JP2019164095A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】診断時間を短縮する。【解決手段】半導体集積回路は、メモリと、自己テスト回路と、メモリ出力解析回路と、を備える。メモリ出力解析回路は、第1回路と、第2回路と、第3回路とを備える。第1回路は、メモリから順次出力されたデータと期待値との比較に基づいて第1の故障の有無を判定する。第2回路は、第1回路によって第1の故障が検出された場合、第1の故障がアドレス方向に連続する第2の故障に該当するか否かを判定し、第1の故障が第2の故障に該当すると判定した場合、第1信号を出力する。第3回路は、第1信号が出力されている間、第2の故障の他に第2の故障に該当しない第3の故障が発生したか否かを判定し、第3の故障が発生したと判定した場合、第2信号を出力する。自己テスト回路は、第1信号および第2信号に少なくとも基づいて、テストを中断するか否かを決定する。【選択図】図6
Description
本実施形態は、半導体集積回路に関する。
メモリを含む半導体集積回路に組み込み自己テスト(Built-In Self Test、以下BISTという)回路を組み込み、BIST回路を用いてBISTを行い、メモリの故障有無の判別、故障箇所の特定が行われている。
一つの実施形態は、診断時間を短縮できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、半導体集積回路は、メモリと、自己テスト回路と、メモリ出力解析回路と、を備える。自己テスト回路は、メモリに行毎にデータを書き込んで出力させるとともに期待値を出力する。メモリ出力解析回路は、第1回路と、第2回路と、第3回路とを備える。第1回路は、メモリから順次出力されたデータと期待値との比較に基づいて第1の故障の有無を判定する。第2回路は、第1回路によって第1の故障が検出された場合、第1の故障がアドレス方向に連続する第2の故障に該当するか否かを判定し、第1の故障が第2の故障に該当すると判定した場合、第1信号を出力する。第3回路は、第1信号が出力されている間、第2の故障の他に第2の故障に該当しない第3の故障が発生したか否かを判定し、第3の故障が発生したと判定した場合、第2信号を出力する。自己テスト回路は、第1信号および第2信号に少なくとも基づいて、テストを中断するか否かを決定する。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体集積回路を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
図1は、実施形態に係る半導体集積回路の概略構成を示す図である。この半導体集積回路1000はBIST回路100およびメモリカラー120を有する。BIST回路100はBIST制御回路101、データ生成器102、アドレス生成器103、制御信号生成器104、結果解析器105、診断データ保存回路106を有する。
図1は、実施形態に係る半導体集積回路の概略構成を示す図である。この半導体集積回路1000はBIST回路100およびメモリカラー120を有する。BIST回路100はBIST制御回路101、データ生成器102、アドレス生成器103、制御信号生成器104、結果解析器105、診断データ保存回路106を有する。
メモリカラー120はBIST対象となるメモリ121、メモリ出力解析回路122を有する。
BIST回路100において、BIST制御回路101、データ生成器102、アドレス生成器103、制御信号生成器104、結果解析器105、診断データ保存回路106にクロック信号およびリセット信号113が入力される。
結果解析器105から出力されるBIST結果117が外部テスト装置130に与えられる。外部テスト装置130は、シフト入力115とシフト出力127とが接続されており、各種レジスタによって構成されたシフト入力115からシフト出力127までのシフトパス(後述する)のシフト制御を実行する。外部テスト装置130は、シフトクロック114およびシフトイネーブル信号116を用いてシフト制御を実行する。
クロック信号およびリセット信号113はメモリ121およびメモリ出力解析回路122にも入力される。診断データ保存回路106およびメモリ出力解析回路122にはシフトクロック114も入力される。
BIST制御回路101は、メモリ出力解析回路122から出力される不良フラグ信号220、連続不良フラグ信号221、および別不良フラグ信号222を、結果解析器105を介して取得する。BIST制御回路101は、取得した不良フラグ信号220、連続不良フラグ信号221、および別不良フラグ信号222に基づいて、BISTの実行、中断、および再開を含めた診断のシーケンスを制御する。
