JP2019117867A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】終端領域または境界領域における電界集中を緩和することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、トレンチゲートが設けられた素子領域と、素子領域の外側に位置する終端領域と、素子領域と終端領域との間に位置する境界領域と、を有する半導体基板を備える。また、終端領域および境界領域の各々に、半導体基板とは異なる導電型の第1拡散層と、半導体基板内で第1拡散層の厚さよりも大きな深さを有するトレンチ部と、トレンチ部の底部側で第1拡散層に接触し、第1拡散層と同じ導電型の第2拡散層と、が設けられている。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)およびMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)は、パワー半導体素子の一例として知られている。このようなパワー半導体素子の終端領域には、素子の耐圧を確保するために、一般的にP型拡散層が形成されている。
上記のようなパワー半導体素子を製造する際、工程時間を短縮するために低温で上記P型拡散層を形成すると、P型拡散層の厚さが不十分になる可能性がある。この場合、素子領域の動作時に、電界集中が終端領域と素子領域との境界領域で起こり得る。その結果、素子耐圧が低下するおそれがある。
また、上記のようなパワー半導体素子が表面チャージの影響を受けると、空乏層が終端領域に向かって広がっていく。この場合、電界集中が終端領域で起こり得るので、素子耐圧が低下するおそれがある。
本発明の実施形態は、終端領域または境界領域における電界集中を緩和することが可能な半導体装置を提供する。
本実施形態に係る半導体装置は、トレンチゲートが設けられた素子領域と、素子領域の外側に位置する終端領域と、素子領域と終端領域との間に位置する境界領域と、を有する半導体基板を備える。また、終端領域および境界領域の各々に、半導体基板とは異なる導電型の第1拡散層と、半導体基板内で第1拡散層の厚さよりも大きな深さを有するトレンチ部と、トレンチ部の底部側で第1拡散層に接触し、第1拡散層と同じ導電型の第2拡散層と、が設けられている。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1実施形態)
図1(a)は、第1実施形態に係る半導体装置の平面図である。図1(b)は、図1(a)に示す切断線A−Aに沿った断面図である。本実施形態に係る半導体装置1は、例えば、コレクタがチップの裏面側に形成された縦型構造のIGBT、またはドレインがチップの裏面側に形成された縦型構造のMOSFETに適用できる。
図1(a)は、第1実施形態に係る半導体装置の平面図である。図1(b)は、図1(a)に示す切断線A−Aに沿った断面図である。本実施形態に係る半導体装置1は、例えば、コレクタがチップの裏面側に形成された縦型構造のIGBT、またはドレインがチップの裏面側に形成された縦型構造のMOSFETに適用できる。
本実施形態に係る半導体装置1は、N−型の半導体基板10を備える。なお、図1(b)には示されていないが、半導体装置1がIGBTの場合、半導体基板10には、N−層の下にN+バッファ層が形成され、このN+バッファ層の下にP+コレクタ層が形成される。一方、半導体装置1がMOSFETの場合、N−層の下にN+ドレイン層が形成される。
半導体基板10の表面側には、素子領域R1と、終端領域R2と、境界領域R3と、が設けられている。以下、各領域の構造について説明する。
素子領域R1は、トレンチゲート20と、P型拡散層30と、N型拡散層40と、を有する。トレンチゲート20は、絶縁膜21および電極膜22を有する。絶縁膜21は、例えばシリコン酸化膜(SiO2)を用いて形成される。一方、電極膜22は、例えばポリシリコンを用いて形成される。P型拡散層30は、トレンチゲート20の周囲に形成されている。N型拡散層40は、P型拡散層30内に形成されている。N型拡散層40は、IGBTのエミッタまたはMOSFETのソースとして機能する。
終端領域R2は、素子領域R1の外側に位置する。終端領域R2は、P型拡散層60(第1拡散層)と、トレンチ部70と、P型拡散層80(第2拡散層)とを有する。P型拡散層60は、素子領域R1のP型拡散層30と同じ材料で形成される。トレンチ部70は、絶縁膜71および導電膜72を有する。絶縁膜71および導電膜72は、素子領域R1に設けられたトレンチゲート20の絶縁膜21および電極膜22とそれぞれ同じ材料で形成される。P型拡散層80は、トレンチ部70の底部側でP型拡散層60と接触している。これにより、P型拡散層80およびP型拡散層60が互いに電気的に接続される。
境界領域R3は、素子領域R1と終端領域R2との間に位置する。境界領域R3は、終端領域R2と同様に、P型拡散層60と、トレンチ部70と、P型拡散層80とを有する。本実施形態では、終端領域R2のP型拡散層60は、素子領域R1のP型拡散層30の端部に相当する。
以下、図2〜図5を参照して、上述した半導体装置1の主要な製造工程について簡単に説明する。
まず、図2に示すように、P型拡散層30を貫通する溝23と、P型拡散層60を貫通する溝73とを同時に形成する。溝23および溝73の深さdは、互いに等しく、かつ、P型拡散層30およびP型拡散層60の厚さtよりも大きい。
次に、溝73の底部に例えばボロン(B)をインプラする。その結果、図3に示すように、P型拡散層80が終端領域R2および境界領域R3にそれぞれ形成される。
次に、図4に示すように、熱処理によって、絶縁膜21を溝23の内面に形成する。同時に、絶縁膜71も溝73の内面に形成する。続いて、図5に示すように、絶縁膜71の表面に電極膜22を形成する。同時に、導電膜72も絶縁膜71の表面に形成する。その結果、トレンチゲート20が素子領域R1に形成される。また、トレンチ部70が終端領域R2および境界領域R3にそれぞれ形成される。
その後、図1(b)に戻って、半導体基板10の表面に層間絶縁膜50が形成される。続いて、層間絶縁膜50の一部にコンタクトホール51が形成される。最後に、金属膜52がコンタクトホール51内に埋め込まれる。このとき、終端領域R2および境界領域R3のトレンチ部70は、素子領域R1のトレンチゲート20と電気的に接続されない。そのため、トレンチ部70の電位は、フローティング電位である。
ここで、本実施形態に係る半導体装置1と、比較例に係る半導体装置との比較について説明する。図6は、比較例に係る半導体装置の簡略的な構造を示す断面図である。図6では、図1(b)に示す半導体装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図6に示すように、比較例に係る半導体装置100の境界領域R3および終端領域R2には、トレンチ部70およびP型拡散層80が設けられていない。そのため、P型拡散層30、60を低温で形成すると、これらの厚さが薄くなる場合がある。この場合、各拡散層の厚さとトレンチゲート20の深さとの差が大きくなる。この差が大きいと、電界集中が境界領域R3で生じて素子耐圧が低下するおそれがある。
一方、本実施形態に係る半導体装置1によれば、トレンチ部70およびP型拡散層80が境界領域R3および終端領域R2に形成されている。トレンチ部70の深さは、P型拡散層60の厚さよりも大きい。また、P型拡散層80は、トレンチ部70の底部側でP型拡散層60と接触している。
したがって、仮に、薄いP型拡散層60が形成されたとしても、P型拡散層80の存在により、終端領域R2および境界領域R3の拡散層の厚さとトレンチゲート20の深さとの差の拡大を抑制できる。よって、境界領域R3における電界集中を緩和することが可能となる。
(変形例)
以下、図7(a)および図7(b)を参照して第1実施形態の変形例について説明する。図7(a)は、第1実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。図7(b)は他の変形例に係る半導体装置の断面図である。図7(a)および図7(b)では、第1実施形態に係る半導体装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
以下、図7(a)および図7(b)を参照して第1実施形態の変形例について説明する。図7(a)は、第1実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。図7(b)は他の変形例に係る半導体装置の断面図である。図7(a)および図7(b)では、第1実施形態に係る半導体装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図1(b)に示す第1実施形態に係る半導体装置1では、3本のトレンチ部70が終端領域R2および境界領域R3にそれぞれ形成されている。しかし、トレンチ部70の本数は制限されない。
例えば、図7(a)に示すように、トレンチ部70の本数は、1本であってもよい。この場合も、トレンチ部70の底部側にP型拡散層80を形成できるので、電界集中の緩和を確保できる。
また、第1実施形態では、トレンチ部70の本数が、終端領域R2および境界領域R3との間で同じであるが、異なっていてもよい。例えば、図7(b)では、トレンチ部70の本数は、耐圧設計に応じて、終端領域R2と境界領域R3との間で異なっている。この場合も、各トレンチ部70の底部側にP型拡散層80を形成できるので、電界集中の緩和を確保できる。
(第2実施形態)
図8は、第2実施形態に係る半導体装置の断面図である。図8では、図1に示す半導体装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図8は、第2実施形態に係る半導体装置の断面図である。図8では、図1に示す半導体装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
本実施形態に係る半導体装置2では、複数のトレンチ部70のうちの少なくとも一つは、その深さがトレンチゲート20の深さと異なっている。具体的には、境界領域R3では、トレンチ部70の深さは、素子領域R1から離れるにつれて小さくなっている。また、終端領域R2では、トレンチ部70の深さは、P型拡散層60の端部に近づくにつれて小さくなっている。
各トレンチ部70の底部には、第1実施形態と同様にP型拡散層80が形成される。このとき、各トレンチ部70の深さを上記のように形成すると、P型拡散層80の外形は、図8に示すような下に凸の曲線Cに沿った形状となる。これにより、終端領域R2および境界領域R3では、P型拡散層60とP型拡散層80とを組み合わせた拡散層全体が、なだらかな形状になるので、さらに電界集中を緩和することが可能となる。
(第3実施形態)
図9は、第3実施形態に係る半導体装置の断面図である。図9では、図1(b)に示す半導体装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図9は、第3実施形態に係る半導体装置の断面図である。図9では、図1(b)に示す半導体装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
第1実施形態では、トレンチ部70は、絶縁膜71および導電膜72で構成されている。一方、本実施形態に係る半導体装置3では、絶縁膜71が除去されている。そのため、導電膜72は、P型拡散層60およびP型拡散層80のそれぞれに接触する。
P型拡散層80を導電膜72の底部に形成する際、プロセスばらつきによって、P型拡散層80とP型拡散層60との接触が不十分になると、これらの拡散層の電気的な接続を十分に確保できないことが考えられる。
しかし、本実施形態によれば、P型拡散層80とP型拡散層60との電気的な接続は、導電膜72によって確保される。そのため、プロセスばらつきに対する設計マージンを高めることができる。
(第4実施形態)
図10は、第4実施形態に係る半導体装置の断面図である。図10では、図1(b)に示す半導体装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図10は、第4実施形態に係る半導体装置の断面図である。図10では、図1(b)に示す半導体装置1と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
本実施形態に係る半導体装置4では、複数のP型拡散層60が互いに離れて終端領域R2に形成されている。さらに、少なくとも一つ以上のトレンチ部70がP型拡散層60の間に形成されている。このトレンチ部70も、第1実施形態と同様に、素子領域R1のトレンチゲート20と同じ材料を用いて、トレンチゲート20と同時に形成される。
ここで、図11および図12を参照して、このトレンチ部70の技術的効果について説明する。
図11(a)および図11(b)は、表面チャージが存在する場合の終端領域R2における電界強度の分布をシミュレーションした結果を示す。図11(a)は、従来の電界強度の分布をシミュレーションした結果を示す図である。図11(b)は、第4実施形態の電界強度の分布をシミュレーションした結果を示す図である。
また、図12は、耐圧特性を示すグラフである。このグラフでは、横軸は、コレクタとエミッタとの間における電圧(Vces)を示す。一方、縦軸は、コレクタとエミッタとの間を流れる電流(Ices)を示す。
トレンチ部70が終端領域R2に設けられていない従来構造の場合、高電界領域E、換言するとアバランシェポイントが素子領域R1から終端領域R2に移動してくる(図11(a)参照)。この場合、図12の点線L1に示すように、耐圧が低下する可能性が高くなる。
一方、トレンチ部70が終端領域R2に設けられた本実施形態の場合、高電界領域Eは、素子領域R1に留まって終端領域R2には存在しない(図11(b)参照)。すなわち、終端領域R2における電界集中が緩和される。その結果、図12の実線L2に示すように、耐圧低下を抑制することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1〜4 半導体装置、10 半導体基板、20 トレンチゲート、21 絶縁膜、22 電極膜、60 P型拡散層(第1拡散層)、70 トレンチ部、71 絶縁膜、72 導電膜、80 P型拡散層(第2拡散層)、R1 素子領域、R2 終端領域、R3 境界領域
Claims (8)
- トレンチゲートが設けられた素子領域と、前記素子領域の外側に位置する終端領域と、前記素子領域と前記終端領域との間に位置する境界領域と、を有する半導体基板を備え、
前記終端領域および前記境界領域の各々に、前記半導体基板とは異なる導電型の第1拡散層と、前記半導体基板内で前記第1拡散層の厚さよりも大きな深さを有するトレンチ部と、前記トレンチ部の底部側で前記第1拡散層に接触し、前記第1拡散層と同じ導電型の第2拡散層と、が設けられている、半導体装置。 - 前記半導体基板内で、前記トレンチ部の深さが前記トレンチゲートの深さと同じである、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記終端領域および前記境界領域の各々に複数の前記トレンチ部が設けられ、前記半導体基板内で、少なくとも一つの前記トレンチ部の深さが前記トレンチゲートの深さと異なっている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記境界領域では、前記トレンチ部の深さは、前記素子領域から離れるにつれて小さくなっており、
前記終端領域では、前記トレンチ部の深さは、前記第1拡散層の端部に近づくにつれて小さくなっている、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記トレンチ部は、前記第1拡散層および前記第2拡散層に接触する絶縁膜と、前記絶縁膜に覆われた導電膜と、を有する、請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記トレンチ部は、前記第1拡散層および前記第2拡散層に接触する導電膜を有する、請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- トレンチゲートが設けられた素子領域と、前記素子領域の外側に位置する終端領域と、を有する半導体基板を備え、
前記終端領域内に、前記半導体基板とは異なる導電型の複数の拡散層が互いに離れて設けられ、かつ、前記複数の拡散層の間に少なくとも一つ以上のトレンチ部が設けられている、半導体装置。 - 前記トレンチ部の形状が、前記トレンチゲートの形状と同じである、請求項7に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017251253A JP2019117867A (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2017251253A JP2019117867A (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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ID=67304654
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JP2017251253A Pending JP2019117867A (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022209357A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
DE112021004430T5 (de) | 2020-12-08 | 2023-06-07 | Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. | Halbleitervorrichtung |
WO2023203894A1 (ja) * | 2022-04-21 | 2023-10-26 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
2017
- 2017-12-27 JP JP2017251253A patent/JP2019117867A/ja active Pending
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WO2022209357A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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