JP2022075715A - 電界強度を測定可能なセンサ装置及びセンサ装置を用いて外部電界の向きを判定する方法 - Google Patents
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 236
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 38
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 23
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 266
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101150098265 TDP2 gene Proteins 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
11 基板
11A 第1面
11B 第2面
12 電気絶縁層
12A 第1領域
12B 第2領域
13 格子整合層
13A 窒化ホウ素層
14 チャネル層
141 チャネル領域
14A グラフェン層
15 ゲート絶縁層
15A 窒化ホウ素層
16 ゲート電極
17 ソース電極
18 ドレイン電極
19 電気絶縁層
20 ゲート電極
21 遮蔽層
22 ゲート絶縁層
23 格子整合層
30 マスク
50 コンピュータ
51 プロセッサ
52 メモリ
53 インタフェース
54 出力部
Claims (12)
- 外部電界の電界強度を測定可能なセンサ装置であって、
基板と、
前記基板上に配置される電気絶縁層であって、平面視で第1領域及び第2領域を有する電気絶縁層と、
前記電気絶縁層の前記第1領域上に配置され、第1の材料により形成される一又は複数の原子層により形成される格子整合層と、
前記格子整合層上に配置され、チャネル領域を有し、グラフェンの単原子層又は複数の原子層を有するチャネル層と、
前記チャネル層上に配置され、第2の材料により形成される一又は複数の原子層により形成されるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に配置されるゲート電極と、
前記チャネル領域を挟んで対向するように前記チャネル層上に配置される一対のソース電極及びドレイン電極と、
を備えることを特徴とするセンサ装置。 - 前記格子整合層又は前記ゲート絶縁層は、グラフェンとの格子不整合度が10%以下である、請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記第1の材料又は前記第2の材料は、六方晶系の窒化ホウ素、二硫化モリブデン又は二硫化タングステンである、請求項1又は2に記載のセンサ装置。
- 前記格子整合層又は前記ゲート絶縁層の厚さは、1~10原子層の範囲にある、請求項1~3の何れか一項に記載のセンサ装置。
- 前記チャネル層は、グラフェンの1層~10層を有する、請求項1~4の何れか一項に記載のセンサ装置。
- 前記基板における前記電気絶縁層が配置される面とは反対側の面上に第2の電気絶縁層が配置される、請求項1~5の何れか一項に記載のセンサ装置。
- 外部電界の電界強度を測定可能なセンサ装置であって、
第1面及び第2面を有する基板と、
前記第1面上に配置される電気絶縁層であって、平面視で第1領域と第2領域を有する電気絶縁層と、
前記電気絶縁層の前記第1領域上に配置され、第1の材料により形成される一又は複数の原子層により形成されるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に配置され、チャネル領域を有し、グラフェンの単原子層又は複数の原子層を有するチャネル層と、
前記チャネル層上に配置され、第2の材料により形成される一又は複数の原子層により形成される格子整合層と、
前記チャネル領域を挟んで対向するように前記チャネル層上に配置される一対のソース電極及びドレイン電極と、
前記チャネル領域と対応する前記第2面上の領域に配置されるゲート電極と、
を備えることを特徴とするセンサ装置。 - 両極性のトランジスタを有し外部電界の電界強度を測定可能なセンサ装置を用いて外部電界の向きを判定する方法であって、
外部電界が加えられていない時に前記センサ装置を用いて測定されたドレイン電流とゲート電圧との関係において、ドレイン電流が最小値を示す電荷中性点ゲート電圧よりも大きい第1ゲート電圧における第1ドレイン電流値と、前記電荷中性点ゲート電圧よりも小さい第2ゲート電圧における第2ドレイン電流値と、外部電界が加えられている時に前記センサ装置を用いて測定された前記第1ゲート電圧における第3ドレイン電流値と、前記第2ゲート電圧における第4ドレイン電流値とが、
前記第3ドレイン電流値が前記第4ドレイン電流値よりも大きいか、又は、前記第3ドレイン電流値が前記第1ドレイン電流値よりも大きく、且つ、前記第2ドレイン電流値が前記第4ドレイン電流値よりも大きい関係を満たす場合、外部電界の向きは外部から前記センサ装置へ向かう向きであると判定し、
前記第4ドレイン電流値が前記第3ドレイン電流値よりも大きいか、又は、前記第1ドレイン電流値が前記第3ドレイン電流値よりも大きく、且つ、前記第4ドレイン電流値が前記第2ドレイン電流値よりも大きい関係を満たす場合、外部電界の向きは前記センサ装置から外部へ向かう向きであると判定することをプロセッサが実行することを特徴とすることを特徴とする方法。 - 両極性のトランジスタを有し外部電界の電界強度を測定可能なセンサ装置を用いて外部電界の向きを判定する方法であって、
外部電界が加えられていない時に前記センサ装置を用いて測定されたドレイン電流とゲート電圧との関係において、ドレイン電流が最小値を示す電荷中性点ゲート電圧よりも大きい第1ゲート電圧における第1ドレイン電流値と、外部電界が加えられている時に前記センサ装置を用いて測定された前記第1ゲート電圧における第3ドレイン電流値と、前記第1ゲート電圧よりも大きい第2ゲート電圧における第4ドレイン電流値とが、