診断のシーケンスでは、BIST制御回路101が、データ生成器102、アドレス生成器103、制御信号生成器104、結果解析器105、診断データ保存回路106の動作を制御し、各種処理を行うために必要な信号を順次生成させる。
データ生成器102にて生成された書き込みデータ107、アドレス生成器103にて生成されたアドレスデータ109、制御信号生成器104にて生成されたメモリ制御信号110がそれぞれメモリ121に与えられる。これによりメモリ121にデータが書き込まれる。
また、制御信号生成器104にて生成されたメモリ制御信号110に応じて、メモリ121からデータ(出力データ201)が出力される。出力データ201はメモリ出力解析回路122に入力される。
また、メモリ出力解析回路122はデータ生成器102にて生成された書き込みデータ107と同一のデータ期待値108が与えられ、メモリ121から出力された出力データ201がデータ期待値108と一致するか、すなわち正常か不良かが判定される。
次に、図2および図3を参照して、メモリ出力解析回路122の構成例を説明する。図2は、実施形態に係る、メモリ出力解析回路122が有する構成要素と、各構成要素間の配線と、の一例を示す図である。図3は、実施形態に係るメモリ出力解析回路122が各構成要素の構成の一例を示す図である。
図2に示されるように、メモリ出力解析回路122は、出力比較回路ブロック140、連続不良判断回路ブロック150、および別不良判断回路ブロック160を有する。出力比較回路ブロック140、連続不良判断回路ブロック150、および別不良判断回路ブロック160は、クロック信号およびリセット信号113が共通に入力され、これらの信号に基づいて動作する。
出力比較回路ブロック140には、出力データ201、データ期待値108、および抑制信号126が入力される。
図3に示されるように、出力比較回路ブロック140は、出力データレジスタ141、不良フラグレジスタ142、および第1処理回路143を有する。
出力比較回路ブロック140に入力された出力データ201は、出力データレジスタ141に取り込まれる。第1処理回路143は、出力データレジスタ141に取り込まれた出力データ201とデータ期待値108とを比較する。
第1処理回路143は、第1処理回路143による比較の結果に基づいて、故障(不良)が検出されたか否かを示す不良フラグを操作する。
第1処理回路143による比較の方法や、不良フラグの操作の具体的な方法は、特定の方法に限定されない。不良フラグの論理は、任意に設定可能である。
ここでは一例として、論理「1」の不良フラグは故障が検出されたことを示すこととする。不良フラグの論理を「1」とすることを、不良フラグを立てる、と表記することがある。また、論理「0」の不良フラグは故障が検出されていないことを示すこととする。不良フラグの論理を「0」とすることを、不良フラグを下ろす、と表記することがある。
その場合、第1処理回路143は、例えば、出力データ201とデータ期待値108とで排他的論理和のビット演算を実行する。排他的論理和のビット演算によって、出力データ201とデータ期待値108とで値が異なるビットを「1」とし、出力データ201とデータ期待値108とで値が同一であるビットを「0」とした、出力データ201およびデータ期待値108と同一のビット幅のデータ(比較結果データ)が得られる。
出力データ201とデータ期待値108とで値が異なるビットを「1」とし、出力データとデータ期待値108とで値が同一であるビットを「0」としたデータは、本明細書では、故障した位置を示したデータという意味で、故障パタンとも称される。
第1処理回路143は、さらに、比較結果データ(故障パタン)の全ビットの論理和を演算する。これにより、出力データ201とデータ期待値108とで値が異なるビットが存在する場合には「1」とし、出力データ201とデータ期待値108とで値が異なるビットが存在しない場合には「0」とした1ビットのデータが得られる。第1処理回路143は、論理和の演算結果を不良フラグとして不良フラグレジスタ142に格納する。
これにより、出力データ201とデータ期待値108とで値が異なるビットが存在する場合には、不良フラグの論理を「1」とし、出力データ201とデータ期待値108とで値が異なるビットが存在しない場合には、不良フラグの論理を「0」とすることができる。
不良フラグレジスタ142は、不良フラグを不良フラグ信号220として出力する。
なお、第1処理回路143は、抑制信号126が抑制指示を示す場合、故障の検出の処理をスキップする。第1処理回路143は、抑制信号126が非抑制指示を示す論理である場合、出力データとデータ期待値108との比較結果に応じて不良フラグの値を決定することができる。
抑制信号126に関しては、抑制指示を示す論理および非抑制指示を示す論理は、任意に設定され得る。
図2に示されるように、第1処理回路143によって得られた比較結果データ(比較結果データ230)、即ち故障パタンは、連続不良判断回路ブロック150にも入力される。
