JP2012009645A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】IGBT形成領域とその制御回路等形成領域とをPN接合分離法で分離し、且つIGBTからの漏れ電流が発生せず、制御回路等のCMOSトランジスタがラッチアップ等することのない高品質の半導体装置を実現する。
【解決手段】P型半導体基板1上に多層からなるN型エピタキシャル層3等を形成する。該N型エピタキシャル層3等をP+型分離層13等によりIGBT形成領域50と制御回路等形成領域40に分離する。該IGBT形成領域50の最下層の前記N型エピタキシャル層3と前記P型半導体基板1の双方に延在するN+型埋め込みガード層2を形成する。また該N+型埋め込みガード層2の端部と接続し前記エピタキシャル層3等の表面まで延在するN+型ガードリング9等を形成する。前記N+型埋め込みガード層2と該N+型ガードリング9等に囲まれた前記エピタキシャル層3等にIGBTを形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】P型半導体基板1上に多層からなるN型エピタキシャル層3等を形成する。該N型エピタキシャル層3等をP+型分離層13等によりIGBT形成領域50と制御回路等形成領域40に分離する。該IGBT形成領域50の最下層の前記N型エピタキシャル層3と前記P型半導体基板1の双方に延在するN+型埋め込みガード層2を形成する。また該N+型埋め込みガード層2の端部と接続し前記エピタキシャル層3等の表面まで延在するN+型ガードリング9等を形成する。前記N+型埋め込みガード層2と該N+型ガードリング9等に囲まれた前記エピタキシャル層3等にIGBTを形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、PN接合分離された半導体基板に形成された横型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transitor)及びその制御回路等を内蔵する半導体装置及びその製造方法に関するものである。
半導体装置に使用される素子分離法としては、従来からPN接合分離法が知られているが、高耐圧デバイスを包含する半導体装置においては、寄生サイリスタによるラッチアップ現象で半導体装置の破壊や誤動作を起こしにくい等の観点から誘電体分離構造が採用されている。
通常、誘電体分離構造としてSOI(Silicon on Insulator)基板が採用される。誘電体分離層104により分離されたIGBT形成領域100に横型IGBTを、制御回路等形成領域200に制御回路・ドライブ回路等が形成される半導体装置について図5に基づいて簡単に説明する。
SOI基板のS(Silicon)層となるN型半導体基板103がI(Insulator)層となる埋め込み絶縁膜102を介して支持基板である半導体基板101に貼り合わされる。埋め込み絶縁膜102は両半導体基板を高温炉中で熱酸化等することにより形成される。両ウエハの貼り合わせは、両ウエハの埋め込み絶縁膜102が形成された面を接着させ高温炉中で熱処理することにより行われる。
次に、デバイス素子形成用のN型半導体基板103を所定の研削工程及びエッチング工程で所定の膜厚になるまで薄膜化処理を行う。所定の膜厚からなる高耐圧品用のN型半導体基板103の場合は必ずしも研削等を行う必要はない。
次に、N型半導体基板103の表面から埋め込み絶縁膜102の表面まで延在するトレンチを所定のフォトエッチング工程を経ることにより形成する。通常、エッチングは異方性ドライエッチングが採用される。次にトレンチの底面からその内壁を経てN型半導体基板103の表面まで延在する側壁絶縁膜104aを形成する。
その後、トレンチ内を含む側壁絶縁膜104a上にポリシリコン膜104bを所定の減圧CVD法等により形成する。次に、ポリシリコン膜104bを所定の方法でエッチバックすることによりトレンチ内に側壁絶縁膜104aを介してポリシリコン膜104bが埋め込まれた誘電体分離層104が形成される。誘電体分離層104により、N型半導体基板103はIGBT形成領域100と制御回路等形成領域200に分離される。
次に、IGBT形成領域100のN型半導体基板103にP型ベース層105及びN型バッファ層106を、それぞれボロン(B)、リン(P)を所定の方法でイオン注入等することにより形成する。つぎに、ゲート絶縁膜107を形成し、該ゲート絶縁膜107を介してP型ベース層105上をN型半導体基板103上まで延在するゲート電極108を形成する。
その後、ゲート電極108とセルフアラインして、P型ベース層105にN+型エミッタ層109を、砒素(As)等を所定の方法でイオン注入することにより形成する。また、N型バッファ層106にボロン(B)等を所定の方法でイオン注入して、P+型コレクタ層110を形成する。
つぎに、P+型コレクタ層110と接続するコレクタ電極C、N+型エミッタ層109と接続するエミッタ電極E、ゲート電極108と接続するゲート引き出し電極Gを形成することによりSOI基板上にIGBTが形成される。制御回路等形成領域200にも必要なデバイス素子を所定の方法で形成することにより半導体装置が形成される。
係る半導体装置のIGBT形成領域100と制御回路等形成領域200は、それぞれ誘電体分離層104と埋め込み絶縁膜102で囲まれ、支持基板としての半導体基板101の上に半導体基板101とは絶縁された状態で形成される。従って、IGBTがオン動作状態のときP+型コレクタ層からN型ドリフト層となるN型半導体基板103に注入された正孔が支持基板となる半導体基板101や制御回路等形成領域200に流出することがなく高い導電変調効果を維持することができる。
また、各デバイス形成領域が誘電体分離層104と埋め込み絶縁膜102で取り囲まれ絶縁されているため半導体基板101との間で寄生バイポーラトランジスタを形成することも無く、制御回路等形成領域200に形成されたCMOSトランジスタが半導体基板101を介して寄生サイリスタ、寄生バイポーラトランジスタを構成すること等もないので安定した半導体装置が形成できる。
係るSOI基板に形成された横型IGBT及びその制御回路等を内蔵した半導体装置については以下の特許文献1及び特許文献2に開示されている。
特許文献1等のSOI基板に形成されたIGBTとその制御回路等を内蔵した半導体装置は上述のように優れた特徴を有している。しかしながら、N型半導体基板103と支持基板となる半導体基板101を貼り合わせる工程、N型半導体基板103の研削工程、及びトレンチ等からなる誘電体分離層104の形成工程が必要であり、全体として工程が複雑になる。
そこで、IGBTとその制御回路等を内蔵した半導体装置を寄生バイポーラトランジスタ動作という弊害を発生させることなく、従来技術であるPN接合分離法を採用して誘電体分離法より簡単な工程で実現することが課題となる。
本発明の半導体装置は、IGBT形成領域と制御回路等形成領域がPN接合分離された半導体装置であって、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に第1層から順次多層に形成された第2導電型のエピタキシャル層と、前記IGBT形成領域の前記半導体基板内から前記エピタキシャル層の内の第1層エピタキシャル層内に延在する第2導電型の埋め込みガード層と、前記埋め込みガード層の端部と接続され前記エピタキシャル層の表面まで延在する第2導電型のガードリングと、前記埋め込みガード層と前記ガードリングで囲まれた第2導電型のドリフト層と、前記ドリフト層に形成された第1導電型のベース層及び第2導電型のバッファ層と、前記ベース層に形成された第2導電型のエミッタ層と、前記エミッタ層の端部からゲート絶縁膜を介して前記ベース層上を前記ドリフト層まで延在するゲート電極と、前記バッファ層に形成された第1導電型のコレクタ層と、を具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記ガードリングと接続された前記コレクタ層と前記IGBT形成領域の中央部に形成された前記エミッタ層とを具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記ガードリングの近傍に形成された前記ベース層及び前記エミッタ層と前記IGBT形成領域の中央部に形成された前記コレクタ層とを具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、多層からなる前記エピタキシャル層の各層に形成されたガードリング部分及び最上層の前記エピタキシャル層の表面から形成されたガードリング部分の全体が一体として接続された前記ガードリングを具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記エピタキシャル層の表面から前記埋め込みガード層の端部まで延在するトレンチの側壁に形成された埋め込み拡散層からなる前記ガードリングを具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記IGBT形成領域の前記埋め込みガード層及び前記ガードリングと同時に前記制御回路等形成領域に形成された第2導電型の埋め込み層上の前記エピタキシャル層にCMOSトランジスタを具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、IGBT形成領域と制御回路等形成領域がPN接合分離された半導体装置であって、第1導電型の半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板上に第1層から順次多層に第2導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、前記IGBT形成領域の前記半導体基板内から前記エピタキシャル層の内の第1層エピタキシャル層内に延在する第2導電型の埋め込みガード層を形成する工程と、前記埋め込みガード層の端部と接続され前記エピタキシャル層の表面まで延在する第2導電型のガードリングを形成する工程と、前記埋め込みガード層と前記ガードリングで囲まれた第2導電型のドリフト層を形成する工程と、前記ドリフト層に第1導電型のベース層及び第2導電型のバッファ層を形成する工程と、前記ベース層に第2導電型のエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層の端部からゲート絶縁膜を介して前記ベース上を前記ドリフト層上まで延在するゲート電極を形成する工程と、前記バッファ層に第1導電型のコレクタ層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記コレクタ層を前記ガードリングと接続し、前記エミッタ層を前記IGBT形成領域の中央部に配置し形成することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記ベース層及び前記エミッタ層を前記ガードリングの近傍に形成し、前記コレクタ層を前記IGBT形成領域の中央部に形成することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記制御回路等形成領域のCMOSトランジスタを前記IGBT形成領域の前記埋め込みガード層及び前記ガードリングと同時に形成した第2導電型の埋め込み層上の前記エピタキシャル層に形成することを特徴とする。
本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、誘電体分離法に代えて、従来のPN接合分離法を採用することにより、より安価にIGBT及びその制御回路等を内蔵した高品質の半導体装置を実現することができる。
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態について図1に基づいて説明する。図1は本実施形態における半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。P型半導体基板1上にN型エピタキシャル層3等が形成される。該N型エピタキシャル層3等は本実施形態では5層からなり、最下層がN型エピタキシャル層3で最上層がN型エピタキシャル層7になる。両N型エピタキシャル層3、7の間の3層からなるN型エピタキシャル層は表示を省略している。
本発明の第1の実施形態について図1に基づいて説明する。図1は本実施形態における半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。P型半導体基板1上にN型エピタキシャル層3等が形成される。該N型エピタキシャル層3等は本実施形態では5層からなり、最下層がN型エピタキシャル層3で最上層がN型エピタキシャル層7になる。両N型エピタキシャル層3、7の間の3層からなるN型エピタキシャル層は表示を省略している。
N型エピタキシャル層3等は、該N型エピタキシャル3等の表面からP型半導体基板1の内部まで延在するP+型分離層13等によりIGBT形成領域50と制御回路等形成領域40に分離される。制御回路等形成領域40は、IGBTの制御回路を含む領域である。P+型分離層13等は多段からなり、本実施形態では最下段からP+型埋め込み分離層10、P+型埋め込み分離層11、P+型埋め込み分離層12の順に最上段のP+型分離層13まで連結して構成される。
IGBT形成領域50ではN型エピタキシャル層3からP型半導体基板1内まで延在するN+型埋め込みガード層2が形成される。また、該N+型埋め込みガード層2の端部と接続しN型エピタキシャル層3等の表面まで延在するN+型ガードリング9等が形成される。N+型ガードリング9等も多段からなり、本実施形態では最下段からN+型ガードリング4、N+型ガードリング5、N+型ガードリング6、N+型ガードリング8、N+型ガードリング9の順に最上層のN型エピタキシャル層7の表面まで延在する。
N+型埋め込みガード層2とN+型ガードリング9等で囲まれた領域のN型エピタキシャル層3等はIGBTのN型ドリフト層3aを構成する。N型ドリフト層3aの表面にP型ベース層14及びN型バッファ層16が形成される。また、P型ベース層14にはN+型エミッタ層19が、N型バッファ層16にはP+型コレクタ層20が形成される。
P+型コレクタ層20はN+型ガードリング9と接続される。また、P型ベース層14上にはN+型エミッタ層19の端部からN型ドリフト層3a上までゲート絶縁膜17を介して延在するゲート電極18が形成される。
係る構成のIGBTのゲート電極18に正電圧が印加されるとゲート電極18直下のP型ベース層14表面にN型反転層であるチャネルが形成される。チャネル層には接地電位のN+型エミッタ層19から電子電流が流れ込みN型ドリフト層3aへと流れ出る。N型ドリフト層3aに流れ込んだ電子電流は主にN型ドリフト層3aの表面をP+型コレクタ層20に向かって流れる。一部はN型ドリフト層3aからN+型埋め込みガード層2に流入し、N+型ガードリング9等を経由してP+型コレクタ層20に向かう。
一方、正電圧が印加されたP+型コレクタ層20からは、N型ドリフト層3aに向かって電子電流に応じた正孔が注入される。正孔の一部はN+型ガードリング9等にも注入されるが、主としてN型ドリフト層3aの表面を一部はN型ドリフト層3aの内部に向かって拡散しながらP型ベース層14方向に向かって流れる。
P型ベース層14の周辺に集結した正孔の一部はN型ドリフト層3a内に拡散する。N型ドリフト層3a内に拡散した正孔はN+型埋め込みガード層2やN+型ガードリング9等まで到達するとN+型埋め込みガード層2等の正孔に対する障壁効果によりそれ以上の進行を阻止される。その結果、正孔はN+型埋め込みガード層2やN+型ガードリング層9等の外側のP型半導体基板1やP+型分離層13等に侵入することができない。
P型半導体基板1やP+型分離層13等に正孔が浸入できないため、正孔の浸入によりP型半導体基板1に電位勾配が発生しないし、P+型分離層13等を経由し制御回路等形成領域40に流れる正孔により制御回路等形成領域40内に電位勾配を発生することもない。従って、制御回路等形成領域40内のCMOSトランジスタが寄生バイポーラトランジスタ動作によりラッチアップすることを防止することができる。
なお、図4に、制御回路等形成領域40に形成されたデバイス素子であるCMOSトランジスタがラッチアップする例、及びN+型埋め込み層2a等を形成することにより係るラッチアップが阻止される理由を示している。寄生トランジスタの例として寄生PNPトランジスタ43、寄生NPNトランジスタ44、寄生PNPトランジスタ45が示される。
N+型埋め込み層2a等が存在しない場合、IGBTからP型半導体基板1にリーク電流が流れる等してP型半導体基板1の電位が上昇する場合がある。その結果、P型半導体基板1の電位がN型エピタキシャル層7の電位より高くなった場合、P型半導体基板1をエミッタ、N型エピタキシャル層7をベース、Pウエル層21をコレクタ層とする寄生PNPトランジスタがオンする。
該寄生PNPトランジスタのコレクタ電流はP型ウエル層21内をP+型コンタクト層27に向かって流れるがそのときP型ウエル層21に電位勾配が生じる。このとき、オン状態のNMOSトランジスタ41のN+型ドレイン層26の電位は接地電位のN+型ソース層25と略同電位なのでN+型ドレイン層26をエミッタ、P型ウエル層21をベース、N型ウエル層22をコレクタとする寄生NPNトランジスタ44がオンする。
該寄生NPNトランジスタ44へPMOSトランジスタ42のN+型コンタクト層30からコレクタ電流が流れ込む。その結果N型ウエル層22に電位勾配が生じる。オン状態のPMOSトランジスタ42のP+型ドレイン層28の電位はP+型ソース層29の電位と略同電位のVDなのでN型ウエル層22の電位より高くなる。その結果、P+型ドレイン層28をエミッタ、N型ウエル層22をベース、P型ウエル層21をコレクタとする寄生PNPトランジスタ45がオンする。
寄生PNPトランジスタ45のコレクタ電流は寄生NPNトランジスタ44のベース電流となり、該ベース電流が増加するので寄生NPNトランジスタ44のコレクタ電流が増加する。その結果、N型ウエル層22内の電位勾配が更に増加し寄生PNPトランジスタ45のコレクタ電流を更に増加させることになる。このサイクルが繰り返される結果、寄生NPNトランジスタ44と寄生PNPトランジスタ45からなる寄生サイリスタがオン状態になりCMOSトランジスタがラッチアップし誤動作、破壊に至る。
それに対して、本実施形態では、IGBTをN+型埋め込みガード層2とN+型ガードリング層9等で囲まれた領域のN型エピタキシャル層3等に形成することにより、IGBT形成領域50からP型半導体基板1や制御回路等形成領域40への正孔によるリーク電流を防ぎCMOSトランジスタのラッチアップを阻止等している。このようにIGBTをN+型埋め込みガード層2等で取り囲むことにより、通常のPN接合分離法で高信頼性の半導体装置を実現したのが本実施形態の特徴である。
但し、P型半導体基板1の電位を上げるのはIGBT形成領域50からのリーク電流以外に、IGBTのコレクタ−エミッタ間の配線インダクタンスや抵抗間にIGBTのスイッチングによるオンオフ時等の電流により生じる電位差等が原因となる場合がある。それに対して図1に示すように、IGBT形成領域50にN+型ガードリング層9等を形成するとき同時にCMOSトランジスタのN型ウエル層22やP型ウエル層21が形成されるN型エピタキシャル層7の一部を除く、その下層のN型エピタキシャル層3等にN+型埋め込み層2a等を形成する。
これにより、図4に示すように寄生PNPトランジスタ43のエミッタとベースがN+型埋め込み層2a等で構成される低抵抗46で接続される。従って、エミッタ−ベース間電圧が低くなり寄生PNPトランジスタ43がオンすることを阻止することができ、結果的にCMOSトランジスタのラッチアップを防止することができる。
本実施形態の半導体装置の製造方法について図1に基づいて以下に説明する。本実施形態の特徴は、前述したように、SOI基板を利用せず、通常のP型半導体基板1にPN接合分離法で分離したIGBT形成領域50と制御回路等形成領域40を形成したこと、及びIGBTをIGBT形成領域50に形成されたN+型埋め込みガード層2とN+型ガードリング9等で囲まれた領域のN型エピタキシャル層3等に形成したことである。
