JP2019149538A - 発光素子パッケージの製造方法 - Google Patents
発光素子パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019149538A JP2019149538A JP2018175342A JP2018175342A JP2019149538A JP 2019149538 A JP2019149538 A JP 2019149538A JP 2018175342 A JP2018175342 A JP 2018175342A JP 2018175342 A JP2018175342 A JP 2018175342A JP 2019149538 A JP2019149538 A JP 2019149538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- light
- translucent
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 10
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 67
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
前記反射部材は、ホワイトシリコーン材料で形成される
12、120 基板
13 蛍光体シート
14 ホワイトシリコーン
15 側面
50 シート
110 発光素子、LED
130 波長変換部材、波長変換材料
140 反射部材、反射材料
140a、140b、140c、140d 反射部材
141、141a、141b、141c、141d 光反射面
150 透光部材、透光材料
150a、150b、150c、150d 透光部材
151、151a、151b、151c、151d 透光面
200 発光素子パッケージ
210 透光性プレート
211 一側
212 他側
213、223 側面
220 発光素子
221 一面
222 他面
230 透明封止材
240 不透明封止材
S10 発光素子転写段階
S20 透明封止材モールディング段階
S30 斜線カッティング段階
S40 単位結合体転写段階
S50 不透明封止材モールディング段階
S60 カッティング段階
S70 シート分離段階
Claims (20)
- 発光素子パッケージの製造方法であって、
シートを準備する段階と、
前記シート上に複数の発光素子を配列する段階と、
前記配列された各発光素子の間に透光材料を充填することによって透光部材を形成する段階と、
前記各発光素子のそれぞれを基準にして前記透光材料を傾斜するようにカッティングする斜線カッティングによって発光素子ユニットを形成する段階と、を有し、
前記透光材料と前記発光素子の側面との間隔は、前記透光材料の斜線カッティングで下方に行くほど狭くなることを特徴とする発光素子パッケージの製造方法。 - 前記発光素子パッケージは、
前記発光素子ユニットを前記シートから分離する段階と、
前記シートから分離された前記発光素子ユニットを基板上に実装して配列する段階と、
前記基板上に配列された前記各発光素子ユニットのそれぞれに波長変換部材を付着させる段階と、を含んで形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージの製造方法。 - 前記発光素子パッケージは、
前記波長変換部材が付着された前記各発光素子ユニットの間に反射材料を充填することによって反射部材を形成する段階と、
前記各発光素子ユニットのそれぞれを前記反射部材が取り囲むように垂直にカッティングする段階と、を含んで形成されることを特徴とする請求項2に記載の発光素子パッケージの製造方法。 - 前記透光材料の斜線カッティングは、傾斜するようにカッティングされた区間の前記透光材料の断面が直線面になるようにカッティングすることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記透光材料の斜線カッティングは、傾斜するようにカッティングされた区間の前記透光材料の断面が下方に凸状の曲面になるようにカッティングすることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記透光材料の斜線カッティングは、前記透光材料の下端が前記発光素子の側面から離隔されるようにカッティングすることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記透光材料の斜線カッティングは、傾斜するようにカッティングされた区間の前記透光材料の断面が55度〜75度の勾配を有するようにカッティングすることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記透光材料の斜線カッティングは、傾斜するようにカッティングされた区間の前記透光材料の断面が限界表面粗さ未満の表面粗さ値を有するようにカッティングすることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 各発光素子パッケージのそれぞれにおいて、前記波長変換部材の外縁は、前記発光素子の外縁よりも広く形成されることを特徴とする請求項3に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記反射部材を形成する段階は、前記発光素子の電極パッドの底面が外部に露出するように前記反射部材を形成することを特徴とする請求項3に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記反射部材は、ホワイトシリコーン材料で形成されることを特徴とする請求項3に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 発光素子パッケージの製造方法であって、
透光性プレートの一側に複数の発光素子を配列する段階と、
前記配列された各発光素子の間に透光材料を充填することによって透光部材を形成する段階と、
前記透光性プレートの断面が傾斜するようにカッティングされた第1傾斜面を有するように前記透光性プレートを斜線カッティングすることによって発光素子ユニットを形成する段階と、を有し、
前記透光性プレートの斜線カッティングは、前記透光性プレートの一側から他側に行くほど前記透光性プレートに付着された前記発光素子から遠くなる方向にカッティングすることを特徴とする発光素子パッケージの製造方法。 - 前記透光部材を形成する段階は、液体状態の前記透光材料を塗布した後、前記発光素子と前記透光性プレートとの間で第2傾斜面を有するように硬化させることを特徴とする請求項12に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記透光性プレートの第1傾斜面の勾配は、前記透光材料の第2傾斜面の勾配と同じかそれよりも大きいことを特徴とする請求項13に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記発光素子パッケージは、前記発光素子ユニットの透光性プレートの他側をシートに付着させる発光素子ユニット転写段階を含んで形成されることを特徴とする請求項12に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記発光素子パッケージは、前記各発光素子ユニットの間に反射材料を充填することによって反射部材を形成する段階を含んで形成されることを特徴とする、請求項12に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記発光素子パッケージは、前記各発光素子ユニットのそれぞれを前記反射部材が取り囲むように垂直にカッティングする段階を含んで形成されることを特徴とする請求項16に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記透光性プレートの斜線カッティングは、傾斜するようにカッティングされた前記第1傾斜面が55度〜75度の勾配を有するように斜線にカッティングすることを特徴とする請求項12に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記透光性プレートの斜線カッティングは、傾斜するようにカッティングされた前記第1傾斜面が限界表面粗さ未満の表面粗さ値を有するように斜線にカッティングすることを特徴とする請求項12に記載の発光素子パッケージの製造方法。
- 前記反射部材を形成する段階は、前記発光素子の電極パッドの底面が外部に露出するように前記反射部材を形成することを特徴とする請求項16に記載の発光素子パッケージの製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180023591A KR102519738B1 (ko) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 발광소자 패키지 및 발광 소자 패키지 제조 방법 |
KR10-2018-0023591 | 2018-02-27 | ||
KR10-2018-0038233 | 2018-04-02 | ||
