JP2019050071A - 半導体記憶装置及びメモリシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】 書き込み動作にかかる時間を短くする。【解決手段】 実施形態の半導体記憶装置は、第1及び第2プレーンと、外部から入力されたページを保持する第1ラッチ回路と、第1ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第2ラッチ回路と、第1ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第3ラッチ回路と、外部から入力されたページを保持する第4ラッチ回路と、第4ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第5ラッチ回路と、第4ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第6ラッチ回路と、書き込み動作を制御する制御回路24とを含む。制御回路24は、第1コマンド、アドレス、データ、及び第2コマンドを含む第1コマンドシーケンスを外部から受信する第1処理に並行して、第1ラッチ回路から第2ラッチ回路又は第3ラッチ回路へデータを転送する第2処理を実行する。【選択図】 図9
Description
本発明の実施形態は、半導体記憶装置及びメモリシステムに関する。
半導体記憶装置の一種として、NAND型フラッシュメモリが知られている。また、3次元に積層された複数のメモリセルを備えたNAND型フラッシュメモリが知られている。
実施形態は、書き込み動作にかかる時間を短くすることが可能な半導体記憶装置及びメモリシステムを提供する。
実施形態に係る半導体記憶装置は、第1及び第2メモリセルアレイをそれぞれが含み、前記第1及び第2メモリセルアレイの各々は、第1及び第2ビットからなる2ビットデータを記憶可能なメモリセルを含む、第1及び第2プレーンと、前記第1プレーンに対応して設けられ、外部から入力されかつデータ列からなるページを保持する第1ラッチ回路と、前記第1プレーンに対応して設けられ、前記第1ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第2ラッチ回路と、前記第1プレーンに対応して設けられ、前記第1ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第3ラッチ回路と、前記第2プレーンに対応して設けられ、外部から入力されたページを保持する第4ラッチ回路と、前記第2プレーンに対応して設けられ、前記第4ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第5ラッチ回路と、前記第2プレーンに対応して設けられ、前記第4ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第6ラッチ回路と、書き込み動作を制御する制御回路とを具備する。前記制御回路は、第1コマンド、アドレス、データ、及び第2コマンドを含む第1コマンドシーケンスを外部から受信する第1処理に並行して、前記第1ラッチ回路から前記第2ラッチ回路又は前記第3ラッチ回路へデータを転送する第2処理を実行する。
実施形態に係るメモリシステムは、半導体記憶装置と、前記半導体記憶装置を制御するメモリコントローラとを具備する。前記半導体記憶装置は、第1及び第2メモリセルアレイをそれぞれが含み、前記第1及び第2メモリセルアレイの各々は、第1及び第2ビットからなる2ビットデータを記憶可能なメモリセルを含む、第1及び第2プレーンと、前記第1プレーンに対応して設けられ、前記メモリコントローラから入力されかつデータ列からなるページを保持する第1ラッチ回路と、前記第1プレーンに対応して設けられ、前記第1ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第2ラッチ回路と、前記第1プレーンに対応して設けられ、前記第1ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第3ラッチ回路と、前記第2プレーンに対応して設けられ、前記メモリコントローラから入力されたページを保持する第4ラッチ回路と、前記第2プレーンに対応して設けられ、前記第4ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第5ラッチ回路と、前記第2プレーンに対応して設けられ、前記第4ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第6ラッチ回路と、書き込み動作を制御する制御回路とを含む。前記メモリコントローラは、第1コマンド、アドレス、データ、及び第2コマンドを含むコマンドシーケンスを前記半導体記憶装置に送信する。前記制御回路は、前記コマンドシーケンスを前記メモリコントローラから受信する第1処理に並行して、前記第1ラッチ回路から前記第2ラッチ回路又は前記第3ラッチ回路へデータを転送する第2処理を実行する。
以下、実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置等によって、本発明の技術思想が特定されるものではない。各機能ブロックは、ハードウェア及びソフトウェアのいずれかまたは両者を組み合わせたものとして実現することができる。各機能ブロックが以下の例のように区別されていることは必須ではない。例えば、一部の機能が例示の機能ブロックとは別の機能ブロックによって実行されてもよい。さらに、例示の機能ブロックがさらに細かい機能サブブロックに分割されていてもよい。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
[1] 第1実施形態
[1−1] メモリシステムの構成
図1は、第1実施形態に係るメモリシステム1のブロック図である。メモリシステム1は、NAND型フラッシュメモリ(半導体記憶装置)2、及びメモリコントローラ3を備える。
[1−1] メモリシステムの構成
図1は、第1実施形態に係るメモリシステム1のブロック図である。メモリシステム1は、NAND型フラッシュメモリ(半導体記憶装置)2、及びメモリコントローラ3を備える。
メモリシステム1は、ホスト装置が搭載されたマザーボード上にメモリシステム1を構成する複数のチップを実装して構成してもよいし、メモリシステム1を1つのモジュールで実現するシステムLSI(large-scale integrated circuit)、又はSoC(system on chip)として構成してもよい。メモリシステム1の例としては、SDTMカードのようなメモリカード、SSD(solid state drive)、及びeMMC(embedded multimedia card)などが挙げられる。
NAND型フラッシュメモリ2は、複数のメモリセルを備え、データを不揮発に記憶する。NAND型フラッシュメモリ2の具体的な構成については後述する。
メモリコントローラ3は、例えばホスト装置4からの命令に応答して、NAND型フラッシュメモリ2に対して書き込み(プログラムともいう)、読み出し、及び消去などを命令する。また、メモリコントローラ3は、NAND型フラッシュメモリ2のメモリ空間を管理する。メモリコントローラ3は、ホストインターフェース回路(ホストI/F)10、プロセッサ11、RAM(Random Access Memory)12、バッファメモリ13、NANDインターフェース回路(NAND I/F)14、及びECC(Error Checking and Correcting)回路15などを備える。
ホストインターフェース回路10は、ホストバスを介してホスト装置4に接続され、ホスト装置4との間でインターフェース処理を行う。また、ホストインターフェース回路10は、ホスト装置4との間で、命令、アドレス、及びデータの送受信を行う。
プロセッサ11は、例えばCPU(Central Processing unit)から構成される。プロセッサ11は、メモリコントローラ3全体の動作を制御する。例えば、プロセッサ11は、ホスト装置4から書き込み命令を受けた場合に、それに応答して、NANDインターフェースに基づく書き込み命令をNAND型フラッシュメモリ2に発行する。読み出し及び消去の場合も同様である。また、プロセッサ11は、ウェアレベリングなど、NAND型フラッシュメモリ2を管理するための様々な処理を実行する。
RAM12は、プロセッサ11の作業領域として使用され、NAND型フラッシュメモリ2からロードされたファームウェア、及びプロセッサ11が作成した各種テーブルなどを格納する。RAM12は、例えばDRAMから構成される。バッファメモリ13は、ホスト装置4から送信されたデータを一時的に保持するとともに、NAND型フラッシュメモリ2から送信されたデータを一時的に保持する。
ECC回路15は、データの書き込み時には、書き込みデータに対してエラー訂正符号を生成し、このエラー訂正符号を書き込みデータに付加してNANDインターフェース回路14に送る。また、ECC回路15は、データの読み出し時には、読み出しデータに対して、読み出しデータに含まれるエラー訂正符号を用いてエラー検出及び/又はエラー訂正を行う。なお、ECC回路15は、NANDインターフェース回路14内に設けるようにしてもよい。
NANDインターフェース回路14は、NANDバスを介してNAND型フラッシュメモリ2に接続され、NAND型フラッシュメモリ2との間でインターフェース処理を行う。また、NANDインターフェース回路14は、NAND型フラッシュメモリ2との間で命令、アドレス、及びデータの送受信を行う。
[1−1−1] NAND型フラッシュメモリ2の構成
図2は、図1に示したNAND型フラッシュメモリ2のブロック図である。
図2は、図1に示したNAND型フラッシュメモリ2のブロック図である。
NAND型フラッシュメモリ2は、メモリセルアレイ20、入出力回路21、ロジック制御回路22、レジスタ23、制御回路24、電圧生成回路25、ロウデコーダ26、カラムデコーダ27、センスアンプユニット28、及びデータレジスタ(データキャッシュ)29を備える。
メモリセルアレイ20は、複数のプレーンPBを備える。図2には、4つのプレーンPB0〜PB3を一例として示しているが、プレーンPBの数は任意に設定可能である。各プレーンPBは、個別に書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作を行うことが可能である。また、複数のプレーンPBは、並列動作が可能である。プレーンPBは、複数のブロックを備え、複数のブロックの各々は、複数のメモリセルトランジスタを備える。メモリセルトランジスタは、電気的に書き換え可能なEEPROM(登録商標)セルから構成される。メモリセルアレイ20には、メモリセルトランジスタに印加する電圧を制御するために、複数のビット線、複数のワード線、及びソース線が配設される。プレーンPBの具体的な構成については後述する。
入出力回路21及びロジック制御回路22は、NANDバスを介して、メモリコントローラ3に接続される。入出力回路21は、メモリコントローラ3との間でNANDバスを介して、信号DQ(例えばDQ0〜DQ7)を送受信する。
ロジック制御回路22は、メモリコントローラ3からNANDバスを介して、外部制御信号(例えば、チップイネーブル信号CEn、コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、書き込みイネーブル信号WEn、読み出しイネーブル信号REn、及びライトプロテクト信号WPn)を受信する。信号名に付記された“n”は、アクティブ・ローを示す。また、ロジック制御回路22は、NANDバスを介して、メモリコントローラ3にレディー/ビジー信号R/Bnを送信する。
信号CEnは、NAND型フラッシュメモリ2の選択を可能にする。例えば、信号CEnで複数チップが選択され、選択された複数チップに含まれる当該NAND型フラッシュメモリ2が選択チップとして選択される。信号CLEは、信号DQとして送信されるコマンドをコマンドレジスタにラッチすることを可能にする。信号ALEは、信号DQとして送信されるアドレスをアドレスレジスタにラッチすることを可能にする。信号WEnは、書き込みを可能にする。信号REnは、読み出しを可能にする。信号WPnは、書き込み及び消去を禁止する。信号R/Bnは、NAND型フラッシュメモリ2がレディー状態(外部からの命令を受け付けることが可能である状態)であるか、ビジー状態(外部からの命令を受け付けることができない状態)であるかを示す。メモリコントローラ3は、信号R/Bnを受けることで、NAND型フラッシュメモリ2の状態を知ることができる。
レジスタ23は、コマンドレジスタ、アドレスレジスタ、及びステータスレジスタなどを備える。コマンドレジスタは、コマンドを一時的に保持する。アドレスレジスタは、アドレスを一時的に保持する。ステータスレジスタは、NAND型フラッシュメモリ2の動作に必要なデータを一時的に保持する。レジスタ23は、例えばSRAMから構成される。
制御回路24は、レジスタ23からコマンドを受け、このコマンドに基づくシーケンスに従ってNAND型フラッシュメモリ2を統括的に制御する。
電圧生成回路25は、NAND型フラッシュメモリ2の外部から電源電圧を受け、この電源電圧を用いて、書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作に必要な複数の電圧を生成する。電圧生成回路25は、生成した電圧を、メモリセルアレイ20、ロウデコーダ26、及びセンスアンプユニット28などに供給する。
ロウデコーダ26は、レジスタ23からロウアドレスを受け、このロウアドレスをデコードする。ロウデコーダ26は、デコードされたロウアドレスに基づいて、ワード線の選択動作を行う。そして、ロウデコーダ26は、選択されたブロックに、書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作に必要な複数の電圧を転送する。
カラムデコーダ27は、レジスタ23からカラムアドレスを受け、このカラムアドレスをデコードする。カラムデコーダ27は、デコードされたカラムアドレスに基づいて、いずれかのビット線を選択する。
センスアンプユニット28は、データの読み出し時には、メモリセルトランジスタからビット線に読み出されたデータを検知及び増幅する。また、センスアンプユニット28は、データの書き込み時には、書き込みデータをビット線に転送する。
データレジスタ29は、データの読み出し時には、センスアンプユニット28から転送されたデータを一時的に保持し、これをシリアルに入出力回路21へ転送する。また、データレジスタ29は、データの書き込み時には、入出力回路21からシリアルに転送されたデータを一時的に保持し、これをセンスアンプユニット28へ転送する。データレジスタ29は、SRAMなどで構成される。
[1−1−2] プレーンPBの構成
