JPH1036830A - 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 赤色領域で発光特性が良い有機エレクトロル
ミネッセンス(EL)素子材料により高輝度・高発光効
率、発光劣化が少なく信頼性の高いEL素子を提供す
る。 【解決手段】 ホスト物質に一般式1のフタロシアニン
化合物をドーピングしてなる有機EL素子用発光材料。 [環A1 〜A4 は独立に置換/未置換のシクロアルキル
基、置換/未置換のアリール基または置換/未置換の複
素環基、Xはハロゲン、一般式、−R1、−OR2 、- O
Si(R 3 ,R4 ,R5 )、- OCOR6 、- OCON
(R7 ,R8 )、- OCOCOOR9 、- OCOCOS
R10、- OCOOCON(R11,R12)、- OPZ(R
11,R12)、- OPZ(OR15,OR16)、- OPZ
(SR17,SR18)、- OPZN(R19,R20)N(R
21,R22)の置換基(R1 〜R22は独立に水素(R1 、
R13及びR14の場合を除く)、アルキル基、シクロアル
キル基、アリール基、複素環基である。)、Zは酸素も
しくは硫黄、Mは4価の金属原子を表す。]
ミネッセンス(EL)素子材料により高輝度・高発光効
率、発光劣化が少なく信頼性の高いEL素子を提供す
る。 【解決手段】 ホスト物質に一般式1のフタロシアニン
化合物をドーピングしてなる有機EL素子用発光材料。 [環A1 〜A4 は独立に置換/未置換のシクロアルキル
基、置換/未置換のアリール基または置換/未置換の複
素環基、Xはハロゲン、一般式、−R1、−OR2 、- O
Si(R 3 ,R4 ,R5 )、- OCOR6 、- OCON
(R7 ,R8 )、- OCOCOOR9 、- OCOCOS
R10、- OCOOCON(R11,R12)、- OPZ(R
11,R12)、- OPZ(OR15,OR16)、- OPZ
(SR17,SR18)、- OPZN(R19,R20)N(R
21,R22)の置換基(R1 〜R22は独立に水素(R1 、
R13及びR14の場合を除く)、アルキル基、シクロアル
キル基、アリール基、複素環基である。)、Zは酸素も
しくは硫黄、Mは4価の金属原子を表す。]
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平面光源や表示に使用さ
れる有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関す
るものである。
れる有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】有機物質を使用したEL素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。
【0003】従来の有機EL素子は、無機EL素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は100c
d/m2 、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、
実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、現在
までの有機EL素子は、構成の改善により緑色において
は発光強度は改良されているが、青、赤色は未だ十分な
発光輝度は有していない。
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は100c
d/m2 、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、
実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、現在
までの有機EL素子は、構成の改善により緑色において
は発光強度は改良されているが、青、赤色は未だ十分な
発光輝度は有していない。
【0004】有機EL素子から青色及び赤色発光を得る
ために、発光層をホスト物質にゲスト物質をドープして
作製する技術が開示されている。例えば、発光層中にト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体をホ
スト物質に、クマリン色素もしくはDCM色素を蛍光性
ゲスト物質としてドープした有機EL素子(ジャーナル
・オブ・アプライドフィジクス、65巻、3610ペー
ジ、1989年参照)があるが、これらの有機EL素子
の発光効率は十分ではなかった。また、発光層中にトリ
ス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体をホス
ト物質に、フタロシアニン化合物をドーピングし赤色発
光の有機EL素子が開示されている(特開平07- 28
8284号広報)。しかしながら、これらの有機EL素
子の初期発光効率はいまだ十分でなく、また連続して発
光させた場合の劣化が著しく、実用上大きな問題があっ
た。これは、発光層に少量の蛍光性ゲスト物質をドーピ
ングする技術が困難なこと、および、開示されたフタロ
シアニン化合物では、顔料分子同士が強固に凝集してい
るために、発光層中へ均一にドーピングすることが困難
である。このような理由から、発光層中へ均一にドーピ
ングすることが容易な蛍光性ゲスト材料、および、より
高い発光効率を持ち、繰り返し使用時での安定性の優れ
た有機EL素子の開発が望まれているのが現状である。
ために、発光層をホスト物質にゲスト物質をドープして
作製する技術が開示されている。例えば、発光層中にト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体をホ
スト物質に、クマリン色素もしくはDCM色素を蛍光性
ゲスト物質としてドープした有機EL素子(ジャーナル
・オブ・アプライドフィジクス、65巻、3610ペー
ジ、1989年参照)があるが、これらの有機EL素子
の発光効率は十分ではなかった。また、発光層中にトリ
ス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体をホス
ト物質に、フタロシアニン化合物をドーピングし赤色発
光の有機EL素子が開示されている(特開平07- 28
8284号広報)。しかしながら、これらの有機EL素
子の初期発光効率はいまだ十分でなく、また連続して発
光させた場合の劣化が著しく、実用上大きな問題があっ
た。これは、発光層に少量の蛍光性ゲスト物質をドーピ
ングする技術が困難なこと、および、開示されたフタロ
シアニン化合物では、顔料分子同士が強固に凝集してい
るために、発光層中へ均一にドーピングすることが困難
である。このような理由から、発光層中へ均一にドーピ
ングすることが容易な蛍光性ゲスト材料、および、より
高い発光効率を持ち、繰り返し使用時での安定性の優れ
た有機EL素子の開発が望まれているのが現状である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、赤色
のスペクトル領域で発光効率が高く、繰り返し使用時で
の安定性の優れた有機EL素子の提供にある。本発明者
らが鋭意検討した結果、一般式[1]で示される化合物
の少なくとも一種の有機EL素子材料を少なくとも一層
に使用した有機EL素子の発光効率が高く、繰り返し使
用時での安定性も優れていることを見いだし本発明に至
った。
のスペクトル領域で発光効率が高く、繰り返し使用時で
の安定性の優れた有機EL素子の提供にある。本発明者
らが鋭意検討した結果、一般式[1]で示される化合物
の少なくとも一種の有機EL素子材料を少なくとも一層
に使用した有機EL素子の発光効率が高く、繰り返し使
用時での安定性も優れていることを見いだし本発明に至
った。
【0006】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、ホスト
物質に下記一般式[1]で示されるフタロシアニン化合
物をドーピングしてなる有機エレクトロルミネッセンス
素子用発光材料。 一般式[1]
物質に下記一般式[1]で示されるフタロシアニン化合
物をドーピングしてなる有機エレクトロルミネッセンス
素子用発光材料。 一般式[1]
【0007】
【化4】
【0008】[式中、環A1 〜A4 はそれぞれ独立に、
置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは
未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基を
表す。置換基Xは、ハロゲン原子もしくは一般式[2]
〜[13]で示される置換基(ただし、R1 〜R22はそ
れぞれ独立に、水素原子(ただし、R1 、R13及びR 14
の場合を除く)、置換もしくは未置換のアルキル基、置
換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未
置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基を表
し、Zは酸素原子もしくは硫黄原子を表す。)を表す。
Mは4価の金属原子を表す。]
置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは
未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基を
表す。置換基Xは、ハロゲン原子もしくは一般式[2]
〜[13]で示される置換基(ただし、R1 〜R22はそ
れぞれ独立に、水素原子(ただし、R1 、R13及びR 14
の場合を除く)、置換もしくは未置換のアルキル基、置
換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未
置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基を表
し、Zは酸素原子もしくは硫黄原子を表す。)を表す。
Mは4価の金属原子を表す。]
【0009】
【化5】
【0010】
【化6】
【0011】更に、本発明は、ホスト物質に対して一般
式[1]で表されるフタロシアニン化合物を0.001
及至50重量パーセントドーピングする上記有機エレク
トロルミネッセンス素子よ発光材料である。
式[1]で表されるフタロシアニン化合物を0.001
及至50重量パーセントドーピングする上記有機エレク
トロルミネッセンス素子よ発光材料である。
【0012】更に、本発明は、一対の電極間に発光層を
含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記有
機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
である。
含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記有
機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
である。
【0013】更に、本発明は、発光層と陽極との間に正
孔注入層を形成する上記有機エレクトロルミネッセンス
素子である。
孔注入層を形成する上記有機エレクトロルミネッセンス
素子である。
【0014】更に、本発明は、発光層と陰極との間に電
子注入層を形成する上記有機エレクトロルミネッセンス
素子である。
子注入層を形成する上記有機エレクトロルミネッセンス
素子である。
【0015】本発明における一般式[1]で示される化
合物の環A1 〜A8 はそれぞれ独立に、置換もしくは未
置換のシクロアルキル環、置換もしくは未置換のアリー
ル環、または、置換もしくは未置換の複素環を表す。シ
クロアルキル環の具体例としては、シクロペンタン環、
シクロヘキサン環等があり、アリール環の具体例として
は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェ
ナントレン環、ジフェニルアントラセン環、ピレン環、
フルオレン環等があり、また、複素環の具体例として
は、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジ
ン環、キノキサリン環、ピロリジン環、ジオキサン環、
ピペリジン環、モルフォリン環、フラン環、チオフェン
環等がある。
合物の環A1 〜A8 はそれぞれ独立に、置換もしくは未
置換のシクロアルキル環、置換もしくは未置換のアリー
ル環、または、置換もしくは未置換の複素環を表す。シ
クロアルキル環の具体例としては、シクロペンタン環、
シクロヘキサン環等があり、アリール環の具体例として
は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェ
ナントレン環、ジフェニルアントラセン環、ピレン環、
フルオレン環等があり、また、複素環の具体例として
は、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジ
ン環、キノキサリン環、ピロリジン環、ジオキサン環、
ピペリジン環、モルフォリン環、フラン環、チオフェン
環等がある。
【0016】上記記載の環への置換基の具体的な例を挙
げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−
ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロ
ロメチル基等の置換もしくは未置換のアルキル基、フェ
ニル基、ナフチル基、3ーメチルフェニル基、3ーメト
キシフェニル基、3ーフルオロフェニル基、3ートリク
ロロメチルフェニル基、3ートリフルオロメチルフェニ
ル基、3ーニトロフェニル基等の置換もしくは未置換の
アリール基、トキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブ
トキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキ
シ基、ペンタフルオロプロポキシ基、2,2,3,3−
テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1,3,3,3
−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ基、6−(パーフル
オロエチル)ヘキシルオキシ基等の置換もしくは未置換
のアルコキシ基、フェノキシ基、p−ニトロフェノキシ
基、p−tert−ブチルフェノキシ基、3−フルオロ
フェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、3−トリフ
ルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは未置換のア
リールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ter
t−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、
トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは未置換のア
ルキルチオ基、フェニルチオ基、p−ニトロフェニルチ
オ基、p−tert−ブチルフェニルチオ基、3−フル
オロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、
3−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしく
は未置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミ
ノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチ
ルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノまたはジ置換
アミノ基、ビス(アセトキシメチル)アミノ基、ビス
(アセトキシエチル)アミノ基、ビスアセトキシプロピ
ル)アミノ基、ビス(アセトキシブチル)アミノ基等の
アシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチ
ルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカ
ルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカ
ルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバ
モイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォ
ン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、ナフ
チル基、ビフェニル基、o,m,p−ターフェニル基、
アントラニル基、フェナントレニル基、フルオレニル
基、9−フェニルアントラニル基、9,10−ジフェニ
ルアントラニル基、ピレニル基等のアリール基、ピロー
ル基、ピロリン基、ピラゾール基、ピラゾリン基、イミ
ダゾール基、トリアゾール基、ピリジン基、ピリダジン
基、ピリミジン基、ピラジン基、トリアジン基、インド
ール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、シノ
リン基、キノキサリン基、ベンゾキノリン基、フルオレ
ノン基、ジシアノフルオレン基、カルバゾール基、オキ
サゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チア
ジアゾール基、トリアゾール基、イミダゾール基、ベン
ゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾトリア
ゾール基、ベンゾイミダゾール基、ビスベンゾオキサゾ
ール基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾイミダゾ
ール基、アントロン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチ
オフェン基、アントラキノン基、アクリドン基、フェノ
チアジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、ピペリジン
基、モルフォリン基、ピペラジン基等の複素環基等があ
る。
げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−
ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロ
ロメチル基等の置換もしくは未置換のアルキル基、フェ
ニル基、ナフチル基、3ーメチルフェニル基、3ーメト
キシフェニル基、3ーフルオロフェニル基、3ートリク
ロロメチルフェニル基、3ートリフルオロメチルフェニ
ル基、3ーニトロフェニル基等の置換もしくは未置換の
アリール基、トキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブ
トキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキ
シ基、ペンタフルオロプロポキシ基、2,2,3,3−
テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1,3,3,3
−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ基、6−(パーフル
オロエチル)ヘキシルオキシ基等の置換もしくは未置換
のアルコキシ基、フェノキシ基、p−ニトロフェノキシ
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フェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、3−トリフ
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リールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ter
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トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは未置換のア
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オ基、p−tert−ブチルフェニルチオ基、3−フル
オロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、
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は未置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミ
ノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチ
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モイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォ
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アントラニル基、フェナントレニル基、フルオレニル
基、9−フェニルアントラニル基、9,10−ジフェニ
ルアントラニル基、ピレニル基等のアリール基、ピロー
ル基、ピロリン基、ピラゾール基、ピラゾリン基、イミ
ダゾール基、トリアゾール基、ピリジン基、ピリダジン
基、ピリミジン基、ピラジン基、トリアジン基、インド
ール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、シノ
リン基、キノキサリン基、ベンゾキノリン基、フルオレ
ノン基、ジシアノフルオレン基、カルバゾール基、オキ
サゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チア
ジアゾール基、トリアゾール基、イミダゾール基、ベン
ゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾトリア
ゾール基、ベンゾイミダゾール基、ビスベンゾオキサゾ
ール基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾイミダゾ
ール基、アントロン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチ
オフェン基、アントラキノン基、アクリドン基、フェノ
チアジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、ピペリジン
基、モルフォリン基、ピペラジン基等の複素環基等があ
る。
【0017】一般式[2]〜[13]を構成する置換基
R1 〜R22の代表例としては、メチル基、エチル基、n
−ブチル基、t−ブチル基、ステアリル基、トリクロロ
メチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフ
ルオロエチル基、2,2,3,3−テトラフルオロプロ
ピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル
基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プ
ロピル基、2,2,3,3,4,4−ヘキサフルオロブ
チル基、2−メトキシエチル基等の置換もしくは未置換
のアルキル基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等
の置換もしくは未置換のシクロアルキル基、フェニル
基、ナフチル基、ビフェニル基、p−ニトロフェニル
基、p−t−ブチルフェニル基、ペンタフルオロフェニ
ル基、ピリジン基、ピラジン基、ピリミジン基、ピリダ
ジン基、トリアジン基、インドール基、キノリン機、ア
クリジン基等の置換もしくは未置換のアリール基、ピロ
リジン基、ジオキサン基、ピペリジン基、モルフォリン
基、ピペラジン基等の置換または未置換の複素環などが
あり、これらの置換基R1 〜R22に置換される置換基と
しては、上記記載のアリール基、シクロアルキル基、ア
リールオキシ基、アリールチオ基、複素環基等であって
も良い。又、一般式[9]においてR11およびR 12と
が、一体となって窒素原子を含んで良い5員環または6
員環を形成しても良い。また、中心金属Mは4価の金属
原子であればいずれでも良いが、Si、Sn、Geが望
ましい。
R1 〜R22の代表例としては、メチル基、エチル基、n
−ブチル基、t−ブチル基、ステアリル基、トリクロロ
メチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフ
ルオロエチル基、2,2,3,3−テトラフルオロプロ
ピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル
基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プ
ロピル基、2,2,3,3,4,4−ヘキサフルオロブ
チル基、2−メトキシエチル基等の置換もしくは未置換
のアルキル基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等
の置換もしくは未置換のシクロアルキル基、フェニル
基、ナフチル基、ビフェニル基、p−ニトロフェニル
基、p−t−ブチルフェニル基、ペンタフルオロフェニ
ル基、ピリジン基、ピラジン基、ピリミジン基、ピリダ
ジン基、トリアジン基、インドール基、キノリン機、ア
クリジン基等の置換もしくは未置換のアリール基、ピロ
リジン基、ジオキサン基、ピペリジン基、モルフォリン
基、ピペラジン基等の置換または未置換の複素環などが
あり、これらの置換基R1 〜R22に置換される置換基と
しては、上記記載のアリール基、シクロアルキル基、ア
リールオキシ基、アリールチオ基、複素環基等であって
も良い。又、一般式[9]においてR11およびR 12と
が、一体となって窒素原子を含んで良い5員環または6
員環を形成しても良い。また、中心金属Mは4価の金属
原子であればいずれでも良いが、Si、Sn、Geが望
