JP2019150762A - 振動デバイス及び圧電素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】所望の振動量が効率的に確保され得る振動デバイス及び当該振動デバイスに用いられる圧電素子を提供する。【解決手段】振動デバイス1は、互いに対向する第1主面11a及び第2主面11bを有すると共に、当該第1及び第2主面11a,11bの間において第1主面11a側に配置された第1活性領域19と、当該第1及び第2主面11a,11bの間において第1活性領域19よりも第2主面11b側に配置された第2活性領域20とを有するバイモルフ型の圧電素子10と、圧電素子10の第2主面11bに接合された振動部材60と、を備える。第1活性領域19で発生する力をF1とし、第2活性領域20で発生する力をF2とし、振動部材60が第2活性領域20を拘束する力をFrとした場合、F2−F1≧Frが満たされる。【選択図】図5

Description

本発明は、振動デバイス及び圧電素子に関する。
互いに対向する第1主面及び第2主面を形成しており、第1及び第2主面の間において第1主面側に配置された第1活性領域と、当該第1及び第2主面の間において第1活性領域よりも第2主面側に配置された第2活性領域と、を有する圧電素子が知られている(たとえば、特許文献1)。たとえば、特許文献1に記載されている圧電素子は、電界が印加された際に第1活性領域及び第2活性領域が互いに逆の方向に伸縮するバイモルフ型圧電素子である。
特開平02−138781号公報
特許文献1に記載されているバイモルフ型圧電素子は、第1及び第2活性領域が互いに逆の方向へ伸縮することによって撓む。しかし、たとえば、当該バイモルフ型圧電素子の第2主面に振動部材が接合されることで振動デバイスが構成される場合、第2主面側に配置された第2活性領域が振動部材に拘束されるため、圧電素子で発生する撓みが著しく低下する。この場合、圧電素子の全体で発生するエネルギーが振動部材に伝達され難く、振動デバイスとして所望の振動量が得られ難い。
本発明の一つの態様は、所望の振動量が効率的に確保され得る振動デバイス及び当該振動デバイスに用いられる圧電素子を提供することを目的とする。
本発明の一つの態様に係る振動デバイスは、互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に、当該第1及び第2主面の間において第1主面側に配置された第1活性領域と、当該第1及び第2主面の間において第1活性領域よりも第2主面側に配置された第2活性領域とを有するバイモルフ型の圧電素子と、圧電素子の第2主面に接合された振動部材と、を備える。第1活性領域で発生する力をF1とし、第2活性領域で発生する力をF2とし、振動部材が第2活性領域を拘束する力をFrとした場合、F2−F1≧Frが満たされる。
本発明の上記一つの態様に係る振動デバイスでは、第2活性領域で発生する力F2から第1活性領域で発生する力F1を引いた値が、振動部材が第2活性領域を拘束する力Fr以上である。このため、圧電素子に振動部材が接合されていても、第1活性領域よりも振動部材に近い第2活性領域が、第1活性領域で発生する力以上の力を発生する。この結果、圧電素子の全体で発生するエネルギーが、振動部材に効率的に伝達され得る。したがって、当該振動デバイスでは、所望の振動量が効率的に確保され得る。
本発明の一つの態様に係る圧電素子は、互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に、第2主面が振動部材に接合されることで振動デバイスを構成するバイモルフ型の圧電素子であって、第1及び第2主面の間において第1主面側に配置された第1活性領域と、第1及び第2主面の間において第1活性領域よりも第2主面側に配置された第2活性領域と、第1活性領域に電界を印加する第1内部電極と、第2活性領域に電界を印加する第2内部電極と、を備える。第1活性領域及び第2活性領域は、それぞれ少なくとも1つの圧電体層によって構成される。第1活性領域の変位量をX1とし、第2活性領域の変位量をX2とした場合、X1<X2が満たされる。
本発明の上記一つの態様に係る圧電素子では、第2活性領域の変位量X2が第1活性領域の変位量X1よりも大きい。たとえば、圧電素子の第2主面に振動部材が接合された場合、第1活性領域よりも変位量が大きい第2活性領域が第1活性領域よりも振動部材の近くに位置する。このため、圧電素子の全体で発生するエネルギーが、振動部材に効率的に伝達され得る。
本発明によれば、所望の振動量が効率的に確保され得る振動デバイス及び当該振動デバイスに用いられる圧電素子を提供することができる。
一実施形態に係る振動デバイスの斜視図である。 圧電素子の分解斜視図である。 圧電素子の断面図である。 本実施形態の変形例に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の断面図である。 圧電素子が振動デバイスに接合された状態を示す図である。 本実施形態の変形例に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の断面図である。 本実施形態の変形例に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の分解斜視図である。 本実施形態の変形例に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の断面図である。 本実施形態の変形例に係る振動デバイスの圧電体層における内部電極の拡大図である。 本実施形態の変形例に係る振動デバイスの圧電体層における内部電極の拡大図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
まず、図1〜図3を参照して、本実施形態に係る振動デバイスの構成について説明する。図1は、本実施形態に係る振動デバイスの平面図である。図2は、本実施形態に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の分解斜視図である。図3は、本実施形態に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の断面構成を示す図である。
