JP2015216373A - 圧電素子及びこれを含む圧電振動モジュール - Google Patents

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キム ボウム−セオック
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キム キュン−ロック
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Seungho Lee
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Jung-Wook Seo
セオ ジュン−ウック
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Abstract

【課題】クラックの発生率を低減できる圧電素子及び圧電振動モジュールを提供する。
【解決手段】圧電振動モジュール10は振動板11と圧電素子100を含み、圧電素子100は複数の圧電層110が積層された圧電体と、圧電層110のそれぞれと交互に積層された内部電極120と、を含む。圧電層110のうちの一端に位置した圧電層110aの印加電界の大きさが、他端に位置した圧電層110bの印加電界の大きさよりも小さい。振動板11から遠く離れた圧電層110aの印加電界の大きさが振動板11に近い圧電層110bの印加電界の大きさよりも小さいので、圧電素子100の伸縮の際に圧電素子100に発生する応力を見ると、振動板11から遠く離れた圧電層110aに発生する応力は、振動板11に近い圧電層110bに発生する応力よりも相対的に低減する。
【選択図】図3

Description

本発明は、圧電素子及びこれを含む圧電振動モジュールに関する。
タッチパネル、タッチキーボードなどは、電子機器に装着されており、文字や絵を入力する際にユーザの手先に振動を与えることができる。
この機能は、圧電アクチュエータ(piezoelectric actuator)のような振動発生手段によりタッチパネルに振動感が印加され、ユーザに振動感が伝達されるようにする構造で実現することができる。
圧電アクチュエータとしては、セラミック圧電体を用いることができる。セラミック圧電体が圧電特性に応じて振動する場合、圧電体を構成する圧電層にクラックが発生するおそれがあるという問題点があった。クラックの発生率が高いと、圧電アクチュエータの信頼性が低下する。
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1]特開2002−299706号公報
本発明の目的は、クラックの発生率を低減できる圧電素子及びこれを含む圧電振動モジュールを提供することにある。
本発明の一側面によれば、一端に位置した圧電層の印加電界の大きさが、他端に位置した圧電層の印加電界の大きさよりも小さいことを特徴とする圧電素子が提供される。圧電素子は、複数の圧電層が積層された圧電体と、圧電層と交互に積層された電極とを含むことができる。
一端に位置した圧電層の厚さは、他端に位置した圧電層の厚さより大きくてもよい。一端に位置した圧電層は、最大の厚さを有することができ、他端に位置した圧電層は、最小の厚さを有することができる。また、圧電層それぞれの厚さは、一端から他端に行くほど小くなってもよい。一端に位置した圧電層に対する他端に位置した圧電層の厚さの比は、0.6以上0.8以下であってもよい。
圧電体は、互いに同一の厚さを有する少なくとも2つ以上の連続積層されたグループ層で構成される、複数のグループ層で形成され、複数のグループ層のうちの一端に位置したグループ層の厚さは、他端に位置したグループ層の厚さより大きくてもよい。
圧電層は、PNN−PZT系セラミックを含む材料で形成することができる。圧電素子は、ビアと端子とをさらに含むことができる。また、圧電素子は、一端に位置した圧電層または他端に位置した圧電層のうちの少なくとも1つの上に積層される非圧電層をさらに含むことができる。
本発明の他の側面によれば、一端に位置した圧電層の印加電界の大きさが他端に位置した圧電層の印加電界の大きさよりも小さい圧電素子を含む圧電振動モジュールが提供される。
圧電振動モジュールは、圧電素子及び振動板を含むことができる。一端に位置した圧電層の厚さは、他端に位置した圧電層の厚さよりも大きくてもよい。一端に位置した圧電層は、最大の厚さを有することができ、他端に位置した圧電層は、最小の厚さを有することができる。また、圧電層それぞれの厚さは、一端から他端に行くほど小くなることができる。一端に位置した圧電層に対する他端に位置した圧電層の厚さの比は、0.6以上0.8以下であってもよい。
圧電振動モジュールは、重量体、ケース及び基板をさらに含むことができる。