図3は、メモリセルアレイ20に含まれるプレーンPBのブロック図である。プレーンPBは、複数のブロックBLK(BLK0、BLK1、BLK2、・・・)を備える。複数のブロックBLKの各々は、複数のストリングユニットSU(SU0、SU1、SU2、・・・)を備える。複数のストリングユニットSUの各々は、複数のNANDストリングNSを備える。1つのプレーンPBに含まれるブロックBLKの数、1つのブロックBLKに含まれるストリングユニットSUの数、及び1つのストリングユニットSUに含まれるNANDストリングNSの数はそれぞれ、任意に設定可能である。
図3は、メモリセルアレイ20に含まれるプレーンPBのブロック図である。プレーンPBは、複数のブロックBLK(BLK0、BLK1、BLK2、・・・)を備える。複数のブロックBLKの各々は、複数のストリングユニットSU(SU0、SU1、SU2、・・・)を備える。複数のストリングユニットSUの各々は、複数のNANDストリングNSを備える。1つのプレーンPBに含まれるブロックBLKの数、1つのブロックBLKに含まれるストリングユニットSUの数、及び1つのストリングユニットSUに含まれるNANDストリングNSの数はそれぞれ、任意に設定可能である。
図4は、プレーンPBに含まれるブロックBLKの回路図である。複数のNANDストリングNSの各々は、複数のメモリセルトランジスタMT、及び2個の選択トランジスタST1、ST2を備える。複数のメモリセルトランジスタMTは、選択トランジスタST1のソースと選択トランジスタST2のドレインとの間に直列接続される。本明細書では、メモリセルトランジスタをメモリセル又はセルと呼ぶ場合もある。図4は、NANDストリングNSが8個のメモリセルトランジスタMT(MT0〜MT7)を備える構成例を示しているが、NANDストリングNSが備えるメモリセルトランジスタMTの数は、任意に設定可能である。メモリセルトランジスタMTは、制御ゲート電極と電荷蓄積層とを備え、データを不揮発に記憶する。メモリセルトランジスタMTは、2ビット以上のデータを記憶することが可能である。
ストリングユニットSU0に含まれる複数の選択トランジスタST1のゲートは、選択ゲート線SGD0に共通接続され、同様に、ストリングユニットSU1〜SU3にはそれぞれ、選択ゲート線SGD1〜SGD3が接続される。ストリングユニットSU0に含まれる複数の選択トランジスタST2のゲートは、選択ゲート線SGS0に共通接続され、同様に、ストリングユニットSU1〜SU3にはそれぞれ、選択ゲート線SGS1〜SGS3が接続される。各ブロックBLK内にある複数の選択トランジスタST2のゲートは、共通の選択ゲート線SGSに接続されていてもよい。各ブロックBLK内にあるメモリセルトランジスタMT0〜MT7の制御ゲートはそれぞれ、ワード線WL0〜WL7に接続される。
各ブロックBLK内でマトリクス状に配置されたNANDストリングNSのうち、同一列にある複数のNANDストリングNSの選択トランジスタST1のドレインは、ビット線BL0〜BL(m−1)のいずれかに共通接続される。“m”は1以上の整数である。さらに、各ビット線BLは、複数のブロックBLK間で各ストリングユニットSU内にある1つのNANDストリングNSを共通接続する。各ブロックBLKに含まれる複数の選択トランジスタST2のソースは、ソース線SLに共通接続される。ソース線SLは、例えば複数のブロック間で複数のNANDストリングNSを共通接続する。
各ブロックBLK内にある複数のメモリセルトランジスタMTのデータは、例えば一括して消去される。データの読み出し及び書き込みは、1つのストリングユニットSUに配設された1本のワード線WLに共通接続された複数のメモリセルトランジスタMTに対して、一括して行われる。このような、1つのストリングユニットSU中でワード線WLを共有するメモリセルトランジスタMTの組を、セルユニットCUと呼ぶ。セルユニットCUに含まれる複数のメモリセルトランジスタMTがそれぞれ記憶する1ビットのデータの集まりをページと呼ぶ。すなわち、セルユニットCUに対する書き込み動作及び読み出し動作は、ページを単位として実行される。
なお、NANDストリングNSは、ダミーセルトランジスタを備えていてもよい。具体的には、選択トランジスタST2とメモリセルトランジスタMT0との間には、例えば2個のダミーセルトランジスタDT0、DT1が直列接続される。メモリセルトランジスタMT7と選択トランジスタST1との間には、例えば2個のダミーセルトランジスタDT2、DT3が直列接続される。ダミーセルトランジスタDT0〜DT3のゲートにはそれぞれ、ダミーワード線DWL0〜DWL3が接続される。ダミーセルトランジスタの構造は、メモリセルトランジスタと同じである。ダミーセルトランジスタは、データを記憶するためのものではなく、書き込み動作や消去動作中に、メモリセルトランジスタや選択トランジスタが受けるディスターブを緩和する機能を有する。
図5は、ブロックBLKの一部領域の断面図である。p型ウェル領域30上に、複数のNANDストリングNSが設けられる。すなわち、ウェル領域30上には、選択ゲート線SGSとして機能する例えば4層の配線層31、ワード線WL0〜WL7として機能する8層の配線層32、及び選択ゲート線SGDとして機能する例えば4層の配線層33が、順次積層される。積層された配線層間には、図示せぬ絶縁膜が設けられる。
メモリホール34は、配線層31、32、33を貫通してウェル領域30に達する。メモリホール34内には、ピラー状の半導体層35が設けられる。半導体層35の側面には、ゲート絶縁膜36、電荷蓄積層(絶縁膜)37、及びブロック絶縁膜38が順に設けられる。これらによってメモリセルトランジスタMT、及び選択トランジスタST1、ST2が構成される。半導体層35は、NANDストリングNSの電流経路として機能し、各トランジスタのチャネルが形成される領域となる。半導体層35の上端は、ビット線BLとして機能する金属配線層39に接続される。
ウェル領域30の表面領域内には、n+型不純物拡散層40が設けられる。拡散層40上にはコンタクトプラグ41が設けられ、コンタクトプラグ41は、ソース線SLとして機能する金属配線層42に接続される。さらに、ウェル領域30の表面領域内には、p+型不純物拡散層43が設けられる。拡散層43上にはコンタクトプラグ44が設けられ、コンタクトプラグ44は、ウェル配線CPWELLとして機能する金属配線層45に接続される。ウェル配線CPWELLは、ウェル領域30を介して半導体層35に電圧を印加するための配線である。
以上の構成が、図5の紙面の奥行き方向に複数配列されており、奥行き方向に並ぶ複数のNANDストリングNSの集合によってストリングユニットSUが構成される。
[1−1−3] メモリセルトランジスタの閾値分布
次に、メモリセルトランジスタMTの取り得る閾値電圧の分布について説明する。図6は、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧の分布の一例を示す模式図である。メモリセルトランジスタMTは、2ビット以上のデータを記憶することができる。本実施形態では、メモリセルトランジスタMTが3ビットのデータを記憶する場合、いわゆるTLC(Triple Level Cell)方式を例に説明する。
次に、メモリセルトランジスタMTの取り得る閾値電圧の分布について説明する。図6は、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧の分布の一例を示す模式図である。メモリセルトランジスタMTは、2ビット以上のデータを記憶することができる。本実施形態では、メモリセルトランジスタMTが3ビットのデータを記憶する場合、いわゆるTLC(Triple Level Cell)方式を例に説明する。