振動デバイス1は、図1及び図2に示されているように、圧電素子10及び振動部材60を備えている。圧電素子10は、バイモルフ型であり、圧電素体11と、複数の外部電極13,14,15と、を有している。本実施形態では、圧電素子10は、三つの外部電極13,14,15を有している。
圧電素体11は、直方体形状を呈している。圧電素体11は、互いに対向している一対の主面11a,11b(第1主面及び第2主面)、互いに対向している一対の側面11c、互いに対向している一対の側面11eを有している。直方体形状には、たとえば、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。一対の主面11a,11bが対向している方向は、第一方向D1である。第一方向D1は、各主面11a,11bに直交する方向でもある。一対の側面11eが対向している方向は、第二方向D2である。第二方向D2は、各側面11cに直交する方向でもある。一対の側面11cが対向している方向は、第三方向D3である。第三方向D3は、各側面11eに直交する方向でもある。
各主面11a,11bは、一対の長辺と一対の短辺とを有している。各主面11a,11bは、一対の長辺と一対の短辺とを有する長方形状を呈している。すなわち、圧電素子10(圧電素体11)は、平面視で、一対の長辺と一対の短辺とを有する長方形状を呈している。長方形状には、たとえば、各角が面取りされている形状、及び、各角が丸められている形状が含まれる。本実施形態では、主面11a,11bの長辺方向は、第二方向D2と一致する。主面11a,11bの短辺方向は、第三方向D3方向と一致する。
一対の側面11cは、一対の主面11a,11bを連結するように第一方向D1に延在している。一対の側面11cは、第三方向D3にも延在している。一対の側面11eは、一対の主面11a,11bを連結するように第一方向D1に延在している。一対の側面11eは、第二方向D2にも延在している。圧電素体11の第二方向D2での長さは、たとえば、20mmである。圧電素体11の第三方向D3での長さは、たとえば、10mmである。圧電素体11の第一方向D1での長さは、たとえば、0.25mmである。各主面11a,11bと各側面11c,11eとは、間接的に隣り合っていてもよい。この場合、各主面11a,11bと各側面11c,11eとの間には、稜線部が位置する。
圧電素体11では、図2及び図3に示されるように、複数の圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18e,18fが第一方向D1に積層されている。圧電体層17aは、主面11aを有している。圧電体層18fは、主面11bを有している。圧電体層17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18eは、圧電体層17aと圧電体層18fとの間に位置している。圧電体層17b,17d,18b,18d,18fの分極の向きは、圧電体層17a,17c,18a,18c,18eの分極の向きと反対である。すなわち、圧電素体11では、第一方向D1において、分極の向きが反対の圧電体層が交互に配置されている。本実施形態では、圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18e,18fの厚さは同じである。「同じ」には、製造誤差の範囲が含まれている。
各圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18e,18fは、圧電材料からなる。本実施形態では、各圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18e,18fは、圧電セラミック材料からなる。圧電セラミック材料には、たとえば、PZT[Pb(Zr、Ti)O]、PT(PbTiO)、PLZT[(Pb,La)(Zr、Ti)O]、又はチタン酸バリウム(BaTiO)が用いられる。各圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18e,18fは、たとえば、上述した圧電セラミック材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際の圧電素体11では、各圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18e,18fは、各圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18e,18fの間の境界が認識できない程度に一体化されている。
各外部電極13,14,15は、主面11a上に配置されている。外部電極13,14,15は、外部電極13、外部電極14、外部電極15の順で第二方向D2に並んでいる。外部電極13と外部電極14とは、第二方向D2で隣り合っている。外部電極14と外部電極15とは、第二方向D2で隣り合っている。第二方向D2において、外部電極14と外部電極15との最短距離は、外部電極13と外部電極14との最短距離よりも長い。各外部電極13,14,15は、第一方向D1から見て、主面11aの全ての縁(四辺)から離間している。
各外部電極13,14は、第一方向D1から見て、長方形状を呈している。長方形状には、たとえば、各角が面取りされている形状、及び、各角が丸められている形状が含まれる。本実施形態では、長方形状の各角が丸められている。外部電極15は、第一方向D1から見て、正方形状を呈している。正方形状には、たとえば、各角が面取りされている形状、及び、各角が丸められている形状が含まれる。本実施形態では、正方形状の各角が丸められている。各外部電極13,14,15は、導電性材料からなる。導電性材料には、たとえば、Ag、Pd、Pt、又はAg−Pd合金が用いられる。各外部電極13,14,15は、たとえば、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。