本発明のまた他の側面によれば、振動板と圧電素子とを含んでおり、振動を発生させる圧電振動モジュールを含む振動装置が提供される。
振動装置において、圧電素子は、振動板に結合され、 電界が形成されると変形され、また圧電素子は、第1圧電層と、厚さが第1圧電層の厚さよりも小さく、第1圧電層よりも振動板に近く、第1圧電層と結合する第2圧電層と、第1圧電層及び第2圧電層に電界を形成させる複数の電極と、を含む。
本発明の一実施例に係る圧電振動モジュールを示す斜視図である。 本発明の一実施例に係る圧電振動モジュールを示す分解図である。 本発明の一実施例に係る圧電振動モジュールの一部を示す図である。 本発明の一実施例に係る圧電振動モジュールの振動を示す図である。 本発明の一実施例に係る圧電振動モジュールの振動を示す図である。 本発明の一実施例に係る圧電素子を示す図である。 本発明の他の実施例に係る圧電素子を示す図である。 本発明のまた他の実施例に係る圧電素子を示す図である。 本発明のまた他の実施例に係る圧電素子を示す図である。 本発明のまた他の実施例に係る圧電素子を示す図である。
本発明に係る圧電素子及びこれを含む圧電振動モジュールの実施例を添付図面に基づいて詳細に説明し、添付図面に基づいて説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号付し、これに対する重複説明は省略する。
また、以下で使用する「第1」、「第2」などのような用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が、第1、第2などの用語により限定されるものではない。
また、「結合」とは、各構成要素の間の関係において、各構成要素が物理的に直接接触して一体化される場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成を介して構成要素が一体化されている場合まで包括する概念として使用する。
図1は、本発明の一実施例に係る圧電振動モジュールを示す斜視図であり、図2は、本発明の一実施例に係る圧電振動モジュールを示す分解図であり、図3は、本発明の一実施例に係る圧電振動モジュールの一部を示す図であり、図4及び図5は、本発明の一実施例に係る圧電振動モジュールの振動を示す図であり、図6は、本発明の一実施例に係る圧電素子を示す図である。
図1ないし図5を参照すると、圧電振動モジュール10は、振動板11と圧電素子100とを含むことができる。また、圧電素子100は、複数の圧電層110が積層された圧電体と内部電極120とを含むことができる。
振動板11は、圧電素子100の動きにより上下に振動する板であって、タッチパネル、画像表示部、HPPなどに振動を伝達する機能を果たし、伝達された振動は、ヘプティック(haptic)技術として実現される。
振動板11は、スチールまたはサス(Steel Use Stainless、SUS)の材質からなることができる。また、振動板11は、圧電素子100の熱膨張係数に類似した材質であるインバー(invar)からなることができる。
振動板11がインバーからなると、特に、振動板11と圧電素子100とが接着部材12により結合する場合、接着部材12の硬化のために生じ得るベンディング(bending)現状を防止することができる。
振動板11は、下部プレートと上部プレートとを含むことができる。下部プレートは、圧電素子100と結合する部分であり、上部プレートは、下部プレートの両側に結合され、後述する重量体150と結合する部分である。下部プレートと上部プレートとは、一体型の単一部品として形成されてもよく、これとは異なって、多様な接合方式により固定結合されてもよい。一方、図3ないし図5には、振動板11における下部プレートのみが示されている。
圧電素子100は、電圧の印加により伸縮する性質を有する素子である。圧電素子100に電圧が印加されると、圧電層110内で2つの電極(+、−)の間に電界が形成され、圧電層110の内部で発生する双極子(dipole)により圧電層110の内部構造が変わり、圧電層110が伸縮することができる。
図3に示すように、圧電素子100は、振動板11の一面に結合され、振動板11を振動させることができる。すなわち、圧電素子100の圧電特性は、振動板(11)の振動を誘導することができる。
図4及び図5に示すように、圧電素子100は、電圧印加により左右へ伸縮することになり、これにより、圧電素子100に結合した振動板11が上下に振動することができる。
圧電素子100は、接着部材12により振動板11に容易に付着することができる。また、接着部材12は、圧電素子100と振動板11とを互いに絶縁させることができる。
圧電層110は、圧電特性が現れる層であって、PNN−PZT(lead zirconate titanate)系セラミックを含む材料からなることができる。この場合、圧電層110の材料は、次の組成物を主成分にすることができる。
x[Pb{ZrTi(1−y)}O]−(1−x)[Pb(NiNb(1−z))
式中、x、y、zは、定数であって、xが0.8、yが0.44、そして、zが1/3であってもよい。
また、圧電層110の材料は、焼結助剤として用いられる副成分をさらに含むことができる。副成分は、酸化ニッケル(NiO)、酸化銅(CuO)、酸化亜鉛(ZnO)及び酸化鉛(PbO)のうちの少なくとも1つを含むことができる。
圧電体は、複数の圧電層110で構成され、このような複数の圧電層110を有する圧電素子100は、低い電圧でも圧電素子100の駆動に必要な電界を確保することができる。すなわち、複数の圧電層110を有する圧電素子100は、同一の電圧でより大きい圧電特性を実現することができるという利点がある。
圧電体の複数の圧電層110のうちの一端に位置した圧電層110aの印加電界の大きさは、他端に位置した圧電層110bの印加電界の大きさよりも小さい。
ここで、「一端」とは、複数の圧電層110のうちの一方向の先端の層のことであり、「他端」とは、反対方向の先端の層のことである。また、圧電素子100が振動板11に結合する場合には、「一端」は、振動板11から遠い層を指し、「他端」は、振動板11に近い層を指す。
同一の厚さを有する複数の圧電層を含む圧電素子の場合、圧電素子と振動板とが振動する際に圧電素子に発生する応力(stress)の大きさを見ると、振動板から遠く離れた圧電層に発生する応力は、振動板に近い圧電層に発生する応力よりも大きい。これは、応力が0である箇所が圧電素子の中央よりも振動板の方へ位置するからである。
本実施例においては、振動板11から遠く離れた圧電層110aの印加電界の大きさが振動板11に近い圧電層110bの印加電界の大きさよりも小さいので、圧電素子100の伸縮の際に圧電素子100に発生する応力を見ると、振動板11から遠く離れた圧電層110aに発生する応力は、振動板11に近い圧電層110bに発生する応力よりも相対的に低減することになる。
したがって、このような圧電素子100が振動板11と結合して圧電素子100と振動板11とが振動する際に、振動板11から遠く離れた圧電層110aと振動板11に近い圧電層110bのそれぞれに発生する応力がバランスをとることができる。すなわち、圧電素子100と振動板11とが振動する際に、応力が0である箇所が圧電素子100の中央に近くなることができる。
圧電素子100と振動板11とが振動する際に応力が0となる箇所は、圧電素子100の中央に位置することができ、この場合、一端に位置した圧電層110aに発生する応力と他端に位置した圧電層110bに発生する応力は、同一であることができる。
圧電素子の応力が極めて大きく発生する箇所では、クラックが生じやすい。つまり、圧電素子の圧電層は、複数のグレーン(grain)から構成でき、クラックは、複数のグレーンの境界に沿って生じることができる。この場合、圧電層の一部から生じたクラックが圧電素子の全体に拡散することができる。
本実施例によれば、圧電素子(100)の圧電層110に発生する応力がバランスをとると、クラックの生じることを低減することができる。
複数の圧電層110における応力のバランスをとるために、複数の圧電層110のうちの一端に位置する圧電層110aは、他端に位置する圧電層の厚さよりも大きくすることができる。
この場合、一端に位置する圧電層110aは、複数の圧電層110のうちの最大の厚さを有することができる。
例えば、圧電層110が4層であり、圧電体の厚さが320μmである場合、一端に位置する圧電層110aは、110μmの厚さを有し、その他の3つの層が、それぞれ70μmの厚さを有することができる。
この場合、各圧電層110に80Vの電圧が印加されると、一端に位置した圧電層110aの印加電界の大きさが、約0.7kV/mmであり、その他の圧電層のそれぞれに作用する印加電界の大きさが、約1.1kV/mmとなる。
また、他端に位置する圧電層110bは、複数の圧電層110のうちの最小の厚さを有することができる。
例えば、図6に示すように、圧電層110が4層であり、圧電体の厚さが320μmである場合、一端に位置する圧電層110aが100μmの厚さを有し、他端に位置する圧電層110bが60μmの厚さを有し、その間に位置する圧電層2つの層のそれぞれが80μmの厚さを有することができる。
この場合、上記の例と同じく電圧80Vが印加されると、一端に位置した圧電層110aの印加電界の大きさが、約0.8kV/mmとなり、他端に位置した圧電層110bの印加電界の大きさが、約1.3kV/mm、その他の圧電層のそれぞれの電界の大きさは、1kV/mmとなる。