前記第3ドレイン電流値が前記第1ドレイン電流値よりも大きく、且つ、前記第4ドレイン電流値が前記第3ドレイン電流値よりも大きい関係を満たす場合、外部電界の向きは外部から前記センサ装置へ向かう向きであると判定し、
前記第1ドレイン電流値が前記第3ドレイン電流値よりも大きいか、又は、前記第3ドレイン電流値が前記第4ドレイン電流値よりも大きい関係を満たす場合、外部電界の向きは前記センサ装置から外部へ向かう向きであると判定することをプロセッサが実行することを特徴とする方法。 - 両極性のトランジスタを有し外部電界の電界強度を測定可能なセンサ装置を用いて外部電界の向きを判定する方法であって、
外部電界が加えられていない時に前記センサ装置を用いて測定されたドレイン電流とゲート電圧との関係において、ドレイン電流が最小値を示す電荷中性点ゲート電圧よりも小さい第1ゲート電圧における第1ドレイン電流値と、前記第1ゲート電圧よりも小さい第2ゲート電圧における第2ドレイン電流値と、外部電界が加えられている時に前記センサ装置を用いて測定された前記第1ゲート電圧における第3ドレイン電流値と、前記第1ゲート電圧よりも小さい前記第2ゲート電圧における第4ドレイン電流値とが、
前記第3ドレイン電流値が前記第1ドレイン電流値よりも大きく、且つ、前記第4ドレイン電流値が前記第2ドレイン電流値よりも大きい関係を満たさない場合、外部電界の向きは外部から前記センサ装置へ向かう向きであると判定し、
前記第3ドレイン電流値が前記第1ドレイン電流値よりも大きく、且つ、前記第4ドレイン電流値が前記第2ドレイン電流値よりも大きい関係を満たす場合、外部電界の向きは前記センサ装置から外部へ向かう向きであると判定することをプロセッサが実行することを特徴とする方法。 - 両極性トランジスタを有し、外部電界の電界強度を測定可能なセンサ装置を用いて外部からセンサ装置に加えられる外部電界の向きを判定する方法であって、
外部電界が加えられていない時に前記センサ装置を用いて測定されたドレイン電流とゲート電圧との関係においてドレイン電流が最小値を示す第1電荷中性点ゲート電圧が、外部電界が加えられている時に前記センサ装置を用いて測定されたドレイン電流とゲート電圧との関係においてドレイン電流が最小値を示す第2電荷中性点ゲート電圧よりも大きい場合、外部電界の向きは外部から前記センサ装置へ向かう向きであると判定し、前記第2電荷中性点ゲート電圧が前記第1電荷中性点ゲート電圧よりも大きい場合、外部電界の向きは前記センサ装置から外部へ向かう向きであると判定することをプロセッサが実行することを特徴とする方法。 - 前記センサ装置として、請求項1~7の何れか一項に記載のセンサ装置を用いる請求項8~11の何れか一項に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022031149A JP2022075715A (ja) | 2020-10-30 | 2022-03-01 | 電界強度を測定可能なセンサ装置及びセンサ装置を用いて外部電界の向きを判定する方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020183149A JP7063495B1 (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 電界強度を測定可能なセンサ装置 |
JP2022031149A JP2022075715A (ja) | 2020-10-30 | 2022-03-01 | 電界強度を測定可能なセンサ装置及びセンサ装置を用いて外部電界の向きを判定する方法 |
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---|---|---|---|
JP2020183149A Division JP7063495B1 (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 電界強度を測定可能なセンサ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022075715A true JP2022075715A (ja) | 2022-05-18 |
JP2022075715A5 JP2022075715A5 (ja) | 2022-10-21 |
Family
ID=81534477
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020183149A Active JP7063495B1 (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 電界強度を測定可能なセンサ装置 |
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---|---|---|---|
JP2020183149A Active JP7063495B1 (ja) | 2020-10-30 | 2020-10-30 | 電界強度を測定可能なセンサ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7063495B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2020
- 2020-10-30 JP JP2020183149A patent/JP7063495B1/ja active Active
-
2022
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JP7063495B1 (ja) | 2022-05-09 |
JP2022073270A (ja) | 2022-05-17 |
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