JP2019079883A - 部材接続方法 - Google Patents

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    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/292Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29238Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29247Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/29294Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
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    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29369Platinum [Pt] as principal constituent
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    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
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    • H01L2224/301Disposition
    • H01L2224/3012Layout
    • H01L2224/30177Combinations of arrays with different layouts
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    • H01L2224/30Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/301Disposition
    • H01L2224/3012Layout
    • H01L2224/30179Corner adaptations, i.e. disposition of the layer connectors at the corners of the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001Core members of the connector
    • H01L2224/37099Material
    • H01L2224/371Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/404Connecting portions
    • H01L2224/40475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas
    • H01L2224/40499Material of the auxiliary connecting means
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    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75272Oven
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    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75283Means for applying energy, e.g. heating means by infrared heating, e.g. infrared heating lamp
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    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053Bonding environment
    • H01L2224/83054Composition of the atmosphere
    • H01L2224/83075Composition of the atmosphere being inert
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    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
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Abstract

【課題】銅焼結体の内部又は銅焼結体と各部材との間におけるボイドを抑制する。【解決手段】本発明の部材接続方法は、各部材2,3を銅焼結体4により接続する部材接続方法であって、各部材2,3の接続領域5に、印刷によって接続用の銅ペーストの塗膜8を所定の印刷パターン9で形成する印刷工程と、各部材2,3を塗膜8を介して積層する積層工程と、塗膜8の焼結によって各部材2,3を接続する銅焼結体4を形成する焼結工程と、を含み、印刷工程で形成される印刷パターン9は、塗膜8が形成される塗膜形成領域10と、塗膜8が形成されない塗膜非形成領域20と、からなり、塗膜形成領域10は、接続領域5の縁部6において互いに離間する各点A〜Dを結ぶように設けられた複数のライン状領域21a〜21cによって複数の領域12a〜12c,13a,13bに分割されている。【選択図】図2

Description

本発明は、部材接続方法に関する。
従来、第一の部材と第二の部材とを銅焼結体により接続する部材接続方法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。この部材接続方法としては、スクリーン印刷又はディスペンス印刷などによって接続用の銅ペーストの塗膜を印刷する方法がある。具体的には、この方法では、まず、印刷工程において、第一の部材と第二の部材との接続領域に、印刷によって接続用の銅ペーストの塗膜を形成する。続いて、積層工程において、第一の部材と第二の部材とを塗膜を介して積層する。そして、焼結工程において、塗膜の焼結によって各部材を互いに接続する銅焼結体を形成する。
特開2008−244242号公報
前述した従来の部材接続方法では、印刷工程において、接続領域の全体に塗膜が形成され、その後の積層工程において、各部材が塗膜を介して積層される。このとき、各部材の接続面(塗膜側の表面)の全体を塗膜が覆った状態となるので、塗膜の面積が大きく、塗膜の内部に空気が入り込み易い。また、各部材の接続面が凹凸を有していると、当該凹凸に起因して、塗膜と各部材との間においても空気が入り込み易い。このように空気が入り込んだ状態で焼結工程において塗膜が焼結されると、焼結によって形成された銅焼結体の内部、又は、銅焼結体と各部材との間に、空気がボイド(空隙)として残存してしまう。ボイドは、各部材が互いに接続されてなる接続体の構造欠陥となり、各部材の接続性を低下させる要因となり得る。
そこで本発明は、銅焼結体の内部又は銅焼結体と各部材との間におけるボイドを抑制することができる部材接続方法を提供することを目的とする。
本発明に係る部材接続方法は、第一の部材と第二の部材とを銅焼結体により接続する部材接続方法であって、第一の部材と第二の部材との接続領域に、印刷によって接続用の銅ペーストの塗膜を所定の印刷パターンで形成する印刷工程と、第一の部材と第二の部材とを塗膜を介して積層する積層工程と、塗膜の焼結によって第一の部材と第二の部材とを接続する銅焼結体を形成する焼結工程と、を含み、印刷工程で形成される前記印刷パターンは、塗膜が形成される塗膜形成領域と、塗膜が形成されない塗膜非形成領域と、からなり、塗膜形成領域は、接続領域の縁部において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられた一又は複数の塗膜非形成領域によって複数の領域に分割されている。
この部材接続方法では、印刷工程において形成される印刷パターンが、塗膜が形成される塗膜形成領域と、塗膜が形成されない塗膜非形成領域とによって構成されている。また、塗膜形成領域は、接続領域の縁部において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられた一又は複数の塗膜非形成領域によって複数の領域に分割されている。これにより、積層工程において各部材が塗膜を介して積層される際に、塗膜非形成領域が接続領域外に空気を逃がす逃がし部として機能する。塗膜非形成領域は、積層工程における各部材の自重或いは押圧力の付与などによって塗膜形成領域の複数の領域が拡張することによって消滅する。したがって、焼結工程では、接続領域に略均一に銅ペーストの塗膜が塗布された状態となり、焼結後の銅焼結体の内部、又は、銅焼結体と各部材との間にボイドが残存することを抑制できる。
この部材接続方法において、塗膜形成領域における複数の領域は、接続領域の中心側から縁部に向かって放射状に配列された領域を含んでもよい。この場合、塗膜非形成領域によって接続領域外に効率的に空気を逃がすことが可能となり、ボイドの抑制効果を十分に確保することができる。
この部材接続方法において、塗膜形成領域における複数の領域は、接続領域の中心周りに同心円状又は同心多角形状に配列された領域を含んでもよい。この場合、塗膜非形成領域によって接続領域外に効率的に空気を逃がすことが可能となり、ボイドの抑制効果を十分に確保することができる。
この部材接続方法において、接続領域は、矩形状の領域であり、塗膜形成領域は、接続領域の角部に対応して配置された領域を含んでもよい。この場合、接続領域の角部における塗膜の不足を防止できる。したがって、接続領域に略均一に銅ペーストの塗膜が塗布された状態をより確実に形成できる。
この部材接続方法において、塗膜形成領域における複数の領域は、接続領域の縁部に近い位置に配置された領域であるほど大面積となっていてもよい。この場合、接続領域の縁部側における塗膜の不足を防止できる。したがって、接続領域に略均一に銅ペーストの塗膜が塗布された状態をより確実に形成できる。
この部材接続方法において、塗膜形成領域における複数の領域は、格子状に配列された領域を含んでもよい。この場合、塗膜非形成領域によって接続領域外に効率的に空気を逃がすことが可能となり、ボイドの抑制効果を十分に確保することができる。
この部材接続方法において、第一の部材及び第二の部材のうちの少なくとも一方が半導体素子であってもよい。上記部材接続方法を半導体素子の接続に適用することで、信頼性の高い半導体装置の製造を実現できる。
本発明によれば、銅焼結体の内部又は銅焼結体と各部材との間におけるボイドを抑制することが可能な部材接続方法を提供することができる。
第1実施形態に係る部材接続方法により接続されてなる接続体の模式断面図である。 第1実施形態の印刷工程で形成される印刷パターンを示す平面図である。 印刷パターンを従来と本実施形態とで比較して示す図である。 従来及び本実施形態のそれぞれについて、超音波観察装置を用いて焼結後の銅焼結体と第一の部材との界面を観察した結果を示す写真である。 第2実施形態の印刷パターンを示す平面図である。 第3実施形態の印刷パターンを示す平面図である。 第4実施形態の印刷パターンを示す平面図である。 第5実施形態の印刷パターンを示す平面図である。 第6実施形態の印刷パターンを示す平面図である。 第7実施形態の印刷パターンを示す平面図である。 第8実施形態の印刷パターンを示す平面図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本明細書において、例示する材料は、特に断らない限り、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。接続用金属ペースト中の各成分の含有量は、接続用金属ペースト中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、接続用金属ペースト中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。
(第1実施形態)
まず、第1実施形態に係る部材接続方法により接続されてなる接続体の一例について説明する。図1は、第1実施形態に係る部材接続方法により接続されてなる接続体1の模式断面図である。
図1に示されるように、接続体1は、部材2(第一の部材)と、部材3(第二の部材)と、部材2と部材3とを接続する銅焼結体4と、を有している。本実施形態において「接続」とは、「接合」、すなわち接続して繋ぎ合わせることを含む。各部材2,3としては、たとえば、IGBT、ダイオード、ショットキーバリヤダイオード、MOS−FET、サイリスタ、ロジック回路、センサー、アナログ集積回路、LED、半導体レーザー、発信器などの半導体素子、リードフレーム、金属板貼付セラミックス基板(たとえば、DBC)、LEDパッケージなどの半導体素子搭載用基材、銅リボン、金属ブロック、端子などの給電用部材、放熱板、水冷板などが挙げられる。
銅焼結体4は、銅粒子を分散させた銅ペーストを焼結することによって形成される。銅焼結体4は、銅以外の成分(たとえば、銅以外の金属、合金、金属間化合物、無機化合物、樹脂)を含んでいてもよい。焼結方法としては、無加圧焼結、加圧焼結(単軸加圧焼結、HIP焼結)、通電焼結などを用いることができる。本実施形態の銅焼結体4が半導体装置の接続用である場合、銅焼結体4は無加圧焼結で作製されたものが好ましい。無加圧焼結は、加圧焼結に較べてスループットを向上させることができ、半導体素子が損傷しにくい点で好ましい。
銅焼結体4は、銅の緻密度が40体積%以上95体積%以下であることが好ましく、50体積%以上95体積%以下であることがより好ましく、60体積%以上95体積%以下であることがさらに好ましい。銅の緻密度が上記範囲にあると、焼結体自体の機械特性、熱伝導性及び電気伝導性を充分確保することができるとともに、部材を接続したときに応力緩和の効果が得られ易く、高い接続信頼性を有することができる。
銅焼結体4における銅の緻密度は、たとえば、以下の手順で求めることができる。まず、銅焼結体4を直方体に切り出し、銅焼結体4の縦、横の長さをノギス又は外形形状測定装置で測定し、厚みを膜厚計で測定することにより銅焼結体4の体積を計算する。切り出した銅焼結体4の体積と、精密天秤で測定した銅焼結体の質量とから見かけの密度M(g/cm)を求める。求めたMと、銅の理論密度8.96g/cmとを用いて、下記式(A)から銅焼結体における銅の緻密度(体積%)が求められる。
銅焼結体における銅の緻密度(体積%)=[(M)/8.96]×100・・・(A)
次に、本実施形態の部材接続方法について説明する。
本実施形態の部材接続方法は、部材2と部材3とを接続する部材接続方法であって、次の印刷工程、積層工程、及び焼結工程を含んでいる。まず、印刷工程では、部材2と部材3との接続領域に、印刷によって接続用の銅ペーストを塗布して、当該銅ペーストの塗膜を所定の印刷パターンで形成する。接続領域は、部材2と部材3とを平面視したときに各部材2,3が互いに接続されている領域である。印刷方法としては、たとえば、スクリーン印刷、転写印刷、オフセット印刷、ジェットプリンティング法、ディスペンサー、ジェットディスペンサ、ニードルディスペンサ、スクリューディスペンサー、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スリットコート、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、ステンシル印刷、ソフトリソグラフ、バーコート、アプリケータ、粒子堆積法、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ、又は電着塗装などを用いることができる。
続いて、積層工程では、部材2と部材3とを塗膜を介して積層する。積層工程では、各部材2,3による自重のみが塗膜にかかる無加圧としてもよいし、各部材2,3の自重に加え、0.01MPa以下、好ましくは0.005MPa以下の押圧力を塗膜に対して付与してもよい。塗膜に付与される押圧力が上記範囲内であれば、特別な加圧装置が不要なため、歩留まりを損なうこと無く、ボイドの低減、ダイシェア強度及び接続性信頼を向上させることができる。塗膜が0.01MPa以下の押圧力を受ける方法としては、部材2,3上に重りを載せる方法などが挙げられる。
その後の焼結工程では、塗膜をたとえば加熱処理することにより、塗膜を焼結して銅焼結体4を形成する。加熱処理には、たとえば、ホットプレート、温風乾燥機、温風加熱炉、窒素乾燥機、赤外線乾燥機、赤外線加熱炉、遠赤外線加熱炉、マイクロ波加熱装置、レーザー加熱装置、電磁加熱装置、ヒーター加熱装置、蒸気加熱炉などを用いることができる。焼結工程では、塗膜に各部材2,3による自重、又は上記の範囲内の押圧力を付与した状態で、塗膜を焼結する。
次に、図2を参照して、本実施形態の印刷工程で形成される印刷パターン9について詳細に説明する。図2は、本実施形態の印刷工程で形成される印刷パターン9を示す平面図である。図2に示されるように、部材2と部材3との接続領域5は、印刷パターン9が印刷される印刷領域でもある。接続領域5は、互いに対向する辺6a,6bと、辺6a,6bの対向方向に直交する方向で対向する辺6c,6dと、を有する矩形状の領域である。接続領域5の縁部6は、辺6a〜6dで構成されている。
接続領域5は、積層工程において互いに対向する部材2の接続面と部材3の接続面との間に形成される。なお、図2では、接続領域5の縁部6が部材2の接続面2aよりも内側に位置するとして示しているが、接続領域5の縁部6は接続面2aの縁部と一致していてもよい。印刷パターン9は、接続領域5に形成されている。印刷パターン9は、塗膜8が形成される塗膜形成領域10と、塗膜8が形成されない塗膜非形成領域20と、で構成されている。
塗膜形成領域10は、分割領域11と、角領域14と、を含んでいる。分割領域11は、接続領域5の中心P側から縁部6に向かって放射状に配列された放射領域12と、接続領域5の中心P周りに同心円状又は同心多角形状に配置された同心領域13と、を含んでいる。中心Pとは、縁部6における各辺6a,6bからの距離が互いに同等であり、かつ、各辺6c,6dからの距離が互いに同等であるように位置する点をいう。本実施形態において「同等」とは、等しいことに加え、測定誤差又は予め設定された範囲での微差などを含んだ値を同等としてもよい。放射状に配列されたとは、たとえば、接続領域5の中心P側から縁部6に向かう径方向(以下、単に「径方向」とする。)に向かう仮想直線に沿って配置されたことを意味する。同心円状又は多角形状に配置されたとは、たとえば、接続領域5の中心Pを共有の中心とする複数の仮想同心円又は仮想多角形に沿って配置されたことを意味する。
具体的には、放射領域12は、接続領域5における中心Pから各角部R1,R2,R3,R4に向かう4つの仮想直線のそれぞれに沿って3個ずつ配置された12個の領域12a〜12cを含んでいる。すなわち、放射領域12は、同じ仮想直線に沿った3個の領域12a〜12cを、仮想直線の分だけ(4組)含んでいる。同じ仮想直線に沿った各領域12a〜12cは、径方向で互いに離間して並んでいる。
同心領域13は、中心Pを互いに共有すると共に中心Pからの距離が互いに異なる仮想同心円及び仮想多角形のそれぞれに沿って4個ずつ配置された8個の領域13a,13bを含んでいる。すなわち、同心領域13は、同じ仮想同心円に沿った4個の領域13aと、同じ仮想多角形に沿った4個の領域13bと、を含んでいる。仮想多角形は、仮想同心円よりも中心P側から離れた縁部6寄りに位置する。4個の領域13a及び4個の領域13bは、それぞれ周方向で互いに離間して並んでいる。
中心P側に位置する領域12bの面積に比して、縁部6側に位置する領域12cの面積の方が大きくなっている。また、中心P側に位置する各領域13aの面積に比して、縁部6側に位置する各領域13bの面積の方が大きくなっている。すなわち、分割領域11に含まれる複数の領域のうち、領域12b,12c及び領域13a,13b(領域12a以外の領域)は、接続領域5の縁部6に近い位置に配置された領域であるほど大面積となっている。
径方向で隣り合う各領域13aと各領域13bとの間には、それぞれ、領域12cが位置している。すなわち、放射領域12の領域12cは、同心領域13における径方向で隣り合う各領域13aと各領域13bとの間を塗膜8で埋めるように位置している。
角領域14は、接続領域5の各角部R1〜R4に対応して配置された領域である。角領域14は、角部R1に対応して配置された領域14aと、角部R2に対応して配置された領域14bと、角部R3に対応して配置された領域14cと、角部R4に対応して配置された領域14dと、を含んでいる。各領域14a〜14dは、同心領域13における最外の各領域13bよりも縁部6側に位置している。各領域14a〜14dは、各領域13bよりも縁部6側を塗膜8で埋めるように位置している。
塗膜非形成領域20は、接続領域5の縁部6において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられており、かつ塗膜形成領域10を複数の領域(本実施形態では、各領域12a〜12c,各領域13a,13b)に分割する複数のライン状領域21を含んでいる。ライン状領域21は、積層工程において、接続領域5外へ空気を逃がす逃がし部として機能する。ライン状領域21は、縁部6における点Aと点Bとを結ぶように設けられ、点A及び点Bの少なくとも一方側から空気を逃がすライン状領域21aと、縁部6における点Cと点Dとを結ぶように設けられ、点C及び点D側の少なくとも一方側から空気を逃がすライン状領域21bと、ライン状領域21a,21bに連結されるように設けられ、ライン状領域21a,21bを介して空気を逃がすライン状領域21cと、を含んでいる。
ライン状領域21aは、接続領域5内において辺6aから辺6bまで直線状に延びている。ライン状領域21aは、分割領域11に含まれる各領域のうち辺6a,6cの対向方向で対向している領域の間(各領域12aの間、各領域13aの間、各領域13bの間)に位置している。
ライン状領域21bは、接続領域5内において辺6cから辺6dまで直線状に延びている。ライン状領域21bは、分割領域11に含まれる各領域のうち辺6c,6dの対向方向で対向している領域の間(各領域12aの間、各領域13aの間、各領域13bの間)に位置している。
ライン状領域21cは、中心P側からの距離が異なる同心円状又は同心多角形状に複数(本実施形態では、4個)並んでいる。ライン状領域21cは、分割領域11に含まれる各領域のうち径方向で対向している領域の間(各領域12aと各領域12bとの間、各領域12bと各領域13aとの間、各領域13aと各領域12cとの間、各領域12cと各領域13bとの間)に位置している。
次に、本実施形態の印刷工程で用いられる接続用の銅ペーストの詳細について説明する。
(接続用銅ペースト)
本実施形態の接続用銅ペーストは、金属粒子と、分散媒と、を含むことができる。
本実施形態に係る金属粒子としては、サブマイクロ銅粒子、マイクロ銅粒子、これら以外の銅粒子、その他の金属粒子などが挙げられる。本明細書においてサブマイクロ銅粒子とは、粒径又は最大径が0.1μm以上1.0μm未満の粒子を意味し、マイクロ銅粒子とは、粒径又は最大径が1.0μm以上50μm以下の粒子を意味する。
(サブマイクロ銅粒子)
サブマイクロ銅粒子としては、粒径が0.12μm以上0.8μm以下の銅粒子を含むものが挙げられ、たとえば、体積平均粒径が0.12μm以上0.8μm以下のサブマイクロ銅粒子を用いることができる。サブマイクロ銅粒子の体積平均粒径が0.12μm以上であれば、サブマイクロ銅粒子の合成コストの抑制、良好な分散性、表面処理剤の使用量の抑制といった効果が得られ易くなる。サブマイクロ銅粒子の体積平均粒径が0.8μm以下であれば、サブマイクロ銅粒子の焼結性が優れるという効果が得られ易くなる。よりいっそう上記効果を奏するという観点から、サブマイクロ銅粒子の体積平均粒径は、0.15μm以上0.8μm以下であってもよく、0.15μm以上0.6μm以下であってもよく、0.2μm以上0.5μm以下であってもよく、0.3μm以上0.45μm以下であってもよい。
なお、本願明細書において体積平均粒径とは、50%体積平均粒径を意味する。銅粒子の体積平均粒径を求める場合、原料となる銅粒子、又は接続用銅ペーストから揮発成分を除去した乾燥銅粒子を、分散剤を用いて分散媒に分散させたものを光散乱法粒度分布測定装置(たとえば、島津ナノ粒子径分布測定装置(SALD−7500nano,株式会社島津製作所製))で測定する方法などにより求めることができる。光散乱法粒度分布測定装置を用いる場合、分散媒としては、ヘキサン、トルエン、α−テルピネオールなどを用いることができる。
サブマイクロ銅粒子は、粒径が0.12μm以上0.8μm以下の銅粒子を10質量%以上含むことができる。接続用銅ペーストの焼結性の観点から、サブマイクロ銅粒子は、粒径が0.12μm以上0.8μm以下の銅粒子を20質量%以上含むことができ、30質量%以上含むことができ、100質量%含むことができる。サブマイクロ銅粒子における粒径が0.12μm以上0.8μm以下の銅粒子の含有割合が20質量%以上であると、銅粒子の分散性がより向上し、粘度の上昇、ペースト濃度の低下をより抑制することができる。
銅粒子の粒径は、下記方法により求めることができる。銅粒子の粒径は、たとえば、SEM像から算出することができる。銅粒子の粉末を、SEM用のカーボンテープ上にスパチュラで載せ、SEM用サンプルとする。このSEM用サンプルをSEM装置により5000倍で観察する。このSEM像の銅粒子に外接する四角形を画像処理ソフトにより作図し、その一辺をその粒子の粒径とする。
サブマイクロ銅粒子の含有量は、金属粒子の全質量を基準として、20質量%以上90質量%以下であってもよく、30質量%以上90質量%以下であってもよく、35質量%以上85質量%以下であってもよく、40質量%以上80質量%以下であってもよい。サブマイクロ銅粒子の含有量が上記範囲内であれば、上述した本実施形態に係る銅焼結体を形成することが容易となる。
サブマイクロ銅粒子の含有量は、サブマイクロ銅粒子の質量及びフレーク状マイクロ銅粒子の質量の合計を基準として、20質量%以上90質量%以下であってもよい。サブマイクロ銅粒子の上記含有量が20質量%以上であれば、フレーク状マイクロ銅粒子の間を充分に充填することができ、上述した本実施形態に係る銅焼結体を形成することが容易となる。サブマイクロ銅粒子の上記含有量が90質量%以下であれば、接続用銅ペーストを焼結した時の体積収縮を充分に抑制できるため、上述した本実施形態に係る銅焼結体を形成することが容易となる。よりいっそう上記効果を奏するという観点から、サブマイクロ銅粒子の含有量は、サブマイクロ銅粒子の質量及びフレーク状マイクロ銅粒子の質量の合計を基準として、30質量%以上85質量%以下であってもよく、35質量%以上85質量%以下であってもよく、40質量%以上80質量%以下であってもよい。
サブマイクロ銅粒子の形状は、特に限定されるものではない。サブマイクロ銅粒子の形状としては、たとえば、球状、塊状、針状、フレーク状、略球状及びこれらの凝集体が挙げられる。分散性及び充填性の観点から、サブマイクロ銅粒子の形状は、球状、略球状、フレーク状であってもよく、燃焼性、分散性、フレーク状マイクロ銅粒子との混合性などの観点から、球状又は略球状であってもよい。本明細書において、「フレーク状」とは、板状、鱗片状などの平板状の形状を包含する。
サブマイクロ銅粒子は、分散性、充填性、及びフレーク状マイクロ銅粒子との混合性の観点から、アスペクト比が5以下であってもよく、3以下であってもよい。本明細書において、「アスペクト比」とは、粒子の長辺/厚みを示す。粒子の長辺及び厚みの測定は、たとえば、粒子のSEM像から求めることができる。
サブマイクロ銅粒子は、特定の表面処理剤で処理されていてもよい。特定の表面処理剤としては、たとえば、炭素数8〜16の有機酸が挙げられる。炭素数8〜16の有機酸としては、たとえば、カプリル酸、メチルヘプタン酸、エチルヘキサン酸、プロピルペンタン酸、ペラルゴン酸、メチルオクタン酸、エチルヘプタン酸、プロピルヘキサン酸、カプリン酸、メチルノナン酸、エチルオクタン酸、プロピルヘプタン酸、ブチルヘキサン酸、ウンデカン酸、メチルデカン酸、エチルノナン酸、プロピルオクタン酸、ブチルヘプタン酸、ラウリン酸、メチルウンデカン酸、エチルデカン酸、プロピルノナン酸、ブチルオクタン酸、ペンチルヘプタン酸、トリデカン酸、メチルドデカン酸、エチルウンデカン酸、プロピルデカン酸、ブチルノナン酸、ペンチルオクタン酸、ミリスチン酸、メチルトリデカン酸、エチルドデカン酸、プロピルウンデカン酸、ブチルデカン酸、ペンチルノナン酸、ヘキシルオクタン酸、ペンタデカン酸、メチルテトラデカン酸、エチルトリデカン酸、プロピルドデカン酸、ブチルウンデカン酸、ペンチルデカン酸、ヘキシルノナン酸、パルミチン酸、メチルペンタデカン酸、エチルテトラデカン酸、プロピルトリデカン酸、ブチルドデカン酸、ペンチルウンデカン酸、ヘキシルデカン酸、ヘプチルノナン酸、メチルシクロヘキサンカルボン酸、エチルシクロヘキサンカルボン酸、プロピルシクロヘキサンカルボン酸、ブチルシクロヘキサンカルボン酸、ペンチルシクロヘキサンカルボン酸、ヘキシルシクロヘキサンカルボン酸、ヘプチルシクロヘキサンカルボン酸、オクチルシクロヘキサンカルボン酸、ノニルシクロヘキサンカルボン酸などの飽和脂肪酸;オクテン酸、ノネン酸、メチルノネン酸、デセン酸、ウンデセン酸、ドデセン酸、トリデセン酸、テトラデセン酸、ミリストレイン酸、ペンタデセン酸、ヘキサデセン酸、パルミトレイン酸、サビエン酸などの不飽和脂肪酸;テレフタル酸、ピロメリット酸、o−フェノキシ安息香酸、メチル安息香酸、エチル安息香酸、プロピル安息香酸、ブチル安息香酸、ペンチル安息香酸、ヘキシル安息香酸、ヘプチル安息香酸、オクチル安息香酸、ノニル安息香酸などの芳香族カルボン酸が挙げられる。有機酸は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。このような有機酸と上記サブマイクロ銅粒子とを組み合わせることで、サブマイクロ銅粒子の分散性と焼結時における有機酸の脱離性を両立できる傾向にある。
表面処理剤の処理量は、0.07質量%以上2.1質量%以下であってもよく、0.10質量%以上1.6質量%以下であってもよく、0.2質量%以上1.1質量%以下であってもよい。
サブマイクロ銅粒子としては、市販されているものを用いることができる。市販されているサブマイクロ銅粒子としては、たとえば、Cu−C−40(福田金属箔粉工業株式会社製、体積平均粒径0.6μm)、EFC−20LML(福田金属箔粉工業株式会社製、数平均粒径0.2μm)、CH−0200(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径0.36μm)、HT−14(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径0.41μm)、CT−500(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径0.72μm)、Tn−Cu100(太陽日酸株式会社製、体積平均粒径0.12μm)が挙げられる。
(マイクロ銅粒子)
マイクロ銅粒子としては、粒径が2μm以上50μm以下の銅粒子を含むものが挙げられ、たとえば、体積平均粒径が2μm以上50μm以下の銅粒子を用いることができる。マイクロ銅粒子の体積平均粒径が上記範囲内であれば、接続用銅ペーストを焼結した際の体積収縮を充分に低減でき、接続用銅ペーストを焼結させて製造される接続体の接続強度を確保することが容易となる。接続用銅ペーストを半導体素子の接続に用いる場合、マイクロ銅粒子の体積平均粒径が上記範囲内であれば、半導体装置が良好なダイシェア強度及び接続信頼性を示す傾向にある。より一層上記効果を奏するという観点から、マイクロ銅粒子の体積平均粒径は、3μm以上20μm以下であってもよく、3μm以上10μm以下であってもよい。
マイクロ銅粒子は、粒径が2μm以上50μm以下の銅粒子を50質量%以上含むことができる。接続体内での配向、補強効果、接続ペーストの充填性の観点から、マイクロ銅粒子は、粒径が2μm以上50μm以下の銅粒子を70質量%以上含むことができ、80質量%以上含むことができ、100質量%含むことができる。接続不良を抑制する観点から、マイクロ銅粒子は、たとえば、最大径が20μmを超える粒子などの接続厚みを超えるサイズの粒子を含まないことが好ましい。
マイクロ銅粒子の含有量は、金属粒子の全質量を基準として、10質量%以上90質量%以下であってもよく、15質量%以上65質量%以下であってもよく、20質量%以上60質量%以下であってもよい。マイクロ銅粒子の含有量が、上記範囲内であれば、接続用銅ペーストを焼結させて製造される接続体の接続強度を確保することが容易となる。接続用銅ペーストを半導体素子の接続に用いる場合、マイクロ銅粒子の含有量が上記範囲内であれば、半導体装置が良好なダイシェア強度及び接続信頼性を示す傾向にある。
サブマイクロ銅粒子の含有量及びマイクロ銅粒子の含有量の合計は、金属粒子の全質量を基準として、80質量%以上とすることができる。サブマイクロ銅粒子の含有量及びマイクロ銅粒子の含有量の合計が上記範囲内であれば、接続用銅ペーストを焼結した際の体積収縮を充分に低減でき、接続用銅ペーストを焼結させて製造される接続体の接続強度を確保することが容易となる。接続用銅ペーストを半導体素子の接続に用いる場合は半導体装置が良好なダイシェア強度及び接続信頼性を示す傾向にある。より一層上記効果を奏するという観点から、サブマイクロ銅粒子の含有量及びマイクロ銅粒子の含有量の合計は、金属粒子の全質量を基準として、90質量%以上であってもよく、95質量%以上であってもよく、100質量%であってもよい。
マイクロ銅粒子の形状は、特に限定されるものではない。マイクロ銅粒子の形状としては、たとえば、球状、塊状、針状、フレーク状、略球状、及びこれらの凝集体が挙げられる。マイクロ銅粒子の形状は、中でも、フレーク状が好ましい。フレーク状のマイクロ銅粒子を用いることで、接続用銅ペースト内のマイクロ銅粒子が、接続面に対して略平行に配向することにより、接続用銅ペーストを焼結させたときの体積収縮を抑制でき、接続用銅ペーストを焼結させて製造される接続体の接続強度を確保することが容易となる。接続用銅ペーストを半導体素子の接続に用いる場合は半導体装置が良好なダイシェア強度及び接続信頼性を示す傾向にある。より一層上記効果を奏するという観点から、フレーク状のマイクロ銅粒子としては、中でも、アスペクト比が4以上であってもよく、6以上であってもよい。
マイクロ銅粒子において、表面処理剤の処理の有無は特に限定されるものではない。分散安定性及び耐酸化性の観点から、マイクロ銅粒子は表面処理剤で処理されていてもよい。表面処理剤は、接続時に除去されるものであってもよい。このような表面処理剤としては、たとえば、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、オレイン酸などの脂肪族カルボン酸;テレフタル酸、ピロメリット酸、o−フェノキシ安息香酸などの芳香族カルボン酸;セチルアルコール、ステアリルアルコール、イソボルニルシクロヘキサノール、テトラエチレングリコールなどの脂肪族アルコール;p−フェニルフェノールなどの芳香族アルコール;オクチルアミン、ドデシルアミン、ステアリルアミンなどのアルキルアミン;ステアロニトリル、デカンニトリルなどの脂肪族ニトリル;アルキルアルコキシシランなどのシランカップリング剤;ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、シリコーンオリゴマーなどの高分子処理剤などが挙げられる。表面処理剤は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。表面処理剤の処理量は、通常0.001質量%以上である。
上記サブマイクロ銅粒子のみから接続用銅ペーストを調製する場合、分散媒の乾燥に伴う体積収縮及び焼結収縮が大きいため、接続用銅ペーストの焼結時に被着面より剥離し易くなり、半導体素子などの接続においては充分なダイシェア強度及び接続信頼性が得られにくい。サブマイクロ銅粒子とマイクロ銅粒子とを併用することで、接続用銅ペーストを焼結させたときの体積収縮が抑制され、接続体は充分な接続強度を有することができる。接続用銅ペーストを半導体素子の接続に用いる場合は半導体装置が良好なダイシェア強度及び接続信頼性を示すという効果が得られる。
本実施形態に係るマイクロ銅粒子としては、市販されているものを用いることができる。市販されているマイクロ銅粒子としては、たとえば、MA−C025(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径7.5μm)、MA−C025KFD(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径5μm)、MA−C08JF(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径13.2μm)、3L3(福田金属箔粉工業株式会社製、体積平均粒径6.0μm)、2L3(福田金属箔粉工業株式会社製、体積平均粒径10.0μm)、4L3(福田金属箔粉工業株式会社製、体積平均粒径3.0μm)、C3(福田金属箔粉工業株式会社製、体積平均粒径37.0μm)、E3(福田金属箔粉工業株式会社製、体積平均粒径37.0μm)、1110F(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径3.8μm)、1400YP(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径5.2μm)、1400YF(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径6.8μm)、1050YP(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径0.94μm)、1050YF(三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径1.7μm)、Cu−HWQ3.0μm(福田金属箔粉工業株式会社製、体積平均粒径3.0μm)が挙げられる。
(銅粒子以外のその他の金属粒子)
金属粒子としては、サブマイクロ銅粒子及びマイクロ銅粒子以外のその他の金属粒子を含んでいてもよく、たとえば、ニッケル、銀、金、パラジウム、白金などの粒子を含んでいてもよい。その他の金属粒子は、体積平均粒径が0.01μm以上10μm以下であってもよく、0.01μm以上5μm以下であってもよく、0.05μm以上3μm以下であってもよい。その他の金属粒子を含んでいる場合、その含有量は、充分な接続性を得るという観点から、金属粒子の全質量を基準として、20質量%未満であってもよく、10質量%以下であってもよい。その他の金属粒子は、含まれなくてもよい。その他の金属粒子の形状は、特に限定されるものではない。
銅粒子以外の金属粒子を含むことで、複数種の金属が固溶又は分散した焼結体を得ることができるため、焼結体の降伏応力、疲労強度などの機械的な特性が改善され、接続信頼性が向上し易い。また、複数種の金属粒子を添加することで、接続用銅ペーストの焼結体は、特定の被着体に対して充分な接続強度を有することができる。接続用銅ペーストを半導体素子の接続に用いる場合は半導体装置のダイシェア強度及び接続信頼性が向上し易い。
(分散媒)
分散媒は特に限定されるものではなく、揮発性のものであってもよい。揮発性の分散媒としては、たとえば、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、デカノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、α−テルピネオール、イソボルニルシクロヘキサノール(MTPH)などの一価及び多価アルコール類;エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールイソブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類;エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(DPMA)、乳酸エチル、乳酸ブチル、トリブチリン、ステアリン酸ブチル、スクアラン、セバシン酸ジプチル、アジピン酸ビス(2―エチルヘキシル)、γ−ブチロラクトン、炭酸プロピレンなどのエステル類;N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの酸アミド;シクロヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカンなどの脂肪族炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素;炭素数1〜18のアルキル基を有するメルカプタン類;炭素数5〜7のシクロアルキル基を有するメルカプタン類が挙げられる。炭素数1〜18のアルキル基を有するメルカプタン類としては、たとえば、エチルメルカプタン、n−プロピルメルカプタン、i−プロピルメルカプタン、n−ブチルメルカプタン、i−ブチルメルカプタン、t−ブチルメルカプタン、ペンチルメルカプタン、ヘキシルメルカプタン及びドデシルメルカプタンが挙げられる。炭素数5〜7のシクロアルキル基を有するメルカプタン類としては、たとえば、シクロペンチルメルカプタン、シクロヘキシルメルカプタン及びシクロヘプチルメルカプタンが挙げられる。
分散媒の含有量は、金属粒子の全質量を100質量部として、5〜50質量部であってもよい。分散媒の含有量が上記範囲内であれば、接続用銅ペーストをより適切な粘度に調整でき、また、銅粒子の焼結を阻害しにくい。
(添加剤)
接続用銅ペーストには、必要に応じて、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などの濡れ向上剤;シリコーン油などの消泡剤;無機イオン交換体などのイオントラップ剤などを適宜添加してもよい。
次に、従来の部材接続方法と比較して、本実施形態の部材接続方法の作用及び効果について説明する。従来の部材接続方法は、本実施形態の部材接続方法と比して、印刷工程における印刷パターンが異なる点で相違する。図3は、印刷パターンを従来と本実施形態とで比較して示す図である。図3の(a)は、従来の印刷パターン100を示し、図3の(b)は、本実施形態の印刷パターン9を示している。図4は、従来及び本実施形態のそれぞれについて、超音波観察装置を用いて焼結後の銅焼結体4と部材2との界面を観察した結果を示す写真である。図4の(a)は、図3の(a)の従来の印刷パターン100の場合の結果を示し、図4の(b)は、図3の(b)の本実施形態の印刷パターン9の場合の結果を示している。図4においては、接続領域5を点線で示している。
図3の(a)に示されるように、従来の部材接続方法の印刷工程では、形成される印刷パターン100が接続領域5の縁部6に沿った矩形状となっている。すなわち、接続領域5の全体に塗膜8が形成されている。このため、その後の積層工程において各部材2,3が塗膜8を介して積層されると、各部材2,3の接続面の全体を覆う塗膜8の面積が大きく、塗膜8の内部に空気が入り込み易い。また、各部材2,3の接続面が凹凸を有していると、当該凹凸に起因して、塗膜8と各部材2,3との間においても空気が入り込み易い。このように空気が入り込んだ状態で焼結工程において塗膜8が焼結されると、焼結によって形成された銅焼結体4の内部、又は、銅焼結体4と各部材2,3との間に、空気がボイド(空隙)として残存してしまう。たとえば、図4の(a)に示されるように、銅焼結体4と部材2との間には、白色で示されるボイドが残存している。ボイドは、各部材2,3が互いに接続されてなる接続体1の構造欠陥となり、各部材2,3の接続性を低下させる要因となり得る。
これに対し、図3の(b)に示されるように、本実施形態の部材接続方法では、印刷工程において形成される印刷パターン9が、塗膜8が形成される塗膜形成領域10と、塗膜8が形成されない塗膜非形成領域20とによって構成されている。また、塗膜形成領域10は、ライン状領域21a〜21c(ライン状領域21)によって、複数の領域12a〜12c,13a、13bに分割されている。これにより、積層工程において、塗膜8の内部に入り込んだ空気、及び、塗膜8と各部材2,3との間に入り込んだ空気は、各領域12a〜12c,13a,13bから直接ライン状領域21a,21bへ流れ、或いは各領域12a〜12c,13a,13bからライン状領域21cを介してライン状領域21a,21bへ流れる。ライン状領域21a,21bへ流れた空気は、接続領域5の縁部6から接続領域5外へ抜け出ることができる。塗膜非形成領域20は、積層工程における各部材2,3の自重或いは押圧力の付与などによって複数の領域12a〜12c,13a,13b,14a〜14dが拡張することによって消滅する。したがって、焼結工程では、接続領域5に略均一に銅ペーストの塗膜8が塗布された状態となり、焼結後の銅焼結体4の内部、又は、銅焼結体4と各部材2,3との間にボイドが残存することを抑制できる。たとえば、図4の(b)に示されるように、銅焼結体4と部材2との間には、ボイドが残存していない。その結果、各部材2,3の接続性を向上することができる。
なお、本実施形態の印刷パターン9は、従来の印刷パターンに比して印刷厚みを厚くする必要があるが、印刷体積を調整することにより、従来の印刷パターン100と同等の印刷量とすることができる。よって、従来の印刷パターン100と同等の塗布量でボイドの抑制を実現可能である。
本実施形態の部材接続方法によれば、塗膜形成領域10が、放射状に配列された放射領域12と、同心円状又は同心多角形状に配列された同心領域13と、を含んでいる。よって、ライン状領域21a〜21cによって接続領域5外に効率的に空気を逃がすことが可能となり、ボイドの抑制効果を十分に確保することができる。
さらに、塗膜形成領域10が、接続領域5の各角部R1〜R4に対応して配置された角領域14を含んでいる。よって、接続領域5の各角部R1〜R4における塗膜8の不足を防止できる。また、分割領域11に含まれる複数の領域12b,12c、13a,13bは、接続領域5の縁部6に近い位置に配置された領域であるほど大面積となっている。よって、接続領域5の縁部6側における塗膜8の不足を防止できる。また、放射領域12の領域12cは、同心領域13における径方向で隣り合う各領域13aと各領域13bとの間を塗膜8で埋めるように位置している。よって、領域12cにより、径方向で隣り合う各領域13aと各領域13bとの間における塗膜8の不足を防止できる。したがって、接続領域5に略均一に銅ペーストの塗膜8が塗布された状態をより確実に形成できる。
本実施形態の部材接続方法を半導体素子の接続に適用することにより、信頼性の高い半導体装置の製造を実現できる。
(第2実施形態)
次に、図5を参照して、第2実施形態に係る部材接続方法の印刷工程で形成される印刷パターン9Aについて説明する。図5は、第2実施形態の印刷パターン9Aを示す平面図である。第2実施形態では、図5に示されるように、塗膜形成領域10が、分割領域11のみを含み、角領域14を含んでおらず、かつ、分割領域11には、接続領域5の中心側から縁部6に向かって放射状に配列された放射領域12のみが含まれている。
具体的には、放射領域12は、接続領域5における中心Pから縁部6に向かう8つの仮想直線のそれぞれに沿って5個ずつ配置された40個の領域12d〜12hを含んでいる。すなわち、放射領域12は、同じ仮想直線に沿った5個の領域12d〜12hを、仮想直線の分だけ(8組)含んでいる。同じ仮想直線に沿った各領域12d〜12hは、径方向で互いに離間して並んでいる。
同じ仮想直線に沿った各領域12d〜12hの面積は、領域12d、領域12e、領域12f、領域12g、領域12hの順に大きくなっている。すなわち、分割領域11に含まれる複数の領域12d〜12hは、接続領域5の縁部6に近い位置に配置された領域であるほど大面積となっている。
本実施形態においても、塗膜非形成領域20は、接続領域5の縁部6において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられており、かつ塗膜形成領域10を複数の領域(本実施形態では、各領域12d〜12h)に分割する複数のライン状領域21を含んでいる。よって、積層工程において各部材2,3が塗膜8を介して積層される際に、ライン状領域21が接続領域5外に空気を逃がす逃がし部として機能する。したがって、上記実施形態と同様、焼結後の銅焼結体4の内部、又は、銅焼結体4と各部材2,3との間にボイドが残存することを抑制できる。
(第3実施形態)
次に、図6を参照して、第3実施形態に係る部材接続方法の印刷工程で形成される印刷パターン9Bについて説明する。図6は、第3実施形態の印刷パターン9Bを示す平面図である。第3実施形態では、図6に示されるように、分割領域11に、接続領域5の中心P周りに同心円状に配置された同心領域13のみが含まれている。
具体的には、同心領域13は、中心Pを互いに共有すると共に中心Pからの距離が互いに異なる4つの仮想同心円のそれぞれに沿って4個ずつ配置された16個の領域13c〜13fを含んでいる。すなわち、同心領域13は、同じ仮想同心円に沿った4個の各領域13c〜13fを、仮想同心円の分だけ(4組)含んでいる。同じ仮想同心円に沿った各領域13c〜13fは、周方向で互いに離間して並んでいる。
各領域13c〜13fの面積は、領域13c、領域13d、領域13e、領域13fの順で大きくなっている。すなわち、分割領域11に含まれる複数の領域13c〜13fは、接続領域5の縁部6に近い位置に配置された領域であるほど大面積となっている。
本実施形態においても、塗膜非形成領域20は、接続領域5の縁部6において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられており、かつ塗膜形成領域10を複数の領域(本実施形態では、各領域13c〜13f)に分割する複数のライン状領域21を含んでいる。よって、積層工程において各部材2,3が塗膜8を介して積層される際に、ライン状領域21が接続領域5外に空気を逃がす逃がし部として機能する。したがって、上記実施形態と同様、焼結後の銅焼結体4の内部、又は、銅焼結体4と各部材2,3との間にボイドが残存することを抑制できる。
(第4実施形態)
次に、図7を参照して、第4実施形態に係る部材接続方法の印刷工程で形成される印刷パターン9Cについて説明する。図7は、第4実施形態の印刷パターン9Cを示す平面図である。第4実施形態では、図7に示されるように、分割領域11に、格子状に配列された格子領域15のみが含まれている。格子状に配列されたとは、たとえば、接続領域5内における網目状の等間隔の仮想水平線及び仮想垂直線の交点に配置されたことを意味する。本実施形態では、接続領域5内において格子領域15は6行×6列の計36個の矩形状の領域15aを含んでいる。
本実施形態においても、塗膜非形成領域20は、接続領域5の縁部6において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられており、かつ塗膜形成領域10を複数の領域(本実施形態では、各領域15a)に分割する複数のライン状領域21を含んでいる。よって、積層工程において各部材2,3が塗膜8を介して積層される際に、ライン状領域21が接続領域5外に空気を逃がす逃がし部として機能する。したがって、上記実施形態と同様、焼結後の銅焼結体4の内部、又は、銅焼結体4と各部材2,3との間にボイドが残存することを抑制できる。本実施形態においても、複数のライン状領域21によって接続領域5外に効率的に空気を逃がすことが可能となり、ボイドの抑制効果を十分に確保することができる。
(第5実施形態)
次に、図8を参照して、第5実施形態に係る部材接続方法の印刷工程で形成される印刷パターン9Dについて説明する。図8は、第5実施形態の印刷パターン9Dを示す平面図である。第5実施形態では、図8に示されるように、分割領域11に、4個の三角状領域16のみが含まれている。各三角状領域16は、一つの頂点を接続領域5の中心Pに向けて、中心Pから接続領域5の縁部6に向かって広がっている。
本実施形態においても、塗膜非形成領域20は、接続領域5の縁部6において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられており、かつ塗膜形成領域10を複数の領域(本実施形態では、各三角状領域16)に分割する複数のライン状領域21を含んでいる。よって、積層工程において各部材2,3が塗膜8を介して積層される際に、ライン状領域21が接続領域5外に空気を逃がす逃がし部として機能する。したがって、上記実施形態と同様、焼結後の銅焼結体4の内部、又は、銅焼結体4と各部材2,3との間にボイドが残存することを抑制できる。
(第6実施形態)
次に、図9を参照して、第6実施形態に係る部材接続方法の印刷工程で形成される印刷パターン9Eについて説明する。図9は、第6実施形態の印刷パターン9Eを示す平面図である。第6実施形態では、図9に示されるように、分割領域11に、格子領域17のみが含まれている。格子領域17は、上記第4実施形態と同様、格子状に配列された領域である。本実施形態では、格子領域17は、10行×10列の計100個の円形状の領域17aを含んでいる。領域17aの内側は、図示するように塗膜8で埋められていてもよいし、塗膜8がなく開口されていてもよい。
本実施形態においても、塗膜非形成領域20は、接続領域5の縁部6において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられており、かつ塗膜形成領域10を複数の領域(本実施形態では、各領域17a)に分割する複数のライン状領域21を含んでいる。したがって、上記実施形態と同様、本実施形態においても、複数のライン状領域21によって接続領域5外に効率的に空気を逃がすことが可能となり、ボイドの抑制効果を十分に確保することができる。
(第7実施形態)
次に、図10を参照して、第7実施形態に係る部材接続方法の印刷工程で形成される印刷パターン9Fについて説明する。図10は、第7実施形態の印刷パターン9Fを示す平面図である。第7実施形態では、図10に示されるように、分割領域11に、格子領域18のみが含まれている。格子領域18は、上記第4実施形態と同様、格子状に配列された領域である。本実施形態では、格子領域18は、4行×4列の計16個の十字状の領域18aを含んでいる。領域18aの内側は、図示するように塗膜8で埋められていてもよいし、塗膜8がなく開口されていてもよい。
本実施形態においても、塗膜非形成領域20は、接続領域5の縁部6において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられており、かつ塗膜形成領域10を複数の領域(本実施形態では、各領域18a)に分割する複数のライン状領域21を含んでいる。したがって、上記実施形態と同様、本実施形態においても、複数のライン状領域21によって接続領域5外に効率的に空気を逃がすことが可能となり、ボイドの抑制効果を十分に確保することができる。
(第8実施形態)
次に、図11を参照して、第8実施形態に係る部材接続方法の印刷工程で形成される印刷パターン9Gについて説明する。図11は、第8実施形態の印刷パターン9Gを示す平面図である。第8実施形態では、図11に示されるように、塗膜形成領域10が、分割領域11と、角領域14と、を含んでいる。分割領域11は、放射領域12と、同心領域13と、角付近領域19と、を含んでいる。
本実施形態において、放射領域12は、接続領域5における中心Pから縁部6に向かう8つの仮想直線のそれぞれに沿って4個ずつ配置された32個の領域12m,12n,12o,12pを含んでいる。すなわち、放射領域12は、同じ仮想直線に沿った4個の領域12m〜12pを、仮想直線の分だけ(8組)含んでいる。同じ仮想直線に沿った各領域12m〜12pは、径方向で互いに離間して並んでいる。
同心領域13は、接続領域5における中心Pを互いに共有すると共に中心Pからの距離が互いに異なる7つの同心円状の領域13m,13n,13o,13p,13q,13r,13s,13tを含んでいる。領域13mと領域13nとの間には、領域12mが位置している。領域13mと領域13nとは、領域12mによって互いに接続されている。領域13oと領域13pとの間には、領域12nが位置している。領域13oと領域13pとは、領域12nによって互いに接続されている。領域13qと領域13rとの間には、領域12oが位置している。領域13qと領域13rとは、領域12oによって互いに接続されている。領域13sと領域13tとの間には、領域12pが位置している。領域13sと領域13tとは、領域12pによって互いに接続されている。
