JP2019169544A - グラフェン含有構造体、半導体装置、およびグラフェン含有構造体の製造方法 - Google Patents
グラフェン含有構造体、半導体装置、およびグラフェン含有構造体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019169544A JP2019169544A JP2018054820A JP2018054820A JP2019169544A JP 2019169544 A JP2019169544 A JP 2019169544A JP 2018054820 A JP2018054820 A JP 2018054820A JP 2018054820 A JP2018054820 A JP 2018054820A JP 2019169544 A JP2019169544 A JP 2019169544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- graphene
- aluminum nitride
- silicon carbide
- containing structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
ソース電極5とドレイン電極6は、例えば、金属電極である。金属電極は、グラフェン層3の炭素と親和性のある、例えば、タングステン(W)である。
2 第1の窒化物半導体層
2a 第1の部分
2b 第2の部分
3 第2の窒化物半導体層
4 グラフェン層
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 ゲート電極
8 絶縁層
100 グラフェン含有構造体
101 半導体装置
Claims (11)
- 炭化珪素半導体層と、
前記炭化珪素半導体層上にあるグラフェン層と、
前記炭化珪素半導体層と前記グラフェン層との間に設けられた第1の窒化アルミニウム層と、
を備えるグラフェン含有構造体。 - 前記第1の窒化アルミニウム層は六方晶系構造を有する請求項1に記載のグラフェン含有構造体。
- 前記グラフェン層と第1の窒化アルミニウム層との間に第2の窒化アルミニウム層をさらに備える請求項1または請求項2に記載のグラフェン含有構造体。
- 前記第2の窒化アルミニウム層は菱面体晶系構造を有する請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のグラフェン含有構造体。
- 前記グラフェン層の幅は1nm以上である請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のグラフェン含有構造体。
- 前記第2の窒化アルミニウム層の厚さは0nmより大きく1nm以下である請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のグラフェン含有構造体。
- 前記第1の窒化アルミニウム層の厚さは2nm以上105nm以下である請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のグラフェン含有構造体。
- 前記第1の第1の窒化アルミニウム層は前記グラフェン層及び前記第2の窒化アルミの窒化アルミニウム層の側面に延出している請求項1記載のグラフェン構造体。
- 炭化珪素半導体層と、
前記炭化珪素半導体層上にあるグラフェン層と、
前記炭化珪素半導体層上にあり、前記グラフェン層と隣接する第1の窒化アルミニウム層と、
前記グラフェン層上にある、ソース電極およびドレイン電極と、
前記グラフェン層上にある絶縁層と、
前記絶縁層上にあるゲート電極と、
を備える半導体装置。 - 炭化珪素熱分解法により、炭化珪素半導体層上にグラフェン層を形成する工程と、
有機金属気相成長法により、前記炭化珪素半導体層と前記グラフェン層との間に菱面体構造の窒化アルミニウム層を形成する工程と、
を備えるグラフェン含有構造体の製造方法。 - 有機金属気相成長法により、前記菱面体構造の窒化アルミニウム層と前記炭化珪素半導体層の間に六方晶系構造の窒化アルミニウム層を形成する工程をさらに備える請求項10に記載のグラフェン含有構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018054820A JP6774452B2 (ja) | 2018-03-22 | 2018-03-22 | グラフェン含有構造体、半導体装置、およびグラフェン含有構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018054820A JP6774452B2 (ja) | 2018-03-22 | 2018-03-22 | グラフェン含有構造体、半導体装置、およびグラフェン含有構造体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019169544A true JP2019169544A (ja) | 2019-10-03 |
JP6774452B2 JP6774452B2 (ja) | 2020-10-21 |
Family
ID=68106859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018054820A Active JP6774452B2 (ja) | 2018-03-22 | 2018-03-22 | グラフェン含有構造体、半導体装置、およびグラフェン含有構造体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6774452B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021169167A (ja) * | 2020-04-15 | 2021-10-28 | 住友電気工業株式会社 | 積層体および電子素子 |
JP7063495B1 (ja) | 2020-10-30 | 2022-05-09 | 音羽電機工業株式会社 | 電界強度を測定可能なセンサ装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335532A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hokkaido Univ | グラフェン集積回路 |
JP2010021377A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Hitachi Ltd | 電子デバイス,受光・発光デバイス、それを用いた電子集積回路および光集積回路 |
JP2011066427A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 電子デバイス |
JP2014090065A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物系半導体エピタキシャルウエハ及び窒化物系電界効果型トランジスタ |
WO2017029470A1 (en) * | 2015-08-14 | 2017-02-23 | Simon Charles Stewart Thomas | A method of producing a two-dimensional material |
-
2018
- 2018-03-22 JP JP2018054820A patent/JP6774452B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335532A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hokkaido Univ | グラフェン集積回路 |
JP2010021377A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Hitachi Ltd | 電子デバイス,受光・発光デバイス、それを用いた電子集積回路および光集積回路 |
JP2011066427A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 電子デバイス |
JP2014090065A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物系半導体エピタキシャルウエハ及び窒化物系電界効果型トランジスタ |
WO2017029470A1 (en) * | 2015-08-14 | 2017-02-23 | Simon Charles Stewart Thomas | A method of producing a two-dimensional material |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021169167A (ja) * | 2020-04-15 | 2021-10-28 | 住友電気工業株式会社 | 積層体および電子素子 |
JP7443905B2 (ja) | 2020-04-15 | 2024-03-06 | 住友電気工業株式会社 | 積層体および電子素子 |
JP7063495B1 (ja) | 2020-10-30 | 2022-05-09 | 音羽電機工業株式会社 | 電界強度を測定可能なセンサ装置 |
JP2022073270A (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-17 | 音羽電機工業株式会社 | 電界強度を測定可能なセンサ装置 |
JP2022075715A (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-18 | 音羽電機工業株式会社 | 電界強度を測定可能なセンサ装置及びセンサ装置を用いて外部電界の向きを判定する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6774452B2 (ja) | 2020-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8410525B2 (en) | Compound semiconductor substrate and device therewith | |
JP5545713B2 (ja) | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス | |
JP5572976B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7619257B2 (en) | Devices including graphene layers epitaxially grown on single crystal substrates | |
JP5041701B2 (ja) | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ | |
JP5242156B2 (ja) | Iii−v族窒化物系化合物半導体装置、及び電極形成方法 | |
CN110875387B (zh) | 半导体器件和用于形成半导体器件的方法 | |
JP2000252458A (ja) | 半導体素子 | |
TWI520341B (zh) | GaN半導體裝置及其形成方法 | |
JP7013710B2 (ja) | 窒化物半導体トランジスタの製造方法 | |
JP6933466B2 (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
JP2000294768A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2007095858A (ja) | 化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイス | |
JP2016207748A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP4276135B2 (ja) | 窒化物半導体成長用基板 | |
JP6774452B2 (ja) | グラフェン含有構造体、半導体装置、およびグラフェン含有構造体の製造方法 | |
JP4888537B2 (ja) | Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス | |
JP6173493B2 (ja) | 半導体素子用のエピタキシャル基板およびその製造方法 | |
JP5223201B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2007088252A5 (ja) | ||
JP5460751B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014022698A (ja) | 窒化物半導体成長用Si基板およびそれを用いた電子デバイス用エピタキシャル基板およびそれらの製造方法 | |
JP2012064977A (ja) | Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス | |
JP2003197645A (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
CN112447841B (zh) | 一种高电子迁移率晶体管及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180831 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20190125 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201002 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6774452 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |