JP2019149548A - スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 - Google Patents
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- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 435
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 291
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 51
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 211
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 91
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 55
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 38
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 37
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 31
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 26
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 12
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 97
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims description 70
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 66
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 62
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 60
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 11
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 45
- 230000008859 change Effects 0.000 description 28
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 23
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 20
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 16
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 10
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N dipicolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=N1 WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 2-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CC=N1 ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CN=C1 CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 6
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 6
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- -1 hydroxide ions Chemical class 0.000 description 6
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 5
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 4
- GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1C GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SILNNFMWIMZVEQ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazol-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(O)=NC2=C1 SILNNFMWIMZVEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZEVWQFWTGHFIDH-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazole-4,5-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C=1N=CNC=1C(O)=O ZEVWQFWTGHFIDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-1h-pyrazole Chemical compound CC=1C=C(C)NN=1 SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAGZIOYVEIDDJA-UHFFFAOYSA-N 3-aminopyrazine-2-carboxylic acid Chemical compound NC1=NC=CN=C1C(O)=O ZAGZIOYVEIDDJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 3
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 3
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 3
- XFTQRUTUGRCSGO-UHFFFAOYSA-N pyrazin-2-amine Chemical compound NC1=CN=CC=N1 XFTQRUTUGRCSGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIPZZXUFJPQHNH-UHFFFAOYSA-N pyrazine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CN=CC=N1 NIPZZXUFJPQHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Chemical compound C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CN1 DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXQOBQJCDNLAPO-UHFFFAOYSA-N 2,3-Dimethylpyrazine Chemical compound CC1=NC=CN=C1C OXQOBQJCDNLAPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCZUOKDVTBMCMX-UHFFFAOYSA-N 2,5-Dimethylpyrazine Chemical compound CC1=CN=C(C)C=N1 LCZUOKDVTBMCMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001934 2,5-dimethylpyrazine Substances 0.000 description 2
- HJFZAYHYIWGLNL-UHFFFAOYSA-N 2,6-Dimethylpyrazine Chemical compound CC1=CN=CC(C)=N1 HJFZAYHYIWGLNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWYUFVNJZUSCSM-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(N)=NC2=C1 JWYUFVNJZUSCSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFNVQNRYTPFDDP-UHFFFAOYSA-N 2-cyanopyridine Chemical compound N#CC1=CC=CC=N1 FFNVQNRYTPFDDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVRGLMCHDCMPKD-UHFFFAOYSA-N 3-amino-1h-1,2,4-triazole-5-carboxylic acid Chemical compound NC1=NNC(C(O)=O)=N1 MVRGLMCHDCMPKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWSONZCNXUSTKW-UHFFFAOYSA-N 4,5-Dimethylthiazole Chemical compound CC=1N=CSC=1C UWSONZCNXUSTKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUKYPUAOHBNCPY-UHFFFAOYSA-N 4-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=NC=C1 NUKYPUAOHBNCPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydro-1,2,4-triazole-3-thione Chemical compound NC1=NNC(S)=N1 WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUXLCYFNVNNRBE-UHFFFAOYSA-N 6-methylpyridin-2-amine Chemical compound CC1=CC=CC(N)=N1 QUXLCYFNVNNRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N Nicotinamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CN=C1 DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- DDRJAANPRJIHGJ-UHFFFAOYSA-N creatinine Chemical compound CN1CC(=O)NC1=N DDRJAANPRJIHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- KVFIJIWMDBAGDP-UHFFFAOYSA-N ethylpyrazine Chemical compound CCC1=CN=CC=N1 KVFIJIWMDBAGDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229960004979 fampridine Drugs 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CAWHJQAVHZEVTJ-UHFFFAOYSA-N methylpyrazine Chemical compound CC1=CN=CC=N1 CAWHJQAVHZEVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXVYTQDWMQVBI-UHFFFAOYSA-N 1h-indazole-3-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=NNC2=C1 BHXVYTQDWMQVBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJKVQEKCUACUMD-UHFFFAOYSA-N 2-Acetylpyridine Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=N1 AJKVQEKCUACUMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZRILSWMGXWSJY-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanol;sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O.OCCN(CCO)CCO RZRILSWMGXWSJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVYJSOSGTDINLW-UHFFFAOYSA-N 2-[dimethyl(octadecyl)azaniumyl]acetate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC([O-])=O HVYJSOSGTDINLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGWWZKBCQLBJNH-UHFFFAOYSA-N 3-methylsulfanyl-1h-1,2,4-triazol-5-amine Chemical compound CSC1=NN=C(N)N1 XGWWZKBCQLBJNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKVUYEYANWFIJX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1h-pyrazole Chemical compound CC1=CC=NN1 XKVUYEYANWFIJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRCWSYYXUCKEED-UHFFFAOYSA-N 6-Hydroxypicolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(=O)N1 VRCWSYYXUCKEED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N Betaine Natural products C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O N,N,N-trimethylglycinium Chemical compound C[N+](C)(C)CC(O)=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- XGYFCVRMNOKBFM-UHFFFAOYSA-N NC1=NNC(=N1)S.NC1=NNC(=N1)C(=O)O Chemical compound NC1=NNC(=N1)S.NC1=NNC(=N1)C(=O)O XGYFCVRMNOKBFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005377 adsorption chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940063953 ammonium lauryl sulfate Drugs 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005102 attenuated total reflection Methods 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- ACZVSMNFVFBOTM-UHFFFAOYSA-N beta-alanine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CCC([O-])=O ACZVSMNFVFBOTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229940109239 creatinine Drugs 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N dodecyldimethylamine N-oxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)[O-] SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- YPXGHKWOJXQLQU-UHFFFAOYSA-N ethyl 5-amino-1h-pyrazole-4-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)C=1C=NNC=1N YPXGHKWOJXQLQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N guanazole Chemical compound NC1=NNC(N)=N1 PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229940094506 lauryl betaine Drugs 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 235000018977 lysine Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000324 molecular mechanic Methods 0.000 description 1
- DVEKCXOJTLDBFE-UHFFFAOYSA-N n-dodecyl-n,n-dimethylglycinate Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC([O-])=O DVEKCXOJTLDBFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QROKOTBWFZITJZ-UHFFFAOYSA-N n-pyridin-2-ylacetamide Chemical compound CC(=O)NC1=CC=CC=N1 QROKOTBWFZITJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229960003966 nicotinamide Drugs 0.000 description 1
- 235000005152 nicotinamide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011570 nicotinamide Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 150000004992 toluidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005199 ultracentrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000001052 yellow pigment Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
本実施形態に係る研磨液は、砥粒と、芳香族複素環を有する化合物と、添加剤(但し、前記芳香族複素環を有する化合物を除く)と、水と、を含有する。以下、研磨液の各構成成分について説明する。
本実施形態に係る研磨液は、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒を含有する。「4価金属元素の水酸化物」は、4価の金属イオン(M4+)と、少なくとも一つの水酸化物イオン(OH−)とを含む化合物である。4価金属元素の水酸化物は、水酸化物イオン以外の陰イオン(例えば、硝酸イオンNO3 −、硫酸イオンSO4 2−)を含んでいてもよい。例えば、4価金属元素の水酸化物は、4価金属元素に結合した陰イオン(例えば硝酸イオン、硫酸イオン)を含んでいてもよい。
前記砥粒は、粒度分布計で測定し得る粒子径を有する大粒子と、粒度分布計で測定し得ない粒子径を有する微細粒子とを含有していると考えられる。このような砥粒を水に分散させた水分散液を充分な遠心力を作用させて遠心分離した場合、水分散液は主に沈降物(固相)と上澄み液(液相)とに固液分離し、大粒子は沈降物として沈降し、微細粒子は上澄み液中に浮遊すると考えられる。
遠心加速度[G]=1118×R×N2×10−8 ・・・(1)
[式中、Rは回転半径(cm)を示し、Nは1分間当たりの回転数(rpm=min−1)を示す。]
本実施形態に係る研磨液は、可視光に対する透明度が高い(目視で透明又は透明に近い)ことが好ましい。具体的には、本実施形態に係る研磨液に含まれる砥粒は、当該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50%/cm以上を与えるものであることが好ましい。これにより、添加剤の添加に起因する研磨速度の低下を更に抑制できるため、研磨速度を維持しつつ他の特性を得ることが容易である。同様の観点から、前記光透過率の下限は、60%/cm以上がより好ましく、70%/cm以上が更に好ましく、80%/cm以上が特に好ましく、90%/cm以上が極めて好ましく、95%/cm以上が非常に好ましく、98%/cm以上がより一層好ましく、99%/cm以上が更に好ましい。光透過率の上限は100%/cmである。