図3に示されるように、連続不良判断回路ブロック150は、故障パタンレジスタ151、連続不良フラグレジスタ152、および第2処理回路153を有する。
不良フラグが論理「0」から論理「1」になると、連続不良判断回路ブロック150に入力された比較結果データ230は、故障パタンレジスタ151に保存される。
第2処理回路153は、比較結果データ230が故障パタンレジスタ151に保存された後に新たに比較結果データ230が送られてきたとき、故障パタンレジスタ151に保存された比較結果データ230(以降、保存パタンと表記する)と新たに送られてきた比較結果データ230とを比較する。
そして、第2処理回路153は、保存パタンと新たに送られてきた比較結果データ230との比較に基づいて、連続不良が発生しているか否かを示す連続不良フラグを操作する。
ここで、BISTは、メモリ121の行毎に実行される。即ち、メモリ121の1つの行に対してテストが行われた後、テスト位置が、アドレスが後続する次の行に進められる。
よって、故障が検出されている場合において、保存パタンによって示される故障位置が、新たに送られてきた比較結果データ230が示す故障位置に一致することは、故障位置がアドレス方向(ロウ方向)に連続する連続不良が発生していることを意味する。
第2処理回路153は、保存パタンにおいて「1(故障)」となっている全てのビットが、新たに送られてきた比較結果データ230の対応するビットにおいても「1」となっている場合、連続不良フラグを連続不良が発生している旨を示す論理とする。
連続不良フラグの論理は、任意に設定可能である。ここでは、論理「1」の連続不良フラグは連続不良が発生していることを示すこととする。連続不良フラグの論理を「1」とすることを、連続不良フラグを立てる、と表記することがある。また、論理「0」の連続不良フラグは連続不良が発生していないことを示すこととする。連続不良フラグの論理を「0」とすることを、連続不良フラグを下ろす、と表記することがある。
これによって、連続不良フラグが立っている間、故障パタンレジスタ151に保存されている故障パタンは、アドレス方向に連続する故障の位置を示すパタン(連続不良パタン)と見なされ得る。
連続不良フラグは、故障が検出されなかった場合に下ろされる。
連続不良フラグレジスタ152は、連続不良フラグを保持する。連続不良フラグレジスタ152は、連続不良フラグを連続不良フラグ信号221として出力する。
第2処理回路153は、さらに、故障パタンレジスタ151に故障パタン(連続不良パタン)が保存されている場合に、新たに送られてきた比較結果データ230と連続不良パタンとの差分を演算する。これによって、連続不良を構成する故障とは別の位置に新たに故障が発生した場合、当該新たに発生した故障の位置に対応したビットを「1」とし、その他のビットを「0」としたデータ(比較結果差分データ)が得られる。
第2処理回路153によって得られた比較結果差分データは、図2に示されるように、比較結果差分データ231として別不良判断回路ブロック160に入力される。
別不良判断回路ブロック160は、図3に示されるように、別不良パタンレジスタ161、別不良フラグレジスタ162、および第3処理回路163を有する。
別不良判断回路ブロック160に入力された比較結果差分データ231は、別不良パタンレジスタ161に取り込まれる。
また、別不良判断回路ブロック160に入力された比較結果差分データ231は、第3処理回路163にも入力される。第3処理回路163は、入力された比較結果差分データ231に基づき、連続不良を構成する故障とは別の故障(別不良)が検出されたか否かを示す別不良フラグを操作する。
別不良フラグの論理は、任意に設定可能である。ここでは一例として、論理「1」の別不良フラグは別不良が検出されたことを示すこととする。別不良フラグの論理を「1」とすることを、別不良フラグを立てる、と表記することがある。また、論理「0」の別不良フラグは別不良が検出されていないことを示すこととする。別不良フラグの論理を「0」とすることを、別不良フラグを下ろす、と表記することがある。
その場合、第3処理回路163は、例えば、入力された比較結果差分データ231の全ビットの論理和を演算する。これによって、別不良が存在する場合には「1」とし、別不良が存在しない場合には「0」とした1ビットのデータが得られる。
別不良フラグレジスタ162は、別不良フラグを保持する。別不良フラグレジスタ162は、別不良フラグを別不良フラグ信号222として出力する。
出力データレジスタ141、不良フラグレジスタ142、故障パタンレジスタ151、連続不良フラグレジスタ152、別不良パタンレジスタ161、および別不良フラグレジスタ162は、シフトイネーブル信号116が例えば論理「1」となることにより、シフトモードに移行する。シフトモードについては後述する。
図4は、実施形態に係る診断データ保存回路106が有する構成要素の一例を示す図である。本図に示されるように、診断データ保存回路106は、アドレスレジスタ240、状態レジスタ241、および抑制回路242を備える。
診断データ保存回路106には、アドレス生成器103から出力されるアドレス信号112およびBIST制御回路101から出力されるBIST状態信号111が入力される。また、診断データ保存回路106は、メモリ出力解析回路122から出力される不良フラグ信号220が入力される。
抑制回路242は、アドレス信号112をアドレスレジスタ240に、BIST状態信号111を状態レジスタ241に取り込む。そして、抑制回路242は、BISTが中断した際、アドレスレジスタ240および状態レジスタ241を更新できない状態とする。これにより、BISTの中断時におけるテスト位置と、その時のBISTの状態と、が保存される。
その後、抑制回路242は、BIST制御回路101によってBISTが再開(メモリ121の先頭位置から再開)すると、抑制信号126として、抑制指示を示す論理(例えば「0」)を出力する。
BISTの再開後、抑制回路242は、逐次入力されるアドレス信号112とアドレスレジスタ240に保存されたアドレスデータとを比較する。同様に、抑制回路242は、逐次入力されるBIST状態信号111と状態レジスタ241に保存された状態データとを比較する。
抑制回路242は、入力されたアドレス信号112とアドレスレジスタ240に保存されたアドレスデータとが一致し、入力されたBIST状態信号111と状態レジスタ241に保存された状態データとが一致した場合、抑制信号126として、非抑制指示を示す論理(例えば「1」)を出力する。
つまり、抑制回路242は、故障が検出されて、BISTが最初から再開した場合、テスト位置が最後に故障が検出された位置に到達するまで、故障の検出を抑制する。
アドレスレジスタ240および状態レジスタ241は、シフトイネーブル信号116が例えば論理「1」となることにより、シフトモードに移行する。
図5は、実施形態に係る各レジスタによって構成されるシフトレジスタの一例を説明するための図である。シフトモードでは、図5に示されるように、アドレスレジスタ240、状態レジスタ241、出力データレジスタ141、不良フラグレジスタ142、故障パタンレジスタ151、連続不良フラグレジスタ152、別不良パタンレジスタ161、および別不良フラグレジスタ162は、シフト入力115からシフト出力127までのシフトレジスタを構成する。
シフトモードでは、各レジスタは、自身が保持している内容を、シフトクロック114に応じてシフトアウトする。
なお、このシフトレジスタは、循環的なシフトパスを構成する。故障情報の出力時には、このシフトパスを使用し、これらのレジスタの値をシフトアウトする。シフトパスが循環的に構成されているので、各レジスタは、シフトアウト終了時に、BISTの中断時の状態に復帰することができる。
また、故障検出時におけるアドレス信号112、BIST状態信号111、メモリ121からの出力、不良フラグ、連続不良パタン、連続不良フラグ、別不良パタン、別不良フラグを外部に取り出して、外部テスト装置130に入力して観測することができる。
以降、シフトレジスタから出力される、故障検出時におけるアドレス信号112、BIST状態信号111、メモリ121からの出力、不良フラグ、連続不良パタン、連続不良フラグ、別不良パタン、別不良フラグを、総称して、故障情報と表記することがある。
次に、実施形態に係る半導体集積回路1000の動作を説明する。図6は、実施形態に係る半導体集積回路1000の動作を説明するフローチャートである。
図6に示されるように、BISTの開始時には、不良フラグレジスタ142、連続不良フラグレジスタ152、および別不良フラグレジスタ162は全てリセットされ、それぞれ、対応するフラグは下ろされた状態となっている(S101)。
BIST制御回路101は、アドレス生成器103にメモリ121の先頭の行のアドレス(先頭アドレス)を生成させることで、メモリ121の先頭位置をテスト位置としてセットする(S102)。
そして、データ生成器102および制御信号生成器104によって、テスト位置に対し、データの書き込みと読み出しが実行される(S103)。
メモリ出力解析回路122の出力比較回路ブロック140には、テスト位置から読み出され、メモリ121から出力された出力データ201と、データ生成器102によって生成されたデータ期待値108とが入力される。出力データ201は、出力データレジスタ141に取り込まれる。
抑制信号126が非抑制指示を示す場合(S104、Yes)、故障の検出が実行される(S105)。
具体的には、第1処理回路143は、出力データレジスタ141に取り込まれた出力データ201とデータ期待値108とを比較する。第1処理回路143は、比較の結果に基づいて、不良フラグを操作する。
故障が検出されなかった場合(S105、No)、即ち、例えば出力データとデータ期待値108との比較によって得られた比較結果データがオールゼロであった場合、第1処理回路143は、不良フラグを下ろした状態とする(S106)。即ち、第1処理回路143は、例えば論理「0」を不良フラグレジスタ142に格納し、不良フラグは論理「0」を示す状態となる。
不良フラグが下ろされた状態の場合(S106)、BIST制御回路101は、連続不良フラグが立っているか否かを判定する(S107)。
連続不良フラグが立っていると判定された場合(S107、Yes)、BIST制御回路101は、テスト(BIST)を中断し、故障情報の出力を実行する(S108)。その際に、故障パタンレジスタ151に保存された故障パタンはクリアされる。また、連続不良フラグは、下ろされた状態とされる(S109)。
故障情報の出力では、例えば、アドレスレジスタ240、状態レジスタ241、出力データレジスタ141、不良フラグレジスタ142、故障パタンレジスタ151、連続不良フラグレジスタ152、別不良パタンレジスタ161、および別不良フラグレジスタ162を含むシフトレジスタが、それぞれに保持された値をシフトアウトする。例えば、BIST制御回路101は、結果解析器105を介して外部テスト装置130にシフトイネーブル信号116の操作を指示し、これらのレジスタをシフトモードに移行させる。
S109の処理の後、BIST制御回路101は、S224の処理を実行する。S224の処理については後述する。
S107の処理において、連続不良フラグが下ろされていると判定された場合(S107、No)、BIST制御回路101は、テスト位置がメモリ121の最終アドレスが示す位置に達したか否かを判定する(S110)。テスト位置がメモリ121の最終アドレスが示す位置に達したか否かは、例えば、アドレス生成器103が最後に生成したアドレスが最終アドレスであるか否かを判定することで確認できる。
テスト位置がメモリ121の最終アドレスが示す位置に達していないと判定された場合(S110、No)、BIST制御回路101は、アドレス生成器103に指示して次の行のアドレスを生成させることで、テスト位置を、現在の位置に後続する行にセットする(S111)。そして、制御がS103の処理に移行する。
S110の処理において、テスト位置がメモリ121の最終アドレスが示す位置に達していると判定された場合(S110、Yes)、BIST制御回路101は、故障情報の出力を実行し(S112)、BISTが終了する。
S104の処理において、抑制信号126が抑制指示を示す場合(S103、No)、制御がS110の処理に移行する。
つまり、抑制信号126が抑制指示を示す場合、故障の検出がスキップされ、テスト位置が次の行に設定されるかまたはBISTが終了する。
S105の処理において、故障が検出された場合(S105、Yes)、即ち、例えば出力データ201とデータ期待値108との比較によって得られた比較結果データがオールゼロではなかった場合、第1処理回路143は、不良フラグを立てた状態とする(S113)。第1処理回路143は、例えば論理「1」を不良フラグレジスタ142に格納する。
以降の処理は、故障パタンレジスタ151に故障パタンが保存されているか否かによって変わる。
故障パタンが保存されていない場合(S114、No)、BIST制御回路101は、テストを中断し、故障情報の出力を実行する(S115)。なお、連続不良判断回路ブロック150では、故障パタンレジスタ151は、比較結果データ230を取り込む。つまり、故障パタンが故障パタンレジスタ151に保存される。S115では、シフトアウトによって、故障パタンレジスタ151に保持された比較結果データ230が故障パタンとして出力される。
故障パタンが保存されているか否かの判定方法は、特定の方法に限定されない。一例では、BIST制御回路101が、不良フラグの論理が「0」から「1」に移行したタイミングに基づいて、今回の故障の検出が初回の検出であるか否かを判断してもよい。別の例では、任意の回路が、故障パタンが保存されているか否かをBIST制御回路101に通知してもよい。
S115の処理の後、BIST制御回路101は、S210と同様の手法で、テスト位置がメモリ121の最終アドレスが示す位置に達したか否かを判定する(S124)。
テスト位置がメモリ121の最終アドレスが示す位置に達していないと判定された場合(S124、No)、BIST制御回路101は、S102に移行して、テスト位置をメモリ121の先頭位置にセットする。
テスト位置がメモリ121の最終アドレスが示す位置に達したと判定された場合(S124、Yes)、BISTが終了する。
故障パタンが保存されている場合(S114、No)、連続不良判断回路ブロック150では、第2処理回路153は、比較結果データ230として新たに入力された故障パタンが、保存パタン(故障パタンレジスタ151に保持された故障パタン)と一致するか否かを判定する(S116)。
新たに入力された故障パタンが保存パタンと一致すると判定された場合(S116、Yes)、第2処理回路153は、連続不良フラグを立てた状態とし、第3処理回路163は、比較結果差分データ231に基づき、別不良フラグを下ろした状態とする(S117)。そして、制御がS110の処理に移行する。
故障パタンが保存パタンと一致しないと判定された場合(S116、No)、第2処理回路153は、保存パタンは新たに入力された故障パタンに含まれるか否かを判定する(S118)。
保存パタンにおいて「1(故障)」となっている全てのビットが、新たに送られてきた故障データの対応するビットにおいて「1(故障)」となっている場合、第2処理回路153は、保存パタンは新たに入力された故障パタンに含まれていると判定する(S118、Yes)。その場合、比較結果差分データ231が別不良判断回路ブロック160に送られて、その比較結果差分データ231に基づいて、第3処理回路163は、別不良フラグを立てた状態とする(S119)。
別不良フラグが立つと、BIST制御回路101は、テストを中断し、故障情報の出力を実行する(S120)。なお、別不良判断回路ブロック160に入力された比較結果差分データ231は、別不良パタンレジスタ161に別不良パタンとして保存される。S120では、シフトアウトによって、別不良パタンが出力される。
第3処理回路163は、別不良パタンレジスタ161をクリアし(S121)、制御がS124の処理に移行する。
保存パタンにおいて「1(故障)」となっている一部または全てのビットが、新たに送られてきた故障データの対応するビットにおいて「0(正常)」となっている場合、第2処理回路153は、保存パタンは新たに入力された故障パタンに含まれていないと判定する(S118、No)。
その場合、BIST制御回路101は、テストを中断し、故障情報の出力を実行する(S122)。なお、連続不良判断回路ブロック150では、故障パタンレジスタ151は、比較結果データ230を取り込む。つまり、故障パタンレジスタ151の内容が、新たな故障データで更新される。S119では、シフトアウトによって、更新後の故障パタンとして出力される。
第3処理回路163は、別不良フラグを下ろした状態とする(S123)。そして、制御がS124の処理に移行する。
外部テスト装置130は、得られた故障情報に基づいて、フェイルビットマップを作成する。
図7は、実施形態に係るBISTを実行する際の手順の一例を示す。
半導体集積回路1000は、時刻T0にBISTを開始する。
時刻T1において故障が検出されると、半導体集積回路1000は、S115の処理により、この故障パタン301を故障パタンレジスタに保存し、BISTを中断する。そして、半導体集積回路1000は、故障情報を外部テスト装置130へ出力する。
ここで、半導体集積回路1000は、この故障が検出された際のアドレス信号112と、BIST状態信号111とを、アドレスレジスタ240および状態レジスタ241のうちの対応するレジスタに保存する。その後、半導体集積回路1000は、BISTを時刻T0から再開する。
BIST再開後、時刻T1までは抑制指示が出力されているため、半導体集積回路1000は、時刻T1に到達しても故障検出と見なさない。
時刻T1から時刻T2まで同じ故障パタンが続く。つまり、半導体集積回路1000は、比較結果データ230と故障パタンレジスタに保存されている故障パタン301とが一致するため、S117の処理により連続不良フラグを立てて、BISTを進める。
時刻T2に到達すると、半導体集積回路1000は、故障パタンレジスタ151に保存されている故障パタン(連続不良パタン)301と異なる、別不良が発生した故障パタンを得る。よって、半導体集積回路1000は、S119の処理により、別不良フラグを立てる。そして、故障パタン301と異なる故障(別不良)の位置を示した別不良パタン302を保存する。そして、半導体集積回路1000は、S120の処理により、BISTを中断し、故障情報を外部テスト装置130へ出力する。そして、半導体集積回路1000は、BISTを時刻T0から再開する。
再開後、時刻T3に到達すると、別不良は検出されなくなり、半導体集積回路1000は、故障パタンレジスタ151に保持されている故障パタン(連続不良パタン)301と同じ故障パタンを再び得る。よって、半導体集積回路1000は、S117の処理によって、連続不良フラグを立てた状態で維持するとともに別不良フラグを下ろす。そして、半導体集積回路1000は、BISTを継続する。
