JP2019067964A - 研磨パッド - Google Patents
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Abstract
Description
以下、実施例に基づいて、本実施の形態の研磨パッド47の効果を詳述するが、これらは説明のために記述されるものであって、本発明は以下に示す実験例に限定されるものではない。
固相反応微粒子としてSiO2、及びゲッタリング層形成微粒子としてSiCを液状結合材に投入し、この液状結合材を不織布に含浸させる。その後、この不織布を乾燥させ、ウエーハWの直径よりも大径に形成される研磨パッドを作製する。この際、研磨パッドの、ウエーハWの回転中心部に接触する回転中心研磨領域R1において、集中度が、領域R2の集中度に対して例えば2.0倍になるように研磨パッドを作製する。固相反応微粒子の集中度は、研磨パッドにおいて均一になるようにする。実験例1で作製された研磨パッドを用いて、歪層除去工程、ゲッタリング層形成工程を行い、ウエーハWにゲッタリング層を形成する。ゲッタリング層形成工程では、ウエーハWと研磨パッドとを水平方向に摺動させない。
固相反応微粒子としてSiO2、及びゲッタリング層形成微粒子としてSiCを液状結合材に投入し、この液状結合材を不織布に含浸させ、この不織布を乾燥させてウエーハWの直径よりも大径に形成される研磨パッドを作製する。固相反応微粒子及びゲッタリング層形成微粒子の集中度は、それぞれ研磨パッドにおいて均一になるようにする。実験例2で作製された研磨パッドを用いて、歪層除去工程、ゲッタリング層形成工程を行い、ウエーハWにゲッタリング層を形成する。ゲッタリング層形成工程では、ウエーハWの回転軸に対して研磨パッドの回転軸を水平方向に離れるように移動させ、ウエーハWと研磨パッドとを摺動させる。
21 チャックテーブル
23 保持面
46 支持基台
47 研磨パッド
48 研磨工具
O (ウエーハの)回転中心部
R1 回転中心研磨領域
R2 回転中心研磨領域以外の領域
W ウエーハ
W1 (ウエーハの)表面
W2 (ウエーハの)裏面
Claims (1)
- シリコン基板の表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面に金属イオンの誘導を規制するゲッタリング層を形成するための円環状の研磨パッドであって、
シリコンと固相反応を誘発する固相反応微粒子とシリコンよりモース硬度が高くゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成微粒子とを液状結合材に投入し不織布に含浸させて乾燥して形成される研磨部材を敷設して形成されており、
該研磨パッドは、該シリコン基板の直径よりも大径に形成され、回転する該シリコン基板全面を覆い回転して研磨する際に、該シリコン基板の回転中心部を研磨する回転中心研磨領域の該ゲッタリング層形成微粒子の集中度が該回転中心研磨領域以外の領域と比較して高く形成されていること、を特徴とする研磨パッド。
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