4価金属元素の水酸化物を含む砥粒が、当該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長400nmの光に対して吸光度1.00以上を与えるものであることにより、研磨速度を更に向上させることができる。この理由は必ずしも明らかではないが、本発明者は次のように考えている。すなわち、4価金属元素の水酸化物の製造条件等に応じて、例えば、4価の金属イオン(M4+)、1〜3個の水酸化物イオン(OH−)及び1〜3個の陰イオン(Xc−)からなるM(OH)aXb(式中、a+b×c=4である)を含む粒子が砥粒の一部として生成すると考えられる(なお、このような粒子も「4価金属元素の水酸化物を含む砥粒」である)。M(OH)aXbでは、電子吸引性の陰イオン(Xc−)が作用して水酸化物イオンの反応性が向上しており、M(OH)aXbの存在量が増加するに伴い研磨速度が向上すると考えられる。そして、M(OH)aXbを含む粒子が波長400nmの光を吸光するため、M(OH)aXbの存在量が増加して波長400nmの光に対する吸光度が高くなるに伴い、研磨速度が向上すると考えられる。また、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒は、例えば、Md(OH)aXb(式中、a+b×c=4dである)のように複核であってもよい。
試料溶液:研磨液100μL
検出器:株式会社日立製作所製、UV−VISディテクター、商品名「L−4200」、波長:400nm
インテグレーター:株式会社日立製作所製、GPCインテグレーター、商品名「D−2500」
ポンプ:株式会社日立製作所製、商品名「L−7100」
カラム:日立化成株式会社製、水系HPLC用充填カラム、商品名「GL−W550S」
溶離液:脱イオン水
測定温度:23℃
流速:1mL/分(圧力:40〜50kg/cm2程度)
測定時間:60分
4価金属元素の水酸化物は、4価金属元素の塩(金属塩)と、アルカリ源(塩基)とを反応させて得られるものであることが好ましい。これにより、粒子径が極めて細かい粒子を得ることができるため、研磨傷の低減効果を更に向上させることができる。4価金属元素の水酸化物は、4価金属元素の塩とアルカリ液(例えばアルカリ水溶液)とを混合することにより得ることができる。また、4価金属元素の水酸化物は、4価金属元素の塩を含む金属塩溶液(例えば金属塩水溶液)とアルカリ液とを混合することにより得ることができる。4価金属元素の塩としては、金属をMとして示すと、M(NO3)4、M(SO4)2、M(NH4)2(NO3)6、M(NH4)4(SO4)4等が挙げられる。
本実施形態に係る研磨液は、芳香族複素環を有する化合物(以下、「芳香族複素環化合物」という)を含有している。芳香族複素環化合物の芳香族複素環は、水素原子と結合していない環内窒素原子(芳香族複素環を構成する窒素原子)を少なくとも一つ有する含窒素芳香族複素環化合物である。水素原子と結合していない環内窒素原子は、MK法を用いて得られる所定のMK電荷を有しており、前記環内窒素原子のMK電荷は、優れた砥粒の安定性を得る観点から、−0.45以下である。
本実施形態に係る研磨液は、添加剤を含有する。ここで「添加剤」とは、水等の液状媒体、並びに、砥粒及び芳香族複素環化合物以外に研磨液が含有する物質を指す。本実施形態に係る研磨液では、添加剤を適宜選択することにより、研磨速度と、研磨速度以外の研磨特性とを高度に両立させることができる。
本実施形態に係る研磨液における水は、特に制限はないが、脱イオン水、超純水等が好ましい。水の含有量は、他の構成成分の含有量を除いた研磨液の残部でよく、特に限定されない。
研磨液のpHは、更に優れた研磨速度が得られる観点から、2.0〜9.0が好ましい。これは、被研磨面の表面電位に対する砥粒の表面電位が良好であり、砥粒が被研磨面に対して作用しやすいためと考えられる。研磨液のpHが安定して、砥粒の凝集等の問題が生じにくい観点から、pHの下限は、2.0以上が好ましく、3.5以上がより好ましく、4.0以上が更に好ましく、4.5以上が特に好ましく、5.0以上が極めて好ましい。pHの上限は、砥粒の分散性に優れ、更に優れた研磨速度が得られる観点から、9.0以下が好ましく、8.0以下がより好ましく、7.5以下が更に好ましい。なお、pHは、液温25℃におけるpHと定義する。
本実施形態に係るスラリーは、当該スラリーをそのまま研磨に用いてもよく、研磨液の構成成分をスラリーと添加液とに分けた、いわゆる二液タイプの研磨液におけるスラリーとして用いてもよい。本実施形態において、研磨液とスラリーとは添加剤の有無の点で異なり、スラリーに添加剤を添加することで研磨液が得られる。
本実施形態に係る研磨液セットでは、スラリー(第一の液)と添加液(第二の液)とを混合して研磨液となるように、当該研磨液の構成成分がスラリーと添加液とに分けて保存される。スラリーとしては、本実施形態に係るスラリーを用いることができる。添加液としては、添加剤を水に溶解させた液(添加剤と水とを含む液)を用いることができる。研磨液セットは、研磨時にスラリーと添加液とを混合することにより研磨液として使用される。このように研磨液の構成成分を少なくとも二つの液に分けて保存することで、保存安定性に優れる研磨液とすることができる。なお、本実施形態に係る研磨液セットでは、三液以上に構成成分を分けてもよい。
前記研磨液、スラリー又は研磨液セットを用いた基体の研磨方法、及び、これにより得られる基体について説明する。本実施形態に係る研磨方法は、前記研磨液又はスラリーを用いる場合、一液タイプの研磨液を用いた研磨方法であり、前記研磨液セットを用いる場合、二液タイプの研磨液又は三液以上のタイプの研磨液を用いた研磨方法である。
下記の手順に従って、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒を作製した。なお、下記説明中A〜Gで示される値は、表1にそれぞれ示される値である。
A[L]の水を容器に入れた後、濃度50質量%の硝酸セリウムアンモニウム水溶液(一般式Ce(NH4)2(NO3)6、式量548.2g/mol、日本化学産業株式会社製、製品名50%CAN液)をB[L]加えて混合した。その後、液温をC[℃]に調整して金属塩水溶液を得た。金属塩水溶液の金属塩濃度は表1に示すとおりである。
スラリー前駆体2を適量採取し、真空乾燥して砥粒を単離した。純水で充分に洗浄して得られた試料について、FT−IR ATR法による測定を行ったところ、水酸化物イオンに基づくピークの他に、硝酸イオン(NO3 −)に基づくピークが観測された。また、同試料について、窒素に対するXPS(N−XPS)測定を行ったところ、NH4 +に基づくピークは観測されず、硝酸イオンに基づくピークが観測された。これらの結果より、スラリー前駆体2に含まれる砥粒は、セリウム元素に結合した硝酸イオンを有する粒子を少なくとも一部含有することが確認された。
スラリー前駆体2を適量採取し、砥粒の含有量が0.0065質量%(65ppm)となるように水で希釈して測定サンプルA(水分散液)を得た。測定サンプルAを1cm角のセルに約4mL入れ、株式会社日立製作所製の分光光度計(装置名:U3310)内にセルを設置した。波長200〜600nmの範囲で吸光度測定を行い、波長290nmの光に対する吸光度と、波長450〜600nmの光に対する吸光度とを測定した。結果を表2に示す。