3ビットのデータは、上位(Upper)ビット、中位(Middle)ビット、及び下位(Lower)ビットにより規定される。メモリセルトランジスタMTが3ビットを記憶する場合、メモリセルトランジスタMTは、8つの閾値電圧のうちのいずれかを有する。8つの閾値電圧を、低い方から順に、“Er”、“A”、“B”、“C”、“D”、“E”、“F”、及び“G”レベルと呼ぶ。“Er”、“A”、“B”、“C”、“D”、“E”、“F”、及び“G”レベルの各々に属する複数のメモリセルトランジスタMTは、分布を形成する。
“Er”、“A”、“B”、“C”、“D”、“E”、“F”、及び“G”レベルの閾値分布にはそれぞれ、例えば、“111”データ、“110”データ、“100”データ、“000”データ、“010”データ、“011”データ、“001”データ、及び“101”データが割り当てられる。閾値分布とデータとの割り当ては、任意に設定可能である。
読み出し対象のメモリセルトランジスタMTに記憶されたデータの判別のために、当該メモリセルトランジスタMTの閾値電圧が属するレベルが判定される。レベルの判定のために、読み出し電圧VA、VB、VC、VD、VE、VF、及びVGが用いられる。
“Er”レベルは、例えば、データの消去状態に相当する。そして、“Er”レベルに含まれるメモリセルトランジスタMTの閾値電圧は、電圧VAより小さく、例えば負の値を有する。
“A”レベル〜“G”レベルは、電荷蓄積層に電荷が注入されてメモリセルトランジスタMTにデータが書き込まれた状態に相当し、各分布に含まれるメモリセルトランジスタMTの閾値電圧は、例えば正の値を有する。“A”レベルに含まれる閾値電圧は、読み出し電圧VAより大きく、かつ読み出し電圧VB以下である。“B”レベルに含まれる閾値電圧は、読み出し電圧VBより大きく、かつ読み出し電圧VC以下である。“C”レベルに含まれる閾値電圧は、読み出し電圧VCより大きく、かつ読み出し電圧VD以下である。“D”レベルに含まれる閾値電圧は、読み出し電圧VDより大きく、かつ読み出し電圧VE以下である。“E”レベルに含まれる閾値電圧は、読み出し電圧VEより大きく、かつ読み出し電圧VF以下である。“F”レベルに含まれる閾値電圧は、読み出し電圧VFより大きく、かつ読み出し電圧VG以下である。“G”レベルに含まれる閾値電圧は、読み出し電圧VGより大きく、電圧VREAD以下である。電圧VREADは、非読み出し対象のセルユニットCUのメモリセルトランジスタMTのワード線WLに印加される電圧であり、いずれのレベルにあるメモリセルトランジスタMTの閾値電圧よりも高い。つまり、制御ゲートに電圧VREADが印加されたメモリセルトランジスタMTは、保持するデータに関わらずオン状態になる。
以上のように、各メモリセルトランジスタMTは、8個の閾値電圧の分布のいずれかを有することで、8種類の状態を取ることができる。また、データの書き込み及び読み出しは、1つのセルユニットCU内のページ単位で行われる。メモリセルトランジスタMTが3ビットデータを記憶している場合、1つのセルユニットCU内の3つのページにそれぞれ、下位ビット、中位ビット、及び上位ビットが割当てられる。以下の説明では、下位ビット、中位ビット、及び上位ビットについて一括して書き込み又は読み出されるページはそれぞれ、下位(Lower)ページ、中位(Middle)ページ、及び上位(Upper)ページと呼ばれる。
[1−1−4] センスアンプユニット28及びデータレジスタ29の構成
図7は、図2に示したセンスアンプユニット28及びデータレジスタ29のブロック図である。図7には、1つのプレーンPBに関連するセンスアンプユニット28及びデータレジスタ29を示している。センスアンプユニット28及びデータレジスタ29は、図7に示した回路をプレーンPBごとに備える。
図7は、図2に示したセンスアンプユニット28及びデータレジスタ29のブロック図である。図7には、1つのプレーンPBに関連するセンスアンプユニット28及びデータレジスタ29を示している。センスアンプユニット28及びデータレジスタ29は、図7に示した回路をプレーンPBごとに備える。
センスアンプユニット28は、ビット線BL0〜BL(m−1)に対応したセンスアンプユニットSAU0〜SAU(m−1)を備える。各センスアンプユニットSAUは、センスアンプSA、及びデータラッチ回路ADL、BDL、CDLを備える。センスアンプSA、及びデータラッチ回路ADL、BDL、CDLは、互いにデータを転送可能なように接続される。データラッチ回路ADLは、下位ページを保持するために使用される。データラッチ回路BDLは、中位ページを保持するために使用される。データラッチ回路CDLは、上位ページを保持するために使用される。センスアンプユニットSAUが備えるデータラッチ回路の数は、1つのメモリセルトランジスタMTが保持するビット数に応じて任意に変更可能である。
センスアンプSAは、読み出し動作時には、対応するビット線BLに読み出されたデータを検知し、データが“0”データであるか“1”データであるかを判定する。またセンスアンプSAは、書き込み動作時には、書き込みデータに基づいてビット線BLに電圧を印加する。
データレジスタ29は、センスアンプユニットSAU0〜SAU(m−1)に対応した数のデータラッチ回路XDLを備える。データラッチ回路XDLは、入出力回路21に接続される。データラッチ回路XDLは、入出力回路21から送られた書き込みデータを一時的に保持し、また、センスアンプユニットSAUから送られた読み出しデータを一時的に保持する。より具体的には、入出力回路21とセンスアンプユニット28との間のデータ転送は、1ページ分のデータラッチ回路XDLを介して行われる。入出力回路21が受信した書き込みデータは、データラッチ回路XDLを介して、センスアンプSA、及びデータラッチ回路ADL、BDL、CDLのいずれかに転送される。センスアンプSAによって読み出された読み出しデータは、データラッチ回路XDLを介して、入出力回路21に転送される。
[1−2] 動作
次に、上記のように構成されたメモリシステム1の動作について説明する。
次に、上記のように構成されたメモリシステム1の動作について説明する。
まず、書き込み動作の大まかな流れについて説明する。図8は、書き込み動作を説明するフローチャートである。
書き込み動作は、プログラム動作とベリファイ動作とを含む。そして、プログラム動作とベリファイ動作との対(以下、プログラムループと呼ぶ)を繰り返すことで、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧がターゲットレベルに設定される。
まず、制御回路24は、データイン動作を実行する(ステップS100)。データイン動作は、書き込み動作に必要なデータをセンスアンプユニット28にセットする動作である。本実施形態では、3ビットデータを一括してメモリセルトランジスタMTに書き込む。すなわち、メモリセルトランジスタMTは、1回の書き込みシーケンスで、8個の閾値レベルのいずれかにプログラムされる。データイン動作では、下位ページ、中位ページ、及び上位ページが、データラッチ回路ADL、BDL、及びCDLにそれぞれ転送される。
続いて、制御回路24は、プログラム動作を実行する(ステップS101)。プログラム動作では、選択ワード線にプログラム電圧が印加される。プログラム動作は、メモリセルトランジスタMTの電荷蓄積層に電荷(電子)を注入することで、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧を上昇させる、又は、電荷蓄積層への電子の注入を禁止することで、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧を維持させる動作である。閾値電圧を上昇させる動作を「“0”書き込み」と呼び、閾値電圧を維持させる動作を「“1”書き込み」又は「書き込み禁止」と呼ぶ。より具体的には、“0”書き込みと“1”書き込みとは、ビット線BLの電圧が異なる。例えば、“0”書き込みに対応するビット線BLには、電圧VSSが印加される。“1”書き込みに対応するビット線BLには、電圧VBL(>VSS)が印加される。