圧電素子10は、図2及び図3に示されるように、圧電素体11内に配置されている複数の内部電極21,22,23,24,25,26,27,28,29を備えている。各内部電極21,22,23,24,25,26,27,28,29は、導電性材料からなる。導電性材料には、たとえば、Ag、Pd、Pt、又はAg−Pd合金が用いられる。各内部電極21,22,23,24,25,26,27,28,29は、たとえば、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。本実施形態では、各内部電極21,22,23,24,25,26,27,28,29の外形形状は、長方形状を呈している。長方形状には、たとえば、各角が面取りされている形状、及び、各角が丸められている形状が含まれる。
各内部電極21,22,23,24,25,26,27,28,29は、第一方向D1において異なる位置(層)に配置されている。内部電極21,22,23,24,25,26,27,28,29の各々は、互いに、第一方向D1に間隔を有して対向している。各内部電極21,22,23,24,25,26,27,28,29は、圧電素体11の表面には露出していない。すなわち、各内部電極21,22,23,24,25,26,27,28,29は、各側面11c,11eには露出していない。各内部電極21,22,23,24,25,26,27,28,29は、第一方向D1から見て、主面11a,11bの全ての縁(四辺)から離間している。
内部電極21は、圧電体層17aと圧電体層17bとの間に位置している。内部電極22は、圧電体層17bと圧電体層17cとの間に位置している。内部電極23は、圧電体層17cと圧電体層17dとの間に位置している。内部電極24は、圧電体層17dと圧電体層18aとの間に位置している。内部電極25は、圧電体層18aと圧電体層18bとの間に位置している。内部電極26は、圧電体層18bと圧電体層18cとの間に位置している。内部電極27は、圧電体層18cと圧電体層18dとの間に位置している。内部電極28は、圧電体層18dと圧電体層18eとの間に位置している。内部電極29は、圧電体層18eと圧電体層18fとの間に位置している。
外部電極13は、内部電極21と内部電極23と複数の接続導体33とに複数のビア導体43を通して電気的に接続されている。複数の接続導体33は、それぞれ、内部電極22,24,25,26,27,28,29と同じ層に位置している。具体的には、各接続導体33は、各内部電極22,24,25,26,27,28,29に形成された開口内に位置している。各開口は、第一方向D1から見て、外部電極13に対応する位置に形成されている。すなわち、各接続導体33は、第一方向D1から見て、各内部電極22,24,25,26,27,28,29に囲まれている。各接続導体33は、各内部電極22,24,25,26,27,28,29と離間している。
各接続導体33は、第一方向D1において外部電極13と対向しており、第一方向D1から見て外部電極13と重なる位置に配置されている。各接続導体33は、第一方向D1において内部電極21,23と対向しており、第一方向D1から見て内部電極21,23と重なる位置に配置されている。複数のビア導体43は、それぞれ、外部電極13と内部電極21と内部電極23と複数の接続導体33との間に位置しており、第一方向D1から見て外部電極13と重なる位置に配置されている。複数のビア導体43は、それぞれ、第一方向D1において、対応する圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18eを貫通している。
外部電極14は、内部電極25と内部電極27と内部電極29と複数の接続導体34とに複数のビア導体44を通して電気的に接続されている。複数の接続導体34は、それぞれ、内部電極21,22,23,24,26,28と同じ層に位置している。具体的には、各接続導体34は、各内部電極21,22,23,24,26,28に形成された開口内に位置している。各開口は、第一方向D1から見て、外部電極14に対応する位置に形成されている。すなわち、各接続導体34は、第一方向D1から見て、各内部電極21,22,23,24,26,28に囲まれている。各接続導体34は、各内部電極21,22,23,24,26,28と離間している。各接続導体34は、各接続導体33と離間している。
内部電極22と同じ層に位置している接続導体33と接続導体34は、同じ開口内に隣り合って位置している。内部電極24と同じ層に位置している接続導体33と接続導体34は、同じ開口内に隣り合って位置している。内部電極26と同じ層に位置している接続導体33と接続導体34は、同じ開口内で隣り合って位置している。内部電極28と同じ層に位置している接続導体33と接続導体34は、同じ開口内で隣り合って位置している。
各接続導体34は、第一方向D1において外部電極14と対向しており、第一方向D1から見て外部電極14と重なる位置に配置されている。各接続導体34は、第一方向D1において内部電極25,27,29と対向しており、第一方向D1から見て内部電極25,27,29と重なる位置に配置されている。複数のビア導体44は、それぞれ、外部電極14と内部電極25と内部電極27と内部電極29と複数の接続導体34との間に位置しており、第一方向D1から見て外部電極14と重なる位置に配置されている。複数のビア導体44は、それぞれ、第一方向D1において、対応する圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18eを貫通している。
外部電極15は、内部電極22と内部電極24と内部電極26と内部電極28と複数の接続導体35とに複数のビア導体45を通して電気的に接続されている。複数の接続導体35は、それぞれ、内部電極21,23,25,27,29と同じ層に位置している。具体的には、各接続導体35は、各内部電極21,23,25,27,29に形成された開口内に位置している。各開口は、第一方向D1から見て、外部電極15に対応する位置に形成されている。すなわち、各接続導体35の全縁は、第一方向D1から見て、各内部電極21,23,25,27,29に囲まれている。各開口は、第一方向D1から見て、外部電極15に対応する位置に形成されている。
