JP2019145976A - 演算増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
V2a=V1−V2
=36−4=32(V) (1)
となる。
VA=V2a+Vbe(Qn5)+Vbe(Qn6)−Vbe(Qp4)
=32+0.7+0.7−0.7=32.7
≒32(V) (2)
となる。
VB=[(V2a−Vcb(Qn6)−Vcb(Qp6)]×(R7+R8)/
[(R6+R7+R8)]+Vcb(Qp6)≒8(V) (3)
程度となる。ただし、Vcb(Qn6)=Vcb(Qp6)=0.7(V)、R6=10(kΩ)、R7=3(kΩ)、R8=0.2(kΩ)である。
VC1=VA−VB
=32−8=24(V) (4)
となる。
VA=32+(36−8)=60(V) (5)
となって素子耐圧40Vを超えるため、各素子が破壊してしまう。
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載の演算増幅器において、前記電圧クランプ素子は、前記位相補償容量の前記一端と前記電源端子との間に、前記電源端子の側がカソードとなるように接続された第1ダイオードであることを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1に記載の演算増幅器において、前記差動増幅回路が第1及び第2NPNトランジスタで構成され、前記ベース接地回路が前記第1NPNトランジスタのコレクタにエミッタが接続される第1PNPトランジスタと前記第2NPNトランジスタのコレクタにエミッタが接続される第2PNPトランジスタで構成され、該第2PNPトランジスタのコレクタに前記位相補償容量の前記一端が接続され、前記第2PNPトランジスタをVPNP構造とし、前記第2PNPトランジスタのコレクタと前記電源端子の間に寄生する第2ダイオードを前記電圧クランプ素子としたことを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項1に記載の演算増幅器において、前記差動増幅回路が第1及び第2NPNトランジスタで構成され、前記ベース接地回路が前記第1NPNトランジスタのコレクタにエミッタが接続される第1PNPトランジスタと前記第2NPNトランジスタのコレクタにエミッタが接続される第2PNPトランジスタで構成され、該第2PNPトランジスタのコレクタに前記位相補償容量の前記一端が接続され、前記電圧クランプ素子は、前記第2PNPトランジスタのベースと前記電源端子の間に、前記電源端子の側がカソードとなるように接続された第3ダイオードであることを特徴とする。
請求項5にかかる発明は、請求項1、2、3又は4に記載の演算増幅器において、前記電流出力回路は、前記第1入力端子に入力する電流を前記電圧増幅回路により制御して前記出力端子に出力する第5及び第6PNPトランジスタで構成したことを特徴とする。
請求項6にかかる発明は、請求項3に記載の演算増幅器において、前記トランジスタをMOSトランジスタに置き換えたことを特徴とする。
図1に本発明の第1実施例の演算増幅器10Aを示す。図1の演算増幅器10Aにおいて、図4で説明した演算増幅器10Dと同じものには同じ符号を付けて重複説明は省略する。
Iout=Vs/Rin (6)
として出力端子13に流れる。よって出力電圧Voutは、
Vout=Iout・Rout
=Vs・Rout/Rin (7)
となる。
VA=V1+Vf1
=36+0.7=36.7(V) (8)
にクランプされる。
図1の演算増幅器10Aでは、ダイオードD1によってノードAの電圧VAをクランプすることはできるものの、ダイオードD1で発生するリーク電流によって入力オフセット電圧などの特性に影響を与えてしまう。また、ダイオードD1の寄生容量によって周波数特性が劣化する惧れもある。
VA=V1+Vf2
=36+0.7=36.7(V) (9)
にクランプされる。
図2の演算増幅器10Bでは、VPNPのための特別な製造プロセスを採用する必要があるので、ウエハプロセス工程が増大するという問題がある。
VA=V1+Vf3+Vcb(Qp2)
=36+0.7+0.7=37.4(V) (10)
にクランプされる。
なお、以上の第1乃至第3実施例では電圧源16を電源端子14と内部基準電圧ライン17の間に接続した場合について説明したが、接地GNDと内部基準電圧ライン17の間に別の電圧源を接続した場合の演算増幅器についても、同様に適用することができる。
20:測定対象物、21:電圧源
30:電圧源
Claims (6)
- 接地端子との間に電源電圧が印加される電源端子と、前記電源電圧より低く前記接地端子の電圧よりも高い電圧が印加される内部基準電圧ラインと、第1及び第2入力端子を有する差動回路で構成された入力段並びにベース接地回路とカレントミラー回路で構成された出力段からなる折返しカスコード型の差動増幅回路と、該差動増幅回路の前記出力段に接続される電圧増幅回路と、前記第1入力端子に流れる電流を前記電圧増幅回路の出力信号に応じて制御して出力端子から出力する電流出力回路と、一端が前記電圧増幅回路の入力側に接続され他端が前記電圧増幅回路の出力側に接続される位相補償容量とを備え、前記差動増幅回路と前記電圧増幅回路が前記電源端子と前記内部基準電圧ラインとの間に接続されている演算増幅器において、
前記位相補償容量の前記一端を所定電圧にクランプする電圧クランプ素子を設けたことを特徴とする演算増幅器。 - 請求項1に記載の演算増幅器において、
前記電圧クランプ素子は、前記位相補償容量の前記一端と前記電源端子との間に、前記電源端子の側がカソードとなるように接続された第1ダイオードであることを特徴とする演算増幅器。 - 請求項1に記載の演算増幅器において、
前記差動増幅回路が第1及び第2NPNトランジスタで構成され、前記ベース接地回路が前記第1NPNトランジスタのコレクタにエミッタが接続される第1PNPトランジスタと前記第2NPNトランジスタのコレクタにエミッタが接続される第2PNPトランジスタで構成され、該第2PNPトランジスタのコレクタに前記位相補償容量の前記一端が接続され、
前記第2PNPトランジスタをVPNP構造とし、前記第2PNPトランジスタのコレクタと前記電源端子の間に寄生する第2ダイオードを前記電圧クランプ素子としたことを特徴とする演算増幅器。 - 請求項1に記載の演算増幅器において、
前記差動増幅回路が第1及び第2NPNトランジスタで構成され、前記ベース接地回路が前記第1NPNトランジスタのコレクタにエミッタが接続される第1PNPトランジスタと前記第2NPNトランジスタのコレクタにエミッタが接続される第2PNPトランジスタで構成され、該第2PNPトランジスタのコレクタに前記位相補償容量の前記一端が接続され、
前記電圧クランプ素子は、前記第2PNPトランジスタのベースと前記電源端子の間に、前記電源端子の側がカソードとなるように接続された第3ダイオードであることを特徴とする演算増幅器。 - 請求項1、2、3又は4に記載の演算増幅器において、
前記電流出力回路は、前記第1入力端子に入力する電流を前記電圧増幅回路により制御して前記出力端子に出力する第5及び第6PNPトランジスタで構成したことを特徴とする演算増幅器。 - 請求項3に記載の演算増幅器において、
前記トランジスタをMOSトランジスタに置き換えたことを特徴とする演算増幅器。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH02260712A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Hitachi Ltd | スイッチ回路 |
JPH0648246A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-22 | Nippondenso Co Ltd | 断線・過電流検出装置 |
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2018
- 2018-02-20 JP JP2018027621A patent/JP7032951B2/ja active Active
Patent Citations (5)
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