JP2019176126A5 - - Google Patents
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Description
但し、R1〜R8は、それぞれ独立して、アルキル基であり、MはSiであり、R9およびR10は下記一般式(2)〜(5)で表される置換基のうちのいずれか1つである。また、R11〜R13は、それぞれ独立してアルキル基であり、R14〜R18は、それぞれ独立して、アルキル基またはアリール基である。
Claims (19)
- 前記一般式(1)において、R1〜R8は炭素数5以下のアルキル基である、
請求項1に記載の組成物。 - 前記一般式(1)において、
R9およびR10の少なくとも1つは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子または含フッ素基で置換されている、
請求項1または請求項2に記載の組成物。 - 前記一般式(1)において、
R9およびR10は、前記一般式(5)であり、
前記一般式(5)においてR17およびR18は、それぞれ独立してアリール基であり、
少なくとも1つの前記アリール基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子または含フッ素基で置換されている、
請求項4に記載の組成物。 - 前記一般式(5)においてR17およびR18は、それぞれ独立してフェニル基であり、
少なくとも1つの前記フェニル基は、少なくとも一つの水素原子がフッ素原子またはトリフルオロメチル基で置換されている、
請求項5に記載の組成物。 - 前記近赤外光電変換膜のイオン化ポテンシャルは5.1eV以上である、
請求項8に記載の近赤外光電変換素子。 - 前記近赤外光電変換膜における前記組成物の濃度は5重量%以上かつ25重量%以下である、
請求項8または請求項9に記載の近赤外光電変換素子。 - 前記近赤外光電変換膜は、吸収スペクトルにおける吸収極大波長が803nm以上である、
請求項8〜請求項10のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。 - 前記一般式(1)において、R 1 〜R 8 は炭素数5以下のアルキル基である、
請求項8〜請求項11のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。 - 前記一般式(1)において、MはSiまたはSnである、
請求項8〜請求項12のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。 - 前記一般式(1)において、
R 9 およびR 10 の少なくとも1つは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子または含フッ素基で置換されている、
請求項8〜請求項14のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。 - 前記一般式(1)において、
R 9 およびR 10 は、前記一般式(5)であり、
前記一般式(5)においてR 17 およびR 18 は、それぞれ独立してアリール基であり、
少なくとも1つの前記アリール基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子または含フッ素基で置換されている、
請求項8〜請求項15のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子。 - 前記一般式(5)においてR 17 およびR 18 は、それぞれ独立してフェニル基であり、
少なくとも1つの前記フェニル基は、少なくとも一つの水素原子がフッ素原子またはトリフルオロメチル基で置換されている、
請求項16に記載の近赤外光電変換素子。 - 基板と、
前記基板に設けられた電荷検出回路、前記基板上に設けられた光電変換部、および前記電荷検出回路と前記光電変換部とに電気的に接続された電荷蓄積ノードを含む画素と、
を備え、
前記画素の前記光電変換部は請求項8〜請求項18のいずれか一項に記載の近赤外光電変換素子を含む、
撮像装置。
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