各接続導体35は、第一方向D1において外部電極15と対向しており、第一方向D1から見て外部電極15と重なる位置に配置されている。各接続導体35は、第一方向D1において内部電極22,24,26、28と対向しており、第一方向D1から見て内部電極22,24,26、28と重なる位置に配置されている。複数のビア導体45は、それぞれ、外部電極15と内部電極22と内部電極24と内部電極26と内部電極28と複数の接続導体35との間に位置しており、第一方向D1から見て外部電極15と重なる位置に配置されている。複数のビア導体45は、それぞれ、第一方向D1において、対応する圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18eを貫通している。
各接続導体33,34は、第一方向D1から見て、長方形状を呈している。長方形状には、たとえば、各角が面取りされている形状、及び、各角が丸められている形状が含まれる。本実施形態では、長方形状の各角が丸められている。各接続導体35は、第一方向D1から見て、正方形状を呈している。正方形状には、たとえば、各角が面取りされている形状、及び、各角が丸められている形状が含まれる。本実施形態では、正方形状の各角が丸められている。
接続導体33,34,35及びビア導体43,44,45は、導電性材料からなる。導電性材料には、たとえば、Ag、Pd、Pt、又はAg−Pd合金が用いられる。接続導体33,34,35及びビア導体43,44,45は、たとえば、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。ビア導体43,44,45は、対応する圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18eを形成するためのセラミックグリーンシートに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが焼結することにより形成される。
圧電素体11の主面11bには、内部電極21,23と電気的に接続されている導体と、内部電極25,27,29と電気的に接続されている導体と、内部電極22,24,26,28と電気的に接続されている導体は、配置されていない。本実施形態では、主面11bを第一方向D1から見たとき、主面11bの全体が露出している。主面11a,11bは、自然面である。自然面とは、焼成により成長した結晶粒の表面により構成される面である。
圧電素体11の各側面11c,11eにも、内部電極21,23と電気的に接続されている導体と、内部電極25,27,29と電気的に接続されている導体と、内部電極22,24,26,28と電気的に接続されている導体は、配置されていない。本実施形態では、各側面11cを第三方向D3から見たとき、各側面11cの全体が露出している。各側面11eを第二方向D2から見たとき、各側面11eの全体が露出している。本実施形態では、各側面11c,11eも、自然面である。
複数の圧電体層17b,17c,17dにおいて、外部電極13に接続されている内部電極21,23と外部電極15に接続されている内部電極22,24とに挟まれている領域は、圧電的に活性な第1活性領域19を構成する。複数の圧電体層18a,18b,18c,18d,18eにおいて、外部電極14に接続されている内部電極25,27,29と外部電極15に接続されている内部電極24,26,28とに挟まれている領域は、圧電的に活性な第2活性領域20を構成する。第1活性領域19と第2活性領域20は、主面11aと主面11bとの間に配置されている。第2活性領域20は、第1活性領域19よりも主面11b側に配置されている。第1活性領域19及び第2活性領域20は、少なくとも1つの圧電体層によって構成される。
本実施形態では、第1活性領域19及び第2活性領域20は、第一方向D1から見て、複数の外部電極13,14,15を囲むように位置している。第1活性領域19及び第2活性領域20は、第一方向D1から見て外部電極14と外部電極15との間に位置している領域、及び、第一方向D1から見て外部電極13,14,15が位置している領域の外側の領域を含んでいる。
圧電素子10では、第一方向D1において、圧電体層、外部電極13に接続されている内部電極、圧電体層、外部電極15に接続されている内部電極の順で構成されたパターンP1が、繰り返し配置されている。圧電素子10では、パターンP1に続いて、第一方向D1において、圧電体層、外部電極14に接続されている内部電極、圧電体層、外部電極15に接続されている内部電極の順で構成されたパターンP2が繰り返し配置されている。換言すれば、本実施形態では、圧電素子10には、第一方向D1において、第1活性領域19を構成するパターンP1がX個配置され、第2活性領域20を構成するパターンP2がY個配置される。
本実施形態では、第一方向D1において、第1活性領域19を構成するパターンP1が2つ配置され、第2活性領域20を構成するパターンP2が3つ配置されている。すなわち、X=2,Y=3であり、X<Yが満たされている。この場合、第1活性領域19を構成する圧電体層の層数をN1とし、第2活性領域20を構成する圧電体層の層数をN2としたとき、N1=3,N2=5であり、N1<N2が満たされている。すなわち、第2活性領域20を構成する圧電体層の層数N2は、第1活性領域19を構成する圧電体層の層数N1よりも多い。
圧電素子10におけるパターンP1の数XとパターンP2の数Yは、本実施形態の構成に限定されない。たとえば、図4に示されている圧電素子10Aでは、上述した圧電素子10と、複数の圧電体層の層数と、内部電極の数とが異なる。図4は、第1実施形態の変形例に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の断面図である。具体的には、圧電素子10Aでは、複数の圧電体層17a,17d,18a,18b,18cが第一方向D1に順に積層されている。圧電素子10Aでは、圧電体層17b,17c,18d,18e,18fが設けられていない。圧電体層17aは、主面11aを有している。圧電体層18cは、主面11bを有している。圧電素子10Aは、圧電素体11A内に複数の内部電極23,24,25,26を備えている。圧電素子10Aは、内部電極21,22,27,28,29を備えていない。
圧電素子10Aでは、第一方向D1において、第1活性領域19を構成するパターンP1が1つ配置され、第2活性領域20を構成するパターンP2が1つ配置されている。すなわち、X=1,Y=1である。この場合も、第1活性領域19を構成する圧電体層の層数をN1とし、第2活性領域20を構成する圧電体層の層数をN2としたとき、N1=1,N2=2であり、N1<N2が満たされている。
振動部材60は、図5に示されるように、互いに対向している主面60a,60bを有している。本実施形態では、振動部材60は、板状の部材である。振動部材60は、たとえば、金属からなる。振動部材60は、たとえば、Ni−Fe合金、ガラス、樹脂、又はステンレス鋼からなる。各主面60a,60bは、一対の長辺と一対の短辺とを有している。各主面60a,60bは、一対の長辺と一対の短辺とを有する長方形状を呈している。すなわち、振動部材60は、平面視で、一対の長辺と一対の短辺とを有する長方形状を呈している。
本実施形態では、主面60a,60bの長辺方向は、第二方向D2と一致する。主面60a,60bの短辺方向は、第三方向D3方向と一致する。振動部材60の第二方向D2での長さは、たとえば、30mmである。振動部材60の第三方向D3での長さは、たとえば、15mmである。振動部材60の第一方向D1での長さは、たとえば、0.15mmである。
圧電素子10は、樹脂層61によって振動部材60に接合されている。圧電素体11の主面11bと振動部材60の主面60aとが互いに対向している。樹脂層61は、主面11bと主面60aとの間に位置している。主面11bと主面60aとが、樹脂層61によって接合されている。樹脂層61は、樹脂(たとえば、エポキシ樹脂又はアクリル系樹脂)からなる。樹脂層61は、導電性のフィラーを含んでおらず、電気絶縁性を有している。圧電素子10が振動部材60に接合された状態では、第一方向D1と、主面60aと主面60bとが対向している方向とは同じである。第一方向D1から見て、圧電素子10は、振動部材60(主面60a)の中央に配置されている。
次に、圧電素子10における第1活性領域19及び第2活性領域20に電界が印加された場合の動作について、詳細に説明する。
外部電極13と外部電極14とには、極性が異なる電圧が印加される。外部電極15には、外部電極13,14に印加されるような電圧は印加されない。外部電極15は、グラウンド電極として機能する。外部電極13に上述した電圧が印加されると、内部電極21と内部電極22との間、内部電極22と内部電極23との間、内部電極23と内部電極24との間で電界が発生する。内部電極21,23と内部電極22,24との間で電界が発生すると、第1活性領域19に電界が印加され、当該電界に応じて第1活性領域19で力F1が発生する。この結果、当該力F1に応じた変位量X1だけ、第1活性領域19が変位する。
外部電極14に上述した電圧が印加されると、内部電極24と内部電極25の間、内部電極25と内部電極26との間、内部電極26と内部電極27との間、内部電極27と内部電極28との間、内部電極28と内部電極29との間で電界が発生する。内部電極25,27,29と内部電極24,26,28との間で電界が発生すると、第2活性領域20に電界が印加され、当該電界に応じて第2活性領域20で力F2が発生する。この結果、当該力F2に応じた変位量X2だけ、第2活性領域20が変位する。この際、第1活性領域19と第2活性領域20とは、互いに逆方向に変位する。このため、外部電極13,14に電圧が印加されると、圧電素子10に撓みが生じる。
圧電素子10では、外部電極13,14に交流電圧が印加されると、第1活性領域19及び第2活性領域20は、印加された交流電圧の周波数に応じて伸縮を繰り返す。このため、第1活性領域19と第2活性領域20とは互いに逆方向に伸縮し、圧電素子10が撓み振動する。圧電素子10と振動部材60とは接合されている。したがって、振動部材60では、圧電素子10における撓み振動に応じて、圧電素子10と一体に撓み振動が生じる。
本実施形態に係る圧電素子10では、上述したように外部電極13と外部電極14とに電圧を印加した場合において、第1活性領域19の変位量X1と、第2活性領域20の変位量X2との関係は、X1<X2を満たす。すなわち、第2活性領域20の変位量X2は、第1活性領域19の変位量X1よりも大きい。
圧電素子10と振動部材60が接合された状態では、外部電極13と外部電極14とに電圧を印加した場合において、第1活性領域19で発生する力F1と、第2活性領域20で発生する力F2と、振動部材60が第2活性領域20を拘束する力Frとの関係は、F2−F1≧Frを満たす。すなわち、第1活性領域19で発生する力F1と第2活性領域20で発生する力F2との差は、振動部材60が第2活性領域20を拘束する力Fr以上である。ここで、F2−F1=Frには、製造誤差の範囲(±10%)で、F2−F1とFrとの大小関係が異なる場合を含む。
以上のように、本実施形態に係る振動デバイス1では、第2活性領域20で発生する力F2から第1活性領域19で発生する力F1を引いた値は、振動部材60が第2活性領域20を拘束する力Fr以上である。このため、圧電素子10に振動部材60が接合されていても、第1活性領域19よりも振動部材60に近い第2活性領域20が、第1活性領域19で発生する力F1以上の力F2を発生する。この結果、圧電素子10の全体で発生するエネルギーが、振動部材60に効率的に伝達され得る。したがって、当該振動デバイス1では、所望の振動量が効率的に確保され得る。
圧電素子10では、第2活性領域20の変位量X2が第1活性領域19の変位量X1よりも大きい。たとえば、圧電素子10の主面11bに振動部材60が接合された場合、第1活性領域19よりも変位量が大きい第2活性領域20が第1活性領域19よりも振動部材60の近くに位置する。このため、圧電素子10の全体で発生するエネルギーが、振動部材60に効率的に伝達され得る。
第1活性領域19を構成する圧電体層の層数をN1とし、第2活性領域20を構成する圧電体層の層数をN2としたとき、N1<N2が満たされている。この場合、たとえば、第1活性領域19と第2活性領域20とに印加される電界が同じであっても、第1活性領域で発生する力よりも大きい力が第2活性領域で発生し得る。このため、圧電素子10の主面11bに振動部材60が接合された場合、圧電素子10の全体で発生するエネルギーが、振動部材60に効率的に伝達され得る。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
たとえば、上述した実施形態に係る振動デバイス1に用いられる圧電素子10と異なる構成を有する圧電素子によって、第1活性領域19の変位量X1と、第2活性領域20の変位量X2との関係が、X1<X2を満たすように構成されてもよい。
たとえば、圧電素子10は、図6に示されているように構成されてもよい。図6は、本実施形態の変形例に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の断面図である。上述した実施形態における圧電素子10と本変形例における圧電素子10Bとでは、複数の圧電体層の層数と、内部電極の数と、第2活性領域20を構成する圧電体層の厚さとが異なる。
本変形例に係る振動デバイス1に用いられる圧電素子10Bでは、図6に示されているように、複数の圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18dが第一方向D1に順に積層されている。すなわち、圧電素子10Bは、圧電体層18e,18fを有していない。圧電体層17aは、主面11aを有している。圧電体層18dは、主面11bを有している。
圧電素子10Bは、圧電素体11B内に複数の内部電極21,22,23,24,25,26,27を備えている。圧電素子10Bは、内部電極28,29を備えていない。本変形例では、第1活性領域19を構成する圧電体層の層数N1と第2活性領域20を構成する圧電体層の層数N2とが同じである。
圧電素子10Bでは、第1活性領域19を構成する圧電体層17b,17c,17dの各々の厚さをT1とし、第2活性領域20を構成する圧電体層18a,18b,18cの各々の厚さをT2としたとき、T1>T2が満たされている。すなわち、各圧電体層18a,18b,18cの厚さT2は、各圧電体層17a,17b,17c,17dの厚さT1よりも小さい。圧電素子10Bでは、圧電体層17a及び圧電体層18dの厚さは、各圧電体層17b,17c,17dの厚さT1と同じに構成されている。圧電体層17a及び圧電体層18dの厚さは、各圧電体層18a,18b,18cの厚さT2と同じに構成されてもよい。
以上のように、本変形例では、第1活性領域19を構成する圧電体層17b,17c,17dの各々の厚さをT1とし、第2活性領域20を構成する圧電体層18a,18b,18cの各々の厚さをT2としたとき、T1>T2が満たされている。この場合、たとえば、外部電極13と外部電極14とに印加される電圧が同じであっても、第1活性領域19を構成する圧電体層17b,17c,17dに印加される電界よりも強い電界が第2活性領域20を構成する圧電体層18a,18b,18cに印加される。第一方向D1から見て、内部電極に挟まれた第1活性領域19の面積と、内部電極に挟まれた第2活性領域20の面積とは、同じである。したがって、外部電極13と外部電極14とに印加される電圧が同じであっても、第1活性領域19で発生する力よりも大きい力が第2活性領域20で発生し得る。
図6に示されている圧電素子10Bでは、図3に示されている圧電素子10よりも、第一方向D1における圧電素子10の厚さが薄く構成され得る。図3に示されている圧電素子では、図6に示されている圧電素子10Bよりも、プレス及び焼結等の製造工程及び電界の印加工程においてクラックが発生し難い。
図3に示されているように第2活性領域20を構成する圧電体層の層数N2が、第1活性領域19を構成する圧電体層の層数N1よりも多い構成において、図6を参照して説明したように第2活性領域20を構成する各圧電体層の厚さT2が、第1活性領域19を構成する各圧電体層の厚さT1よりも小さく構成されてもよい。この場合、たとえば、外部電極13と外部電極14とに印加される電圧が同じであっても、第1活性領域で発生する力よりも一層大きい力が第2活性領域20で発生し得る。
圧電素子10は、図7及び図8に示されているように構成されてもよい。図7は、本実施形態の変形例に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の分解斜視図である。図8は、本変形例に係る振動デバイスに用いられる圧電素子の断面図である。上述した実施形態における圧電素子10と本変形例における圧電素子10Cとでは、複数の圧電体層の層数と、内部電極の数と、第2活性領域20を構成する圧電体層に電界を印加する内部電極の厚さ、被覆率、及び体積密度とが異なる。
本変形例に係る振動デバイス1に用いられる圧電素子10Cでは、図7及び図8に示されているように、複数の圧電体層17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18dが第一方向D1に順に積層されている。圧電素子10Cは、圧電体層18e,18fを有していない。圧電体層17aは、主面11aを有している。圧電体層18dは、主面11bを有している。
圧電素子10Cは、圧電素体11C内に複数の内部電極21,22,23,24,25,26,27を備えている。圧電素子10Cは、内部電極28,29を備えていない。本変形例では、第1活性領域19を構成する圧電体層の層数N1と第2活性領域20を構成する圧電体層の層数N2とが同じである。
圧電素子10Cでは、第1活性領域19に電界を印加する内部電極21,22,23,24(第1内部電極)と第2活性領域20に電界を印加する内部電極25,26,27(第2内部電極)とで厚さが異なる。第2活性領域20に電界を印加する複数の内部電極21,22,23,24の厚さの平均は、第1活性領域19に電界を印加する複数の内部電極25,26,27の厚さの平均より小さい。
第1活性領域19に電界を印加する各内部電極21,22,23,24の厚さをL1とし、第2活性領域20に電界を印加する各内部電極25,26,27の厚さをL2としたとき、L1>L2が満たされている。すなわち、各内部電極25,26,27の厚さL2は、各内部電極21,22,23,24の厚さL1よりも小さい。本変形例では、内部電極21,22,23,24の各々の厚さは20μmであり、内部電極25,26,27の各々の厚さは1.5μmである。
圧電素子10Cでは、第1活性領域19に電界を印加する内部電極21,22,23,24(第1内部電極)の被覆率と第2活性領域20に電界を印加する内部電極25,26,27(第2内部電極)の被覆率とが異なる。圧電素子10Cでは、第2活性領域20に電界を印加する複数の内部電極25,26,27の被覆率の平均が、第1活性領域19に電界を印加する複数の内部電極21,22,23,24の被覆率の平均よりも小さい。ここで「被覆率」とは、第一方向D1から見て、内部電極が当該内部電極に隣接する圧電体層を覆っている割合である。
本変形例では、各内部電極21,22,23,24の被覆率は60%であり、各内部電極25,26,27の被覆率は70%である。図9は、圧電体層18bを覆う内部電極25を顕微鏡で拡大して示している。図10は、圧電体層17bを覆う内部電極21を顕微鏡で拡大して示している。
圧電素子10Cでは、第1活性領域19に電界を印加する内部電極21,22,23,24と第2活性領域20に電界を印加する内部電極25,26,27とで体積密度が異なる。第2活性領域20に電界を印加する複数の内部電極25,26,27における体積密度の平均は、第1活性領域19に電界を印加する複数の内部電極21,22,23,24における体積密度の平均より小さい。ここで「体積密度」とは、内部電極ごとの単位体積あたりの金属体が占める体積を意味する。
第1活性領域19に電界を印加する各内部電極21,22,23,24の体積密度をρ1とし、第2活性領域20に電界を印加する各内部電極25,26,27の体積密度をρ2としたとき、ρ1>ρ2が満たされている。すなわち、各内部電極25,26,27の体積密度ρ2が、各内部電極21,22,23,24の体積密度ρ1より小さい。
図7において、各内部電極25,26,27におけるハッチングと各内部電極21,22,23,24のハッチングとの密度の違いは、被覆率及び体積密度ρ1,ρ2の違いを表している。すなわち、各内部電極25,26,27のハッチングよりも荒いハッチングを付した各内部電極21,22,23,24は、各内部電極25,26,27よりも被覆率及び体積密度が小さいことが示されている。
以上のように、本変形例では、第1活性領域19に電界を印加する内部電極21,22,23,24の厚さをL1とし、第2活性領域20に電界を印加する内部電極25,26,27の厚さをL2としたとき、L1>L2が満たされている。この場合、内部電極25,26,27によって生じる拘束力が、内部電極21,22,23,24によって生じる拘束力よりも低減され得る。
第2活性領域20に電界を印加する複数の内部電極25,26,27の被覆率が、第1活性領域19に電界を印加する複数の内部電極21,22,23,24の被覆率よりも小さい。この場合、内部電極25,26,27によって生じる拘束力が、内部電極21,22,23,24によって生じる拘束力よりも低減され得る。
第1活性領域19に電界を印加する各内部電極21,22,23,24の体積密度をρ1とし、第2活性領域20に電界を印加する各内部電極25,26,27の体積密度をρ2としたとき、ρ1>ρ2が満たされている。この場合、内部電極25,26,27によって生じる拘束力が、内部電極21,22,23,24によって生じる拘束力よりも更に低減され得る。
内部電極25,26,27によって生じる拘束力が、内部電極21,22,23,24によって生じる拘束力よりも小さい場合、第1活性領域19を構成する圧電体層17b,17c,17dの各々で発生する力と第2活性領域20を構成する圧電体層18a,18b,18cの各々で発生する力とが同じであっても、第1活性領域19で発生する力F1よりも大きい力F2が第2活性領域20で発生し得る。したがって、圧電素子10Cでは、第1活性領域19で発生する力F1よりも大きい力F2が第2活性領域20で発生し得る。
図7及び図8に示されている圧電素子10Cでは、図3に示されている圧電素子10よりも、第一方向D1における圧電素子10の厚さが薄く構成され得る。図3に示されている圧電素子では、図7及び図8に示されている圧電素子10Cよりも、プレス及び焼結等の製造工程及び電界の印加工程においてクラックが発生し難い。
第1活性領域19に電界を印加する内部電極21,22,23,24と第2活性領域20に電界を印加する内部電極25,26,27とは、厚さと被覆率と体積密度とのうち少なくとも1つが異なるように構成されてもよい。図3を参照して説明したように、第2活性領域20を構成する圧電体層の層数N2が、第1活性領域19を構成する圧電体層の層数N1よりも多く構成されてもよい。図6を参照して説明したように第2活性領域20を構成する各圧電体層の厚さT2が、第1活性領域19を構成する各圧電体層の厚さT1よりも小さく構成されてもよい。
このように、上述した複数の構成を組み合わせることで、たとえば、外部電極13と外部電極14とに印加される電圧が同じであっても、第1活性領域で発生する力よりも一層大きい力が第2活性領域20で発生し得る。
第一方向D1から見た場合において、第2活性領域20に電界を印加する内部電極の面積が、第1活性領域19に電界を印加する内部電極の面積よりも大きくてもよい。この場合、第1活性領域19に印加される電界よりも大きい電界が第2活性領域20に印加され得る。
圧電素子10,10A,10B,10Cが備える内部電極の数、圧電体層の数、外部電極の数は、上述された実施形態及び変形例で開示した数に限られない。圧電素子10,10A,10B,10C及び振動部材60は、平面視で、正方形状又は円形状であってもよい。
振動部材60は、電子機器などの筐体であってもよい。振動部材60は、電子機器などの筐体とは別の部材であってもよい。この場合、振動部材60は、面接着によって筐体に装着されてもよい。
1…振動デバイス、10,10A,10B,10C…圧電素子、11a,11b…主面、19…第1活性領域、20…第2活性領域、60…振動部材、21,22,23,24,25,26,27,28,29…内部電極、17a,17b,17c,17d,18a,18b,18c,18d,18e,18f…圧電体層。

Claims (6)

  1. 互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に、当該第1及び第2主面の間において前記第1主面側に配置された第1活性領域と、当該第1及び第2主面の間において前記第1活性領域よりも前記第2主面側に配置された第2活性領域とを有するバイモルフ型の圧電素子と、
    前記圧電素子の前記第2主面に接合された振動部材と、を備え、
    前記第1活性領域で発生する力をF1とし、前記第2活性領域で発生する力をF2とし、前記振動部材が前記第2活性領域を拘束する力をFrとした場合、
    F2−F1≧Fr
    が満たされる、振動デバイス。
  2. 互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に、前記第2主面が振動部材に接合されることで振動デバイスを構成するバイモルフ型の圧電素子であって、
    前記第1及び第2主面の間において前記第1主面側に配置された第1活性領域と、
    前記第1及び第2主面の間において前記第1活性領域よりも前記第2主面側に配置された第2活性領域と、
    前記第1活性領域に電界を印加する第1内部電極と、
    前記第2活性領域に電界を印加する第2内部電極と、を備え、
    前記第1活性領域及び前記第2活性領域は、それぞれ少なくとも1つの圧電体層によって構成され、
    前記第1活性領域の変位量をX1とし、前記第2活性領域の変位量をX2とした場合、
    X1<X2
    が満たされる、圧電素子。
  3. 前記第1活性領域を構成する前記圧電体層の層数をN1とし、前記第2活性領域を構成する前記圧電体層の層数をN2としたとき、
    N1<N2
    が満たされている、請求項2に記載の圧電素子。
  4. 前記第1活性領域を構成する前記圧電体層の各々の厚さをT1とし、前記第2活性領域を構成する前記圧電体層の各々の厚さをT2としたとき、
    T1>T2
    が満されている、請求項2又は3に記載の圧電素子。
  5. 前記第2内部電極の被覆率は、前記第1内部電極の被覆率よりも小さい、請求項2〜4のいずれか一項に記載の圧電素子。
  6. 前記第1内部電極の厚さをL1とし、前記第2内部電極の厚さをL2としたとき、
    L1>L2
    が満たされている、請求項2〜5のいずれか一項に記載の圧電素子。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006068245A1 (ja) * 2004-12-24 2006-06-29 Murata Manufacturing Co., Ltd 積層型圧電セラミック部品、及び積層型圧電セラミック部品の製造方法
JP2015185819A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 京セラ株式会社 バイモルフ型圧電素子の駆動装置およびこれを備えた携帯端末、音響発生器、音響発生装置、電子機器
JP2015216373A (ja) * 2014-05-07 2015-12-03 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 圧電素子及びこれを含む圧電振動モジュール

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02138781A (ja) 1988-11-18 1990-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd バイモルフ型圧電素子とその製造法
JP5429140B2 (ja) * 2010-01-19 2014-02-26 Tdk株式会社 圧電アクチュエータ
JP2016046407A (ja) * 2014-08-25 2016-04-04 新シコー科技株式会社 圧電アクチュエータ、リニア駆動装置及び電子機器
WO2016175013A1 (ja) * 2015-04-30 2016-11-03 株式会社村田製作所 圧電デバイス、圧電トランスおよび圧電デバイスの製造方法
JP6822380B2 (ja) * 2017-11-02 2021-01-27 Tdk株式会社 振動デバイス

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006068245A1 (ja) * 2004-12-24 2006-06-29 Murata Manufacturing Co., Ltd 積層型圧電セラミック部品、及び積層型圧電セラミック部品の製造方法
JP2015185819A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 京セラ株式会社 バイモルフ型圧電素子の駆動装置およびこれを備えた携帯端末、音響発生器、音響発生装置、電子機器
JP2015216373A (ja) * 2014-05-07 2015-12-03 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 圧電素子及びこれを含む圧電振動モジュール

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