スラリー前駆体2を適量採取し、砥粒の含有量が1.0質量%となるように水で希釈して測定サンプルC(水分散液)を得た。この測定サンプルCを日立工機株式会社製の超遠心分離機(装置名:70P−72)に付属の遠沈管(チューブ)に充填し、前記超遠心分離機を用いて回転数50000min−1で50分間遠心分離した。前記超遠心分離機において、チューブ角は26°、最小半径Rminは3.53cm、最大半径Rmaxは7.83cm、平均半径Ravは5.68cmであった。平均半径Ravから計算される遠心加速度は、158756G=1.59×105Gであった。
スラリー前駆体2を適量採取し、砥粒の含有量が0.2質量%となるように水で希釈して測定サンプルD(水分散液)を得た。測定サンプルDを1cm角のセルに約4mL入れ、ベックマンコールター社製の装置名N5内にセルを設置した。分散媒の屈折率を1.33、粘度を0.887mPa・sに設定し、25℃において測定を行い、表示された平均粒子径値を平均二次粒子径とした。結果を表2に示す。
[比較例1]
前記砥粒1を含むスラリー前駆体2に水を添加して総質量を1000gに調整することにより、比較例1のスラリー用貯蔵液1を得た。スラリー用貯蔵液1において、砥粒の含有量は1.0質量%であった。
前記砥粒1を含むスラリー前駆体2に、表3又は表4に示される化合物0.23gを加えた。さらに、水を添加して総質量を1000gに調整することにより、実施例1〜18及び比較例2〜10のスラリー用貯蔵液1を得た。スラリー用貯蔵液1において、砥粒の含有量は1.0質量%、表3又は表4に示される化合物の含有量は0.023質量%(230ppm)であった。
Merz−Kollman法(MK法)を用いて下記のとおり各化合物の環内窒素原子のMK電荷を算出した。ChemDraw 7.0に各化合物の構造を入力した後、該構造をChem3D 7.0に貼り付け、分子力学法(MM2)により構造最適化を行った。次に、得られたデータをGaussian 09(Gaussian社製、登録商標)に入力した後、基底関数B3LYP/6−31G(d)を用いて構造最適化を行うことにより、各化合物の環内全窒素原子のMK電荷を算出した。なお、分子中に環内窒素原子が複数ある場合、最も値の小さいMK電荷を採用した。
前記スラリー用貯蔵液1を適量採取し、25℃に調整した後、株式会社堀場製作所製の電気導電率計(装置名:ES−51)を用いて導電率(初期導電率)を測定した。また、前記スラリー用貯蔵液1を60℃で72時間加熱した後、同様に導電率(加熱後導電率)を測定した。これらの導電率の差(加熱後導電率−初期導電率)を導電率変化量として算出した。比較例1(含窒素芳香族複素環化合物を添加しなかった例)のスラリー用貯蔵液1の導電率変化量を1.00としたときの導電率変化量の相対値を表3及び4に示す。
表5に示す砥粒を含むスラリー前駆体2に、純水、及び、表5に示す化合物を加え、砥粒の含有量を1.0質量%、化合物の含有量を表5に示す含有量に調整して、スラリー用貯蔵液2を得た。60gのスラリー用貯蔵液2に純水180gを添加して、スラリー240gを得た。
研磨装置(Applied Materials社製、200mmウエハ研磨機Mirra)における基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに、絶縁膜(酸化ケイ素膜)が形成されたφ200mmシリコンウエハをセットした。多孔質ウレタン樹脂製パッドを貼り付けた定盤上に、絶縁膜がパッドに対向するようにホルダーを載せた。前記で得られた研磨液を、供給量200mL/minでパッド上に供給しながら、研磨荷重20kPaでウエハをパッドに押し当てた。このとき定盤を78min−1、ホルダーを98min−1で1分間回転させて研磨を行った。
研磨後のウエハを純水でよく洗浄した後に乾燥させた。光干渉式膜厚測定装置を用いて研磨前後の絶縁膜の膜厚変化を測定して研磨速度(SiO2研磨速度)を求めた。結果を表5に示す。
前記条件で研磨及び洗浄したシリコンウエハを0.5質量%のフッ化水素の水溶液に15秒間浸漬した後に60秒間水洗した。続いて、ポリビニルアルコールブラシで絶縁膜の表面を、水を供給しながら1分間洗浄した後に乾燥させた。Applied Materials社製Complusを用いて、絶縁膜の表面における0.2μm以上の欠陥を検出した。さらに、Complusで得られた欠陥検出座標とApplied Materials社製SEM Visionを用いて、絶縁膜の表面を観測し、絶縁膜の表面における0.2μm以上の研磨傷の個数を計測した。その結果、実施例19〜22及び比較例11のいずれにおいても0〜1個/ウエハであり、研磨傷の発生が充分に抑制されていた。一方、比較例12では、5個/ウエハ以上の研磨傷が発生した。
Claims (22)
- 砥粒と、芳香族複素環を有する化合物と、水と、を含有し、
前記砥粒が4価金属元素の水酸化物を含み、
前記芳香族複素環が、水素原子と結合していない環内窒素原子を有し、
Merz−Kollman法を用いて得られる前記環内窒素原子の電荷が−0.50以下である、スラリー。 - 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液を遠心加速度1.59×105Gで50分遠心分離したときに不揮発分含量500ppm以上の液相を与えるものである、請求項1に記載のスラリー。
- 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50%/cm以上を与えるものである、請求項1又は2に記載のスラリー。
- 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長400nmの光に対して吸光度1.00以上を与えるものである、請求項1〜3のいずれか一項に記載のスラリー。
- 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を0.0065質量%に調整した水分散液において波長290nmの光に対して吸光度1.000以上を与えるものである、請求項1〜4のいずれか一項に記載のスラリー。
- 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を0.0065質量%に調整した水分散液において波長450〜600nmの光に対して吸光度0.010以下を与えるものである、請求項1〜5のいずれか一項に記載のスラリー。
- 前記芳香族複素環を有する化合物の含有量がスラリー全質量基準で0.01〜100mmol/Lである、請求項1〜6のいずれか一項に記載のスラリー。
- 前記4価金属元素が4価セリウムである、請求項1〜7のいずれか一項に記載のスラリー。
- 第一の液と第二の液とを混合して研磨液となるように当該研磨液の構成成分が前記第一の液と前記第二の液とに分けて保存され、前記第一の液が請求項1〜8のいずれか一項に記載のスラリーであり、前記第二の液が添加剤(但し、前記芳香族複素環を有する化合物を除く)と水とを含む、研磨液セット。
- 砥粒と、芳香族複素環を有する化合物と、添加剤(但し、前記芳香族複素環を有する化合物を除く)と、水と、を含有し、
前記砥粒が4価金属元素の水酸化物を含み、
前記芳香族複素環が、水素原子と結合していない環内窒素原子を有し、
Merz−Kollman法を用いて得られる前記環内窒素原子の電荷が−0.50以下である、研磨液。 - 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液を遠心加速度1.59×105Gで50分遠心分離したときに不揮発分含量500ppm以上の液相を与えるものである、請求項10に記載の研磨液。
- 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50%/cm以上を与えるものである、請求項10又は11に記載の研磨液。
- 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長400nmの光に対して吸光度1.00以上を与えるものである、請求項10〜12のいずれか一項に記載の研磨液。
- 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を0.0065質量%に調整した水分散液において波長290nmの光に対して吸光度1.000以上を与えるものである、請求項10〜13のいずれか一項に記載の研磨液。
- 前記砥粒が、当該砥粒の含有量を0.0065質量%に調整した水分散液において波長450〜600nmの光に対して吸光度0.010以下を与えるものである、請求項10〜14のいずれか一項に記載の研磨液。
- 前記芳香族複素環を有する化合物の含有量が研磨液全質量基準で0.01〜100mmol/Lである、請求項10〜15のいずれか一項に記載の研磨液。
- 前記4価金属元素が4価セリウムである、請求項10〜16のいずれか一項に記載の研磨液。
- 表面に被研磨材料を有する基体の当該被研磨材料を研磨パッドに対向するように配置する工程と、
前記研磨パッドと前記被研磨材料との間に請求項1〜8のいずれか一項に記載のスラリーを供給すると共に、前記被研磨材料の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する、基体の研磨方法。 - 表面に被研磨材料を有する基体の当該被研磨材料を研磨パッドに対向するように配置する工程と、
請求項9に記載の研磨液セットにおける前記第一の液と前記第二の液とを混合して前記研磨液を得る工程と、
前記研磨パッドと前記被研磨材料との間に前記研磨液を供給すると共に、前記被研磨材料の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する、基体の研磨方法。 - 表面に被研磨材料を有する基体の当該被研磨材料を研磨パッドに対向するように配置する工程と、
請求項9に記載の研磨液セットにおける前記第一の液と前記第二の液とをそれぞれ前記研磨パッドと前記被研磨材料との間に供給すると共に、前記被研磨材料の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する、基体の研磨方法。 - 表面に被研磨材料を有する基体の当該被研磨材料を研磨パッドに対向するように配置する工程と、
前記研磨パッドと前記被研磨材料との間に請求項10〜17のいずれか一項に記載の研磨液を供給すると共に、前記被研磨材料の少なくとも一部を研磨する工程と、を有する、基体の研磨方法。 - 前記被研磨材料が酸化ケイ素を含む、請求項18〜21のいずれか一項に記載の研磨方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013187493 | 2013-09-10 | ||
JP2013187493 | 2013-09-10 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015536468A Division JP6520711B2 (ja) | 2013-09-10 | 2014-07-01 | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019149548A true JP2019149548A (ja) | 2019-09-05 |
JP6775739B2 JP6775739B2 (ja) | 2020-10-28 |
Family
ID=52665435
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015536468A Active JP6520711B2 (ja) | 2013-09-10 | 2014-07-01 | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 |
JP2019034499A Active JP6775739B2 (ja) | 2013-09-10 | 2019-02-27 | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015536468A Active JP6520711B2 (ja) | 2013-09-10 | 2014-07-01 | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10752807B2 (ja) |
JP (2) | JP6520711B2 (ja) |
KR (3) | KR20160054466A (ja) |
CN (2) | CN105518833A (ja) |
SG (2) | SG11201600902WA (ja) |
TW (1) | TWI624522B (ja) |
WO (1) | WO2015037311A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130136593A (ko) | 2010-03-12 | 2013-12-12 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 슬러리, 연마액 세트, 연마액 및 이것들을 이용한 기판의 연마 방법 |
WO2012070542A1 (ja) | 2010-11-22 | 2012-05-31 | 日立化成工業株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液、基板の研磨方法及び基板 |
CN107617968A (zh) * | 2012-02-21 | 2018-01-23 | 日立化成株式会社 | 研磨剂、研磨剂组和基体的研磨方法 |
WO2013175854A1 (ja) | 2012-05-22 | 2013-11-28 | 日立化成株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液、基体の研磨方法及び基体 |
SG11201407086TA (en) | 2012-05-22 | 2015-02-27 | Hitachi Chemical Co Ltd | Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate |
JP7306608B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2023-07-11 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 高度な流体処理方法およびシステム |
TWI695427B (zh) * | 2016-11-24 | 2020-06-01 | 聯華電子股份有限公司 | 平坦化晶圓表面的方法 |
WO2019069370A1 (ja) * | 2017-10-03 | 2019-04-11 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット、研磨方法及び欠陥抑制方法 |
US11926764B2 (en) | 2019-04-02 | 2024-03-12 | Resonac Corporation | Polishing solution, polishing solution set, polishing method, and defect suppressing method |
US20240043719A1 (en) * | 2020-12-30 | 2024-02-08 | Skc Enpulse Co., Ltd. | Polishing composition for semiconductor processing,method for preparing polishing composition, and method for manufacturing semiconductor element to which polishing composition is applied |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006243353A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体、機能性素子、エレクトロクロミック素子、光学デバイス及び撮影ユニット |
JP2007311779A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-29 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2010141288A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-06-24 | Hitachi Chem Co Ltd | スラリ及び研磨液セット並びにこれらから得られるcmp研磨液を用いた基板の研磨方法及び基板 |
WO2011111421A1 (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | 日立化成工業株式会社 | スラリ、研磨液セット、研磨液及びこれらを用いた基板の研磨方法 |
WO2012070544A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2012-05-31 | 日立化成工業株式会社 | 砥粒の製造方法、スラリーの製造方法及び研磨液の製造方法 |
WO2012070542A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2012-05-31 | 日立化成工業株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液、基板の研磨方法及び基板 |
WO2013125446A1 (ja) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1290162C (zh) | 2001-02-20 | 2006-12-13 | 日立化成工业株式会社 | 抛光剂及基片的抛光方法 |
JP4309602B2 (ja) | 2001-04-25 | 2009-08-05 | メック株式会社 | 銅または銅合金と樹脂との接着性を向上させる方法、ならびに積層体 |
TWI259201B (en) * | 2001-12-17 | 2006-08-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Slurry for metal polishing and method of polishing with the same |
US8551202B2 (en) * | 2006-03-23 | 2013-10-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Iodate-containing chemical-mechanical polishing compositions and methods |
US7550092B2 (en) * | 2006-06-19 | 2009-06-23 | Epoch Material Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing composition |
CN101622695A (zh) * | 2007-02-27 | 2010-01-06 | 日立化成工业株式会社 | 硅膜用cmp研磨液 |
KR101445429B1 (ko) * | 2007-07-10 | 2014-09-26 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 금속용 연마액 및 연마 방법 |
US7931714B2 (en) * | 2007-10-08 | 2011-04-26 | Uwiz Technology Co., Ltd. | Composition useful to chemical mechanical planarization of metal |
JP5423669B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2014-02-19 | 日立化成株式会社 | 研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨方法 |
US8883034B2 (en) | 2009-09-16 | 2014-11-11 | Brian Reiss | Composition and method for polishing bulk silicon |
WO2011048889A1 (ja) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | 日立化成工業株式会社 | 研磨剤、濃縮1液式研磨剤、2液式研磨剤及び基板の研磨方法 |
CN102666760B (zh) * | 2009-11-11 | 2015-11-25 | 可乐丽股份有限公司 | 化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法 |
US20110177623A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Confluense Llc | Active Tribology Management of CMP Polishing Material |
JP5544244B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2014-07-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨方法 |
US8273142B2 (en) * | 2010-09-02 | 2012-09-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon polishing compositions with high rate and low defectivity |
CN103497732B (zh) | 2010-11-22 | 2016-08-10 | 日立化成株式会社 | 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基板的研磨方法及基板 |