ましい。
【0018】本発明において、一般式[1]で示される
化合物は、例えば以下の方法により製造することができ
る。下記一般式[14]で示されるフタロニトリル類、
または、下記一般式[15]で示されるイソインドリン
化合物、あるいは、相当するフタル酸無水物類、フタル
イミド類と、一般式[1]中のMで示される金属の各種
金属塩を出発原料として常法により、一般式[16]で
示されるフタロシアニン系化合物を製造できる。式中、
環Aは、一般式[1]で示される、A1 〜A4 に相当す
る。
化合物は、例えば以下の方法により製造することができ
る。下記一般式[14]で示されるフタロニトリル類、
または、下記一般式[15]で示されるイソインドリン
化合物、あるいは、相当するフタル酸無水物類、フタル
イミド類と、一般式[1]中のMで示される金属の各種
金属塩を出発原料として常法により、一般式[16]で
示されるフタロシアニン系化合物を製造できる。式中、
環Aは、一般式[1]で示される、A1 〜A4 に相当す
る。
【0019】
【化7】
【0020】次に、W.K.Kroenkeらによって
報告された一般的手法(Inorg.Chem.,2,
1064,1963年)により、一般式[16]で示さ
れるフタロシアニン系化合物とアルコール、トリアルキ
ルシラノール、アシル化剤、塩化オキザリル誘導体、種
々の置換基を有して良い直鎖、分岐または環状のアルキ
ル基もしくはアリール基を有するクロロホスフィン誘導
体のいずれかと反応させることにより、一般式[1]で
示されるフタロシアニン化合物を製造することができ
る。
報告された一般的手法(Inorg.Chem.,2,
1064,1963年)により、一般式[16]で示さ
れるフタロシアニン系化合物とアルコール、トリアルキ
ルシラノール、アシル化剤、塩化オキザリル誘導体、種
々の置換基を有して良い直鎖、分岐または環状のアルキ
ル基もしくはアリール基を有するクロロホスフィン誘導
体のいずれかと反応させることにより、一般式[1]で
示されるフタロシアニン化合物を製造することができ
る。
【0021】以下に、本発明の化合物の代表例を表1に
具体的に例示するが、本発明は以下の代表例に限定され
るものではない。
具体的に例示するが、本発明は以下の代表例に限定され
るものではない。
【0022】
【表1】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】
【0027】
【0028】
【0029】
【0030】有機EL素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有
しても良い。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光層/
陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極
/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)の多層構成
で積層した有機EL素子がある。この化合物は、ドーピ
ング材料として発光層中にて最適の割合でドーピングす
ることにより、高い発光効率および発光波長の最適な選
択が可能になった。
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有
しても良い。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光層/
陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極
/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)の多層構成
で積層した有機EL素子がある。この化合物は、ドーピ
ング材料として発光層中にて最適の割合でドーピングす
ることにより、高い発光効率および発光波長の最適な選
択が可能になった。
【0031】発光層のホスト物質に、ドーピング材料
(ゲスト物質)として一般式[1]の化合物を使用し
て、赤色領域において発光輝度が高い有機EL素子を得
ることができる。一般式[1]の化合物は、発光層内に
おいて、ホスト物質に対して0.001重量%〜50重
量%の範囲で含有されていることが望ましく、更には
0.01重量%〜5重量%の範囲が効果的である。本発
明の一般式[1]のフタロシアニン化合物は、正孔注入
性材料としても使用可能である。例えば、発光層中で正
孔注入材料としての使用もしくは正孔注入層を構成する
材料として使用することもできる。本発明の一般式
[1]のフタロシアニン化合物は、化学構造中に一般式
[1]で規定したように、軸方向に金属置換基を有して
いるので、スピンコート法等の湿式成膜法では、溶剤へ
の溶解性が高く各層中で均一に存在させることが可能に
なった。従って、発光層中で発光材料にドーピングする
際にも、フタロシアニン同士の凝集が抑えられるために
発光層内に均一に分散することが可能になり、高輝度、
長寿命の有機EL素子を作製するために極めて効果的で
ある。
(ゲスト物質)として一般式[1]の化合物を使用し
て、赤色領域において発光輝度が高い有機EL素子を得
ることができる。一般式[1]の化合物は、発光層内に
おいて、ホスト物質に対して0.001重量%〜50重
量%の範囲で含有されていることが望ましく、更には
0.01重量%〜5重量%の範囲が効果的である。本発
明の一般式[1]のフタロシアニン化合物は、正孔注入
性材料としても使用可能である。例えば、発光層中で正
孔注入材料としての使用もしくは正孔注入層を構成する
材料として使用することもできる。本発明の一般式
[1]のフタロシアニン化合物は、化学構造中に一般式
[1]で規定したように、軸方向に金属置換基を有して
いるので、スピンコート法等の湿式成膜法では、溶剤へ
の溶解性が高く各層中で均一に存在させることが可能に
なった。従って、発光層中で発光材料にドーピングする
際にも、フタロシアニン同士の凝集が抑えられるために
発光層内に均一に分散することが可能になり、高輝度、
長寿命の有機EL素子を作製するために極めて効果的で
ある。
【0032】発光層には、発光材料およびドーピング材
料に加えて、必要があれば正孔注入材料や電子注入材料
を使用することもできる。
料に加えて、必要があれば正孔注入材料や電子注入材料
を使用することもできる。
【0033】有機EL素子は、多層構造にすることによ
り、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことが
できる。また、必要があれば、発光材料、ドーピング材
料、キャリア注入を行う正孔注入材料や電子注入材料を
二種類以上組み合わせて使用することも出来る。また、
正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上
の層構成により形成されても良く、正孔もしくは電子が
効率よく電極から注入され、層中で輸送される素子構造
が選択される。
り、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことが
できる。また、必要があれば、発光材料、ドーピング材
料、キャリア注入を行う正孔注入材料や電子注入材料を
二種類以上組み合わせて使用することも出来る。また、
正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上
の層構成により形成されても良く、正孔もしくは電子が
効率よく電極から注入され、層中で輸送される素子構造
が選択される。
【0034】有機EL素子の陽極に使用される導電性材
料は、4eVより大きな仕事関数を持つものが好適であ
り、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、
ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等
およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板と称さ
れる酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらには
ポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用
いられる。陰極に使用される導電性材料は、4eVより
小さな仕事関数を持つものが好適であり、マグネシウ
ム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、
リチウム、ルテニウム、マンガン等およびそれらの合金
が用いられるが、これらに限定されるものではない。陽
極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により
形成されていても良い。
