に限定されるも
のではなく、種々変更して実施することが可能でる。例
えば上記においては、プラズマ溶射法を用いた例を示し
ているが、ガス溶射等の他の溶射法を採用することが可
能である。また上記においてはチャンバー内を減圧し、
この状態で不活性ガスを用いてブラスト処理を行う例を
示したが、チャンバー内を減圧せず、予めチャンバー内
に不活性ガスを充填しておき、この状態で不活性ガスを
用いてブラスト処理を行い、その後でチャンバー内を減
圧して溶射を行うという手順を採用することもある。
(発明の効果)
この発明の低圧溶射装置は上記のように構成さたもので
あり、したがってこの発明の低圧溶射装置によれば、品
質、特に母材との密着性が改善され、充分な剥離強度を
有する溶射被膜を形成することが可能となる。
あり、したがってこの発明の低圧溶射装置によれば、品
質、特に母材との密着性が改善され、充分な剥離強度を
有する溶射被膜を形成することが可能となる。
第1図はこの発明の低圧溶射装置の一実施例の説明図、
第2図はその変更例の説明図である。 1・・・チャンバー、3.8・・・溶射ガン、5・・・
ブラストガン、A・・・被処理体。 特許出願人 川崎重工業株式会社
第2図はその変更例の説明図である。 1・・・チャンバー、3.8・・・溶射ガン、5・・・
ブラストガン、A・・・被処理体。 特許出願人 川崎重工業株式会社
Claims (1)
- 1、チャンバーと、このチャンバー内に配置された被処
理体に溶射を行うための溶射ガンとを有する低圧溶射装
置において、さらに上記チャンバー内の被処理体にブラ
スト処理を行うためのブラストガンを設けたことを特徴
とする低圧溶射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59085789A JPS60227856A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 低圧溶射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59085789A JPS60227856A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 低圧溶射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60227856A true JPS60227856A (ja) | 1985-11-13 |
JPH0512033B2 JPH0512033B2 (ja) | 1993-02-17 |
Family
ID=13868652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59085789A Granted JPS60227856A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 低圧溶射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60227856A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03505895A (ja) * | 1988-06-06 | 1991-12-19 | オスピレイ.メタルス.リミテッド | スプレイデポジション方法 |
JP2005350748A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Tama Tlo Kk | 密着性に優れた溶射皮膜を形成する溶射方法 |
JP2015171757A (ja) * | 2006-09-11 | 2015-10-01 | エンバイオ リミテッドEnbio Limited | 表面ドーピング方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58116066U (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-08 | 三菱重工業株式会社 | 溶射装置 |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59085789A patent/JPS60227856A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58116066U (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-08 | 三菱重工業株式会社 | 溶射装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03505895A (ja) * | 1988-06-06 | 1991-12-19 | オスピレイ.メタルス.リミテッド | スプレイデポジション方法 |
JP2005350748A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Tama Tlo Kk | 密着性に優れた溶射皮膜を形成する溶射方法 |
JP4649126B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2011-03-09 | 学校法人 中央大学 | 密着性に優れた溶射皮膜を形成する溶射方法 |
JP2015171757A (ja) * | 2006-09-11 | 2015-10-01 | エンバイオ リミテッドEnbio Limited | 表面ドーピング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0512033B2 (ja) | 1993-02-17 |
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