その後、時刻T4に到達すると、正常な出力データ201が出力される。しかしながら、連続不良フラグが立った状態であるので、半導体集積回路1000は、S108の処理によって、BISTを中断し、故障情報を外部テスト装置130へ出力する。そして、半導体集積回路1000は、S109の処理によって、連続不良フラグを下ろした状態とする。そして、半導体集積回路1000は、BISTを時刻T0から再開する。
このように、実施形態によれば、出力比較回路ブロック140は、出力データ201とデータ期待値108との比較に基づいて故障の有無を判定する(S105)。連続不良判断回路ブロック150は、出力比較回路ブロック140によって故障が検出された場合(S105:Yes)、その故障がアドレス方向に連続する連続不良に該当するか否かを判定する(S116)。出力比較回路ブロック140によって検出された故障が連続不良に該当すると判定された場合(S116:Yes)、連続不良判断回路ブロック150は、連続不良フラグを立てる(S117)。別不良判断回路ブロック160は、連続不良のほかに、別の故障が発生したか否かを判定する(S118)。連続不良のほかに、別の故障が発生したと判定された場合(S118:Yes)、別不良判断回路ブロック160は、別不良フラグを立てる(S119)。BIST回路100は、少なくとも連続不良フラグおよび別不良フラグに基づいてBISTを中断するか否かを判定する。
これによって、診断時間を短縮することが可能となる。
具体的には、別不良フラグが立った場合、BIST回路100は、テストを中断する(図6:S119、S120、図7:時刻T2)。連続不良が立っている場合において別不良フラグが下ろされた場合、BIST回路100は、BISTを中断せずに続行する(図6:S117、S110、S111、図7:時刻T4)。
これによって、BISTを中断する回数を抑制することができるので、診断時間が短縮される。
また、BIST回路100は、BISTの再開時には、最後に故障が検出された位置に至るまで、抑制信号126によって故障の検出を抑制する。
これによって、いったん検出された故障を再び検出することなく診断を行うことができるので、診断時間が短縮される。また、全ての故障の情報を取得できる。また、同じ故障で何度もBISTを中断・再開することなく、テスト位置を進めることができる。
なお、上述した実施形態は一例であって限定的なものではないと考えられるべきである。例えば上記実施形態ではBISTの再開時に最初からBISTを実行していたが、最初まで遡らなくてもよい。13Nという名称のマーチングパタンと称されるBIST(マーチテスト)を行う場合を例に図8を用いて説明する。
ここでマーチングパタンとは、例えば論理「0」状態のメモリから論理「0」を読み出し、論理「1」を書き込み、論理「1」を読み出すひとかたまりの動作(マーチエレメントr0w1r1)を、全アドレスに対し順次実行するパタンであり、メモリの状態が論理「0」から論理「1」に置き換わる。
半導体集積回路1000は、まず時刻T0からWRITE動作としてBISTを開始し、メモリ121の全アドレスに所定のデータパタンを書き込む。
次に、半導体集積回路1000は、READ−WRITE−READ動作として、各アドレスにおいて、正データパタン(例えば1010)の読み出しと、逆データパタン(例えば0101)の書き込みとをアドレス昇順で行う。続いて、半導体集積回路1000は、各アドレスにおいて逆データパタンの読み出しと正データパタンの書き込みとをアドレス昇順で行う。
さらに、半導体集積回路1000は、各アドレスにおいて正データパタンの読み出しと逆データパタンの書き込みとをアドレス降順で行い、続いて各アドレスにおいて逆データパタンの読み出しと正データパタンの書き込みとをアドレス降順で行う。
時刻T2において最初の故障が検出される。保存パタンが存在しないため、半導体集積回路1000は、BISTを中断して故障情報を出力し、BISTを再開する。このとき遡る時点はマーチング動作の切れ目である時刻T1である。
ここで留意すべき点は、実行しているBISTがマーチングである場合、遡った時点(時刻T1)のアドレスにおけるデータは正パタンと逆パタンとが入れ替わった異なるデータに既に書き替えられており、書き替えられる前の状態を前提とした読み出し動作が行われるマーチングテストでは、正しい動作にならないということである。
そこで、半導体集積回路1000は、アドレスを遡った時点(時刻T1)から、中断した時点(時刻T2)までのデータを書き戻す。時刻T1からT2の間で書き戻しが行われ、再び時刻T1に戻った後にBISTが再開される。
再開後は、時刻T2までは故障は検出されない。また、時刻T2〜T3までは同じ故障パタンが続く(保存パタンと一致する)ため、半導体集積回路1000は、連続不良フラグを立て、BISTを中断しない。
時刻T3で正常なデータが出力される。よって、半導体集積回路1000は、BISTを中断し、故障情報を出力する。そして、時刻T1の位置まで遡り、時刻T1からT3の間で書き戻しが行われ、再び時刻T1に戻った後にBISTが再開される。
