WO2019168233A1 - 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법 - Google Patents

발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법 Download PDF

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WO2019168233A1
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light emitting
emitting device
light
light transmitting
device package
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민천기
오승현
임재윤
조상근
조윤건
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주식회사 루멘스
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    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device package and a method for manufacturing the light emitting device package, and more specifically, is used for lighting devices requiring high brightness, such as automobile headlights, and a chip scale light emitting device package capable of improving light extraction efficiency and the same. It relates to a method of manufacture.
  • LEDs Light emitting diodes
  • LEDs are semiconductor devices capable of realizing light of various colors using PN junctions, and have long life, miniaturization, light weight, and low voltage driving.
  • LEDs are resistant to shock and vibration, and do not require complicated driving, and can be mounted and packaged on a substrate or lead frame in various forms so that they are modularized and applied to lighting devices or display backlight units. .
  • the LED package may be implemented in the form of a chip scale package (CSP), which may be manufactured in a form coated with a light-transmissive material to surround the side and the upper surface of the LED.
  • CSP chip scale package
  • the bottom of the LED is exposed in the chip scale package, it is possible to directly bond the electrode pad of the LED to the substrate.
  • the chip scale package itself does not include a reflector, light emitted from the LED may not be provided in an intended direction while having appropriate luminance.
  • a technique for generating a chip scale package further including a bottom open reflector surrounding the light emitting device has been proposed.
  • light between the side surface of the light emitting device and the inner surface of the reflector may leak from the bottom surface of the light emitting device, thereby reducing the luminance.
  • FIG. 1 illustrates an example of a conventional chip scale package.
  • an LED 11 is mounted on a substrate 12, a phosphor sheet 13 is attached to the LED 11, and then a white silicone 14 is dispensed to form a chip.
  • the scale package is manufactured.
  • the side of the LED 11 is surrounded by white silicon 14, and in particular, since the reflective surface of the white silicon 14 is formed vertically, The outgoing light does not go out and is reflected by the side surface 15 of the white silicon 14 (arrows in FIG. 1) and is lost, thereby lowering the overall brightness of the chip scale package.
  • the light exiting in the lateral direction does not travel forward (upper side of the LED 11 in FIG.
  • a white resin reflective wall may be formed by injecting a white reflective resin through a cavity upper opening of the reflector, but in this case, the upper opening of the cavity is narrow to allow injection of resin.
  • the white resin may contaminate the upper surface of the light emitting device to cause a decrease in light efficiency.
  • An object of the present invention is to provide a light emitting device package and a light emitting device package manufacturing method capable of greatly improving luminance by reducing light lost in the lateral direction of the light emitting device.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device package and a light emitting device package manufacturing method that can effectively emit light output from the side of the light emitting device by adding a transparent encapsulant molding.
  • a method of manufacturing a light emitting device package including mounting and arranging light emitting device units on a substrate, and a wavelength at each of the light emitting device units mounted and arranged on the substrate. Attaching a conversion member, filling a reflective material between the light emitting element units to which the wavelength conversion member is attached to form a reflective member, and each of the light emitting element units to which the wavelength conversion member is attached. And vertically cutting the reflective material so as to surround the reflective material to form light emitting device packages.
  • the light emitting device units may include arranging a plurality of light emitting devices on a sheet, and filling light transmitting material between light emitting devices arranged on the sheet to form a light transmitting member. After the curing of the light-transmitting material such that each of the light-emitting device units has one light-emitting device and a light-transmitting member, it is formed by an oblique cutting step of cutting the light-transmitting material to be inclined based on each of the light-emitting elements.
  • the cross section of the section cut to be inclined of the translucent material in the oblique cutting step is cut to be a straight surface.
  • the interval between the section cut so as to be inclined of the light transmitting material in each of the light emitting device units and the side of the light emitting device is narrowed downward.
  • the cross section of the section cut to be inclined of the translucent material in the oblique cutting step is cut to be a downwardly convex curved surface.
  • the cutting in the oblique cutting step, the cutting to be inclined in the entire section of the translucent material.
  • the distance between the light transmitting material and the side surface of the light emitting device is narrowed downward.
  • the cutting in the oblique cutting step, the cutting to be convex downward in the entire section of the translucent material.
  • the lower end of the translucent material is cut away from the side of the light emitting device.
  • the outer edge of the wavelength conversion member is formed wider than the outer edge of the light emitting device.
  • the reflective member is formed of a white silicone material.
  • a light emitting device package including: a reflecting member having a substrate, a light emitting device mounted on the substrate, and a reflecting surface reflecting side light of the light emitting device; A light transmitting member having a light transmitting surface which transmits side light of the light emitting element between the side of the device and the reflective member to the reflecting surface side of the reflecting member and is in contact with the light reflecting surface of the reflecting member; And a wavelength conversion member for wavelength converting light reflected by the reflection surface of the reflection member.
  • the light transmitting surface of the light transmitting member is at least in a portion interval with the side of the light emitting device becomes narrower downward.
  • the light transmitting surface of the light transmitting member is a curved surface convex downward at least a portion.
  • the light transmitting surface of the light transmitting member, the interval with the side of the light emitting device in the entire section becomes narrower toward the bottom.
  • the light transmitting surface of the light transmitting member is a straight surface in the entire section.
  • the light transmitting surface of the light transmitting member is a curved surface convex downward in the entire section.
  • the lower end of the light transmitting surface of the light transmitting member is formed spaced apart from the side of the light emitting device.
  • the outer edge of the wavelength conversion member is formed wider than the outer edge of the light emitting device.
  • the reflective member is formed of a white silicone material.
  • a light emitting device package manufacturing method comprising: a light emitting device transferring step of attaching one surface of a plurality of light emitting devices to one side of a light transmitting plate; A transparent encapsulant molding step of molding a transparent encapsulant on one side of the light-transmitting plate and a side of the light emitting device; And diagonally cutting the translucent plate such that a cross section of the translucent plate has a first inclined surface to form a plurality of unit assemblies including the translucent plate, the light emitting element, and the transparent encapsulant.
  • the diagonal cutting step may be cut in a direction away from the light emitting element attached to the translucent plate from one side of the translucent plate to the other side.
  • the transparent encapsulant molding step after applying the transparent encapsulant in a liquid state, it may be cured to have a second inclined surface between the light emitting element and the transparent plate.
  • the inclination of the first inclined surface of the translucent plate may be equal to or greater than the inclination of the second inclined surface of the transparent encapsulant.
  • the oblique cutting step may further comprise a unit assembly transfer step of attaching the other side of the translucent plate of the plurality of unit assemblies to the sheet.
  • an opaque encapsulant molding step of molding the circumference of the unit assembly on the sheet with an opaque encapsulant may be further included.
  • a cutting step of vertically cutting the opaque encapsulant around the unit assembly After the step of molding the opaque encapsulant, a cutting step of vertically cutting the opaque encapsulant around the unit assembly; And a sheet separation step of separating the sheet attached to the translucent plate of the unit assembly.
  • the oblique cutting step the first inclined surface of the translucent plate may be cut to have a slope of 55 to 75 degrees, the first inclined surface of the translucent plate surface roughness value less than the limit surface roughness Can be diagonally cut to have
  • the other surface of the light emitting device may include an electrode pad
  • the opaque encapsulant in the molding of the opaque encapsulant, the opaque encapsulant may be molded so that the bottom surface of the electrode pad of the light emitting device is exposed to the outside.
  • the opaque encapsulant in the molding of the opaque encapsulant, the opaque encapsulant may be molded so that the bottom of the electrode pad of the light emitting device and the bottom of the opaque encapsulant are located on the same plane.
  • a light emitting device package including: a light-transmitting plate that has a diagonal cut to have a first inclined surface; A light emitting element attached to one side of the light transmitting plate; And a transparent encapsulant molded on one side of the light transmissive plate and a side surface of the light emitting device, and formed to have a second inclined surface between the light emitting device and the light transmissive plate, wherein the first inclined surface is less than a limit surface roughness. May have a roughness value.
  • the transparent encapsulant may be cured to have a second inclined surface between the light emitting element and the light transmissive plate after being applied in a liquid state, and the inclination of the first inclined surface of the light transmissive plate may be the transparent encapsulation. It may be equal to or greater than the slope of the second slope of the ash.
  • the light emitting device package may further include an opaque encapsulant molded around the unit assembly including the light transmissive plate, the light emitting device, and the transparent encapsulant.
  • the opaque encapsulant may be molded around the unit assembly, and then may be vertically cut, and may grind the vertically cut outer surface.
  • the translucent plate may have a slope of the first inclined surface 55 to 75 degrees, the first slope may have a surface roughness value less than the limit surface roughness.
  • the light emitting device may include an electrode pad on the other surface, the bottom surface of the electrode pad may be exposed to the outside.
  • the bottom of the electrode pad and the bottom of the opaque encapsulant may be formed on the same plane.
  • the present invention provides a light emitting device package having a light transmitting surface of the light transmitting member and a reflective surface structure of the reflective member formed obliquely, and a method of manufacturing the same, thereby reducing the light lost in the side direction of the light emitting device has the effect of improving the brightness.
  • the present invention has an effect that can be widely applied for a vehicle lighting device by providing a chip scale package having a high brightness.
  • the present invention includes a transparent silicon applied between the light emitting element and the light-transmitting plate, it can effectively emit the light output from the side of the light emitting element, and through the structure that the side of the light-transmitting plate is formed to have a constant inclination The light extraction efficiency of light output from the light emitting device can be improved.
  • FIG. 2 is a view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a view for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 4 to 7 are views for explaining the shape of the light transmitting member 150 and the reflective member 140 in the light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic view showing a method of manufacturing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • 11 to 13 are exemplary views comparing a light emitting device package and a conventional light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting device and the light emitting device unit are distinguished from each other, and the resultant after the light transmitting element is added to the light emitting device and diagonally cut is defined as the light emitting device unit.
  • FIG. 2 is a view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention
  • Figure 3 is a view for explaining a light emitting device package manufacturing method according to an embodiment of the present invention
  • Figures 4 to 7 4 is a view illustrating the shape of the light transmitting member 150 and the reflective member 140 in the light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • a light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device 110, a substrate 120, a wavelength conversion member 130, a reflective member 140, and a light transmitting member 150. do.
  • the light emitting device 110 is in the form of an LED chip, the following description will describe the LED as 110.
  • the LED 110 has a primary surface, a side surface, and a mounting surface, and is mounted to face the mounting surface on the substrate 120.
  • the main surface is a surface from which light generated in the active layer of the LED 110 mainly exits, and is a top surface of the LED 110 in FIG. 2 and a surface in contact with the wavelength conversion member 130.
  • the side surface is a surface in contact with the light transmitting member 150.
  • An electrode pad (not shown) is formed on the mounting surface. Accordingly, the LED 110 may be a flip type or a lateral chip in which the anode pad and the cathode pad are formed on the mounting surface side.
  • the substrate 120 provides a space for mounting the LED 110 thereon, and is a lead frame type in which a lead frame for connecting to the outside is electrically connected to the electrode pads of the LED 110 and has a good thermal conductivity. Is preferred.
  • the wavelength conversion member 130 is used for wavelength conversion of light emitted from the LED 110 and is bonded to the main surface of the LED 110 using a silicone adhesive.
  • the wavelength conversion member 130 converts the wavelength of the light reflected from the light reflection surface 141 of the reflective member 140 from the side of the LED 110 in addition to the light emitted from the main surface of the LED 110. Since the light reflected by the light reflecting surface 141 may come out of an area other than the main surface of the LED 110, the wavelength reflection of the light reflected by the light reflecting surface 141 may be performed as shown in FIG.
  • the outer edge of the wavelength conversion member 130 may be formed wider than the outer edge of the LED 110.
  • the outer edge of the LED 110 means the outer edge of the main surface of the LED (110).
  • the outer edge of the wavelength conversion member 130 is formed to match the outer edge of the light transmitting member 150.
  • the wavelength conversion member 130 for example, one of a general phosphor sheet, a quantum dot material, PIG (Phosphor In Glass), PIS (Phosphor In Silicon) and PC (Phosphor Ceramic) may be used. It doesn't happen.
  • PIG is formed by mixing glass powder with phosphor powder and then molding it into a plate type.
  • PIS is produced by mixing phosphor powder with encapsulant in the form of a film having a thickness of several micrometers. It is a manufactured ceramic plate phosphor.
  • the reflective member 140 is formed so that at least a portion of the section is inclined with respect to the side of the LED 110 so that the light exiting the side of the LED 110 is wavelength-converted through the wavelength converting member 130 of the LED 110. It has a light reflecting surface 141 that reflects.
  • the reflective member 140 may be formed of a white silicone material so that reflection by the light reflecting surface 141 may occur, but is not limited to such a material, and may be formed of various materials to facilitate light reflection. Can be.
  • the light transmitting member 150 transmits the light emitted from the side of the LED 110 between the side of the LED 110 and the reflecting member 140 toward the light reflecting surface 141 of the reflecting member 140, and reflects the light.
  • a light projecting surface 151 in contact with the light reflecting surface 141. That is, the light reflecting surface 141 of the reflecting member 140 and the light projecting surface 151 of the light transmitting member 150 are in contact with each other.
  • FIGS. 4 to 7 Specific examples of the light transmissive member 150 and the reflective member 140 in contact with the light transmissive member 150 are shown in FIGS. 4 to 7 and will be described with reference to these drawings.
  • the thickness of the upper side of the light transmitting member 150a and the thickness thereof become thinner toward the lower side, and are formed in a straight plane in the entire section of the light transmitting member 150a.
  • the straight plane is a term used to mean a plane and is used to distinguish it from the curved plane illustrated in FIG. 5.
  • the light reflecting surface 141a of the reflecting member 140a is also a straight surface, and the LEDs are directed downward.
  • the distance from the side of 110) is close. Accordingly, the light emitted from the side of the LED 110 passes through the light transmitting member 150a and is reflected by the light reflecting surface 141a of the reflecting member 140a and then wavelength-converted by the wavelength converting material 130.
  • the light transmitting member 150b has an upper and lower narrow structure, and the light transmitting surface 151b of the light transmitting member 150b is convex downward in all sections.
  • the light exiting surface 151b and the reflecting member 140b of the light transmitting member 150b are reflected on the light reflecting surface 141b to travel toward the wavelength conversion member 130.
  • All of the light reflection surface 141b is formed as a curved surface convex downward in the entire section.
  • the thickness of the upper side of the light transmitting member 150 is thicker and thinner as it goes downward, similarly to the linear shape of FIG.
  • the light reflecting surface 141b becomes a concave mirror shape, light emitted from the side of the LED 110 passes through the light transmitting member 150b to be reflected by the light reflecting surface 141b of the reflecting member 140b and then converts into wavelengths. The wavelength is converted by the material 130.
  • the lower ends of the light transmitting surfaces 151a and 151b of the light transmitting members 150a and 150b are in contact with the side surfaces of the LED 110.
  • the lower end of the light transmitting surface may be formed to be spaced apart from the side of the LED (110).
  • FIG. 6 shows that the lower end of the light transmitting surface 151c of the light transmitting member 150c is spaced apart from the side surface of the LED 110, and the light transmitting member 150c has an upper and lower narrow structure and the light transmitting surface 151c of the light transmitting member 150c.
  • the thickness of the upper side of the light transmissive member 150c is thicker and thinner toward the lower side, and is formed in a straight plane in the entire section of the light transmissive member 150c.
  • the light reflecting surface 141c of the reflecting member 140c is also a straight surface, and the LEDs (downward) The distance from the side of 110) is close.
  • the light transmitting surface 151c of the light transmitting member 150c is spaced apart from the side surface of the LED 110, the light reflecting surface 141c of the reflective member 140c is also spaced apart from the side surface of the LED 110. .
  • FIG. 7 illustrates an example in which a portion of the light transmitting surface 151d of the light transmitting member 150d is inclined with respect to the side surface of the LED 110. That is, unlike the example of FIGS. 4, 5, and 6 in which the light transmitting surface of the light transmitting member and the light reflecting surface of the reflective member in contact with the light transmitting member are inclined in a straight or curved surface in the entire section, in the case of FIG. Some sections of the light transmitting surface 151d of 150d are inclined with respect to the side surface of the LED 110. In addition, since the light reflecting surface 141d of the reflecting member 140 is in contact with the light transmitting surface 151d of the light transmitting member 150d, a part of the light reflecting surface 141d of the reflecting member 140c is also the LED 110.
  • a method of manufacturing a light emitting device package begins with arranging a plurality of LEDs 110 on a sheet 50 (FIG. 3A).
  • a transparent sheet can be used as the sheet 50.
  • the plurality of LEDs 110 are arranged on the sheet 50 at predetermined intervals, and one surface of each of the LEDs 110 is adhered to the sheet 50 and maintained.
  • the electrode pads face upward, that is, the electrode pads.
  • a light transmitting material is filled between the LEDs 110 arranged on the sheet 50 to form the light transmitting member (150 in FIG. 2) (b). Since the light transmitting material filled between the LEDs 110 becomes a light transmitting member (150 of FIG. 2) of the light emitting device package by cutting, the light transmitting material is denoted by the same reference numeral 150 as the light transmitting member of FIG. 2.
  • a method of filling the light transmitting material 150 between the LEDs 110 a dispensing or squeezing method may be used, but the present invention is not limited thereto.
  • step (c) of forming a plurality of primary LED units is performed.
  • the primary LED units FLU here are also referred to as LED units.
  • the primary LED units FLU cut the light transmitting material 150 downward to surround the sides of each of the LEDs 110 with respect to each of the LEDs 110 as shown in (c). However, the cut light transmitting material (the cut surface becomes the light transmitting surface (see 151 of FIG. 2) in the final light emitting device package) is formed by cutting at least a portion of the inclination with respect to each of the LEDs 110 located in the center.
  • Reference numeral CL1 is an example of a cutting line.
  • each of the primary LED units FLU has one LED 110 and a light transmitting member 150
  • the light transmitting member 150 has a light transmitting surface 151 (see FIG. 2).
  • An angle of inclination (d of FIG. 2) (the angle of inclination of a portion of the portion when the portion is cut to be inclined) when cutting the light transmitting material 150 may be in a range of 0 ° ⁇ d ⁇ 90 °.
  • the light transmitting surface 151 is a straight surface (refer to FIG. 4, 6, or 7)
  • the light transmitting surface 151 may be formed by being inclinedly cut to have any angle within a range of 0 ° ⁇ d ⁇ 90 °. have.
  • the inclination angle d is defined as an angle formed between a tangent at an arbitrary point on the light transmitting surface which is a curved surface and the side of the LED 110, and the light emitting surface 151 is formed.
  • the light transmitting surface 151 may be formed by cutting so that a plurality of straight surfaces are continuous.
  • the interval between the cut section (when the entire section, the entire transmissive surface) of the translucent material 150 is inclined and the side of the LED 110 become narrower downwards. Is formed.
  • the first LED units (FLU) formed by cutting inclined in step (c) is mounted on the substrate 120 and rearranged (d).
  • an electrode pad (not shown) formed on the LEDs in the primary LED units FLU may have a corresponding area (each of the LEDs) on the substrate 120. Die-bonded to the mounted area).
  • the substrate 120 may be, for example, a ceramic substrate having a high thermal conductivity material.
  • the portion of the first LED units FLU bonded to the sheet 50 as shown in (d) is upward. To be mounted on the substrate 120.
  • the substrate 110 is cut and formed on the substrate 120 after forming the primary LED units FLU.
  • the first LED units FLU may be separated from (c) and then mounted on the substrate 120 without being flipped.
  • the substrate 120 is a lead frame type in which a lead frame (not shown) is electrically connected to the electrode pads (not shown) of the LED 110 and connected to the outside, and a material having good thermal conductivity is preferable.
  • the wavelength conversion member 130 is attached to each of the primary LED units FLU mounted and rearranged on the substrate 120 ((e)).
  • the wavelength conversion member 130 is bonded to the main surface of the LED 110 using a silicone adhesive.
  • the wavelength conversion member 130 for example, one of a general phosphor sheet, a quantum dot material, Phosphor In Glass (PIG), Phosphor In Silicon (PIS), and Phosphor Ceramic (PC) may be used, but is not limited thereto. .
  • each of the primary LED units FLU
  • the outer edge of the wavelength conversion member 130 is preferably formed wider than the outer edge of the LED (110). Furthermore, when considering the path of the light reflected by the light reflecting surface 141, it is most preferable that the outer edge of the wavelength conversion member 130 is formed to match the outer edge of the light transmitting member 150.
  • the reflective material is filled between the primary LED units FLU to which the wavelength conversion member 130 is attached (f) to form the reflective member 140 (FIG. 2). Since the reflective material to be filled is cut to an appropriate size around each of the primary LED units FLU and finally becomes the reflective member 140, the reference numeral 140 also refers to the reflective material in FIG. Indicated.
  • a method of filling the reflective material 140 between the primary LED units FLU a dispensing or squeezing method may be used, but is not limited thereto.
  • White silicone may be used as the reflective member, but is not limited to such a material.
  • the cutting line CL2 is further disposed such that the reflective material 150 further surrounds each of the primary LED units FLU to which the wavelength conversion member 130 is attached.
  • Secondary LED units (SLUs) are light emitting device packages that are a result of manufacturing by the light emitting device package manufacturing method of the present invention.
  • each of the secondary LED units SLU that is, the light emitting device packages, is formed to have one LED 110, a light transmitting member 140, a wavelength converting member 130, and a reflective member 140.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention
  • FIG. 9 is a schematic view of a method of manufacturing a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
  • the light emitting device package may be a chip scale package (CSP).
  • one surface of the plurality of light emitting devices 220 may be attached to one side of the light transmissive plate 210.
  • a plurality of light emitting devices 220 may be positioned on one light transmitting plate 210 to manufacture a plurality of light emitting device packages simultaneously.
  • the light emitting devices 220 may be transferred onto the transparent plate 210 in a matrix arrangement.
  • the light emitting device 220 may be implemented in the form of a flip chip including an electrode pad protruding from the other surface of the light emitting device 220 as shown in FIG. 9 (a).
  • the light transmissive plate 210 emits light output from the light emitting device 220 to the outside, and is polycarbonate-based, polysulfone-based, polyacrylate-based, polystyrene-based, polyvinyl chloride-based, polyvinyl alcohol-based, polynor It may be made of a material such as bonen-based, polyester, in addition to various light-transmissive resin-based materials can be applied.
  • one side of the light transmissive plate 210 and a side surface of the light emitting device 220 may be molded into the transparent encapsulant.
  • the transparent encapsulant 230 in a liquid state may be supplied onto the transparent plate 220, and the transparent encapsulant 230 in the liquid state is at least the height of the light emitting device 220. The amount can be supplied up to.
  • the liquid transparent encapsulant 230 may be cured. In this case, the cured transparent encapsulant 230 forms a second inclined surface of the light emitting device 220. You can surround it.
  • the light transmissive plate 210 may be cut diagonally so that the cross section of the light transmissive plate 210 has a first inclined surface.
  • the light emitting device 220 may be centered, and the light transmissive plate 210 having a predetermined area around the light emitting device 220 may be cut.
  • a unit assembly including the light emitting device 220, the transparent encapsulant 230, and the light transmissive plate 210 may be generated.
  • the transparent encapsulant 230 may not be cut, and the inclination of the first inclined surface of the transparent plate 210 may be different from the inclination of the second inclined surface of the transparent silicon 230.
  • the inclination of the first inclined surface may be equal to or greater than the inclination of the second inclined surface.
  • a burr may occur in the cutting step S30, and in this case, a burr removing step of removing the burr may be further performed.
  • the first inclined surface of the translucent plate 210 may be cut to have an inclination of 55 to 75 degrees, in which case the first inclined surface of the cut translucent plate 210 may have a surface less than the limit surface roughness. It may have a roughness value.
  • the surface roughness value of the first inclined surface may be different according to the slope of the cross section, and the lower the surface roughness value, the light efficiency of the light emitting device 220 may be improved. That is, when the surface roughness of the first inclined surface of the translucent plate 210 is rough, since the amount of light scattered from the first inclined surface is increased to reduce the amount of light emitted to the outside, the light efficiency of the light emitting device 220 Losses may occur.
  • the surface roughness value of the cross section obtained by cutting the light transmissive plate 210 is rough when the surface is cut vertically, but when cut diagonally so as to have a constant slope, the surface roughness may be improved.
  • the slope having the optimum surface roughness can be obtained experimentally, and according to the embodiment, it may have the optimum surface roughness when the slope of the first inclined surface has a slope of 55 to 75 degrees.
  • the inclination of the first inclined surface may be variously set, but at least the surface roughness of the first inclined surface may be set to have a smaller value than the limit surface roughness.
  • the limit surface roughness may be surface roughness when cut vertically.
  • the light transmissive plate 210 may be cut to have an inclination, thereby reducing the surface roughness value on the first inclined surface.
  • unit assembly transfer step S40 as illustrated in FIG. 9E, the plurality of unit assemblies generated through the diagonal cutting step S30 may be rearranged on a separate sheet S. Referring to FIG. In this case, the other side of the translucent plate included in the unit assembly may be transferred to be attached to the sheet.
  • the circumference of the unit assembly may be molded into the opaque encapsulant 240.
  • the liquid opaque encapsulant 240 may be supplied onto the sheet S, and the liquid opaque encapsulant 240 may be formed on the electrode pad of the light emitting device 220. It can be supplied at an uncovered height.
  • the opaque encapsulant molding step S50 the opaque encapsulant 240 in a liquid state may be cured to mold the circumference of each unit assembly into the opaque encapsulant 240.
  • the opaque encapsulant 240 may be molded so that the bottom of the electrode pad of the light emitting device 220 is exposed to the outside.
  • the bottom of the electrode pad and the bottom of the opaque encapsulant are positioned on the same plane. Molding is also possible. In other words, even when the opaque encapsulant is molded in order to protect the unit assembly, the electrode pad may be exposed so that the light emitting device package produced thereafter may be easily connected to another substrate or the like. In particular, when molding the bottom surface of the electrode pad and the bottom surface of the opaque encapsulant are located on the same plane, it is possible to enable a stable connection while minimizing the exposure.
  • the opaque encapsulant around each unit assembly may be vertically cut through the cutting step S60, and the transparent plate 210 of the unit assembly may be cut through the sheet separating step S70.
  • the sheet (S) attached to the can be separated.
  • burrs generated during the vertical cutting process may be further removed.
  • the light emitting device package 200 as shown in FIG. 10 may be generated.
  • the light emitting device package 200 may be protected from an external impact by the opaque encapsulant 240, and the light output from the light emitting device 220 may be reflected by the opaque encapsulant 240 to be emitted to the outside. .
  • the light output from the light emitting device 220 is mostly emitted directly through the light-transmitting plate 210, but part of the light may be output to the side, in this case it may be reflected from the opaque encapsulant 240 may be emitted to the outside. .
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • the light emitting device package 200 may include a light transmitting plate 210, a light emitting device 220, a transparent encapsulant 230, and an opaque encapsulant 240. have.
  • the light transmissive plate 210 may protect the light emitting device 220 from an external impact, and may emit light output from the light emitting device 220 to the outside.
  • the translucent plate 210 may be made of a material such as polycarbonate-based, polysulfone-based, polyacrylate-based, polystyrene-based, polyvinyl chloride-based, polyvinyl alcohol-based, polynorbornene-based, polyester, and the like. Translucent resin-based material may be applied.
  • the light transmissive plate 210 may include a fine pattern, a fine protrusion or a diffusion film on the surface thereof, and may be manufactured by various methods such as forming fine bubbles therein.
  • the translucent plate 210 may have a larger area of the other side 212 than the one side 211, and the side surface 213 may have a first inclined surface a. Diagonal cuts can be made.
  • the inclination of the first inclined surface (a) may be variously set, but according to one embodiment, it may be formed to have a slope of 55 to 57 degrees.
  • the first inclined surface (a) of the side of the translucent plate 210 may be formed to have a surface roughness less than the limit surface roughness.
  • Light output from the light emitting device 220 is transmitted through the light-transmissive plate 210 to the outside, a portion of the light output from the light emitting device 220 is emitted through the first inclined surface (a) of the light-transmitting plate 210 Can be.
  • the surface roughness of the first inclined surface (a) is rough, since the light is scattered and the amount of light reflected to the outside is reduced, the light efficiency of the light emitting device may occur. Therefore, the surface roughness of the first inclined surface (a) can be implemented to have at least less than the limit surface roughness.
  • the surface roughness of the first inclined surface a may be improved by cutting the side surface 213 of the translucent plate 210 in an oblique line.
  • the surface roughness value of the cross section cut vertically of the translucent plate 210 is greater than the surface roughness value of the cross section cut diagonally, and the surface roughness value may be different according to the slope cut by the diagonal line. Therefore, the inclination having the optimum surface roughness can be obtained experimentally, and according to the embodiment, the optimum surface roughness can be obtained when the inclination of the first inclined surface a is cut at 55 to 75 degrees.
  • the inclination of the first inclined surface (a) may be variously set according to an embodiment, but the inclination of the first inclined surface (a) having a surface roughness of at least smaller than the limit surface roughness may be selected.
  • the limit surface roughness may be surface roughness when cut vertically.
  • the light emitting device 220 may be attached to one side 221 of the light emitting device 220 on one side 211 of the transparent plate 210, the light emitting device 220 through one side 221 corresponding to the light emitting surface Can output light
  • the light emitting device 220 may be implemented in the form of a flip chip including an electrode pad (not shown) protruding from the other surface 222 of the light emitting device 220. .
  • the light emitting device 220 is implemented as a semiconductor, for example, a light emitting diode (LED) emitting light of blue, green, red, yellow light, or an ultraviolet light emitting LED made of a nitride semiconductor, the light emitting device 20 It may correspond to.
  • the light emitting device 20 may be formed by epitaxially growing a nitride semiconductor such as InN, AIN, InGaN, AlGaN, InGaAIN on a growth sapphire substrate or a silicon carbide substrate by a vapor deposition method such as a MOCVD method.
  • the light emitting element 220 may be formed using a semiconductor such as ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP.
  • the light emitting device 220 may be implemented using a laminate in which these semiconductors are formed in the order of an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a p-type semiconductor layer, and the light emitting layer (active layer) may have a multi-quantum well structure or a single quantum well structure. It may be implemented using a laminated semiconductor or a stacked semiconductor having a double heterostructure.
  • the transparent encapsulant 230 may be molded on one side 211 and the light emitting device side surface 223 of the light transmissive plate 210.
  • the transparent encapsulant may be applied in a liquid state, and may be cured and fixed to have a second inclined surface b between the light emitting device 220 and the light transmissive plate 210.
  • the transparent encapsulant 230 is formed to surround the side surface 222 of the light emitting device 220, the light output from the side surface 223 of the light emitting device 220 may pass through the transparent encapsulant 230. It can be secured. That is, the light efficiency of the light emitting device 220 can be improved by the structure of the transparent encapsulant 230. Meanwhile, the inclination of the second inclined surface b of the transparent encapsulant may be equal to or smaller than the first inclined surface a of the translucent plate, as shown in FIG. 10.
  • the opaque encapsulant 240 may be molded around the unit assembly including the translucent plate 210, the light emitting device 220, and the transparent encapsulant 230.
  • the opaque encapsulant 240 may protect the unit assembly from an external shock, and may reflect the light output from the light emitting device 220 to emit to the outside.
  • the light output from the light emitting device 220 is mostly emitted directly through the light-transmitting plate 210, but part of the light may be output to the side, in this case it may be reflected through the opaque encapsulant 240 to be emitted to the outside.
  • the opaque encapsulant 240 is a modified epoxy resin composition such as epoxy resin composition, silicone resin composition, silicone modified epoxy resin, modified silicone resin composition such as epoxy modified silicone resin, polyimide resin composition, modified polyimide resin composition, Polyphthalamide (PPA), polycarbonate resin, polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), ABS resin, phenol resin, acrylic resin, PBT resin and the like can be implemented in various materials.
  • these resins may contain light reflecting materials such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, white or metal-based components. Can be.
  • the opaque encapsulant 240 may be molded around the unit assembly and then vertically cut, and in some embodiments, grinding may be added to the vertically cut outer surface c. That is, the outer surface c may be ground to reduce the surface roughness of the outer surface c to increase the completeness of the produced light emitting device package 200.
  • 11 to 13 are views illustrating a comparison between a light emitting device package and a conventional light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
  • a light emitting device package having no form of a transparent encapsulant 230 may be implemented.
  • most of the light is emitted to the outside through the light emitting surface of the light emitting device 220, the light output from the side of the light emitting device 220 may be blocked by the opaque encapsulant 240 may not be emitted to the outside. have.
  • the light emitting device package including the transparent encapsulant 230 as illustrated in FIG. 11B may have an effect of improving light extraction efficiency of about 5% as compared with FIG. 11A.
  • the light emitting device package of FIG. 12A includes a transparent encapsulant 230, but corresponds to an embodiment in which the light transmissive plate 210 is vertically cut.
  • Figure 12 (b) is a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, it is characterized in that the translucent plate 210 is cut diagonally so as to have a first inclined surface.
  • FIG. 13 (a) when cutting the translucent plate 210 vertically, a cutting surface as shown in FIG. 13 (a) may appear, and when cutting the translucent plate 210 with an oblique line, a cutting surface as shown in FIG. 13 (b) may appear. have. That is, as shown in Figure 13 (a) and Figure 13 (b), it can be seen that the surface roughness in the case of cutting to have a constant inclination is better than the case of vertical cutting.
  • the light output from the light emitting device 220 is transmitted through the light-transmissive plate 210 to the outside, a part may be emitted through the side of the light-transmissive plate 210.
  • the light emitting device package having the structure of FIG. 12B having a good surface roughness may be advantageous in terms of light extraction efficiency. That is, when the light transmissive plate 210 is formed by cutting diagonally so as to have the first inclined surface as shown in FIG. 12 (b), the light extraction efficiency of about 1.5% is improved as compared with the case of FIG. 12 (a). Can be obtained.

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Abstract

발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법이 개시된다. 발광소자 패키지 제조 방법은, 발광소자 유닛들을 기판 상에 실장하여 배열하는 단계, 상기 기판 상에 실장하여 배열한 상기 발광소자 유닛들 각각에 파장변환 부재를 부착하는 단계, 반사 부재를 형성하기 위해, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 사이에 반사 재료를 충전하는 단계와, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 각각을 상기 반사 재료가 둘러싸도록 수직으로 커팅함으로써 발광소자 패키지들을 형성하는, 수직 컷팅 단계를 포함한다.

Description

발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법
본 발명은 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법에 관한 것이며, 더 구체적으로는 자동차 전조등과 같이 고휘도를 요구하는 조명 장치용도로 사용되며, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 칩 스케일 발광소자 패키지와 이를 제조하는 방법과 관련된다.
여러 가지 발광소자들 중 엘이디(Light Emitting Diode)는 PN 접합을 이용하여 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 반도체 소자로서, 수명이 길고, 소형화, 경량화 및 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다.
또한, 엘이디는 충격과 진동에도 강하고 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드 프레임에 실장되고 패키징될 수 있어 모듈화하여 조명 장치용으로 또는 디스플레이의 백라이트 유닛(Back Light Unit)용으로 적용되고 있다.
또한, 엘이디 패키지는 칩 스케일 패키지(CSP: Chip Scale Package)의 형태로도 구현되는데, 이러한 칩 스케일 패키지는 엘이디의 측면과 상부면을 둘러싸도록 투광성 재료로 도포한 형태로 제조될 수 있다. 일반적으로, 칩 스케일 패키지는 엘이디의 저면이 노출되므로, 엘이디의 전극패드를 기판에 직접 본딩하는 것이 가능하다.
다만, 일반적으로 칩 스케일 패키지 자체는 리플렉터를 포함하지 않으므로, 엘이디에서 방출되는 빛이 적절한 휘도를 가지면서 의도된 방향으로 제공되기 어려운 단점이 있다. 이를 해결하기 위하여, 발광소자를 둘러싸는 하단 개방형의 리플렉터를 더 포함하여 칩 스케일 패키지를 생성하는 기술이 제안된 바 있다. 그러나, 이 경우 발광소자의 측면과 리플렉터의 내측면 사이의 빛이 발광소자의 저면에서 새어나와 휘도가 저하될 수 있다.
도 1에는 종래의 칩 스케일 패키지의 일 예가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 엘이디(11)가 기판(12) 상에 실장되고, 엘이디(11)에 형광체 시트(13)를 부착한 후 화이트 실리콘(white silicone)(14)을 디스펜싱함으로써 칩 스케일 패키지가 제조된다. 이러한 종래의 칩 스케일 패키지는 도시된 바와 같이 엘이디(11)의 측면이 화이트 실리콘(14)으로 둘러싸여 있고, 특히 화이트 실리콘(14)의 반사면이 수직으로 형성되어 있기 때문에 엘이디(11)의 측면으로 나가는 광이 밖으로 나가지 못하고 화이트 실리콘(14)의 측면(15)에 의해 반사되어(도 1의 화살표) 손실되므로, 칩 스케일 패키지의 전체적인 휘도가 저하된다. 뿐만 아니라, 이러한 종래의 칩 스케일 패키지 구조에서는 측면 방향으로 나가는 광이 전방(도 1에서 엘이디(11)의 상측)으로 진행되지 않아 형광체 시트를 경유하지 않게 되므로, 칩 스케일 패키지의 휘도 향상을 위해 측면 방향으로 나가는 광을 전방으로 진행시키기 위한 방안도 요구된다. 특히, 자동차의 전조등이나 기타 전방 조명을 위한 용도로 사용되는 응용 제품에 적용하기 위한 칩 스케일 패키지의 경우, 전방으로 진행하는 광의 휘도를 높이는 것이 요구되므로, 종래의 칩 스케일 패키지 구조를 개선할 필요성이 있다.
추가로, 휘도 저하를 방지하기 위하여, 리플렉터의 캐비티(cabity) 상단 개방부를 통하여 백색 계열 반사성 수지를 주입하여 백색 수지 반사벽을 형성할 수 있으나, 이 경우 캐비티의 상단 개방부가 협소하여 수지 주입을 위한 공간의 확보가 어렵거나 불가능한 경우가 발생하는 문제점이 있다. 또한, 백색 수지가 발광소자의 상면을 오염시켜 광 효율저하를 야기하는 경우도 발생할 수 있다. 이러한 문제들도 또한 개선될 필요가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광소자의 측면 방향으로 손실되는 광을 줄임으로써 휘도를 대폭 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 투명 봉지재 몰딩을 추가하여, 발광소자의 측면에서 출력되는 빛을 효과적으로 발산시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 발광 소자 패키지 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 발광소자 유닛들을 기판 상에 실장하여 배열하는 단계와, 상기 기판 상에 실장하여 배열한 상기 발광소자 유닛들 각각에 파장변환 부재를 부착하는 단계와, 반사 부재를 형성하기 위해, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 사이에 반사 재료를 충전하는 단계와, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 각각을 상기 반사 재료가 둘러싸도록 수직으로 커팅함으로써 발광소자 패키지들을 형성하는, 수직 컷팅 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따라, 상기 발광소자 유닛들은, 복수 개의 발광소자들을 시트 상에 배열하는 단계와, 투광 부재를 형성하기 위해, 상기 시트 상에 배열된 발광소자들 사이에 투광 재료를 충전하는 단계와, 상기 발광소자 유닛들 각각이 하나의 발광소자와 투광 부재를 갖도록, 상기 투광 재료의 경화 후, 상기 발광소자들 각각을 기준으로 하여 상기 투광 재료를 경사지도록 커팅하는 사선 컷팅 단계에 의해 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간의 단면은 직선면이 되도록 커팅한다.
일 실시예에 따라, 상기 발광소자 유닛들 각각에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간과 상기 발광소자의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아진다.
일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간의 단면은 하방으로 볼록한 곡면이 되도록 커팅한다.
일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 전체 구간에서 경사지도록 커팅한다.
일 실시예에 따라, 상기 발광소자 유닛들 각각에서, 상기 투광 재료와 상기 발광소자의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아진다.
일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡면이 되도록 커팅한다.
일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 하단은 상기 발광소자의 측면으로부터 이격되게 커팅한다.
일 실시예에 따라, 상기 발광소자 패키지들 각각에서, 상기 파장변환 부재의 외연은 상기 발광소자의 외연보다 넓게 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 반사 부재는 화이트 실리콘(white silicone) 재료로 형성된다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 발광소자 패키지는, 기판과, 상기 기판에 실장되는 발광소자와, 상기 발광소자의 측면광을 반사시키는 반사면을 갖는, 반사 부재와, 상기 발광소자의 측면과 상기 반사 부재 사이에서 상기 발광소자의 측면광을 상기 반사 부재의 반사면 측으로 투과시키며 상기 반사부재의 광 반사면에 접하는 투광면을 갖는, 투광부재와, 상기 발광소자로부터 나오는 광 및 상기 반사 부재의 반사면에 의해 반사된 광을 파장 변환하는 파장변환 부재를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은 적어도 일부 구간에서 상기 발광소자의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아진다.
일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은 적어도 일부 구간이 하방으로 볼록한 곡면이다.
일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은, 전체 구간에서 상기 발광소자의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아진다.
일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은 전체 구간에서 직선면이다.
일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면은 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡면이다.
일 실시예에 따라, 상기 투광 부재의 투광면의 하단은 상기 발광소자의 측면으로부터 이격되게 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 파장변환 부재의 외연은 상기 발광소자의 외연보다 넓게 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 반사 부재는 화이트 실리콘(white silicone) 재료로 형성된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 투광성 플레이트의 일측에 복수개의 발광소자의 일면을 부착하는 발광소자 전사 단계; 상기 투광성 플레이트의 일측과 상기 발광소자 측면에 투명 봉지재로 몰딩하는 투명 봉지재 몰딩 단계; 및 상기 투광성 플레이트의 단면이 제1 경사면을 가지도록 상기 투광성 플레이트를 사선 컷팅하여 상기 투광성 플레이트, 상기 발광소자와 상기 투명 봉지재로 이루어진 복수개의 단위 결합체를 형성하는 사선 컷팅 단계를 포함할 수 있으며, 상기 사선 컷팅 단계는, 상기 투광성 플레이트의 일측에서 타측으로 갈수록 상기 투광성 플레이트에 부착된 상기 발광소자와 멀어지는 방향으로 컷팅할 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 투명 봉지재 몰딩 단계는, 액체 상태의 상기 투명 봉지재를 도포한 후, 상기 발광소자와 투광성 플레이트 사이에서 제2 경사면를 가지도록 경화시킬 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 투광성 플레이트의 제1 경사면의 기울기는 상기 투명 봉지재의 제2 경사면의 기울기와 같거나 클 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅 단계 이후에, 상기 복수개의 단위 결합체의 투광성 플레이트의 타측을 시트에 부착하는 단위 결합체 전사 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 단위 결합체 전사 단계 이후에, 상기 시트상의 상기 단위 결합체의 둘레를 불투명 봉지재로 몰딩하는 불투명 봉지재 몰딩 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 불투명 봉지재 몰딩 단계 이후에, 상기 단위 결합체 주변의 불투명 봉지재를 수직 컷팅하는 컷팅단계; 및 상기 단위 결합체의 투광성 플레이트에 부착된 상기 시트를 분리하는 시트 분리 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 사선 컷팅단계는, 상기 투광성 플레이트의 제1 경사면이 55~75도의 기울기를 가지도록 사선 컷팅할 수 있으며, 상기 투광성 플레이트의 제1 경사면이 한계 표면 거칠기 미만의 표면 거칠기 값을 가지도록 사선 컷팅할 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 발광소자의 타면은 전극패드를 포함할 수 있으며, 상기 불투명 봉지재 몰딩 단계는, 상기 발광소자의 전극패드의 저면이 외부로 노출되도록 상기 불투명 봉지재를 몰딩할 수 있다. 또한, 불투명 봉지재 몰딩 단계에서는, 상기 발광소자의 전극패드의 저면과 상기 불투명 봉지재의 저면이 동일 평면상에 위치하도록, 상기 불투명 봉지재를 몰딩할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 발광소자 패키지는, 단면이 제1 경사면을 가지도록 사선 컷팅된 투광성 플레이트; 상기 투광성 플레이트의 일측에 부착된 발광소자; 및 상기 투광성 플레이트의 일측과 상기 발광소자 측면에 몰딩되며, 상기 발광소자와 투광성 플레이트 사이에서 제2 경사면을 가지도록 형성되는 투명 봉지재를 포함할 수 있으며, 상기 제1 경사면은 한계 표면 거칠기 미만의 거칠기 값을 가질 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 투명 봉지재는, 액체 상태로 도포된 후, 상기 발광소자와 투광성 플레이트 사이에서 제2 경사면을 가지도록 경화될 수 있으며, 상기 투광성 플레이트의 제1 경사면의 기울기는 상기 투명 봉지재의 제2 경사면의 기울기와 같거나 클 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 발광소자 패키지는, 상기 투광성 플레이트, 발광소자 및 투명 봉지재를 포함하는 단위 결합체의 둘레에 몰딩되는 불투명 봉지재를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 불투명 봉지재는 상기 단위 결합체의 둘레에 몰딩된 후, 수직 컷팅되어 형성될 수 있으며, 상기 수직 컷팅된 외측면을 그라인딩할 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 투광성 플레이트는 상기 제1 경사면이 55~75도의 기울기를 가질 수 있으며, 상기 제1 경사면이 한계 표면 거칠기 미만의 표면 거칠기 값을 가질 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 발광소자는 타면에 전극패드를 포함할 수 있으며, 상기 전극패드의 저면은 외부로 노출될 수 있다. 또한, 상기 전극패드의 저면과 상기 불투명 봉지재의 저면은 동일 평면상에 형성될 수 있다.
본 발명은 경사지게 형성된 투광 부재의 투광면 및 반사 부재의 반사면 구조를 갖는 발광소자 패키지 및 이를 제조하는 방법을 제공함으로써, 발광소자의 측면 방향으로 손실되는 광을 줄여 휘도가 향상되는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 높은 휘도를 갖는 칩 스케일 패키지를 제공함으로써, 차량 조명 장치용으로 널리 적용될 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 발광소자와 투광성 플레이트 사이에 도포되는 투명 실리콘을 포함하여, 발광소자의 측면에서 출력되는 빛을 효과적으로 발산시킬 수 있으며, 투광성 플레이트의 측면이 일정한 경사를 가지도록 형성되는 구조를 통하여, 발광소자에서 출력되는 빛의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 칩 스케일 패키지의 일 예이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 투광 부재(150)와 반사 부재(140)의 형상을 설명하기 위한 도면들이고,
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광소자 패키지 제조방법을 나타내는 순서도이고,
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광소자 패키지의 제조방법을 나타내는 개략도이고,
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이고,
도 11 내지 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광소자 패키지와 기존 발광소자 패키지를 비교하는 예시도이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 여러 가지 실시예들을 설명한다. 첨부되는 도면들 및 이를 참조하여 설명되는 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자로 하여금 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 의도로 간략화되고 예시된 것임에 유의하여야 할 것이다.
또한, 본 명세서 내에서, 발광소자와 발광소자 유닛은 구별되는 것으로서, 발광소자에 투광부재가 추가되어 사선 컷팅된 이후의 결과물이 발광소자 유닛으로 정의된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 투광 부재(150)와 반사 부재(140)의 형상을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자(110), 기판(120), 파장변환 부재(130), 반사 부재(140) 및 투광 부재(150)를 포함한다. 도 2에서 발광소자(110)는 엘이디 칩 형태이므로, 이후의 설명에서는 엘이디를 110으로 하여 설명한다.
엘이디(110)는 주면(primary surface), 측면(side surface) 및 실장면(mounting surface)을 가지며, 기판(120) 상에 실장면이 향하도록 실장된다. 주면은 엘이디(110)의 활성층에서 생성된 광이 주로 나가는 면으로서, 도 2에서 엘이디(110)의 상면이면서 파장변환 부재(130)와 접하는 면이다. 측면은 투광 부재(150)와 접하는 면이다. 실장면에는 전극패드(미도시)가 형성된다. 따라서, 엘이디(110)는 양극패드와 음극패드가 실장면 측에 형성되는 플립타입(flip type) 또는 래터럴타입(lateral chip)일 수 있다.
기판(120)은 상부에 엘이디(110)가 실장되도록 공간을 제공하며, 엘이디(110)의 전극패드들과 전기적으로 연결되어 외부에 연결하기 위한 리드프레임이 형성된 리드프레임 타입으로서, 열전도율이 좋은 재료가 바람직하다.
파장변환 부재(130)는, 엘이디(110)로부터 나오는 광을 파장 변환하기 위한 것으로서, 실리콘 접착제를 사용하여 엘이디(110)의 주면에 접착된다. 파장변환 부재(130)는 엘이디(110)의 주면으로부터 나오는 광 이외에도 엘이디(110)의 측면으로부터 나와 반사 부재(140)의 광 반사면(141)에 의해 반사된 광에 대하여도 파장 변환시킨다. 광 반사면(141)에 의해 반사된 광은 엘이디(110)의 주면 이외의 영역으로 나올 수 있으므로, 이와 같이 광 반사면(141)에 의해 반사된 광에 대한 파장 변환이 가능하도록, 도시된 바와 같이 파장변환 부재(130)의 외연은 엘이디(110)의 외연보다는 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 엘이디(110)의 외연은 엘이디(110)의 주면의 외연을 의미한다. 파장변환 부재(130)의 외연이 엘이디(110)의 주면의 외연보다 작은 경우, 파장변환 불량으로 인해, 예컨대, 2차 광각 렌즈 투과후 색감 불량 현상이 발생하게 된다.
더 나아가, 광 반사면(141)에 의해 반사된 광의 경로를 고려할 때, 파장변환 부재(130)의 외연은 투광 부재(150)의 외연과 일치하게 형성하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 파장변환 부재(130)로서, 예컨대, 일반적인 형광체 시트, 퀀텀닷 재료, PIG(Phosphor In Glass), PIS(Phosphor In Silicon) 및 PC(Phosphor Ceramic) 중 하나가 사용될 수 있으나, 이러한 재료로 국한되는 것은 아니다. PIG는 유리 분말을 형광체 분말과 혼합한 후 성형하여 플레이트 타입으로 제작된 것이고, PIS는 형광체 분말을 봉지재와 함께 혼합하여 수 마이크로미터 두께의 필름의 형태로 제작한 방식이며, PC는 분말 소결법으로 제작된 세라믹 플레이트 형광체이다.
반사 부재(140)는, 적어도 일부 구간이 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지도록 형성되어 엘이디(110)의 측면으로 나오는 광이 엘이디(110)의 파장 변환 부재(130)를 거쳐 파장 변환되어 나가도록 반사시키는 광 반사면(141)을 갖는다. 반사 부재(140)는 광 반사면(141)에 의한 반사가 잘 일어나도록 화이트 실리콘(white silicone) 재료로 형성될 수 있으나, 이러한 재료로 한정되지 않고 광 반사가 잘 일어나도록 하는 다양한 재료로 형성될 수 있다.
투광 부재(150)는 엘이디(110)의 측면과 반사 부재(140) 사이에서 엘이디(110)의 측면으로부터 나오는 광을 반사 부재(140)의 광 반사면(141) 측으로 투과시키며 반사 부재(140)의 광 반사면(141)에 접하는 투광면(151)을 갖는다. 즉, 반사 부재(140)의 광 반사면(141)과 투광 부재(150)의 투광면(151)은 서로 접해 있다.
투광 부재(150)와 투광 부재(150)에 접하는 반사 부재(140)의 구체적인 예는 도 4 내지 도 7에 도시되어 있으므로, 이 도면들을 참조하여 설명한다.
도 4는 투광 부재(150a)가 상광하협 구조이면서 투광 부재(150a)의 투광면(151a)과 엘이디(110)의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아지도록 형성된 예이다. 도 4를 참조하면, 투광 부재(150a)의 상측의 두께가 두껍고 하방으로 갈수록 두께가 얇게 형성되어 있으며, 투광 부재(150a)의 전체 구간에서 직선면으로 형성되어 있다. 여기서 직선면은 하나의 평면을 의미하는 용어로서, 도 5에 예시된 곡선면과 구별하기 위해 사용된 용어이다. 투광 부재(150a)의 투광면(151a)과 반사 부재(140a)의 광 반사면(141a)이 서로 접해 있으므로, 반사 부재(140a)의 광 반사면(141a)도 직선면이며 하방으로 갈수록 엘이디(110)의 측면과의 간격이 가까워진다. 따라서, 엘이디(110)의 측면에서 나오는 광이 투광 부재(150a)를 통과하여 반사 부재(140a)의 광 반사면(141a)에 의해 반사된 후 파장 변환 재료(130)에 의해 파장 변환된다.
도 5는 투광 부재(150b)가 상광하협 구조이면서 투광 부재(150b)의 투광면(151b)이 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡면인 예이다. 도 5를 참조하면, 엘이디(110)의 측면으로 나가는 광이 광 반사면(141b)에서 반사되어 파장 변환 부재(130) 측으로 진행하도록 투광 부재(150b)의 투광면(151b)과 반사 부재(140b)의 광 반사면(141b)이 모두 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡선면으로 형성된다. 두께면에서는, 도 4의 직선면 형상과 유사하게 투광 부재(150)의 상측의 두께가 두껍고 하방으로 갈수록 두께가 얇게 형성되어 있다. 광 반사면(141b)은 오목 거울 형상이 되므로, 엘이디(110)의 측면에서 나오는 광이 투광 부재(150b)를 통과하여 반사 부재(140b)의 광 반사면(141b)에 의해 반사된 후 파장 변환 재료(130)에 의해 파장 변환된다.
도 4와 도 5에 예시된 실시예에서는 투광 부재(150a, 150b)의 투광면(151a, 151b)의 하단이 엘이디(110)의 측면에 접해 있으나, 이러한 형태 이외에도 도 6 또는 도 6에 예시된 실시예에서와 같이 투광면의 하단이 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되게 형성될 수도 있다.
도 6은 투광 부재(150c)의 투광면(151c)의 하단이 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되게 형성되어 있으면서, 투광 부재(150c)가 상광하협 구조이고 투광 부재(150c)의 투광면(151c)과 엘이디(110)의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아지도록 형성된 예이다. 이후 도 3을 참조하여 설명되는 발광소자 패키지 제조 방법에서와 같이, 투광면(151c)은 투광 재료를 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지게 커팅하여 형성하게 되므로, 도 4 또는 도 5에 도시된 예에서와 같이 투광면(151c)이 엘이디(110)의 측면의 하단에 접하게 커팅하는 경우에는 커팅시 엘이디(110)의 측면의 하단이 손상될 위험성이 있으므로, 도 6의 예와 같이 투광면(151c)의 하단이 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되게 형성함으로써 엘이디(110)의 측면 하단의 손상 위험성을 제거할 수 있다. 투광 부재(150c)의 상측의 두께가 두껍고 하방으로 갈수록 얇게 형성되어 있으며, 투광 부재(150c)의 전체 구간에서 직선면으로 형성되어 있다. 투광 부재(150c)의 투광면(151c)과 반사 부재(140c)의 광 반사면(141c)이 서로 접해 있으므로, 반사 부재(140c)의 광 반사면(141c)도 직선면이며 하방으로 갈수록 엘이디(110)의 측면과의 간격이 가까워진다. 뿐만 아니라, 투광 부재(150c)의 투광면(151c)가 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되어 있으므로, 반사 부재(140c)의 광 반사면(141c)도 또한 엘이디(110)의 측면으로부터 이격되어 있다. 이러한 형상으로 형성됨으로써, 엘이디(110)의 측면에서 나오는 광은 투광 부재(150c)를 통과하여 반사 부재(140c)의 광 반사면(141c)에 의해 반사된 후 파장 변환 재료(130)에 의해 파장 변환된다.
도 7은 투광 부재(150d)의 투광면(151d)의 일부 구간이 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지게 형성된 예이다. 즉, 투광 부재의 투광면 및 이와 접해 있는 반사 부재의 광 반사면이 전체 구간에서 직선면 또는 곡면으로 경사지게 형성된 도 4, 도 5 및 도 6의 예와는 달리, 도 7의 경우, 투광 부재(150d)의 투광면(151d)의 일부 구간이 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지게 형성되어 있다. 또한, 반사 부재(140)의 광 반사면(141d)이 투광 부재(150d)의 투광면(151d)과 접해 있으므로, 반사 부재(140c)의 광 반사면(141d)의 일부 구간도 엘이디(110)의 측면에 대하여 경사지게 형성된다. 광 반사면(141d) 및 투광면(151d)을 도 7과 같이 형성하는 경우에는, 엘이디(110)의 측면에서 손실되는 광이 다소 있을 수는 있으나, 광 반사면(141d)에 의해 반사된 광이 파장변환 부재(130)에 의해 파장 변환될 수 있도록 한다.
다음으로, 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법에 관하여 설명한다. 여기서도 마찬가지로, 발광소자로서 엘이디(110)를 예로 들어 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 우선, 복수 개의 엘이디들(110)을 시트(50) 상에 배열하는 단계(도 3의 (a))로부터 시작된다. 시트(50)로서, 투명 시트가 사용될 수 있다. 복수 개의 엘이디들(110)은 시트(50) 상에 소정의 간격으로 배열되며, 엘이디들(110) 각각의 일면이 시트(50)에 접착되어 유지된다. 따라서, 예를 들어, 엘이디들(110)이 플립 타입 또는 래터럴 타입인 경우, 엘이디들(110) 각각의 전극패드(미도시)의 오염을 방지하기 위해, 전극패드가 위로 향하도록, 즉 전극패드가 형성되지 않은 면이 접착되도록 배열하는 것이 바람직하지만, 전극패드가 형성된 면이 접착되도록 배열하여도 무방하다.
그런 다음, 투광 부재(도 2의 150)를 형성하기 위해, 시트(50) 상에 배열된 엘이디들(110) 사이에 투광 재료를 충전한다((b)). 엘이디들(110) 사이에 충전된 투광 재료가 커팅에 의해 결국 발광소자 패키지의 투광 부재(도 2의 150)가 되므로 도 3에서는 투광 재료를 도 2의 투광 부재와 동일한 참조부호 150으로 기재하였다. 투광 재료(150)를 엘이디들(110) 사이에 충전하는 방법으로는, 디스펜싱(dispensing)이나 스퀴징(squeezing) 방법이 사용될 수 있으나, 이러한 방법으로 한정되는 것은 아니다.
그런 다음, 투광 재료(150)를 경화킨 후, 복수 개의 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 형성하는 단계((c))가 진행된다. 여기서의 1차 엘이디 유닛들(FLU)은 단지 엘이디 유닛들로도 일컬어진다. 1차 엘이디 유닛들(FLU)은, (c)에 도시된 바와 같이, 엘이디들(110) 각각을 기준으로 하여, 엘이디들(110) 각각의 측면을 둘러싸도록 투광 재료(150)를 하방으로 커팅하되, 커팅된 투광 재료(커팅되는 면은 최종 발광소자 패키지에서 투광면(도 2의 151 참조)이 됨)가 중앙에 위치한 엘이디들(110) 각각에 대하여 적어도 일부 구간이 경사지도록 커팅함으로써 형성된다. 참조부호 CL1은 커팅하는 선의 일 예이다. 따라서, 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각은 하나의 엘이디(110)와 투광 부재(150)를 가지며, 투광 부재(150)는 투광면(151)을 갖는다(도 2 참조). 투광 재료(150)를 커팅함에 있어서의 경사 각도(도 2의 d)(일부 구간이 경사지도록 커팅된 경우에는 그 일부 구간의 경사 각도)는 0°＜ d＜ 90°의 범위일 수 있다. 예컨대, 투광면(151)이 직선면인 경우(도 4 또는 도 6 또는 도 7 참조), 투광면(151)은 0°＜d ＜90°범위 내 임의의 각도를 갖도록 경사지게 커팅되어 형성될 수 있다. 투광면(151)이 곡면인 경우(도 5 참조), 경사 각도(d)는 곡면인 투광면 상의 임의의 점에서의 접선과 엘이디(110)의 측면이 이루는 각으로 정의되며, 투광면(151)은 0°＜d ＜90°범위 내에 있도록 커팅되어 형성될 수 있다. 뿐만 아니라, 도면으로 구체화하지는 않았으나, 투광면(151)은 여러 개의 직선면들이 연속된 형태가 되도록 커팅되어 형성될 수도 있다. 또한, 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각에 있어서 투광 재료(150)의 경사지도록 커팅된 구간(전체 구간인 경우, 투광면 전체)과 엘이디(110)의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아지게 형성된다.
그런 다음, (c) 단계에서 경사지게 커팅되어 형성된 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 기판(120) 상에 실장하여 재배열한다((d)). 기판(120) 상에 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 실장하는 공정은 1차 엘이디 유닛들(FLU) 내의 엘이디에 형성된 전극패드(미도시)가 기판(120) 상의 해당영역(엘이디들 각각이 실장되는 영역)에 다이본딩되는 방식으로 진행된다. 기판(120)은, 예를 들어, 열전도율이 높은 재료인 세라믹 기판일 수 있다. 또한, 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각을 시트(50)로부터 분리하여 개별적으로 기판(120) 상에 실장함에 있어서, (d)에 도시된 바와 같이 시트(50)와 접착되어 있던 부분이 위로 향하도록 하여 기판(120) 상에 실장하게 된다. 즉, (a)에서 엘이디들(110) 각각의 전극패드가 형성되지 않은 면이 시트(50) 측에 접착되는 경우, 커팅하여 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 형성한 후 기판(120) 상에 실장함에 있어서는 뒤집어서 실장하게 된다. 이와는 다르게, 전극패드가 형성된 면이 시트(50)에 접착되는 경우에는, (c)에서 1차 엘이디 유닛들(FLU)을 분리한 후 뒤집지 않고 그대로 기판(120) 상에 실장할 수도 있다.
도 3의 (d)에서는 하나의 1차 엘이디 유닛(FLU)에 대하여만 확대하여 도시하였다. 기판(120)은 엘이디(110)의 전극패드들(미도시)과 전기적으로 연결되어 외부에 연결하기 위한 리드프레임(미도시)이 형성된 리드프레임 타입으로서, 열전도율이 좋은 재료가 바람직하다.
그런 다음, 기판(120) 상에 실장하여 재배열한 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각에 파장변환 부재(130)를 부착한다((e)). 예컨대, 파장변환 부재(130)는 실리콘 접착제를 사용하여 엘이디(110)의 주면에 접착된다. 파장변환 부재(130)로서, 예컨대, 일반적인 형광체 시트, 퀀텀닷 재료, PIG(Phosphor In Glass), PIS(Phosphor In Silicon) 및 PC(Phosphor Ceramic) 중 하나가 사용될 수 있으나, 이러한 예로 국한되는 것은 아니다. 엘이디(110)의 주면에서 나오는 광에 대하여 뿐만 아니라 엘이디(110)의 측면으로 나간 후 광 반사면에 의해 반사된 광에 대하여도 파장 변환을 수행하여야 하므로, 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각에서 파장변환 부재(130)의 외연은 엘이디(110)의 외연보다 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 더 나아가, 광 반사면(141)에 의해 반사된 광의 경로를 고려할 때, 파장변환 부재(130)의 외연은 투광 부재(150)의 외연과 일치하게 형성하는 것이 가장 바람직하다.
그런 다음, 반사 부재(도 2의 140)를 형성하기 위해, 파장변환 부재(130)가 부착된 1차 엘이디 유닛들(FLU) 사이에 반사 재료를 충전한다((f)). 충전되는 반사 재료가 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각을 중심으로 하여 적절한 크기로 커팅되어 최종적으로 반사 부재(140)가 되므로, 편의상 도 3의 (f)에서 반사 재료에 대하여도 참조부호 140으로 표시하였다. 반사 재료(140)를 1차 엘이디 유닛들(FLU) 사이에 충전하는 방법으로, 디스펜싱(dispensing)이나 스퀴징(squeezing) 방법이 사용될 수 있으나, 이러한 방법으로 한정되는 것은 아니다. 반사 부재로서는 화이트 실리콘(white silicone)이 사용될 수 있으나, 이러한 재료로 한정되는 것은 아니다.
그런 다음, 도 3의 (f)에 도시된 바와 같이, 파장변환 부재(130)가 부착된 1차 엘이디 유닛들(FLU) 각각을 반사 재료(150)가 더 둘러싸도록, 커팅 라인(CL2)을 따라 커팅하여, 복수 개의 2차 엘이디 유닛들(SLU)을 형성한다. 2차 엘이디 유닛들(SLU)은 본 발명의 발광소자 패키지 제조 방법에 의해 제조되는 결과물인 발광소자 패키지들이다. 결과적으로, 2차 엘이디 유닛들(SLU), 즉 발광소자 패키지들 각각은, 하나의 엘이디(110), 투광 부재(140), 파장변환 부재(130) 및 반사 부재(140)를 갖도록 형성된다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광소자 패키지 제조 방법을 나타내는 순서도이고, 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광소자 패키지 제조 방법을 나타내는 개략도이다. 여기서, 제조하는 발광소자 패키지는 칩 스케일 패키지(CSP: Chip Scale Package)일 수 있다.
이하, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광소자 패키지 제조 방법을 설명한다.
발광소자 전사단계(S10)에서는, 투광성 플레이트(210)의 일측에 복수개의 발광소자(220)의 일면을 부착할 수 있다. 도 9(a)에 도시한 바와 같이, 하나의 투광성 플레이트(210) 상에 복수의 발광소자(220)들을 위치시켜, 복수의 발광소자 패키지를 동시에 제조할 수 있다. 이때, 발광소자(220)들은 매트릭스 배열로 투광성 플레이트(210) 상에 전사될 수 있다. 여기서, 발광소자(220)는 도 9(a)에 도시한 바와 같이, 발광소자(220)의 타면에 돌출된 전극패드를 포함하는 플립칩(flip chip) 형태로 구현될 수 있다.
투광성 플레이트(210)는 발광소자(220)에서 출력되는 빛을 외부로 발산시키는 것으로, 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등의 재질로 제조될 수 있으며, 이외에도 각종 투광성 수지 계열의 재질이 적용될 수 있다.
투명 봉지재 몰딩 단계(S20)에서는, 투광성 플레이트(210)의 일측과 발광소자(220)의 측면을 투명 봉지재로 몰딩할 수 있다. 도 9(b)에 도시한 바와 같이, 투광성 플레이트(220) 상에 액체 상태의 투명 봉지재(230)을 공급할 수 있으며, 액체 상태의 투명 봉지재(230)은 적어도 발광소자(220)의 높이까지 올라올 정도의 양이 공급될 수 있다. 이후, 도 9(c)에 도시한 바와 같이, 액체 상태의 투명 봉지재(230)은 경화될 수 있으며, 이때 경화된 투명 봉지재(230)는 제2 경사면을 형성하여 발광소자(220)의 주위를 둘러쌀 수 있다.
사선 컷팅 단계(S30)에서는, 투광성 플레이트(210)의 단면이 제1 경사면을 가지도록 투광성 플레이트(210)를 사선으로 컷팅할 수 있다. 이때, 발광소자(220)를 중심에 두고, 발광소자(220) 주변의 일정한 면적의 투광성 플레이트(210)를 절단할 수 있다. 이를 통하여 발광소자(220), 투명 봉지재(230) 및 투광성 플레이트(210)를 포함하는 단위 결합체를 생성할 수 있다. 여기서, 투명 봉지재(230)는 절단되지 않을 수 있으며, 투광성 플레이트(210)의 제1 경사면의 기울기는 투명 실리콘(230)의 제2 경사면의 기울기와는 상이할 수 있다. 즉, 제1 경사면의 기울기는 제2 경사면의 기울기와 같거나 크게 형성될 수 있다. 한편, 컷팅 단계(S30)에서 버(burr)가 발생할 수 있으며, 이 경우 버를 제거하는 버 제거 단계를 더 수행할 수 있다.
추가적으로, 도 9(d)에 도시한 바와 같이, 사선 컷팅단계(S30)에서는 투광성 플레이트(210)의 일측에서 타측으로 갈수록 투광성 플레이트(210)에 부착된 발광소자(220)와 멀어지는 방향으로 컷팅할 수 있다. 실시예에 따라서는, 투광성 플레이트(210)의 제1 경사면이 55~75도의 기울기를 가지도록 컷팅할 수 있으며, 이 경우, 컷팅된 투광성 플레이트(210)의 제1 경사면은 한계 표면 거칠기 미만의 표면 거칠기값을 가질 수 있다.
제1 경사면의 표면 거칠기값은 단면의 기울기에 따라 상이하게 나타날 수 있으며, 표면 거칠기 값이 낮을수록 발광소자(220)의 광 효율이 향상될 수 있다. 즉, 투광성 플레이트(210)의 제1 경사면의 표면거칠기가 거친 경우에는 제1 경사면에서 산란되는 빛의 양이 증가하여 외부로 발산되는 빛의 양이 줄어들게 되므로, 발광소자(220)의 광 효율에 손실이 발생할 수 있다. 투광성 플레이트(210)를 절단한 단면의 표면 거칠기값은 수직으로 절단하는 경우에는 표면 거칠기가 거칠지만, 일정한 기울기를 가지도록 사선으로 절단하는 경우에는 표면 거칠기가 향상될 수 있다. 여기서, 최적의 표면 거칠기를 가지는 기울기는 실험적으로 구할 수 있으며, 실시예에 따라서는 제1 경사면의 기울기가 55~75도의 기울기를 가질 때 최적의 표면 거칠기를 가질 수 있다. 또한, 제1 경사면의 기울기는 다양하게 설정할 수 있으나, 적어도 제1 경사면의 표면 거칠기가 한계 표면 거칠기 보다는 작은 값을 가지도록 설정할 수 있다. 여기서, 한계 표면 거칠기는 수직으로 절단한 경우의 표면 거칠기일 수 있다.
따라서, 사선 컷팅 단계(S30)에서는 투광성 플레이트(210)를 경사를 가지도록 절단하여, 제1 경사면에서의 표면거칠기값을 감소시킬 수 있다.
단위 결합체 전사단계(S40)에서는, 도 9(e)에 도시한 바와 같이, 사선 컷팅단계(S30)를 통하여 생성한 복수의 단위 결합체들을 별도의 시트(S) 상에 재배열할 수 있다. 이때, 단위 결합체에 포함된 투광성 플레이트의 타측이 시트에 부착되도록 전사할 수 있다.
이후, 불투명 봉지재 몰딩단계(S50)에서는 단위 결합체의 둘레를 불투명 봉지재(240)로 몰딩할 수 있다. 도 9(f)에 도시한 바와 같이, 시트(S) 상에 액체 상태의 불투명 봉지재(240)을 공급할 수 있으며, 액체 상태의 불투명 봉지재(240)은 발광소자(220)의 전극패드를 덮지 않을 정도의 높이로 공급될 수 있다. 이후 불투명 봉지재 몰딩단계(S50)에서는 액체 상태의 불투명 봉지재(240)을 경화시켜 각각의 단위 결합체의 둘레를 불투명 봉지재(240)으로 몰딩할 수 있다. 이때, 발광소자(220)의 전극패드의 저면이 외부로 노출되도록 불투명 봉지재(240)를 몰딩할 수 있으며, 실시예에 따라서는 전극패드의 저면과 불투명 봉지재의 저면이 동일 평면상에 위치하도록 몰딩하는 것도 가능하다. 즉, 단위결합체를 보호하기 위하여 불투명 봉지재를 몰딩하는 경우에도 전극패드는 노출되도록 하여, 이후 생산된 발광소자 패키지가 용이하게 다른 기판 등에 전기적으로 접속가능하도록 할 수 있다. 특히, 전극패드의 저면과 불투명 봉지재의 저면이 동일 평면상에 위치하도록 몰딩하는 경우에는, 노출을 최소화하면서도 안정적인 접속이 가능하도록 할 수 있다.
한편, 불투명 봉지재가 경화된 이후에는, 컷팅단계(S60)를 통하여 각각의 단위 결합체 주변의 불투명 봉지재를 수직으로 컷팅할 수 있으며, 시트 분리단계(S70)를 통하여 단위 결합체의 투광성 플레이트(210)에 부착된 시트(S)를 분리시킬 수 있다. 실시예에 따라서는, 수직 컷팅 과정에서 발생하는 버(burr)도 추가로 제거할 수 있다. 이를 통하여, 도 10에 도시된 바와 같은 발광소자 패키지(200)를 생성할 수 있다. 발광소자 패키지(200)는 불투명 봉지재(240)에 의하여 외부의 충격으로부터 보호받을 수 있으며, 발광소자(220)가 출력하는 빛은 불투명 봉지재(240)에 의해 반사되어 외부로 발산될 수 있다. 즉, 발광소자(220)가 출력하는 빛은 대부분 투광성 플레이트(210)를 통하여 직접적으로 발산되지만, 일부는 측면으로 출력될 수 있으며 이 경우 불투명 봉지재(240)에서 반사되어 외부로 발산될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 패키지(200)는 투광성 플레이트(210), 발광소자(220), 투명 봉지재(230) 및 불투명 봉지재(240)를 포함할 수 있다.
이하, 도 10을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 패키지를 설명한다.
투광성 플레이트(210)는 발광소자(220)를 외부 충격으로부터 보호할 수 있으며, 발광소자(220)에서 출력되는 빛을 외부로 발산시킬 수 있다. 투광성 플레이트(210)는 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등의 재질로 제조될 수 있으며, 이외에도 각종 투광성 수지 계열의 재질이 적용될 수 있다. 또한, 실시예에 따라서는 투광성 플레이트(210)는 표면에 미세패턴, 미세돌기나 확산막 등을 포함할 수 있으며, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 제조될 수 있다.
투광성 플레이트(210)는 도3에 도시된 바와 같이, 일측(211)보다 타측(212)의 면적이 더 넓게 형성될 수 있으며, 이때 측면(213)은 단면이 제1 경사면(a)을 가지도록 사선 컷팅될 수 있다. 제1 경사면(a)의 기울기는 다양하게 설정될 수 있으나, 일 실시예에 의하면, 55~57도의 기울기를 가지도록 형성될 수 있다.
또한, 투광성 플레이트(210) 측면의 제1 경사면(a)은 한계표면거칠기 미만의 표면거칠기를 가지도록 형성될 수 있다. 발광소자(220)에서 출력되는 빛은 투광성 플레이트(210)를 투과하여 외부로 발산되며, 발광소자(220)에서 출력되는 빛의 일부는 투광성 플레이트(210)의 제1 경사면(a)을 통하여 발산될 수 있다. 여기서, 제1 경사면(a)의 표면거칠기가 거친 경우, 빛이 산란되어 외부로 반사되는 빛의 양이 감소하게 되므로, 발광소자의 광 효율에 손실이 발생할 수 있다. 따라서, 제1 경사면(a)의 표면거칠기는 적어도 한계표면거칠기 미만을 가지도록 구현할 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에서는, 투광성 플레이트(210)의 측면(213)을 사선으로 절단하는 방식으로, 제1 경사면(a)의 표면거칠기를 향상시킬 수 있다. 일반적으로 투광성 플레이트(210)를 수직으로 절단한 단면의 표면 거칠기값은 사선으로 절단한 단면의 표면 거칠기값보다 크며, 사선으로 절단한 기울기에 따라 표면 거칠기값은 상이하게 나타날 수 있다. 따라서, 최적의 표면 거칠기를 가지는 기울기는 실험적으로 구할 수 있으며, 실시예에 따라서는 제1 경사면(a)의 기울기를 55~75도로 절단하는 경우에 최적의 표면 거칠기를 얻을 수 있다. 또한, 제1 경사면(a)의 기울기는 실시예에 따라 다양하게 설정할 수 있으나, 표면거칠기가 적어도 한계 표면 거칠기 보다는 작은 값을 가지는 제1 경사면(a)의 기울기를 선택할 수 있다. 여기서, 한계 표면 거칠기는 수직으로 절단한 경우의 표면 거칠기일 수 있다.
발광소자(220)는 투광성 플레이트(210)의 일측(211)에 발광소자(220)의 일면(221)이 부착될 수 있으며, 발광소자(220)는 발광면에 해당하는 일측(221)을 통하여 빛을 출력할 수 있다. 여기서, 발광소자(220)는 도 10에 도시한 바와 같이, 발광소자(220)의 타면(222)에 돌출된 전극패드(미도시)를 포함하는 플립칩(flip chip) 형태로 구현될 수 있다.
한편, 발광소자(220)는 반도체로 구현되는 것으로, 예를들어, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED(Light emitting Diode)나, 자외선 발광의 LED 등이 발광소자(20)에 해당할 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타낼 수 있다. 발광소자(20)는 MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AIN, InGaN, AlGaN, InGaAIN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성하는 것일 수 있다. 이외에도, 발광소자(220)는 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성하는 것도 가능하다. 여기서, 이들 반도체를 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용하여 발광소자(220)를 구현할 수 있으며, 발광층(활성층)은 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 포함한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용하여 구현할 수 있다.
투명 봉지재(230)는 투광성 플레이트(210)의 일측(211)과 발광소자 측면(223)에 몰딩될 수 있다. 투명 봉지재는 액체 상태로 도포될 수 있으며, 발광소자(220)와 투광성 플레이트(210) 사이에서 제2 경사면(b)을 가지도록 경화되어 고정될 수 있다.
투명 봉지재(230)는 발광소자(220)의 측면(222)을 둘러싸도록 형성되므로, 발광소자(220)의 측면(223)에서 출력되는 빛은 투명 봉지재(230)를 통하여 발산되는 경로를 확보할 수 있다. 즉, 투명 봉지재(230)의 구조에 의하여 발광소자(220)의 광 효율을 향상시킬 수 있다. 한편, 투명 봉지재의 제2 경사면(b)의 기울기는 도 10에 도시한 바와 같이, 투광성 플레이트의 제1 경사면(a)와 같거나 작을 수 있다.
불투명 봉지재(240)는 투광성 플레이트(210), 발광소자(220) 및 투명 봉지재(230)를 포함하는 단위 결합체의 둘레에 몰딩될 수 있다. 불투명 봉지재(240)는 단위 결합체를 외부의 충격으로부터 보호할 수 있으며, 발광소자(220)에서 출력되는 빛을 반사시켜 외부로 발산시킬 수 있다. 발광소자(220)가 출력하는 빛은 대부분 투광성 플레이트(210)를 통하여 직접적으로 발산되지만, 일부는 측면으로 출력될 수 있으며 이 경우 불투명 봉지재(240)를 통하여 반사되어 외부로 발산될 수 있다.
여기서, 불투명 봉지재(240)는 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등 다양한 재질로 구현될 수 있다. 또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화 규소, 이산화 티탄, 이산화 지르코늄, 티타늄 산 칼륨, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 반사 물질을 함유시킬 수 있다.
불투명 봉지재(240)는 단위 결합체의 둘레에 몰딩된 후, 수직 컷팅될 수 있으며, 실시예에 따라서는 수직 컷팅된 외측면(c)에 그라인딩(grinding)을 추가할 수 있다. 즉, 생산된 발광소자 패키지(200)의 완성도를 높이기 위하여 외측면(c)을 그라인딩하여 외측면(c)을 표면 거칠기를 줄일 수 있다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광소자 패키지와 기존의 발광소자 패키지를 비교하는 예시도이다.
먼저, 도 11(a)에 도시한 바와 같이, 투명 봉지재(230)를 포함하지 않은 형태의 발광소자 패키지를 구현할 수 있다. 이 경우, 대부분의 빛은 발광소자(220)의 발광면을 통하여 외부로 방출되지만, 발광소자(220)의 측면에서 출력되는 빛은 불투명 봉지재(240)에 의하여 가로막혀 외부로 발산되지 못할 수 있다.
반면에, 도 11(b)에 도시한 바와 같이, 투명 봉지재(230)를 포함하는 경우에는, 발광소자(220)의 측면에서 출력되는 빛이 투명 봉지재(230)를 투과하여 불투명 봉지재(240)로 조사될 수 있다. 여기서, 투명 봉지재(230)는 제2 경사면을 가지고 있으므로, 불투명 봉지재(240)에서 반사된 빛은 외부로 보다 용이하게 방출될 수 있다. 따라서, 도 11(b)와 같이 투명 봉지재(230)를 포함하는 발광소자 패키지는, 도 11(a)에 비하여 약 5%의 광 추출 효율 향상의 효과를 얻을 수 있다.
한편, 도 12(a)의 발광소자 패키지의 경우, 투명 봉지재(230)를 포함하고 있으나, 투광성 플레이트(210)를 수직으로 절단한 실시예에 해당한다. 반면에, 도 12(b)는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 패키지로, 투광성 플레이트(210)가 제1 경사면을 가지도록 사선으로 절단한 특징이 있다.
여기서, 투광성 플레이트(210)를 수직으로 절단하는 경우에는 도 13(a)와 같은 절단면이 나타날 수 있으며, 투광성 플레이트(210)를 사선으로 절단하는 경우에는 도 13(b)와 같은 절단면이 나타날 수 있다. 즉, 도 13(a) 및 도 13(b)에 나타난 바와 같이, 일정한 경사를 가지도록 절단하는 경우의 표면거칠기가 수직으로 절단하는 경우에 비하여 양호함을 확인할 수 있다.
일반적으로 발광소자(220)에서 출력되는 빛은 투광성 플레이트(210)를 투과하여 외부로 발산되며, 일부는 투광성 플레이트(210)의 측면을 통하여 발산될 수 있다. 여기서, 투광성 플레이트(210)의 측면의 표면거칠기가 거친 경우에는 빛이 산란되어 외부로 반사되는 빛의 양이 감소할 수 있으며, 그에 따른 광 추출 효율에 손실이 발생할 수 있다. 따라서, 표면거칠기가 양호한 도 12(b)의 구조를 가지는 발광소자 패키지가 상대적으로 광 추출 효율 측면에서 유리할 수 있다. 즉, 도 12(b)와 같이 투광성 플레이트(210)가 제1 경사면을 가지도록 사선으로 절단하여 형성하는 경우에는, 도 12(a)의 경우에 비하여 약 1.5%의 광 추출 효율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명에 따른 구성요소를 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것이 명백할 것이다.
<부호의 설명>
110 : 발광소자
120 : 기판
130 : 파장변환 재료
140 : 반사 부재, 반사 재료
141 : 반사면
150 : 투광 부재, 투광 재료
151 : 투광면
210: 투광성 플레이트 220: 발광소자
230: 투명 봉지재 240: 불투명 봉지재
200: 발광소자 패키지
S10: 발광소자 전사단계 S20: 투명 봉지재 몰딩 단계
S30: 사선 컷팅 단계 S40: 단위 결합체 전사단계
S50: 불투명 봉지재 몰딩 단계 S60: 컷팅 단계
S70: 시트 분리 단계

Claims (20)

  1. 발광소자 유닛들을 기판 상에 실장하여 배열하는 단계;
    상기 기판 상에 실장하여 배열한 상기 발광소자 유닛들 각각에 파장변환 부재를 부착하는 단계;
    반사 부재를 형성하기 위해, 상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 사이에 반사 재료를 충전하는 단계; 및
    상기 파장변환 부재가 부착된 상기 발광소자 유닛들 각각을 상기 반사 재료가 둘러싸도록 수직으로 커팅함으로써 발광소자 패키지들을 형성하는, 수직 컷팅 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 발광소자 유닛들은,
    복수 개의 발광소자들을 시트 상에 배열하는 단계;
    투광 부재를 형성하기 위해, 상기 시트 상에 배열된 발광소자들 사이에 투광 재료를 충전하는 단계; 및
    상기 발광소자 유닛들 각각이 하나의 발광소자와 투광 부재를 갖도록, 상기 투광 재료의 경화 후, 상기 발광소자들 각각을 기준으로 하여 상기 투광 재료를 경사지도록 커팅하는 사선 컷팅 단계;에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조 방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간의 단면은 직선면이 되도록 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 발광소자 유닛들 각각에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간과 상기 발광소자의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  5. 청구항 2에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서 상기 투광 재료의 경사지도록 커팅된 구간의 단면은 하방으로 볼록한 곡면이 되도록 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  6. 청구항 2에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 전체 구간에서 경사지도록 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 발광소자 유닛들 각각에서, 상기 투광 재료와 상기 발광소자의 측면과의 간격은 하방으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  8. 청구항 2에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡면이 되도록 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 사선 컷팅 단계에서, 상기 투광 재료의 하단은 상기 발광소자의 측면으로부터 이격되게 커팅하는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 발광소자 패키지들 각각에서, 상기 파장변환 부재의 외연은 상기 발광소자의 외연보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 반사 부재는 화이트 실리콘(white silicone) 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지 제조 방법.
  12. 기판;
    상기 기판에 실장되는 발광소자;
    상기 발광소자의 측면광을 반사시키는 반사면을 갖는, 반사 부재;
    상기 발광소자의 측면과 상기 반사 부재 사이에서 상기 발광소자의 측면광을 상기 반사 부재의 반사면 측으로 투과시키며 상기 반사부재의 광 반사면에 접하는 투광면을 갖는, 투광부재; 및
    상기 발광소자로부터 나오는 광 및 상기 반사 부재의 반사면에 의해 반사된 광을 파장 변환하는 파장변환 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 투광 부재의 투광면은 적어도 일부 구간에서 상기 발광소자 의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지.
  14. 청구항 12에 있어서, 상기 투광 부재의 투광면은 적어도 일부 구간이 하방으로 볼록한 곡면인 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지.
  15. 청구항 12에 있어서, 상기 투광 부재의 투광면은, 전체 구간에서 상기 발광소자의 측면과의 간격이 하방으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 투광 부재의 투광면은 전체 구간에서 직선면인 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지.
  17. 청구항 15에 있어서, 상기 투광 부재의 투광면은 전체 구간에서 하방으로 볼록한 곡면인 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지.
  18. 청구항 15에 있어서, 상기 투광 부재의 투광면의 하단은 상기 발광소자의 측면으로부터 이격되게 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지.
  19. 청구항 12에 있어서, 상기 파장변환 부재의 외연은 상기 발광소자의 외연보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지.
  20. 청구항 12에 있어서, 상기 반사 부재는 화이트 실리콘(white silicone) 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광소자 패키지.
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