一方、一端に位置した圧電層110aに対する他端に位置した圧電層110bの厚さの比は、0.6以上0.8以下であることができる。
厚さの比が、0.8を超過すると、圧電素子におけるクラック発生の低減効果が微小であって製品の信頼性に問題となることがあり、厚さの比が0.6未満であると、振動力が弱い。
図7は、本発明の他の実施例に係る圧電素子を示す図であり、図8は、本発明のまた他の実施例に係る圧電素子を示す図である。
図7に示すように、複数の圧電層110のそれぞれの厚さは、一端から他端に行くほど小くなることができる。この場合、圧電素子100の伸縮の際に、隣接する圧電層110の間の伸縮の偏差が小くなり、層間の応力の偏差を緩和することができる。
例えば、圧電層110が4つである場合、一端に位置する圧電層110aが100μm、他端に位置する圧電層110bが60μmの厚さを有し、その間に位置する圧電層がそれぞれ、90μm、70μmの厚さを有するように配置することができる。
この場合、圧電層110の印加電界の大きさは、一端から他端に行くほど大きくなる。すなわち、一端から他端に行くほど印加電界の大きさ(kV/mm)は、0.8、8/9、1.1、1.3となる。
図8に示すように、圧電体は、複数のグループ層(A、B、C、D)で構成することができる。それぞれのグループ層は、互いに同一の厚さを有する少なくとも2つ以上の連続積層された圧電層で形成される。1つのグループ層に属する圧電層の数は、全体圧電層の数の25%であってもよい。
この場合、複数の上記グループ層のうちの上記一端に位置したグループ層の厚さは、上記他端に位置したグループ層の厚さより大きい。すなわち、グループ層の厚さについては、グループ層を上述した圧電層に対応させることができる。
例えば、圧電層110が12層で構成される場合、連続積層された3つの層が1つのグループ層を形成することができる。この場合、圧電体は、A、B、C、Dの総4つのグループ層を有することができる。一端に位置したグループ層Aの厚さは100μmであって、他端に位置したグループ層Dの厚さ60μmより大きいことができる。
一端に位置したグループ層の厚さは、複数のグループ層のうちの最大であってもよく、他端に位置したグループ層の厚さは、複数のグループ層のうちの最小であってもよい。また、図8に示すように、複数のグループ層の厚さが、一端から他端に行くほど小さくなることができる。
内部電極120は、圧電層110に電界を形成させる導電体である。内部電極120は、圧電層110と交互に形成され、複数の圧電層110の間及び最端部の圧電層110の外側表面に形成できる。最端部の圧電層110の外側表面に形成された電極は、外部に露出することができる。
内部電極120は、圧電層110と並んで積層することができる。ここで、「並んで」とは、それぞれの内部電極120が圧電層110と平行であることを意味する。
内部電極120は、第1電極121と第2電極122とに分けることができる。第1電極121と第2電極122は、互いに異なる極を有することができ、例えば、第1電極121が(+)極を有する場合は、第2電極122が(−)極を有することができる。
第1電極121と第2電極122は、交互に形成される。上述した例のように、圧電層110が4層である場合、第1電極121を2つ、第2電極122を3つで構成することができる。
内部電極120は、銀(Ag)及びパラジウム(Pd)のうちの少なくとも1つを含む電極ペースト(paste)を印刷した後に焼成することで形成することができる。例えば、銀とパラジウムの混合物で構成された電極ペーストにおける銀/パラジウムの値は、7/3以上9.5/0.5以下であることができる。
電極ペーストは、それぞれの圧電層110の一面または両面に印刷することができ、電極ペーストの印刷の面積は、単一の圧電層110の一面の面積より小さくてもよい。
図7を参照すると、圧電素子100は、ビア123と、端子124、125と、非圧電層130、140とをさらに含むことができる。
ビア123は、互いに並んで配列される内部電極120の間を電気的に接続することができる。ビア123は、複数の圧電層110を貫通して形成することができる。ビア123は、第1電極121を接続するビアと第2電極122を接続するビアとに分けることができる。
ビア123を用いると、互いに異なる層に形成される複数の第1電極121、第2電極122のそれぞれを容易に電気的に接続することができる。
端子124、125は、内部電極120が外部電源と電気的に接続されるようにし、外部に露出されるように圧電体の表面に形成することができる。一方、後述する非圧電層130、140が圧電体上に積層される場合、端子124、125は、非圧電層の表面に形成することができる。
端子124、125は、第1電極121に電気的に接続される第1端子124と、第2電極122に電気的に接続される第2端子125とを含むことができる。
図7に示されたように、端子124、125は、ビア123と直接接触するように形成されるか、内部電極120と直接接触するように形成されることができる。また、両端子124、125は、互いに隣接して配置されることができる。
図9は、本発明のまた他の実施例に係る圧電素子を示す図であり、図9に示すように、第1端子124と第2端子125の数は、それぞれ一対であることができる。すなわち、端子の総数は、4つであることができる。これにより、ビア123の数も4つであることができる。
この場合、一対の第1端子124は、圧電体上における両端部にそれぞれ位置し、一対の第2端子125も圧電体上における両端部にそれぞれ位置することができる。端子の数が4つである場合は、電源との接続方法が多様になることができる。
一方、図10は、本発明のまた他の実施例に係る圧電素子を示す図である。図10を参照すると、圧電素子100は、ビア123及び端子124、125の代わりに外部電極126、127を含むことができる。
外部電極126、127は、内部電極120に電気的に接続されるように、圧電体の両側面に形成される。外部電極126、127は、第1電極に接続される外部電極126と、第2電極に接続される外部電極127とで2つに分けることができる。
圧電素子100が外部電極126、127を含む場合には、図2に示されたものとは異なって、後述する基板170の位置が、外部電極126、127に接続するように変更されることができる。
非圧電層は、一端に位置した圧電層110aまたは他端に位置した圧電層110bのうちの少なくとも1つの上に形成される層であって、圧電層110及び内部電極120を保護する層である。電界が形成されないため、圧電特性を有さない。
非圧電層は、第1カバー層130及び第2カバー層140を含むことができる。
第1カバー層130は、一端に位置した圧電層110a上に積層され、外部へ露出した電極をカバーして保護する層である。すなわち、第1カバー層130は、内部電極120のうちの一端に位置する電極を保護する。第1カバー層130は、約30μmの厚さを有してもよい。
第1カバー層130は、圧電層110を構成する材料と同一であってもよい。すなわち、第1カバー層130は、圧電層110を構成するものと同一のPNN−PZT系セラミックを含む材料で形成することができる。この場合、第1カバー層130は、次の組成物を主成分にして形成されることができる。
x[Pb{ZrTi(1−y)}O]−(1−x)[Pb(NiNb(1−z))O
式中、圧電層110と同じく、xが0.8、yが0.44、そしてzが1/3であることができる。
第2カバー層140は、他端に位置した圧電層110bの上に形成され、内部電極120のうちの他端に位置した電極を保護する層である。
圧電振動モジュール10において、第2カバー層140は、他端に位置した圧電層110bと振動板11との間に積層される。また、接着部材12は、第2カバー層140と振動板11との間に介在される。 第2カバー層140は、第1カバー層130と同一の材料、同一の厚さで形成することができる。
再び、図2を参照すると、圧電振動モジュール10は、重量体150、第1ダンパ151、第2ダンパ152、ケース160及び基板170をさらに含むことができる。
重量体150は、振動力を最大に増加させる媒介物であって、振動板11の上部に位置する。重量体を用いることによりヘプティック感を向上させることができる。
重量体150は、振動板11の上部プレートに結合されることができ、下部プレートと直接的に接触されないように両端部から中心部に向けて傾くように形成することができる。重量体150は、金属材質で形成してもよく、同一体積では相対的に密度の高いタングステン(W)材質を用いて形成することができる。
ケース160は、振動板11、圧電素子100及び重量体150をすべてカバーするハウジング(housing)であって、振動板11、圧電素子100及び重量体150を始めとした圧電振動モジュール10の内部の部品をすべて保護する役割をする。
ケース160は、上部ケースと下部ケースとで分けることができる。下部ケースは、図1に示されたように、細くて長い扁平な形状に形成され、上部ケースの開放下部面を閉鎖できる大きさに形成される。上部ケースと下部ケースは、通常の技術者に既に広く知られているコーキング(caulking)、溶接またはボンディングなどの様々な方式により結合することができる。
下部ケースは、振動板11の下部プレートと所定の間隔を置いて平行に配置され、下部プレートは、下部ケースの両端部に結合されて固定されることができる。
第1ダンパ151は、重量体150とケース160との間に介在され、重量体150がケース160にぶつかって破損することを防止することができる。第1ダンパ151は、重量体150の上部に結合することができ、弾性部材、例えば、ゴム材質を用いて形成することができる。
第2ダンパ152は、重量体150と振動板11との間に介在され、重量体150と振動板11との間の衝撃を緩和することができる。第2ダンパ152は、重量体150の下部に結合することができ、第1ダンパ151と同じく弾性部材、例えばゴム材質を用いて形成することができる。
基板170は、圧電素子100の内部電極120に電源を印加するために、圧電素子100に結合される回路基板である。基板170は、圧電素子100の下部に結合可能であり、フレキシブルPCB(flexible PCB、FPCB)であってもよい。
上述したように、本発明の一実施例に係る圧電素子及びこれを含む圧電振動モジュールによれば、圧電素子の一端の圧電層の印加電界の大きさを相対的に低減させることにより、圧電素子の一端の応力を低減させてクラックの発生を防止することができる。
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加することにより本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるとものといえよう。
10 圧電振動モジュール
11 振動板
12 接着部材
100 圧電素子
110 圧電層
120 内部電極
121 第1電極
122 第2電極
123 ビア
124 第1端子
125 第2端子
126、127 外部電極
130 第1カバー層
140 第2カバー層
150 重量体
151 第1ダンパ
152 第2ダンパ
160 ケース
170 基板
A、B、C、D グループ層

Claims (28)

  1. 複数の圧電層が積層された圧電体と、
    前記圧電層のそれぞれと交互に積層された内部電極と、を含み、
    前記圧電層のうちの一端に位置した圧電層の印加電界の大きさが、他端に位置した圧電層の印加電界の大きさよりも小さい圧電素子。
  2. 前記一端に位置した圧電層の厚さが、前記他端に位置した圧電層の厚さよりも大きい請求項1に記載の圧電素子。
  3. 前記一端に位置した圧電層が、複数の前記圧電層のうちの最大の厚さを有する請求項2に記載の圧電素子。
  4. 前記他端に位置した圧電層が、複数の前記圧電層のうちの最小の厚さを有する請求項2または3に記載の圧電素子。
  5. 前記圧電層のそれぞれの厚さが、前記一端から前記他端に行くほど小くなる請求項2に記載の圧電素子。
  6. 前記一端に位置した圧電層に対する前記他端に位置した圧電層の厚さの比が、0.6以上0.8以下である請求項2に記載の圧電素子。
  7. 前記圧電体が、複数のグループ層で構成され、
    前記グループ層のそれぞれが、互いに同一の厚さを有する少なくとも2つ以上の連続積層された上記圧電層で構成され、
    前記複数のグループ層のうちの前記一端に位置したグループ層の厚さが、前記他端に位置したグループ層の厚さよりも大きい請求項2に記載の圧電素子。
  8. 前記圧電層が、PNN−PZT系セラミックを含む材料で形成される請求項1または2に記載の圧電素子。
  9. 前記内部電極が互いに電気的に接続されるように、前記圧電層を貫通するビアをさらに含む請求項1または2に記載の圧電素子。
  10. 前記内部電極及び前記ビアに電気的に接続され、外部へ露出するように前記圧電体上に形成される端子をさらに含む請求項9に記載の圧電素子。
  11. 前記内部電極に電気的に接続されるように、前記圧電体の側面に形成される外部電極をさらに含む請求項1または2に記載の圧電素子。
  12. 前記一端に位置した圧電層または前記他端に位置した圧電層のうちの少なくとも1つの上に積層される非圧電層をさらに含む請求項1または2に記載の圧電素子。
  13. 振動板と、
    前記振動板の一面に結合されて、電圧印加により伸縮して前記振動板を振動させる圧電素子と、を含み、
    前記圧電素子は、
    複数の圧電層が積層された圧電体と、
    前記圧電層のそれぞれと交互に積層された内部電極と、を含み、
    前記圧電層のうちの前記振動板から遠い一端に位置した圧電層の印加電界の大きさが、前記振動板に近い他端に位置した圧電層の印加電界の大きさよりも小さい圧電振動モジュール。
  14. 前記圧電素子において、
    前記一端に位置した圧電層の厚さが、前記他端に位置した圧電層の厚さよりも大きい請求項13に記載の圧電振動モジュール。
  15. 前記圧電素子において、
    前記一端に位置した圧電層が、前記複数の圧電層のうちの最大の厚さを有する請求項14に記載の圧電振動モジュール。
  16. 前記圧電素子において、
    前記他端に位置した圧電層が、複数の前記圧電層のうちの最小の厚さを有する請求項14または15に記載の圧電振動モジュール。
  17. 前記圧電素子において、
    前記圧電層のそれぞれの厚さが、前記一端から前記他端に行くほど小くなる請求項14に記載の圧電振動モジュール。
  18. 前記圧電素子において、
    前記一端に位置した圧電層に対する前記他端に位置した圧電層の厚さの比が、0.6以上0.8以下である請求項14に記載の圧電振動モジュール。
  19. 前記圧電素子において、
    前記圧電体が、複数のグループ層で構成され、
    前記グループ層のそれぞれが、互いに同一の厚さを有する少なくとも2つ以上の連続積層された前記圧電層で形成され、
    前記複数のグループ層のうちの前記一端に位置したグループ層の厚さが、前記他端に位置したグループ層の厚さよりも大きい請求項14に記載の圧電振動モジュール。
  20. 前記圧電素子において、
    前記圧電層が、PNN−PZT系セラミックを含む材料で形成される請求項13または14に記載の圧電振動モジュール。
  21. 前記圧電素子は、前記内部電極が互いに電気的に接続されるように、前記圧電層を貫通するビアをさらに含む請求項13または14に記載の圧電振動モジュール。
  22. 前記圧電素子が、前記内部電極及び前記ビアに電気的に接続され、外部へ露出されるように前記圧電体上に形成される端子をさらに含む請求項21に記載の圧電振動モジュール。
  23. 前記圧電素子が、前記内部電極に電気的に接続されるように、前記圧電体の側面に形成される外部電極をさらに含む請求項13または14に記載の圧電振動モジュール。
  24. 前記圧電素子が、前記一端に位置した圧電層または前記他端に位置した圧電層のうちの少なくとも1つの上に積層される非圧電層をさらに含む請求項13または14に記載の圧電振動モジュール。
  25. 前記振動板の上部に配置される重量体をさらに含む請求項13または14に記載の圧電振動モジュール。
  26. 前記振動板、前記圧電素子及び前記重量体をカバーするケースをさらに含む請求項25に記載の圧電振動モジュール。
  27. 前記圧電素子に電圧を印加するように、前記圧電素子に結合する基板をさらに含む請求項13または14に記載の圧電振動モジュール。
  28. 振動板と圧電素子とを含んでおり、振動を発生させる圧電振動モジュールを含み、
    前記圧電素子は、前記振動板に結合され、 電界が形成されると変形され、
    前記圧電素子は、
    第1圧電層と、
    厚さが前記第1圧電層の厚さよりも小さく、前記第1圧電層よりも前記振動板に近く、前記第1圧電層と結合する第2圧電層と、
    前記第1圧電層及び前記第2圧電層に電界を形成させる複数の電極と、を含む振動装置。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017152532A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 日本特殊陶業株式会社 圧電素子およびその製造方法
WO2019167805A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 Tdk株式会社 振動デバイス及び圧電素子

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160060469A (ko) * 2014-11-20 2016-05-30 삼성전기주식회사 내부 전극용 전도성 페이스트, 압전 소자 및 이를 포함하는 압전 진동 모듈
DE102016116760B4 (de) * 2016-09-07 2018-10-18 Epcos Ag Vorrichtung zur Erzeugung einer haptischen Rückmeldung und elektronisches Gerät

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017152532A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 日本特殊陶業株式会社 圧電素子およびその製造方法
WO2019167805A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 Tdk株式会社 振動デバイス及び圧電素子
JP2019150762A (ja) * 2018-03-02 2019-09-12 Tdk株式会社 振動デバイス及び圧電素子
JP7003741B2 (ja) 2018-03-02 2022-01-21 Tdk株式会社 振動デバイス及び圧電素子
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