JP2019121778A - 不揮発性メモリ構造およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
100、200 基板
102、116、212、216、220、230、232、234 誘電体層
104 電荷蓄積層
106 ハードマスク層
108 トレンチ
110 ライナー材料層
110a ライナー層
112 隔離材料層
112a 隔離構造
114、118、246 導体層
114a、246a シールド電極
114b、246b ソース線
120、248 メモリセル
122、244 隔離層
124、126 選択ゲート
128 ビット線コンタクト
202、204 犠牲層
206、226、228、242 開口
208 エピタキシャルシリコン層
210 電荷蓄積構造層
214 電荷蓄積層
218 チャネル材料層
218a チャネル層
222 パッド
224 パターン化ハードマスク層
236 バリア材料層
236a バリア層
238 金属ゲート材料層
238a 金属ゲート
240 ゲート構造
R 凹部
SL 積層
SS 積層構造
Claims (19)
- 基板上に配置された複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルの間に設置された少なくとも1つの隔離層と、
前記少なくとも1つの隔離層上に配置され、ソース線に電気接続された少なくとも1つのシールド電極と、
を含む不揮発性メモリ構造。 - 前記不揮発性メモリ構造が、平面型不揮発性メモリ構造である請求項1に記載の不揮発性メモリ構造。
- 各前記メモリセルが、
前記基板上に配置された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に配置された導体層と、
前記電荷蓄積層と前記基板の間に配置された第1誘電体層と、
前記導体層と前記電荷蓄積層の間に配置された第2誘電体層と、
を含む請求項2に記載の不揮発性メモリ構造。 - 前記導体層が、さらに、前記複数の電荷蓄積層の間に配置され、前記第2誘電体層が、さらに、前記導体層と前記少なくとも1つのシールド電極の間に配置される請求項3に記載の不揮発性メモリ構造。
- 前記少なくとも1つの隔離層が、前記複数のメモリセルの間の前記基板中に配置され、前記少なくとも1つのシールド電極と前記基板の間に配置される請求項2に記載の不揮発性メモリ構造。
- 前記少なくとも1つの隔離層が、
前記複数のメモリセルの間の前記基板中に配置された少なくとも1つの隔離構造と、
前記少なくとも1つの隔離構造と前記基板の間に配置され、且つ前記少なくとも1つのシールド電極と前記基板の間に配置された少なくとも1つのライナー層と、
を含む請求項5に記載の不揮発性メモリ構造。 - 前記不揮発性メモリ構造が、縦型不揮発性メモリ構造であり、前記縦型不揮発性メモリ構造が、
前記基板上に配置され、前記少なくとも1つのシールド電極、複数のゲート構造、および前記少なくとも1つの隔離層を含み、前記少なくとも1つのシールド電極と前記複数のゲート構造が交互に積み重ねられ、前記少なくとも1つの隔離層が前記少なくとも1つのシールド電極と前記複数のゲート構造の間に設置された積層構造と、
前記積層構造の一側面にある側壁に配置されたチャネル層と、
前記積層構造と前記チャネル層の間に配置された電荷蓄積構造層と、
を含む請求項1に記載の不揮発性メモリ構造。 - 前記複数のメモリセルが、前記複数のゲート構造と、前記複数のゲート構造の一側面に設置された前記電荷蓄積構造層の一部とを含む請求項7に記載の不揮発性メモリ構造。
- 前記ソース線が、前記積層構造の他の側面にある側壁に配置され、前記基板に接続されるとともに、前記少なくとも1つの隔離層が、さらに、前記ソース線と前記複数のゲート構造の間に設置される請求項7に記載の不揮発性メモリ構造。
- 各前記ゲート構造が、金属ゲート層と、バリア層とを含み、前記バリア層が、前記金属ゲート層と前記電荷蓄積構造層の間に設置される請求項7に記載の不揮発性メモリ構造。
- 基板上に複数のメモリ構造を形成するステップと、
前記複数のメモリセルの間に少なくとも1つの隔離層を形成するステップと、
前記少なくとも1つの隔離層上に少なくとも1つのシールド電極を形成するステップと、
を含み、前記少なくとも1つのシールド電極が、ソース線に電気接続された不揮発性メモリ構造の製造方法。 - 前記不揮発性メモリ構造が、平面型不揮発性メモリ構造である請求項11に記載の不揮発性メモリ構造の製造方法。
- 各前記メモリセルの形成方法が、
前記基板上に第1誘電体層を形成するステップと、
前記第1誘電体層上に電荷蓄積層を形成するステップと、
前記電荷蓄積層上に第2誘電体層を形成するステップと、
前記第2誘電体層上に導体層を形成するステップと、
を含む請求項12に記載の不揮発性メモリ構造の製造方法。 - 前記第2誘電体層が、さらに、前記少なくとも1つのシールド電極上に形成された請求項13に記載の不揮発性メモリ構造の製造方法。
- 前記導体層が、さらに、前記複数の電荷蓄積層の間の前記第2誘電体層上に形成される請求項14に記載の不揮発性メモリ構造の製造方法。
- 前記少なくとも1つの隔離層の形成方法が、
前記基板中に少なくとも1つのトレンチを形成するステップと、
前記少なくとも1つのトレンチの表面に少なくとも1つのライナー層をコンフォーマルに形成するステップと、
前記少なくとも1つのライナー層上に、前記少なくとも1つのトレンチに充填された少なくとも1つの隔離構造を形成するステップと、
を含む請求項12に記載の不揮発性メモリ構造の製造方法。 - 前記不揮発性メモリ構造が、縦型不揮発性メモリ構造であり、前記縦型不揮発性メモリ構造の製造方法が、
前記基板上に、交互に積み重ねられた複数の第1犠牲層と複数の第2犠牲層を含む積層を形成するステップと、
前記積層中に、前記基板を露出する第1開口を形成するステップと、
前記第1開口の側壁に電荷蓄積構造層を形成するステップと、
前記電荷蓄積構造層上にチャネル層を形成するステップと、
前記積層上に、前記電荷蓄積構造層および前記チャネル層を覆うパターン化ハードマスク層を形成するステップと、
前記パターン化ハードマスク層をマスクとして使用することにより、前記積層中に前記基板を露出する第2開口を形成するステップと、
前記第2開口によって露出した前記複数の第2犠牲層を除去して、複数の第3開口を形成するステップと、
前記複数の第3開口中に複数のゲート構造を形成するステップと、
前記第2開口によって露出した前記複数の第1犠牲層を除去して、複数の第4開口を形成するステップと、
前記複数の第4開口の表面および前記複数のゲート構造上に、前記少なくとも1つの隔離層をコンフォーマルに形成するステップと、
前記複数の第4開口内の前記少なくとも1つの隔離層上に、前記少なくとも1つのシールド電極を形成するとともに、前記第2開口中に、前記少なくとも1つのシールド電極および前記基板に接続された前記ソース線を形成するステップと、
を含む請求項11に記載の不揮発性メモリ構造の製造方法。 - 前記複数のメモリセルが、前記複数のゲート構造と、前記複数のゲート構造の一側面に設置された前記電荷蓄積構造層の一部とを含む請求項17に記載の不揮発性メモリ構造の製造方法。
- 前記複数のゲート構造の形成方法が、
前記複数の第3開口中にバリア材料層をコンフォーマルに形成するステップと、
前記バリア材料層上に、前記複数の第3開口に充填された金属ゲート材料層を形成するステップと、
前記金属ゲート材料層および前記バリア材料層に対してエッチバックプロセスを行うステップと、
を含む請求項17に記載の不揮発性メモリ構造の製造方法。
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