KR1020180038233A KR102473290B1 (ko) | 2018-04-02 | 2018-04-02 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018097951A Division JP6484745B1 (ja) | 2018-02-27 | 2018-05-22 | 発光素子パッケージの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019149538A true JP2019149538A (ja) | 2019-09-05 |
JP6814773B2 JP6814773B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=65718254
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018097951A Active JP6484745B1 (ja) | 2018-02-27 | 2018-05-22 | 発光素子パッケージの製造方法 |
JP2018175342A Active JP6814773B2 (ja) | 2018-02-27 | 2018-09-19 | 発光素子パッケージの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018097951A Active JP6484745B1 (ja) | 2018-02-27 | 2018-05-22 | 発光素子パッケージの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10461231B2 (ja) |
JP (2) | JP6484745B1 (ja) |
WO (1) | WO2019168233A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023551566A (ja) * | 2020-12-04 | 2023-12-08 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | ダウンコンバータ層転写デバイス及びダウンコンバータ層転写デバイスを使用する方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3427307A4 (en) | 2016-03-08 | 2020-01-01 | Lilibrand LLC | LIGHTING SYSTEM COMPRISING A LENS ASSEMBLY |
CN110998880A (zh) | 2017-01-27 | 2020-04-10 | 莉莉布兰德有限责任公司 | 具有高显色指数和均匀平面照明的照明系统 |
US20180328552A1 (en) | 2017-03-09 | 2018-11-15 | Lilibrand Llc | Fixtures and lighting accessories for lighting devices |
US11041609B2 (en) | 2018-05-01 | 2021-06-22 | Ecosense Lighting Inc. | Lighting systems and devices with central silicone module |
US20190355876A1 (en) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | Dominant Opto Technologies Sdn Bhd | Light emitting diode (led) package |
WO2021021234A1 (en) * | 2019-08-01 | 2021-02-04 | Lilibrand Llc | Lighting systems including photo-luminescent material |
WO2020131933A1 (en) | 2018-12-17 | 2020-06-25 | Lilibrand Llc | Strip lighting systems which comply with ac driving power |
CN111081850A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-28 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | Led封装结构及其制作方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002232017A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよびその製造方法 |
JP2014112635A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-06-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
WO2014091914A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置及びその製造方法 |
JP2016213451A (ja) * | 2015-05-01 | 2016-12-15 | 日東電工株式会社 | 蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法 |
US20170005245A1 (en) * | 2015-07-02 | 2017-01-05 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light Emitting Diode Package Structure and Fabrication Method |
JP2017108111A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-06-15 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法 |
KR20170133702A (ko) * | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
JP2018018912A (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55114822A (en) | 1979-02-26 | 1980-09-04 | Hitachi Ltd | Initial pressure control changeover system in combined- cycle plant |
JP4077170B2 (ja) | 2000-09-21 | 2008-04-16 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
JP4081985B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2008-04-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP5025625B2 (ja) | 2008-03-25 | 2012-09-12 | 株式会社東芝 | 発光装置の製造方法 |
KR100924912B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2009-11-03 | 서울반도체 주식회사 | 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈 |
JP5572013B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-08-13 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP5619680B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2014-11-05 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
US9012826B2 (en) * | 2012-01-03 | 2015-04-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optocoupler with multiple photodetectors and improved feedback control of LED |
US9269873B2 (en) | 2012-03-13 | 2016-02-23 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
JP2014216622A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6065135B2 (ja) | 2015-04-02 | 2017-01-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2016178397A1 (ja) * | 2015-05-01 | 2016-11-10 | 日東電工株式会社 | 蛍光体層-封止層付光半導体素子の製造方法 |
JP5985015B2 (ja) | 2015-07-07 | 2016-09-06 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
CN106356441A (zh) * | 2015-07-16 | 2017-01-25 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
WO2017013869A1 (ja) | 2015-07-22 | 2017-01-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
JP6738224B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2020-08-12 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
JP6204525B2 (ja) | 2016-04-05 | 2017-09-27 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR20170139942A (ko) * | 2016-06-10 | 2017-12-20 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 |
-
2018
- 2018-05-02 US US15/969,758 patent/US10461231B2/en active Active
- 2018-05-03 WO PCT/KR2018/005126 patent/WO2019168233A1/ko active Application Filing
- 2018-05-22 JP JP2018097951A patent/JP6484745B1/ja active Active
- 2018-09-19 JP JP2018175342A patent/JP6814773B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002232017A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよびその製造方法 |
JP2014112635A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-06-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
WO2014091914A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置及びその製造方法 |
JP2016213451A (ja) * | 2015-05-01 | 2016-12-15 | 日東電工株式会社 | 蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法 |
US20170005245A1 (en) * | 2015-07-02 | 2017-01-05 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light Emitting Diode Package Structure and Fabrication Method |
JP2017108111A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-06-15 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法 |
KR20170133702A (ko) * | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
JP2018018912A (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023551566A (ja) * | 2020-12-04 | 2023-12-08 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | ダウンコンバータ層転写デバイス及びダウンコンバータ層転写デバイスを使用する方法 |
JP7469568B2 (ja) | 2020-12-04 | 2024-04-16 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | ダウンコンバータ層転写デバイス及びダウンコンバータ層転写デバイスを使用する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019168233A1 (ko) | 2019-09-06 |
US10461231B2 (en) | 2019-10-29 |
JP2019149533A (ja) | 2019-09-05 |
US20190267523A1 (en) | 2019-08-29 |
JP6484745B1 (ja) | 2019-03-13 |
JP6814773B2 (ja) | 2021-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6484745B1 (ja) | 発光素子パッケージの製造方法 | |
EP3483944B1 (en) | Light emitting device package and lighting apparatus comprising same | |
JP6269702B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
CN106206921B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
EP2950358B1 (en) | Light emitting device package | |
EP2448028B1 (en) | Light emitting apparatus and production method thereof | |
EP2665103B1 (en) | Light emitting device | |
TWI557951B (zh) | 發光元件封裝 | |
JP7182782B2 (ja) | 発光素子パッケージ及び光源装置 | |
TWI778103B (zh) | 發光裝置封裝 | |
CN109244224B (zh) | 发光器件封装 | |
TWI790248B (zh) | 發光裝置封裝 | |
KR20190025457A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
KR102285432B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
JP7252597B2 (ja) | 発光素子パッケージ | |
KR102063482B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 | |
TWI775911B (zh) | 發光裝置封裝 | |
KR102153082B1 (ko) | 발광 장치 | |
KR101713685B1 (ko) | 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛 및 발광 장치의 제조 방법 | |
KR102098870B1 (ko) | 발광 장치 | |
KR102194803B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR20190031092A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
KR102473290B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법 | |
KR102519738B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 발광 소자 패키지 제조 방법 | |
KR101567903B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 백라이트 유닛 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180919 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200722 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6814773 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |