JP2018098364A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102420080B1 (ko) * 2017-05-19 2022-07-13 삼성디스플레이 주식회사 다채널 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 화소
JP6844845B2 (ja) 2017-05-31 2021-03-17 三国電子有限会社 表示装置
KR102699490B1 (ko) * 2018-06-22 2024-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP7190729B2 (ja) 2018-08-31 2022-12-16 三国電子有限会社 キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子
WO2020059027A1 (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 シャープ株式会社 表示装置
JP7246681B2 (ja) 2018-09-26 2023-03-28 三国電子有限会社 トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置
CN111092093B (zh) * 2018-10-08 2025-02-25 Tcl科技集团股份有限公司 a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组
WO2020161775A1 (ja) * 2019-02-04 2020-08-13 シャープ株式会社 表示装置
JP7190740B2 (ja) 2019-02-22 2022-12-16 三国電子有限会社 エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置
TWI691762B (zh) * 2019-04-18 2020-04-21 友達光電股份有限公司 畫素結構
KR102837643B1 (ko) * 2019-06-14 2025-07-24 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102651064B1 (ko) * 2019-07-30 2024-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11121263B2 (en) * 2019-08-27 2021-09-14 Apple Inc. Hydrogen trap layer for display device and the same
US11915647B2 (en) * 2019-10-02 2024-02-27 Shar Kabushiki Kaisha Display device equipped with current-driven electro-optical elements
CN110993620A (zh) * 2019-12-05 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
JP7444436B2 (ja) 2020-02-05 2024-03-06 三国電子有限会社 液晶表示装置
KR102825010B1 (ko) * 2020-09-25 2025-06-27 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 표시 장치
CN112289854B (zh) * 2020-10-22 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN112530978B (zh) * 2020-12-01 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板
CN112490275B (zh) * 2020-12-03 2023-04-21 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR102850343B1 (ko) * 2021-02-03 2025-08-28 삼성디스플레이 주식회사 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102864989B1 (ko) * 2021-10-12 2025-09-25 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치
CN117643202A (zh) * 2022-06-23 2024-03-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
TWI802478B (zh) * 2022-07-27 2023-05-11 友達光電股份有限公司 主動元件基板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4257971B2 (ja) * 2003-03-27 2009-04-30 独立行政法人産業技術総合研究所 二重ゲート電界効果トランジスタのゲート信号印加方法
JP2007173741A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Sharp Corp Ｐ型薄膜トランジスタ、ｎ型薄膜トランジスタ及び半導体装置
JP4748456B2 (ja) * 2006-09-26 2011-08-17 カシオ計算機株式会社 画素駆動回路及び画像表示装置
JP2009133914A (ja) * 2007-11-28 2009-06-18 Sony Corp 表示装置
US8586979B2 (en) * 2008-02-01 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same
US8681307B2 (en) * 2008-12-19 2014-03-25 Sharp Kabushiki Kaisha Insulated gate transistor, active matrix substrate, liquid crystal display device, and method for producing the same
WO2011048923A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
KR101108176B1 (ko) * 2010-07-07 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 더블 게이트형 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
KR101928897B1 (ko) * 2010-08-27 2018-12-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치, 반도체 장치
US20120298999A1 (en) * 2011-05-24 2012-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102044667B1 (ko) * 2013-05-28 2019-11-14 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR20150061302A (ko) * 2013-11-27 2015-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치
JP6350984B2 (ja) * 2014-04-24 2018-07-04 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP6459271B2 (ja) * 2014-07-23 2019-01-30 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 イメージセンサ及びその駆動方法
CN106298883B (zh) * 2015-06-04 2020-09-15 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法
US10439069B2 (en) * 2015-08-10 2019-10-08 Nlt Technologies, Ltd. Optical sensor element and photoelectric conversion device

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