料は、4eVより大きな仕事関数を持つものが好適であ
り、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、
ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等
およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板と称さ
れる酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらには
ポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用
いられる。陰極に使用される導電性材料は、4eVより
小さな仕事関数を持つものが好適であり、マグネシウ
ム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、
リチウム、ルテニウム、マンガン等およびそれらの合金
が用いられるが、これらに限定されるものではない。陽
極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により
形成されていても良い。
【0035】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエ
ーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂
があげられる。
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエ
ーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂
があげられる。
【0036】本発明に係わる有機EL素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が好適であるが、10nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が好適であるが、10nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。
【0037】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。このような樹脂
としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリ
レート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポ
リスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポ
リチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げるこ
とができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外
線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。このような樹脂
としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリ
レート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポ
リスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポ
リチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げるこ
とができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外
線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
【0038】一般式[1]と併せて使用できるホスト物
質としては、キノリン金属錯体、オキサジアゾール、ベ
ンゾチアゾール金属錯体、ベンゾオキサゾール金属錯
体、ベンゾイミダゾール金属錯体、トリアゾール、イミ
ダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、スチルベ
ン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、ス
チリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフ
ェニルアミンフルオレノン、アントラキノジメタン、ジ
フェノキノン、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレ
ンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アント
ラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体、およ
び、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン等の導電性高
分子の高分子材料等があるが、これらに限定されるもの
ではない。
質としては、キノリン金属錯体、オキサジアゾール、ベ
ンゾチアゾール金属錯体、ベンゾオキサゾール金属錯
体、ベンゾイミダゾール金属錯体、トリアゾール、イミ
ダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、スチルベ
ン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、ス
チリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフ
ェニルアミンフルオレノン、アントラキノジメタン、ジ
フェノキノン、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレ
ンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アント
ラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体、およ
び、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン等の導電性高
分子の高分子材料等があるが、これらに限定されるもの
ではない。
【0039】一般式[1]と共に更なるドーピング物質
を使用して発光色を変化させることも可能となる。一般
式[1]と共に使用されるドーピング物質としては、ア
ントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テ
トラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリ
レン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、
フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジ
エン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジ
アゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビスス
チリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属
錯体、アミノキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエ
チレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、
ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミ
ダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリド
ン、ルブレン等およびそれらの誘導体があるが、これら
に限定されるものではない。
を使用して発光色を変化させることも可能となる。一般
式[1]と共に使用されるドーピング物質としては、ア
ントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テ
トラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリ
レン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、
フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジ
エン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジ
アゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビスス
チリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属
錯体、アミノキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエ
チレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、
ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミ
ダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリド
ン、ルブレン等およびそれらの誘導体があるが、これら
に限定されるものではない。
【0040】正孔注入材料としては、正孔を注入する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
【0041】電子注入材料としては、電子を注入する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオ
キシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾ
ール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメ
タン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの
誘導体があるが、これらに限定されるものではない。ま
た、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電
子供与性物質を添加して増感させることもできる。
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオ
キシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾ
ール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメ
タン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの
誘導体があるが、これらに限定されるものではない。ま
た、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電
子供与性物質を添加して増感させることもできる。
【0042】本発明の一般式[1]の化合物は、発光材
料として、もしくはドーピング材料として発光層内での
使用することが望ましく、発光材料、ドーピング材料、
正孔注入材料および電子注入材料の少なくとも一種が同
一層に含有されてもよい。
料として、もしくはドーピング材料として発光層内での
使用することが望ましく、発光材料、ドーピング材料、
正孔注入材料および電子注入材料の少なくとも一種が同
一層に含有されてもよい。
【0043】本発明により得られた有機EL素子の、温
度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素
子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入
して素子全体を保護することも可能である。
度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素
子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入
して素子全体を保護することも可能である。
【0044】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に
説明する。 実施例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(4
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンを真空蒸
着して、膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、ト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体と化
合物(1)とを100:1の重量比で真空共蒸着して膜
厚50nmの発光層を作成し、その上に、マグネシウム
と銀を10:1で混合した合金で膜厚150nmの膜厚
の電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層、発
光層および陰極は、10-6Torrの真空中で、基板温
度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5Vで
300cd/m2 の赤色発光が得られた。
説明する。 実施例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(4
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンを真空蒸
着して、膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、ト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体と化
合物(1)とを100:1の重量比で真空共蒸着して膜
厚50nmの発光層を作成し、その上に、マグネシウム
と銀を10:1で混合した合金で膜厚150nmの膜厚
の電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層、発
光層および陰極は、10-6Torrの真空中で、基板温
度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5Vで
300cd/m2 の赤色発光が得られた。
【0045】実施例2〜30 フタロシアニン化合物を化合物(2)〜(30)に変え
る以外は実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製し
て発光輝度を測定した。この素子は直流電圧5Vで表2
に示す発光輝度が得られた。図1に実施例17のELス
ペクトルを示す。
る以外は実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製し
て発光輝度を測定した。この素子は直流電圧5Vで表2
に示す発光輝度が得られた。図1に実施例17のELス
ペクトルを示す。
【0046】
【表2】
【0047】比較例1〜3 フタロシアニン化合物物を実施例の化合物から表3に示
すフタロシアニン化合物に変える以外は実施例2〜44
と同様の方法で有機EL素子を作製して発光輝度を測定
した。この素子は直流電圧5Vで表3に示す発光輝度が
得られた。
すフタロシアニン化合物に変える以外は実施例2〜44
と同様の方法で有機EL素子を作製して発光輝度を測定
した。この素子は直流電圧5Vで表3に示す発光輝度が
得られた。
【0048】
【表3】
【0049】実施例31 洗浄したITO電極付きガラス板上に、トリス(8−ヒ
ドロキシキノリン)アルミニウム錯体、フタロシアニン
化合物(27)、N,N' ―ジフェニル―N,N' ―
(3―メチルフェニル)―1,1' ―ビフェニル―4,
4' ―ジアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾールを3:
0.05:2:5の比率でクロロホルムに溶解分散さ
せ、スピンコーティング法により膜厚100nmの発光
層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1で混
合した合金で膜厚150nmの電極を形成して有機EL
素子を得た。発光層および陰極は、10-6Torrの真
空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は
直流電圧5Vで80cd/m2 の赤色発光輝度が得られ
た。
ドロキシキノリン)アルミニウム錯体、フタロシアニン
化合物(27)、N,N' ―ジフェニル―N,N' ―
(3―メチルフェニル)―1,1' ―ビフェニル―4,
4' ―ジアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾールを3:
0.05:2:5の比率でクロロホルムに溶解分散さ
せ、スピンコーティング法により膜厚100nmの発光
層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1で混
合した合金で膜厚150nmの電極を形成して有機EL
素子を得た。発光層および陰極は、10-6Torrの真
空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は
直流電圧5Vで80cd/m2 の赤色発光輝度が得られ
た。
【0050】実施例32 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(4
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンを真空蒸
着して、膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、ト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体とフ
タロシアニン化合物(12)とを100:1の重量比で
蒸着して、膜厚30nmの発光層を作成し、その上に、
マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚10
0nmの電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入
層および発光層は10-6Torrの真空中で、基板温度
室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5Vで1
10cd/m2 の発光輝度が得られた。
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンを真空蒸
着して、膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、ト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体とフ
タロシアニン化合物(12)とを100:1の重量比で
蒸着して、膜厚30nmの発光層を作成し、その上に、
マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚10
0nmの電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入
層および発光層は10-6Torrの真空中で、基板温度
室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧5Vで1
10cd/m2 の発光輝度が得られた。
【0051】実施例33 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(4
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンを真空蒸
着して、膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、ト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体とフ
タロシアニン化合物(2)とを50:1の重量比で蒸着
して、の膜厚30nmの発光層を作成し、さらに真空蒸
着法により[2−(4−tert−ブチルフェニル)−
5−(ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]
の膜厚20nmの電子注入層を得た。その上に、マグネ
シウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚150nm
の電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層、発
光層、電子注入層および陰極は、10-6Torrの真空
中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直
流電圧5Vで約300cd/m2 の発光輝度が得られ
た。
―メチルフェニル)―N,N' ―(4−n−ブチルフェ
ニル)―フェナントレン―9,10―ジアミンを真空蒸
着して、膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、ト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体とフ
タロシアニン化合物(2)とを50:1の重量比で蒸着
して、の膜厚30nmの発光層を作成し、さらに真空蒸
着法により[2−(4−tert−ブチルフェニル)−
5−(ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]
の膜厚20nmの電子注入層を得た。その上に、マグネ
シウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚150nm
の電極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層、発
光層、電子注入層および陰極は、10-6Torrの真空
中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直
流電圧5Vで約300cd/m2 の発光輝度が得られ
た。
【0052】本実施例で示された全ての有機EL素子に
ついて、3mA/cm2 で連続発光させたところ、10
00時間以上安定な発光を観測することができたが、同
条件で作製した比較例の有機EL素子は、500時間以
下の発光時間で初期の発光輝度の半分以下になり、本発
明の有機EL素子の効果は明確であった。本発明の有機
EL素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成
するものであり、併せて使用される発光材料、ドーピン
グ材料、正孔注入材料、電子注入材料、増感剤、樹脂、
電極材料等および素子作製方法を限定するものではな
い。
ついて、3mA/cm2 で連続発光させたところ、10
00時間以上安定な発光を観測することができたが、同
条件で作製した比較例の有機EL素子は、500時間以
下の発光時間で初期の発光輝度の半分以下になり、本発
明の有機EL素子の効果は明確であった。本発明の有機
EL素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成
するものであり、併せて使用される発光材料、ドーピン
グ材料、正孔注入材料、電子注入材料、増感剤、樹脂、
電極材料等および素子作製方法を限定するものではな
い。
【0053】
【発明の効果】本発明により、従来に比べて高輝度であ
り、長寿命の赤色領域で発光特性が良好な有機EL素子
を得ることができた。これは、本発明で示した化合物を
有機EL素子に使用することにより、湿式および乾式成
膜法が容易であり、発光材料に対して均一に存在し、濃
度消光による発光効率の低下も解決でき、高い発光効率
を持つ有機EL素子を容易に作製することが可能になっ
た。
り、長寿命の赤色領域で発光特性が良好な有機EL素子
を得ることができた。これは、本発明で示した化合物を
有機EL素子に使用することにより、湿式および乾式成
膜法が容易であり、発光材料に対して均一に存在し、濃
度消光による発光効率の低下も解決でき、高い発光効率
を持つ有機EL素子を容易に作製することが可能になっ
た。
【図1】 実施例17のEL発光スペクトル
Claims (5)
- 【請求項1】 ホスト物質に下記一般式[1]で示され
るフタロシアニン化合物をドーピングしてなる有機エレ
クトロルミネッセンス素子用発光材料。 一般式[1] 【化1】 [式中、環A1 〜A4 はそれぞれ独立に、置換もしくは
未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリ
ール基、置換もしくは未置換の複素環基を表す。置換基
Xは、ハロゲン原子もしくは一般式[2]〜[13]で
示される置換基(ただし、R1 〜R22はそれぞれ独立
に、水素原子(ただし、R1 、R13及びR 14の場合を除
く)、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは
未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリ
ール基、置換もしくは未置換の複素環基を表し、Zは酸
素原子もしくは硫黄原子を表す。)を表す。Mは4価の
金属原子を示す。] 【化2】 【化3】 - 【請求項2】 ホスト物質に対して一般式[1]で表さ
れるフタロシアニン化合物を0.001及至50重量パ
ーセントドーピングする請求項1記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子用発光材料。 - 【請求項3】 一対の電極間に発光層を含む複数層の有
機化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス
素子において、少なくとも一層が請求項1または2記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層
であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子。 - 【請求項4】 発光層と陽極との間に正孔注入層を形成
することを特徴とする請求項3記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。 - 【請求項5】 発光層と陰極との間に電子注入層を形成
することを特徴とする請求項3ないし4記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8191703A JPH1036830A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8191703A JPH1036830A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1036830A true JPH1036830A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16279082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8191703A Pending JPH1036830A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1036830A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009162792A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Konica Minolta Business Technologies Inc | シアントナー |
JP2011233912A (ja) * | 2004-11-17 | 2011-11-17 | Ube Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101288128B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2013-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 프탈로시아닌기를 포함하는 덴드리머 중합체, 그의제조 방법 및 이를 채용한 유기 전계 발광 소자 |
EP2948463A2 (en) * | 2013-03-11 | 2015-12-02 | Saudi Basic Industries Corporation | Aryloxy-phthalocyanines of group iv metals |
JP2015218125A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | フタロシアニン化合物およびその製造方法 |
CN109976094A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 东友精细化工有限公司 | 着色树脂组合物、滤光片以及显示装置 |
WO2019188118A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 組成物、光電変換素子および撮像装置 |
JP2019176126A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 組成物、近赤外光電変換素子および撮像装置 |
US11158819B2 (en) | 2018-12-27 | 2021-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | P-type organic semiconductor, composition, photoelectric conversion film, photoelectric conversion device, and image sensor |
-
1996
- 1996-07-22 JP JP8191703A patent/JPH1036830A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011233912A (ja) * | 2004-11-17 | 2011-11-17 | Ube Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101288128B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2013-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 프탈로시아닌기를 포함하는 덴드리머 중합체, 그의제조 방법 및 이를 채용한 유기 전계 발광 소자 |
US8586198B2 (en) | 2006-12-11 | 2013-11-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Dendritic molecule containing metal phthalocyanine, method of preparing the same and organic light emitting diode comprising the dendritic molecule |
JP2009162792A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Konica Minolta Business Technologies Inc | シアントナー |
JP2016516013A (ja) * | 2013-03-11 | 2016-06-02 | サウジ ベイシック インダストリーズ コーポレイション | 太陽電池における使用のためのiv族金属のアリールオキシ−フタロシアニン |
EP2948463A2 (en) * | 2013-03-11 | 2015-12-02 | Saudi Basic Industries Corporation | Aryloxy-phthalocyanines of group iv metals |
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CN109976094B (zh) * | 2017-12-27 | 2023-09-15 | 东友精细化工有限公司 | 着色树脂组合物、滤光片以及显示装置 |
WO2019188118A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 組成物、光電変換素子および撮像装置 |
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CN111655701A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-09-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 组合物、光电转换元件及摄像装置 |
US11447639B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-09-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Composition, photoelectric conversion element, and imaging device |
CN111655701B (zh) * | 2018-03-29 | 2024-01-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 组合物、光电转换元件及摄像装置 |
US11158819B2 (en) | 2018-12-27 | 2021-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | P-type organic semiconductor, composition, photoelectric conversion film, photoelectric conversion device, and image sensor |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
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