その後、時刻T5で故障が検出される。保存パタンはクリアされて存在しないため、半導体集積回路1000は、BISTを中断して故障情報を出力し、BISTを再開する。このとき遡る時点はマーチング動作の切れ目である時刻T4である。時刻T4からT5の間で書き戻しが行われ、再び時刻T4に戻った後にBISTが再開される。
再開後は、時刻T5までは故障検出と見なされない。また、時刻T5〜T6までは同じ故障パタンが続く(保存パタンと一致する)ため、半導体集積回路1000は、連続不良フラグを立て、BISTを中断しない。
時刻T6では、保存パタン(連続不良パタン)と異なる、別不良が検出される。よって、半導体集積回路1000は、別不良を立ててBISTを中断する。そして、時刻T4まで遡り、時刻T4からT6の間で書き戻しが行われ、再び時刻T4に戻った後にBISTが再開される。
再開後、時刻T7で正常なデータが出力される。よって、半導体集積回路1000は、BISTを中断し、故障情報を出力する。そして、時刻T4の位置まで遡り、時刻T4からT6の間で書き戻しが行われ、再び時刻T4に戻った後にBISTが再開される。
その後、新たな故障が検出されない場合にはBISTが終了する。
このように、BISTの再実行の際には最初の時点まで戻らないため、診断時間を短縮することができる。
なお、マーチングパターンのようにデータを書き替えず、データを前の状態にしたままでBISTを進行させるウォーキングテストの場合は、データを書き戻す必要がないため、遡った時点からすぐにBISTを再開してもよい。
また、マーチングテストの場合においても、BISTを中断する毎に最初の時点まで戻ってもよい。
BISTの再開の際に遡る時点は、マーチング動作の切れ目でなく、中断時点から一定アドレスだけ遡った時点にしてもよい。
また、1つのBIST回路100で複数のメモリ121をテストする場合は、それぞれのメモリ121について設けられるメモリ出力解析回路122内のレジスタ141、142、151、152、161、162をシリアルに接続し、シフトレジスタを構成してもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
101 BIST制御回路、106 診断データ保存回路、120 メモリカラー、121 メモリ、122 メモリ出力解析回路、126 抑制信号、130 外部テスト装置、140 出力比較回路ブロック、141 出力データレジスタ、142 不良フラグレジスタ、143 第1処理回路、150 連続不良判断回路ブロック、151 故障パタンレジスタ、152 連続不良フラグレジスタ、153 第2処理回路、160 別不良判断回路ブロック、161 別不良パタンレジスタ、162 別不良フラグレジスタ、163 第3処理回路、201 出力データ、220 不良フラグ信号、221 連続不良フラグ信号、222 別不良フラグ信号、240 アドレスレジスタ、241 状態レジスタ、242 抑制回路、1000 半導体集積回路。
Claims (4)
- メモリと、
前記メモリに行毎にデータを書き込んで出力させるとともに期待値を出力する組み込み自己テスト回路と、
前記メモリから順次出力されたデータと前記期待値との比較に基づいて第1の故障の有無を判定する第1回路と、
前記第1回路によって前記第1の故障が検出された場合、前記第1の故障がアドレス方向に連続する第2の故障に該当するか否かを判定し、前記第1の故障が前記第2の故障に該当すると判定した場合、第1信号を出力する第2回路と、
前記第1信号が出力されている間、前記第2の故障の他に前記第2の故障に該当しない第3の故障が発生したか否かを判定し、前記第3の故障が発生したと判定した場合、第2信号を出力する第3回路と、
を備えたメモリ出力解析回路と、
を備え、
前記組み込み自己テスト回路は、前記第1信号および前記第2信号に少なくとも基づいて、テストを中断するか否かを決定する、
半導体集積回路。 - 前記第2信号が出力された場合、前記組み込み自己テスト回路は、前記テストを中断して故障情報の出力を実行し、
前記第1信号が出力されている間、前記第2信号の出力が止まった場合、前記組み込み自己テスト回路は、前記テストを中断せずに前記テストを続行する、
請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記組み込み自己テスト回路は、前記テストを中断して前記故障情報の出力を実行した後、この中断位置より遡る再開位置から前記テストを再開する、
請求項2に記載の半導体集積回路。 - 前記組み込み自己テスト回路は、前記中断位置を記憶し、前記テストを再開した後、テスト位置が前記中断位置に至るまで、前記テストを中断しない、
請求項3に記載の半導体集積回路。
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