JP5979871B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
JP2015088495A (ja) * | 2012-02-21 | 2015-05-07 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
CN104334675B (zh) * | 2012-05-22 | 2016-10-26 | 日立化成株式会社 | 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基体的研磨方法及基体 |
US9633863B2 (en) * | 2012-07-11 | 2017-04-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials |
WO2014034358A1 (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
KR102245055B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2021-04-26 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기체의 연마 방법 및 기체 |
EP3898685A1 (en) * | 2018-12-20 | 2021-10-27 | Merus N.V. | Clec12axcd3 bispecific antibodies and methods for the treatment of disease |
-
2014
- 2014-07-01 JP JP2015536468A patent/JP6520711B2/ja active Active
- 2014-07-01 SG SG11201600902WA patent/SG11201600902WA/en unknown
- 2014-07-01 KR KR1020167005000A patent/KR20160054466A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-07-01 KR KR1020227003858A patent/KR102517248B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-01 CN CN201480049482.8A patent/CN105518833A/zh active Pending
- 2014-07-01 KR KR1020217012873A patent/KR102361336B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-01 US US14/917,903 patent/US10752807B2/en active Active
- 2014-07-01 WO PCT/JP2014/067570 patent/WO2015037311A1/ja active Application Filing
- 2014-07-01 CN CN202010349733.1A patent/CN111378416A/zh active Pending
- 2014-07-01 SG SG10201801928PA patent/SG10201801928PA/en unknown
- 2014-07-10 TW TW103123831A patent/TWI624522B/zh active
-
2019
- 2019-02-27 JP JP2019034499A patent/JP6775739B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-23 US US16/908,884 patent/US11578236B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006243353A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体、機能性素子、エレクトロクロミック素子、光学デバイス及び撮影ユニット |
JP2007311779A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-29 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2010141288A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-06-24 | Hitachi Chem Co Ltd | スラリ及び研磨液セット並びにこれらから得られるcmp研磨液を用いた基板の研磨方法及び基板 |
WO2011111421A1 (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | 日立化成工業株式会社 | スラリ、研磨液セット、研磨液及びこれらを用いた基板の研磨方法 |
WO2012070544A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2012-05-31 | 日立化成工業株式会社 | 砥粒の製造方法、スラリーの製造方法及び研磨液の製造方法 |
WO2012070542A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2012-05-31 | 日立化成工業株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液、基板の研磨方法及び基板 |
WO2013125446A1 (ja) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105518833A (zh) | 2016-04-20 |
TW201516103A (zh) | 2015-05-01 |
WO2015037311A1 (ja) | 2015-03-19 |
US20160222252A1 (en) | 2016-08-04 |
KR102361336B1 (ko) | 2022-02-14 |
SG10201801928PA (en) | 2018-04-27 |
JP6775739B2 (ja) | 2020-10-28 |
KR20210052582A (ko) | 2021-05-10 |
KR102517248B1 (ko) | 2023-04-03 |
US11578236B2 (en) | 2023-02-14 |
KR20160054466A (ko) | 2016-05-16 |
JP6520711B2 (ja) | 2019-05-29 |
JPWO2015037311A1 (ja) | 2017-03-02 |
SG11201600902WA (en) | 2016-03-30 |
US10752807B2 (en) | 2020-08-25 |
CN111378416A (zh) | 2020-07-07 |
KR20220025104A (ko) | 2022-03-03 |
US20200325360A1 (en) | 2020-10-15 |
TWI624522B (zh) | 2018-05-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |