JP2019075439A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019075439A JP2019075439A JP2017199592A JP2017199592A JP2019075439A JP 2019075439 A JP2019075439 A JP 2019075439A JP 2017199592 A JP2017199592 A JP 2017199592A JP 2017199592 A JP2017199592 A JP 2017199592A JP 2019075439 A JP2019075439 A JP 2019075439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- support substrate
- insulating film
- semiconductor device
- element formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態の半導体装置は、図1に示されるように、基板10を備えて構成されており、基板10は、支持基板11、埋込絶縁膜12、活性層13が順に積層されて構成されている。本実施形態では、支持基板11および活性層13は、シリコンで構成され、埋込絶縁膜12は、酸化膜で構成されている。つまり、本実施形態では、基板10としてSOI基板が用いられている。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、電極部40の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、電極部40の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、トレンチ分離部21の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
12 埋込絶縁膜
13 活性層
21 素子分離部
43 金属部
Claims (6)
- 複数の素子形成領域(20)を有し、前記複数の素子形成領域にそれぞれ半導体素子(30)が形成された半導体装置であって、
支持基板(11)、埋込絶縁膜(12)、活性層(13)が順に積層されて構成される基板(10)と、
前記活性層に形成され、前記複数の素子形成領域を互いに絶縁分離する素子分離部(21)と、
前記複数の素子形成領域にそれぞれ形成された前記半導体素子と、を備え、
前記支持基板は、金属部(43)を有する構成とされ、当該金属部がグランドと電気的に接続されている半導体装置。 - 前記支持基板は、半導体で構成され、前記埋込絶縁膜側と反対側の他面(11a)から前記埋込絶縁膜に向かって形成された孔部(41)に前記金属部としての電極が配置された電極部(40)を有している請求項1に記載の半導体装置。
- 前記孔部は、筒状に形成されており、
前記電極部は、前記支持基板のうちの前記埋込絶縁膜を挟んで前記素子分離部と対向する部分に、前記支持基板のうちの前記素子形成領域と対向する部分を囲むように複数形成されている請求項2に記載の半導体装置。 - 前記電極は、前記孔部内に当該電極で囲まれる領域(44)が形成される状態で配置されている請求項2または3に記載の半導体装置。
- 前記孔部は、前記支持基板の他面から当該他面と前記埋込絶縁膜との間の中間位置まで形成されている請求項2ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記素子分離部は、前記活性層のうちの前記埋込絶縁膜側と反対側の一面(13a)から前記埋込絶縁膜に達するように形成されたトレンチ(22)内に金属層(25)が配置された構成とされており、
前記電極部は、前記孔部が前記金属層に達するように形成され、前記電極が前記金属層と電気的に接続されている請求項2ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017199592A JP7087336B2 (ja) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017199592A JP7087336B2 (ja) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019075439A true JP2019075439A (ja) | 2019-05-16 |
JP7087336B2 JP7087336B2 (ja) | 2022-06-21 |
Family
ID=66544258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017199592A Active JP7087336B2 (ja) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7087336B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112019007180T5 (de) | 2019-04-11 | 2022-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optisches Modul |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283437A (ja) * | 1996-04-15 | 1997-10-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2002083935A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007531281A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 混合信号についての基板クロストークを低減する技術及びrf回路設計 |
JP2008258578A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-10-23 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2009176814A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2009177004A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2010260167A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-11-18 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012015429A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2014160723A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-10-13 JP JP2017199592A patent/JP7087336B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283437A (ja) * | 1996-04-15 | 1997-10-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2002083935A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007531281A (ja) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 混合信号についての基板クロストークを低減する技術及びrf回路設計 |
JP2008258578A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-10-23 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2009176814A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2009177004A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2010260167A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-11-18 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012015429A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2014160723A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112019007180T5 (de) | 2019-04-11 | 2022-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optisches Modul |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7087336B2 (ja) | 2022-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5458809B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5644793B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5762353B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6565815B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013201237A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005123512A (ja) | 半導体装置 | |
JP7087336B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2016132417A1 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP6155911B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012238741A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2020196754A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007165693A (ja) | 半導体装置 | |
CN108711571A (zh) | 半导体器件 | |
JP2012204563A (ja) | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 | |
JP2017034156A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7140349B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2017045874A (ja) | 半導体装置 | |
WO2019225338A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008270367A (ja) | 半導体装置 | |
JP6149603B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012009645A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6137208B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2019067978A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011243654A (ja) | 半導体装置 | |
CN101640198B (zh) | 半导体器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201005 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220523 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7087336 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |