JP2019169572A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI646691B (zh) * 2017-11-22 2019-01-01 友達光電股份有限公司 主動元件基板及其製造方法
CN112397587B (zh) * 2020-11-23 2022-06-21 江苏大学 一种常开型高电子迁移率晶体管及其制造方法
CN112397586B (zh) * 2020-11-23 2022-06-21 江苏大学 一种常开型硅衬底高电子迁移率晶体管及其制造方法
JP7534269B2 (ja) 2021-07-26 2024-08-14 株式会社東芝 半導体装置
CN115020490A (zh) * 2022-06-24 2022-09-06 西安电子科技大学广州研究院 一种具有非极性沟道的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法
CN116705606A (zh) * 2023-06-29 2023-09-05 润新微电子(大连)有限公司 一种hemt器件及其制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5436474A (en) * 1993-05-07 1995-07-25 Board Of Regents Of The University Of Texas System Modulation doped field effect transistor having built-in drift field
JP4579116B2 (ja) * 2004-09-24 2010-11-10 インターナショナル レクティフィアー コーポレイション パワー半導体デバイス
JP5245305B2 (ja) * 2007-07-06 2013-07-24 サンケン電気株式会社 電界効果半導体装置及びその製造方法
US7851825B2 (en) * 2007-12-10 2010-12-14 Transphorm Inc. Insulated gate e-mode transistors
JP2012156332A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Toshiba Corp 半導体素子
CN103460359A (zh) * 2011-04-05 2013-12-18 住友电气工业株式会社 制造氮化物电子设备的方法
CN103582938A (zh) * 2011-06-03 2014-02-12 住友电气工业株式会社 氮化物电子器件、氮化物电子器件的制作方法
TWI496285B (zh) * 2012-12-07 2015-08-11 Richtek Technology Corp 高電子遷移率電晶體及其製造方法
KR20140110616A (ko) * 2013-03-08 2014-09-17 삼성전자주식회사 고 전자이동도 트랜지스터 소자
JP6229172B2 (ja) * 2013-07-12 2017-11-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置
CN103715086A (zh) * 2013-12-27 2014-04-09 苏州晶湛半导体有限公司 一种增强型器件的制造方法
WO2015122135A1 (ja) * 2014-02-13 2015-08-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体デバイス
US10090406B2 (en) * 2014-09-18 2018-10-02 Infineon Technologies Austria Ag Non-planar normally off compound semiconductor device

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