従って、以降の説明はN+型埋め込みガード層2とN+型ガードリング9等、及びP+型分離層13等の形成方法を中心に記述する。先ず、N+型埋め込みガード層2やN+型埋め込み層2aを形成するため、P型半導体基板1を準備し、該P型半導体基板1の各デバイス形成領域の所定の領域にアンチモン(Sb)を所定のイオン注入法やアンチモンドープ塗布膜法によりデポする。また、各デバイス形成領域を分離するため、P型半導体基板1の所定の領域にP+型埋め込み分離層10を形成するためボロン(B)を所定のイオン注入法等によりデポする。
次に、N型エピタキシャル層3をアンチモン(Sb)等がデポされたP型半導体基板1上に堆積する。次に、N型エピタキシャル層3にN+型ガードリング4とN+型埋め込み層4aを形成するためアンチモン(Sb)を所定のイオン注入法やアンチモンドープ塗布膜法によりデポする。この場合、N+型ガードリング4はN+型埋め込みガード層2の端部上に、N+型埋め込み層4aはN+型埋め込み層2a上に形成する。
同様に、次々とN型エピタキシャル層の堆積とN+型ガードリング5等やN+型埋め込み層5a等のデポを行う。本実施形態では5層からなるN型エピタキシャル層を形成しており最上層のN型エピタキシャル層7を堆積した後、該N型エピタキシャル層7の表面にN+型ガードリング9やN+型埋め込み層9aをリン(P)等のイオン注入によりデポする。
P+型埋め込み分離層11等は同様にP+型埋め込み分離層10上のN型エピタキシャル層上に同様の方法でデポするが各N型エピタキシャル層上の全てに形成する必要はない。N+型埋め込みガード層2を構成するアンチモン(Sb)に比しP+型埋め込み層11等を構成するボロン(B)は拡散係数が大きいからである。最後に、最上層のN型エピタキシャル層7の表面からボロン(B)等をイオン注入してP+型分離層9aをデポする。
次に上記処理がなされたP型半導体基板1を高温炉の中で熱処理することにより、先にデポされたアンチモン(Sb)、リン(P)、及びボロン(B)をN型エピタキシャル層3等内およびP型半導体基板1内に拡散させる。その結果、同図に示すようにIGBT形成領域50には本実施形態の特徴的構成であるN+型埋め込みガード層2と連結し互いに連結したN+型ガードリング9等が、制御回路等形成領域40には互いに連結したN+型埋め込み層9a等が形成される。また、同時にIGBT形成領域50と制御回路等形成領域40を分離する互いに連結したP+型分離層13等が形成される。
IGBT形成領域50のN+型埋め込みガード層2及びN+型ガードリング9等で囲まれたN型エピタキシャル層3等はIGBTのN型ドリフト層3aを構成する。次に、N型ドリフト層3aにN型バッファ層16及びP型ベース層14をそれぞれリン(P)やボロン(B)を所定の方法によりイオン注入等することにより形成する。P型ベース層14形成時に、P+型コレクタ層に高電圧が印加されたときN型ドリフト層3aの表面に空乏層を拡げるためのP型フィールドリング層15も形成する。
次にP型ベース層14等を含むN型ドリフト層3aの表面にゲート絶縁膜17を形成し、P型ベース層14上を該ゲート絶縁膜17を介してN型ドリフト層3a上まで延在するゲート電極18を形成する。ゲート電極18はポリシリコン等をCVD法で堆積し所定のフォトエッチング工程を経ることにより形成される。
その後ゲート電極18をマスクにセルフアラインで砒素(As)をP型ウエル層14にイオン注入してN+型エミッタ層19を形成する。N型バッファ層16にはボロン(B)等をイオン注入してP+型コレクタ層20を形成する。P+型コレクタ層20はN+型ガードリング9と接続される。
制御回路等形成領域40には種々のデバイス素子が形成されるがNMOSトランジスタ41とPMOSトランジスタ42からなるCMOSトランジスタを例にして、図1に基づいて簡単にその製造方法を示す。
制御回路等形成領域40には前述したように互いに連結されたN+型埋め込み層9a等が形成され最上層のN型エピタキシャル層7を取り囲んでいる。なお、N+型埋め込み層9aは形成しなくとも良いし、N+型埋め込み層2a、4a、5a、6aも形成せずN+型埋め込み層8aのみ形成してもよい。該N型エピタキシャル層7にボロン(B)を所定の方法でイオン注入してP型ウエル層21を、リン(P)をイオン注入してN型ウエル層22を互いに隣接して形成する。
次にP型ウエル層21等を含むN型エピタキシャル層7上にゲート絶縁膜23を所定の方法で形成し、該ゲート絶縁膜23上にゲート電極24をCVD法により堆積されたポリシリコン等を所定の方法でフォトエッチングすることにより形成する。
次に、ゲート電極24をマスクにしてセルフアラインでNMOSトランジスタ41及びPMOSトランジスタ42のそれぞれのN+型ソース層25、N+型ドレイン層26及びP+型ソース層28、P+型ドレイン層29をアンチモン(As)やボロン(B)のイオン注入により形成する。また、NMOSトランジスタ41のP+型コンタクト層27、PMOSトランジスタ42のN+型コンタクト層30もそれぞれボロン(B)等やアンチモン(As)のイオン注入により形成する。
次に、前述の処理がされたP型半導体基板1上に不図示の層間絶縁膜を所定のCVD法により形成し、所定のフォトエッチング工程を経て不図示のコンタクトホールを形成する。次にスパッタ法等により堆積された金属膜に所定のフォトエッチング処理を行うことにより、IGBTには、N+型エミッタ層19と接続するエミッタ電極E、P+型コレクタ層20と接続するコレクタ電極Cを形成する。
また、同時にCMOSトランジスタには、NMOSトランジスタ41のN+型ソース層25及びP+型コンタクト層27と接続するソース電極S、N+型ドレイン層26と接続するドレイン電極D、及びPMOSトランジスタ42のP+型ソース層29及びN+型コンタクト層30と接続するソース電極S、P+型ドレイン層28と接続するドレイン電極D、及び両トランジスタのゲート電極24のそれぞれと接続するゲート引き出し電極Gを形成する。
最後に必要に応じて不図示の多層配線構造等を形成してからパッシベーション膜としてシリコンナイトライド(SiN)膜等を形成することによりウエハ状態での本実施形態の半導体装置は完成する。
[第2の実施形態]
本発明の第2の実施形態について図2に基づいて説明する。図2は本実施形態の半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。第1の実施形態との相違点はN+型ガードリング9と接続されていたP+型コレクタ層20等がIGBT形成領域50の中心部に形成され、中心部にあったN+型エミッタ層19等がN+型ガードリング9の近傍に形成されたことである。
本発明の第2の実施形態について図2に基づいて説明する。図2は本実施形態の半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。第1の実施形態との相違点はN+型ガードリング9と接続されていたP+型コレクタ層20等がIGBT形成領域50の中心部に形成され、中心部にあったN+型エミッタ層19等がN+型ガードリング9の近傍に形成されたことである。
第1の実施形態の場合、P+型コレクタ層20から注入される正孔の一部がN+型ガードリング9等に流入しN+型ガードリング9等やN+型埋め込みガード層2からP型半導体基板1等に流出する恐れがある。それに対して本実施形態ではP+型コレクタ層20からN型ドリフト層3aに注入される正孔はN型ドリフト層3aの表面をP型ベース層14方向に向かって進行する。即ち、N+型ガードリング9等は正孔の進行経路とならない。
P型ベース層14近傍に集結した高濃度の正孔がN型ドリフト層3aの内部に向かって拡散したとしても、前述のようにN+型ガードリング9等やN+型埋め込みガード層2の正孔に対する障壁効果により、正孔がP型半導体基板1等に流出することが阻止される。
本実施形態の半導体装置の製造方法はフォトマスクのパターンを変更するだけで、それ以外は第1の実施形態と同様である。
[第3の実施形態]
本発明の第3の実施形態について図3に基づいて説明する。図3は本実施形態の半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。第2の実施形態との相違点は、N+型ガードリング9等が、N型エピタキシャル層3等の表面からN+型埋め込みガード層2の端部まで延在するトレンチ48の側壁に形成されたN+型埋め込み拡散層47等で構成されている点である。
本発明の第3の実施形態について図3に基づいて説明する。図3は本実施形態の半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。第2の実施形態との相違点は、N+型ガードリング9等が、N型エピタキシャル層3等の表面からN+型埋め込みガード層2の端部まで延在するトレンチ48の側壁に形成されたN+型埋め込み拡散層47等で構成されている点である。
N+型埋め込み拡散層47の底部はN+型埋め込みガード層2と接続され、該N+型埋め込みガード層2と共にN型エピタキシャル層3等を取り囲み、第1の実施形態と同様の効果を発揮している。
本実施形態の半導体装置の製造方法もN+型ガードリング9等をN+型埋め込み拡散層47で形成した点が第1の実施形態と異なるだけで他の工程は同様である。N+型埋め込み拡散層47の形成方法について以下に説明する。先ず、N+型埋め込みガード層2上にN+型ガードリング4等を形成することなくN型エピタキシャル層3等を形成する。次にN型エピタキシャル層3等の表面からN+型埋め込みガード層2の端部まで延在するトレンチ48を不図示の絶縁膜等をマスクとして所定の異方性ドライエッチング等により形成する。
次に、トレンチ48内及び前記絶縁膜等上全面にリンドープポリシリコンをCVD法により堆積する。この場合、ノンドープポリシリコンを堆積してから三塩化オキシリン(POCl3)等からリン(P)を拡散してリンドープポリシリコンを形成しても良い。その後、熱処理することによりトレンチ48の側壁にN+型埋め込みガード層2と接続する、リンドープポリシリコンを取り囲むN+型埋め込み拡散層47が形成される。
リンドープポリシリコン形成後の高温熱処理を行わず、主としてリンドープポリシリコンそのものによりN+型ガードリング9等に代替しても良い。