領域13nと領域13oとの間は、図示するように離間していてもよいし、塗膜8で埋められていてもよい。領域13pと領域13qとの間は、図示するように離間していてもよいし、塗膜8で埋められていてもよい。領域13rと領域13sとの間は、図示するように離間していてもよいし、塗膜8で埋められていてもよい。
角付近領域19は、対応する角部R1〜R4の付近にそれぞれ4つ配置されている。角付近領域19は、同心領域13における最外の領域13tよりも外側(縁部6側)に位置している。各角付近領域19は、略台形形状の開口領域19aと、開口領域19aの内部に配置された開口内領域19bと、を含んでいる。開口領域19aは、領域13tよりも外側(縁部6側)に位置している円弧部19aと、円弧部19aよりも外側(縁部6側)に位置していると共に円弧部19aよりも短い円弧部19aと、縁部6に沿って延びて円弧部19aと円弧部19aとを接続している一対の辺部19aと、を含んでいる。円弧部19aと円弧部19aとは、中心Pを互いに共有すると共に中心Pからの距離が互いに異なる仮想同心円にそれぞれ沿っており、互いに略平行である。開口領域19aは、図示するように開口されていてもよいし、塗膜8で埋められていてもよい。
開口内領域19bは、中心Pから対応する角部R1〜R4に向かう仮想直線上であって、放射領域12における最外の領域12pよりも外側(縁部6側)に配置されている。開口内領域19bは、円弧部19aと円弧部19aとの間に位置しており、円弧部19aと円弧部19aとを接続している。
角領域14における各領域14a〜14dは、本実施形態では、角付近領域19よりも外側(縁部6側)に位置している。すなわち、各領域14a〜14dは、中心Pから対応する角部R1〜R4に向かう仮想直線上における、縁部6の最も近くに位置している。
本実施形態では、同心領域13が7つの同心円状の領域13m〜13tを含んでおり、領域13mと領域13nとの間、領域13oと領域13pとの間、領域13qと領域13rとの間、及び領域13sと領域13tとの間を塗膜8で埋めるように、放射領域12における各領域12m〜12pが位置している。同心領域13における最外の領域13tよりも外側を塗膜8で埋めるように、角付近領域19が位置している。角付近領域19においては、開口領域19a内を塗膜8で埋めるように開口内領域19bが位置している。角付近領域19よりも外側を塗膜8で埋めるように角領域14が位置している。よって、積層工程における各部材2,3の自重或いは押圧力の付与などによって各領域12m〜12p、13m〜13t、19a,19b,14a〜14dが拡張することにより、各領域12m〜12p、13m〜13t、19a,19b,14a〜14d同士が接続され易く、塗膜非形成領域20が確実に消滅する。
本実施形態において、ライン状領域21は、領域13tと開口領域19aの円弧部19aとの間に形成されている。すなわち、塗膜非形成領域20は、領域13tと開口領域19aの円弧部19aとに分割する4つのライン状領域21を含んでいる。よって、積層工程において各部材2,3が塗膜8を介して積層される際に、ライン状領域21が接続領域5外に空気を逃がす逃がし部として機能する。したがって、上記実施形態と同様、焼結後の銅焼結体4の内部、又は、銅焼結体4と各部材2,3との間にボイドが残存することを抑制できる。
以上、本実施形態の種々の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。
たとえば、同じ仮想直線に沿った各領域12a〜12c、及び同じ仮想直線に沿った各領域12d〜12hは、径方向で互いに離間して並んでいなくてもよく、径方向で互いに連結されて連続的に延びていてもよい。また、同じ仮想同心円に沿った各領域13a、同じ仮想多角形に沿った各領域13b、及び同じ仮想同心円に沿った各領域13c〜13fは、周方向で互いに離間して並んでいなくてもよく、周方向で互いに互いに連結されて連続的に延びていてもよい。
径方向で隣り合う各領域13aと各領域13bとの間には、一つの領域12cに限られず、複数の領域12cが位置していてもよい。
分割領域11に含まれる複数の領域12b,12c、領域12d〜12h、領域13a,13b、及び領域13c〜13fは、接続領域5の縁部6に近い位置に配置された領域であるほど大面積になっていなくてもよい。
上記第1、第8実施形態において、塗膜形成領域10は角領域14を含んでいなくてもよく、上記第2〜7実施形態において、塗膜形成領域10は角領域14を含んでいてもよい。
上記実施形態では、塗膜形成領域10が複数のライン状領域21によって複数の領域に分割される例について説明したが、ライン状領域21は少なくとも一つあればよく、塗膜形成領域10は一つのライン状領域21によって二つの領域に分割されていてもよい。
上記第5実施形態では、各三角状領域16が塗膜8の形成領域である例について説明したが、各三角状領域16に塗膜8が形成されておらず、各三角状領域16の間の領域に塗膜8が形成されていてもよい。すなわち、塗膜8が形成される塗膜形成領域10が、X字状を呈していてもよい。
上記実施形態では、格子領域15,17,18における行及び列が揃って配列されている例について説明したが、格子領域15,17,18における行又は列がずれて互い違いに配列されていてもよい。
2,3…部材、4…銅焼結体、5…接続領域、6…縁部、8…塗膜、9,9A〜9G…印刷パターン、10…塗膜形成領域、11…分割領域、12…放射領域、12a〜12h,12m〜12p…領域、13…同心領域、13a〜13f,13m〜13t…領域、14…角領域、14a〜14d…領域、15,17,18…格子領域、15a,17a,18a…領域、16…三角状領域、19…角付近領域、19a…開口領域、19b…開口内領域、20…塗膜非形成領域、21,21a〜21c…ライン状領域、A,B,C,D…点、R1〜R4…角部。

Claims (7)

  1. 第一の部材と第二の部材とを銅焼結体により接続する部材接続方法であって、
    前記第一の部材と前記第二の部材との接続領域に、印刷によって接続用の銅ペーストの塗膜を所定の印刷パターンで形成する印刷工程と、
    前記第一の部材と前記第二の部材とを前記塗膜を介して積層する積層工程と、
    前記塗膜の焼結によって前記第一の部材と前記第二の部材とを接続する前記銅焼結体を形成する焼結工程と、を含み、
    前記印刷工程で形成される前記印刷パターンは、前記塗膜が形成される塗膜形成領域と、前記塗膜が形成されない塗膜非形成領域と、からなり、
    前記塗膜形成領域は、前記接続領域の縁部において互いに離間する第一の点と第二の点とを結ぶように設けられた一又は複数の前記塗膜非形成領域によって複数の領域に分割されている、部材接続方法。
  2. 前記塗膜形成領域における前記複数の領域は、前記接続領域の中心側から前記縁部に向かって放射状に配列された領域を含む、請求項1に記載の部材接続方法。
  3. 前記塗膜形成領域における前記複数の領域は、前記接続領域の中心周りに同心円状又は同心多角形状に配列された領域を含む、請求項1又は2に記載の部材接続方法。
  4. 前記接続領域は、矩形状の領域であり、
    前記塗膜形成領域は、前記接続領域の角部に対応して配置された領域を含む、請求項1〜3の何れか一項に記載の部材接続方法。
  5. 前記塗膜形成領域における前記複数の領域は、前記接続領域の前記縁部に近い位置に配置された領域であるほど大面積となっている、請求項1〜4の何れか一項に記載の部材接続方法。
  6. 前記塗膜形成領域における前記複数の領域は、格子状に配列された領域を含む、請求項1〜5の何れか一項に記載の部材接続方法。
  7. 前記第一の部材及び前記第二の部材のうちの少なくとも一方が半導体素子である、請求項1〜6の何れか一項に記載の部材接続方法。
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