なお、トレンチ48の内壁に直接POCl3からリンを拡散してN+型埋め込み拡散層47を形成してからノンドープポリシリコンを堆積しても良い。その後所定のエッチバックによりポリシリコンをエッチングしてトレンチ48内にポリシリコンが堆積された状態でのN+型埋め込み拡散層47が形成される。
制御回路等形成領域40に形成されるCMOSトランジスタの構成も第1の実施形態と基本的には変わらない。図3ではN+型埋め込み層8aとN+型埋め込み層9aのみ記載している。この場合でも、前述した図4の寄生PNPトランジスタ46のオンを防止することが可能でありCMOSトランジスタのラッチアップを阻止することができる。前述したように、N+型埋め込み層9aはなくとも良い。
なお、図3においてはN+型埋め込み拡散層47の近傍にN+型エミッタ層19等が形成され、IGBT形成領域50の中央部にP+型コレクタ層20等が形成された第2の実施形態と同様の構成を示している。もちろん第1の実施形態と同様の構成をとっても構わない。
1 P型半導体基板 2 N+型埋め込みガード層 3,7 N型エピタキシャル層
3a N型ドリフト層 4,5,6,8,9 N+型ガードリング
2a,4a,5a,6a,8a,9a N+型埋め込み層
10,11,12 P+型埋め込み分離層 13 P+型分離層
14 P型ベース層 15 P型フィールドリング 16 N型バッファ層
17 ゲート絶縁膜 18 ゲート電極 19 N+型エミッタ層
20 P+型コレクタ層 21 P型ウエル層 22 N型ウエル層
23 ゲート絶縁膜 24 ゲート電極 25 N+型ソース層
26 N+型ドレイン層 27 P+型コンタクト層 28 P+型ドレイン層
29 P+型ソース層 30 N+型コンタクト層 40 制御回路等形成領域
41 NMOSトランジスタ 42 PMOSトランジスタ
43 寄生PNPトランジスタ 44 寄生NPNトランジスタ
45 寄生PNPトランジスタ 46 寄生低抵抗 47 N+型埋め込み拡散層
48 トレンチ 50 IGBT形成領域
100 IGBT形成領域 101 半導体基板 102 埋め込み絶縁膜
103 N型半導体基板 104 誘電体分離層 104a 側壁絶縁膜
104b ポリシリコン膜 105 P型ベース層 106 N型バッファ層
107 ゲート絶縁膜 108 ゲート電極 109 N+型エミッタ層
110 P+型コレクタ層 200 制御回路等形成領域
3a N型ドリフト層 4,5,6,8,9 N+型ガードリング
2a,4a,5a,6a,8a,9a N+型埋め込み層
10,11,12 P+型埋め込み分離層 13 P+型分離層
14 P型ベース層 15 P型フィールドリング 16 N型バッファ層
17 ゲート絶縁膜 18 ゲート電極 19 N+型エミッタ層
20 P+型コレクタ層 21 P型ウエル層 22 N型ウエル層
23 ゲート絶縁膜 24 ゲート電極 25 N+型ソース層
26 N+型ドレイン層 27 P+型コンタクト層 28 P+型ドレイン層
29 P+型ソース層 30 N+型コンタクト層 40 制御回路等形成領域
41 NMOSトランジスタ 42 PMOSトランジスタ
43 寄生PNPトランジスタ 44 寄生NPNトランジスタ
45 寄生PNPトランジスタ 46 寄生低抵抗 47 N+型埋め込み拡散層
48 トレンチ 50 IGBT形成領域
100 IGBT形成領域 101 半導体基板 102 埋め込み絶縁膜
103 N型半導体基板 104 誘電体分離層 104a 側壁絶縁膜
104b ポリシリコン膜 105 P型ベース層 106 N型バッファ層
107 ゲート絶縁膜 108 ゲート電極 109 N+型エミッタ層
110 P+型コレクタ層 200 制御回路等形成領域
Claims (10)
- IGBT形成領域と制御回路等形成領域がPN接合分離された半導体装置であって、
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に第1層から順次多層に形成された第2導電型のエピタキシャル層と、
前記IGBT形成領域の前記半導体基板内から前記エピタキシャル層の内の第1層エピタキシャル層内に延在する第2導電型の埋め込みガード層と、
前記埋め込みガード層の端部と接続され前記エピタキシャル層の表面まで延在する第2導電型のガードリングと、
前記埋め込みガード層と前記ガードリングで囲まれた第2導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層に形成された第1導電型のベース層及び第2導電型のバッファ層と、
前記ベース層に形成された第2導電型のエミッタ層と、
前記エミッタ層の端部からゲート絶縁膜を介して前記ベース層上を前記ドリフト層まで延在するゲート電極と、
前記バッファ層に形成された第1導電型のコレクタ層と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記ガードリングと接続された前記コレクタ層と前記IGBT形成領域の中央部に形成された前記エミッタ層とを具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ガードリングの近傍に形成された前記ベース層及び前記エミッタ層と前記IGBT形成領域の中央部に形成された前記コレクタ層とを具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 多層からなる前記エピタキシャル層の各層に形成されたガードリング部分及び最上層の前記エピタキシャル層の表面から形成されたガードリング部分の全体が一体として接続された前記ガードリングを具備することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記エピタキシャル層の表面から前記埋め込みガード層の端部まで延在するトレンチの側壁に形成された埋め込み拡散層からなる前記ガードリングを具備することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記IGBT形成領域の前記埋め込みガード層及び前記ガードリングと同時に前記制御回路等形成領域に形成された第2導電型の埋め込み層上の前記エピタキシャル層にCMOSトランジスタを具備することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体装置。
- IGBT形成領域と制御回路等形成領域がPN接合分離された半導体装置の製造方法であって、
第1導電型の半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に第1層から順次多層に第2導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、
前記IGBT形成領域の前記半導体基板内から前記エピタキシャル層の内の第1層エピタキシャル層内に延在する第2導電型の埋め込みガード層を形成する工程と、
前記埋め込みガード層の端部と接続され前記エピタキシャル層の表面まで延在する第2導電型のガードリングを形成する工程と、
前記埋め込みガード層と前記ガードリングで囲まれた第2導電型のドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層に第1導電型のベース層及び第2導電型のバッファ層を形成する工程と、
前記ベース層に第2導電型のエミッタ層を形成する工程と、
前記エミッタ層の端部からゲート絶縁膜を介して前記ベース上を前記ドリフト層上まで延在するゲート電極を形成する工程と、
前記バッファ層に第1導電型のコレクタ層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記コレクタ層を前記ガードリングと接続し、前記エミッタ層を前記IGBT形成領域の中央部に配置し形成することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ベース層及び前記エミッタ層を前記ガードリングの近傍に形成し、前記コレクタ層を前記IGBT形成領域の中央部に形成することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記制御回路等形成領域のCMOSトランジスタを前記IGBT形成領域の前記埋め込みガード層及び前記ガードリングと同時に形成した第2導電型の埋め込み層上の前記エピタキシャル層に形成することを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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JP2010144603A JP2012009645A (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10923561B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-02-16 | Denso Corporation | Semiconductor device |
WO2023115731A1 (zh) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 保护环及其形成方法、半导体结构 |
-
2010
- 2010-06-25 JP JP2010144603A patent/JP2012009645A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10923561B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-02-16 | Denso Corporation | Semiconductor device |
US11605706B2 (en) | 2017-09-20 | 2023-03-14 | Denso Corporation | Semiconductor device |
WO2023115731A1 (zh) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 保护环及其形成方法、半导体结构 |
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