続いて、制御回路24は、ベリファイ動作を実行する(ステップS102)。ベリファイ動作は、プログラム動作の後、メモリセルトランジスタMTのデータを読み出し、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧がターゲットレベルに達したか否かを判定する動作である。メモリセルトランジスタMTの閾値電圧がターゲットレベルに達している場合を、「ベリファイをパスした」と呼び、ターゲットレベルに達していない場合を、「ベリファイをフェイルした」と呼ぶ。
選択ワード線に接続されたセルユニットCUのベリファイがパスした場合(ステップS103=Yes)、制御回路24は、書き込み動作を終了する。セルユニットCUのベリファイがパスする条件としては、セルユニットCUに含まれる全てのメモリセルトランジスタMTの閾値電圧がターゲットレベルに達した場合でもよいし、セルユニットCUに含まれる全てのメモリセルトランジスタMTのうちベリファイがパスしていないセルが規定値未満になった場合でもよい。すなわち、制御回路24は、ベリファイをフェイルしたビット数(メモリセルトランジスタ数)をカウントし、フェイルビット数が規定値未満の場合に、セルユニットCUのベリファイがパスしたと判定してもよい。
一方、ベリファイがフェイルした場合(ステップS103=No)、制御回路24は、プログラムループ数が規定回数に達したか否かを判定する(ステップS104)。プログラムループ数が規定回数に達していない場合(ステップS104=No)、制御回路24は、プログラム電圧を所定のステップアップ電圧だけステップアップする(ステップS105)。そして、制御回路24は、ステップS101以降の動作を繰り返す。
一方、プログラムループ数が規定回数に達している場合(ステップS104=Yes)、制御回路24は、書き込み動作を終了する。そして、制御回路24は、例えば、書き込み動作が正常に終了しなかった旨をメモリコントローラ3に通知する。
[1−2−1] データイン動作
次に、データイン動作をより詳細に説明する。図9は、第1実施形態に係るデータイン動作を説明するコマンドシーケンスである。図9には、2つのプレーンPB0、PB1にデータを書き込む例を示している。図10は、図9に示したデータイン動作におけるデータの流れを説明する模式図である。図10のデータラッチ回路ADL、BDL、CDL、及びXDLはそれぞれ、1ページ分のラッチ回路を示している。図10に示したステップの番号は、動作の順番を示している。図10のステップ“1”〜“7”のうち、番号が同じステップは、並列動作を意味している。
次に、データイン動作をより詳細に説明する。図9は、第1実施形態に係るデータイン動作を説明するコマンドシーケンスである。図9には、2つのプレーンPB0、PB1にデータを書き込む例を示している。図10は、図9に示したデータイン動作におけるデータの流れを説明する模式図である。図10のデータラッチ回路ADL、BDL、CDL、及びXDLはそれぞれ、1ページ分のラッチ回路を示している。図10に示したステップの番号は、動作の順番を示している。図10のステップ“1”〜“7”のうち、番号が同じステップは、並列動作を意味している。
メモリコントローラ3は、コマンド“01h”及び書き込みコマンド“80h”を、NAND型フラッシュメモリ2に発行する。コマンド“80h”は、NAND型フラッシュメモリ2のデータインするアドレスを指定するコマンドである。NAND型フラッシュメモリ2は、連続するコマンド“01h”及びコマンド“80h”を受け取ると、後続する書き込みデータが下位データであることを認識する。
続いて、メモリコントローラ3は、例えば5サイクルにわたってアドレスAdd_PB0を発行し、これをNAND型フラッシュメモリ2に送信する。このアドレスAdd_PB0は、プレーンPB0内のある領域を指定するアドレスである。続いて、メモリコントローラ3は、下位データである書き込みデータ(Data(PB0))をNAND型フラッシュメモリ2に送信する。
続いて、メモリコントローラ3は、転送コマンド“1Xh”を、NAND型フラッシュメモリ2に発行する。転送コマンド“1Xh”は、直前に送信された書き込みデータをデータラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、CDLのいずれかに転送することを命令するコマンドである。
NAND型フラッシュメモリ2は、コマンド“1Xh”を受信すると、信号R/Bnを時間tBUSY_1Xだけローレベルにし、ショートビジー状態であることをメモリコントローラ3に通知する。ショートビジーは、コマンド“1Xh”に関するビジーを意味し、ショートビジー時間tBUSY_1Xは、NAND型フラッシュメモリ2のコア動作(ADL/BDL/CDLの転送動作)を開始するトリガーを発行するための時間である。トリガー時間(トリガー期間)において、制御回路24は、コア動作を実行するための制御信号をセットし、この制御信号は、コア動作に関連する回路に送られる。時間tBUSY_1Xは、データラッチ回路XDLに保持されたデータを、データラッチ回路ADL、BDL、CDLのいずれかに転送する時間より短い。すなわち、書き込みデータをデータラッチ回路XDLを介してデータラッチ回路ADL、BDL、CDLのいずれかに転送する時間をビジー時間tBUSYとすると、ショートビジー時間tBUSY_1Xは、ビジー時間tBUSYより短い。
また、データインプットに応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB0において、受信した書き込みデータをデータレジスタ29に含まれるデータラッチ回路XDLに転送する(図10のステップ“1”)。外部から入力されるページのうち最後のデータセットをデータラッチ回路XDLに転送する転送処理(パイプ処理)を、図9の“Pipe”で示す。すなわち、メモリコントローラ3から受信した入力データは、順次データラッチ回路XDLに転送され、図示したパイプ処理のタイミングで、受信した書き込みデータがデータラッチ回路XDLに揃う。なお、パイプ処理は、次の最終アドレスインプットまでに完了しさえすれば、次のコマンドシーケンスに部分的にまたがっていてもよい。
続いて、メモリコントローラ3は、コマンド“01h”及び書き込みコマンド“80h”を、NAND型フラッシュメモリ2に発行する。続いて、メモリコントローラ3は、例えば5サイクルにわたってアドレスAdd_PB1を発行し、これをNAND型フラッシュメモリ2に送信する。このアドレスAdd_PB1は、プレーンPB1内のある領域を指定するアドレスである。続いて、メモリコントローラ3は、下位データである書き込みデータ(Data(PB1))をNAND型フラッシュメモリ2に送信する。
続いて、メモリコントローラ3は、転送コマンド“1Xh”を、NAND型フラッシュメモリ2に発行する。NAND型フラッシュメモリ2は、コマンド“1Xh”を受信すると、信号R/Bnを時間tBUSY_1Xだけローレベルにし、ショートビジー状態であることをメモリコントローラ3に通知する。また、データインプットに応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB1において、受信した書き込みデータをデータレジスタ29に含まれるデータラッチ回路XDLに転送する(図10のステップ“2”)。
前述したコマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”に並行して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB0において、データラッチ回路XDLのデータをデータラッチ回路ADLに転送する処理を実行する。図9の“X2A(PB0)”は、プレーンPB0において、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADLへデータを転送する処理を意味する。当該処理における並行には、コマンド“01h”、書き込みコマンド“80h”、アドレスAdd_PB1、及び書き込みデータのうち少なくとも1つを受け付ける処理と部分的にかつ時間的に重なることを含む。一例として、図9に示すように、コマンド“01h”、書き込みコマンド“80h”、アドレスAdd_PB1、及び書き込みデータの一部を受け付ける処理と、データラッチ回路ADLへの転送処理とが並行している。これにより、書き込みデータを受け付ける処理のバックグラウンドで、データラッチ回路ADLへの転送処理を実行することができる。
続いて、メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“02h−80h−Add(PB0)−Data−1Xh”を実行する(図10のステップ“3”)。NAND型フラッシュメモリ2は、連続するコマンド“02h”及びコマンド“80h”を受け取ると、後続する書き込みデータが中位データであることを認識する。
コマンドシーケンス“02h−80h−Add(PB0)−Data−1Xh”に並行して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB1において、データラッチ回路XDLのデータをデータラッチ回路ADLに転送する処理を実行する。
同様に、メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“02h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”(図10のステップ“4”)、“03h−80h−Add(PB0)−Data−1Xh”(図10のステップ“5”)、及び“03h−80h−Add(PB1)−Data−10h”(図10のステップ“6”)を順に実行する。NAND型フラッシュメモリ2は、これらコマンドシーケンスにそれぞれ並行して、データ転送処理“X2B(PB0)”、“X2B(PB1)”、及び“X2C(PB0)”を実行する。NAND型フラッシュメモリ2は、連続するコマンド“03h”及びコマンド“80h”を受け取ると、後続する書き込みデータが上位データであることを認識する。
続いて、書き込み実行コマンド“10h”に応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、信号R/Bnを時間tPROGだけローレベルにし、プログラム動作を実行する。具体的には、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB1において、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路CDLへのデータ転送処理“X2C(PB1)”を実行する(図10のステップ“7−1”)。この時点で、プレーンPB0、PB0それぞれにおいて、3ページ分のデータがデータラッチ回路ADL、BDL、CDLに揃う。その後、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB0、PB1に対して、並行して、データを書き込む(図10のステップ“7−2”)。
[1−2−2] ステータスリード動作
次に、NAND型フラッシュメモリ2のステータスを確認するステータスリード動作について説明する。
次に、NAND型フラッシュメモリ2のステータスを確認するステータスリード動作について説明する。
NAND型フラッシュメモリ2は、データレジスタ29のレディー/ビジー状態を示す信号Cache−R/Bnと、コアのレディー/ビジー状態を示す信号True−R/Bnとを出力可能である。具体的には、信号Cache−R/Bnは、データラッチ回路XDLが動作している場合にビジー状態になる。すなわち、前述したチップ(NAND型フラッシュメモリ2)の信号R/Bnと同じ信号である。信号True−R/Bnは、コアが動作している場合に、ビジー状態になる。コアには、メモリセルアレイ20、及びセンスアンプユニット28内のデータラッチ回路ADL、BDL、CDLが含まれる。チップ(NAND型フラッシュメモリ2)の信号R/Bnがレディーになると、メモリコントローラ3は、各種データ(コマンド、アドレス、及び書き込みデータなど)を、チップにインプット(送信)することが可能となる。
図11は、コマンド“1Xh”の場合における信号Cache−R/Bn及び信号True−R/Bnのステータスを説明するコマンドシーケンスである。図11には、図9の2回の転送コマンド“1Xh”に関するコマンドシーケンスを抽出して示している。
コマンド“1Xh”の場合、NAND型フラッシュメモリ2は、信号Cache−R/Bnを、ショートビジー時間tBUSY_1Xだけビジーにしてすぐにレディーを返す。信号Cache−R/Bnは、信号R/Bnと同じように遷移する。データラッチ回路XDLが動作している場合でも信号Cache−R/Bnにレディーを返すことで、データラッチ回路XDLのデータをデータラッチ回路ADL/BDL/CDLに転送する処理と並行して、外部からコマンドシーケンスを受け付けることができる。信号True−R/Bnは、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADLへデータを転送する処理“X2A”の期間もビジー状態となる。
メモリコントローラ3は、ステータスリードコマンド“70h”をNAND型フラッシュメモリ2に送信することで、NAND型フラッシュメモリ2のステータスを確認する。すなわち、メモリコントローラ3は、ステータスリードコマンド“70h”を、NAND型フラッシュメモリ2に発行する。NAND型フラッシュメモリ2は、ステータスリードコマンド“70h”を受けると、ステータスデータをメモリコントローラ3に出力する。これにより、メモリコントローラ3は、NAND型フラッシュメモリ2のステータスを確認することができる。ステータスデータには、信号Cache−R/Bn及び信号True−R/Bnが含まれる。
このように、本実施形態では、センスアンプユニット28内のデータラッチ回路ADL、BDL、CDLが動作している期間は、信号True−R/Bnがビジー状態となる。よって、コアが動作しているか否かを任意のタイミングで確認できる。以下の説明においても、信号True−R/Bnのステータスは、図11と同様である。
[1−3] 第1実施形態の効果
2ビット以上のデータの書き込みを一括して実施する書き込み動作では、書き込みデータをデータラッチ回路XDLに転送する第1処理と、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、及びCDLのいずれかにデータを転送する第2処理とを実行する。そして、これら第1処理及び第2処理が完了した後、データラッチ回路ADL、BDL、及びCDLのデータから書き込みレベルを確定して、メモリセルトランジスタへのプログラムを実行する。第1処理はデータイン中に実施され、第2処理はビジー状態中に実施される。すなわち、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、及びCDLのいずれかにデータを転送する第2処理中は、次のコマンドを受け付けることができない。さらに、メモリセルトランジスタが記憶可能なビット数が増える、すなわち、センスアンプユニットに保持するページ数が増えるほど、データを転送する第2処理にかかる時間が長くなり、次のコマンドを受け付けることができない無駄な期間が長くなってしまう。
2ビット以上のデータの書き込みを一括して実施する書き込み動作では、書き込みデータをデータラッチ回路XDLに転送する第1処理と、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、及びCDLのいずれかにデータを転送する第2処理とを実行する。そして、これら第1処理及び第2処理が完了した後、データラッチ回路ADL、BDL、及びCDLのデータから書き込みレベルを確定して、メモリセルトランジスタへのプログラムを実行する。第1処理はデータイン中に実施され、第2処理はビジー状態中に実施される。すなわち、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、及びCDLのいずれかにデータを転送する第2処理中は、次のコマンドを受け付けることができない。さらに、メモリセルトランジスタが記憶可能なビット数が増える、すなわち、センスアンプユニットに保持するページ数が増えるほど、データを転送する第2処理にかかる時間が長くなり、次のコマンドを受け付けることができない無駄な期間が長くなってしまう。
そこで、第1実施形態では、NAND型フラッシュメモリ2は、第1プレーンに対して書き込みコマンド“80h”、アドレス“Add”、データ、及び転送コマンド“1Xh”からなるコマンドシーケンスを受信した後、時間tBUSY_1Xだけショートビジー状態になり、ショートビジー中に、制御回路24は、NAND型フラッシュメモリ2のコア動作(ADL/BDL/CDLの転送動作)を開始するための制御信号をセットする。続いて、NAND型フラッシュメモリ2は、第2プレーンに対するコマンドシーケンスを受け付ける処理と並行して、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、及びCDLのいずれかにデータを転送するようにしている。すなわち、第2プレーンのコマンドシーケンスを受け付ける処理のバックグラウンドで、第1プレーンにおける第2転送処理を実行するようにしている。
従って第1実施形態によれば、書き込みデータをセンスアンプユニット28にセットするデータイン動作において、データイン以外にかかる無駄な時間を短くすることができる。また、書き込み動作におけるデータイン以外の無駄な動作をバックグラウンドで処理することで、プログラムレイテンシーを改善することができる。結果として、書き込み動作にかかる時間を短くすることが可能である。
[2] 第2実施形態
第2実施形態は、4プレーンPB0〜PB3に対してインターリーブ処理を実行する例である。
第2実施形態は、4プレーンPB0〜PB3に対してインターリーブ処理を実行する例である。
[2−1] データイン動作
図12は、第2実施形態に係るデータイン動作を説明するコマンドシーケンスである。図13は、図12に示したデータイン動作におけるデータの流れを説明する模式図である。
図12は、第2実施形態に係るデータイン動作を説明するコマンドシーケンスである。図13は、図12に示したデータイン動作におけるデータの流れを説明する模式図である。
メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB0)−Data−11h”を実行する(図13のステップ“1”)。NAND型フラッシュメモリ2は、コマンド“11h”を受信すると、例えば、信号R/Bnを時間tBUSY_11だけローレベルにし、ショートビジー状態であることをメモリコントローラ3に通知する。なお、コマンド“11h”を受信した後、コア動作(ADL/BDL/CDLの転送動作)は行われないので、コマンド“11h”を受信した後にビジー信号を出力しないように構成してもよい。以下のコマンド“11h”後のビジー信号についても同様である。データインプットに応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB0において、受信した書き込みデータをデータラッチ回路XDLに転送する。
続いて、メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”を実行する(図13のステップ“2”)。NAND型フラッシュメモリ2は、コマンド“1Xh”を受信すると、信号R/Bnを時間tBUSY_1Xだけローレベルにし、ショートビジー状態であることをメモリコントローラ3に通知する。また、データインプットに応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB1において、受信した書き込みデータをデータラッチ回路XDLに転送する。
続いて、メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB2)−Data−11h”を実行する(図13のステップ“3”)。データインプットに応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB2において、受信した書き込みデータをデータラッチ回路XDLに転送する。
前述したコマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB2)−Data−11h”に並行して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB0及びPB1のそれぞれにおいて、データラッチ回路XDLのデータをデータラッチ回路ADLに転送する処理を実行する。
続いて、メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB3)−Data−1Xh”、及び“02h−80h−Add(PB0)−Data−11h”を実行する(図13のステップ“4”及び“5”)。コマンドシーケンス“02h−80h−Add(PB0)−Data−11h”に並行して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB2及びPB3のそれぞれにおいて、データラッチ回路XDLのデータをデータラッチ回路ADLに転送する処理を実行する。
続いて、メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“02h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”(図13のステップ“6”)を実行する。図12の図示は省略するが、上記同様に、メモリコントローラ3は、“02h−80h−Add(PB2)−Data−11h”(図13のステップ“7”)、“02h−80h−Add(PB3)−Data−1Xh”(図13のステップ“8”)、“03h−80h−Add(PB0)−Data−11h”(図13のステップ“9”)、“03h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”(図13のステップ“10”)、“03h−80h−Add(PB2)−Data−11h”(図13のステップ“11”)、及び“03h−80h−Add(PB3)−Data−10h”(図13のステップ“12”)を実行する。また、ステップ“7”、“9”、及び“11”において、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路BDL(又はCDL)への転送処理がコマンドシーケンスと並行して実行される。
その後、コマンド“10h”に応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、信号R/Bnを時間tPROGだけローレベルにし、プログラム動作を実行する。具体的には、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB2、PB3において、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路CDLへのデータ転送処理を実行する(図13のステップ“13−1”)。この時点で、プレーンPB0〜PB3それぞれにおいて、3ページ分のデータがデータラッチ回路ADL、BDL、CDLに揃う。その後、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB0〜PB3に対して、並行して、データを書き込む(図13のステップ“13−2”)。
[2−2] 変形例
次に、変形例に係るデータイン動作について説明する。変形例は、転送コマンド“1Xh”を用いて、1プレーンずつデータラッチ回路の転送処理を行うようにしている。
次に、変形例に係るデータイン動作について説明する。変形例は、転送コマンド“1Xh”を用いて、1プレーンずつデータラッチ回路の転送処理を行うようにしている。
図14は、変形例に係るデータイン動作を説明するコマンドシーケンスである。図15は、図14に示したデータイン動作におけるデータの流れを説明する模式図である。なお、図14には、図15のステップ“6”までのコマンドシーケンスを示している。
メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB0)−Data−1Xh”(図15のステップ“1”)、“01h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”(図15のステップ“2”)、“01h−80h−Add(PB2)−Data−1Xh”(図15のステップ“3”)、“01h−80h−Add(PB3)−Data−1Xh”(図15のステップ“4”)、“02h−80h−Add(PB0)−Data−1Xh”(図15のステップ“5”)、“02h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”(図15のステップ“6”)、“02h−80h−Add(PB2)−Data−1Xh”(図15のステップ“7”)、“02h−80h−Add(PB3)−Data−1Xh”(図15のステップ“8”)、“03h−80h−Add(PB0)−Data−1Xh”(図15のステップ“9”)、“03h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”(図15のステップ“10”)、“03h−80h−Add(PB2)−Data−1Xh”(図15のステップ“11”)、及び“03h−80h−Add(PB3)−Data−1Xh”(図15のステップ“12”)を実行する。
そして、転送コマンド“1Xh”に応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL及びCDLのいずれかへの転送処理をコマンドシーケンスと並行して実行する。
[2−3] 第2実施形態の効果
以上詳述したように第2実施形態によれば、プレーンPB0〜PB3に対してインターリーブ動作を実現できる。また、コマンドシーケンスを受け付ける処理に並行して、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、及びCDLのいずれかにデータを転送する処理を実行することができる。また、さらに多くのプレーンに対してインターリーブ動作を行うことも可能である。
以上詳述したように第2実施形態によれば、プレーンPB0〜PB3に対してインターリーブ動作を実現できる。また、コマンドシーケンスを受け付ける処理に並行して、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、及びCDLのいずれかにデータを転送する処理を実行することができる。また、さらに多くのプレーンに対してインターリーブ動作を行うことも可能である。
[3] 第3実施形態
第3実施形態では、コマンドシーケンス間のショートビジー状態を無くし、NAND型フラッシュメモリ2は、ショートビジーを出さずに、入力データをデータラッチ回路XDLに転送する動作と、コア動作(ADL/BDL/CDLの転送動作)とを、コマンドシーケンスを受け付ける処理のバックグラウンドで行うようにしている。図16は、第3実施形態に係るデータイン動作を説明するコマンドシーケンスである。
第3実施形態では、コマンドシーケンス間のショートビジー状態を無くし、NAND型フラッシュメモリ2は、ショートビジーを出さずに、入力データをデータラッチ回路XDLに転送する動作と、コア動作(ADL/BDL/CDLの転送動作)とを、コマンドシーケンスを受け付ける処理のバックグラウンドで行うようにしている。図16は、第3実施形態に係るデータイン動作を説明するコマンドシーケンスである。
メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB0)−Data−1Xh”を実行する。データインプットに応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB0において、受信した書き込みデータをデータラッチ回路XDLに転送する。
続いて、メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”を実行する。コマンドシーケンス“01h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”に並行して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB0において、ショートビジーを出さずに、コア動作(ADL/BDL/CDLの転送動作)を開始するための制御信号をセットし、データラッチ回路XDLのデータをデータラッチ回路ADLに転送する処理を実行する。また、データインプットに応答して、NAND型フラッシュメモリ2は、プレーンPB1において、受信した書き込みデータをデータラッチ回路XDLに転送する。
同様に、メモリコントローラ3は、コマンドシーケンス“02h−80h−Add(PB0)−Data−1Xh”、“02h−80h−Add(PB1)−Data−1Xh”、“03h−80h−Add(PB0)−Data−1Xh”、及び“03h−80h−Add(PB1)−Data−10h”を実行する。
NAND型フラッシュメモリ2は、前述したコマンドシーケンスに並行して、ショートビジーを出さずに、コア動作(ADL/BDL/CDLの転送動作)を開始するための制御信号をセットし、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、又はCDLへの転送処理を実行する。
従って第3実施形態によれば、ショートビジーを出さずに、書き込みデータをデータラッチ回路XDLに転送する処理と、データラッチ回路XDLからデータラッチ回路ADL、BDL、又はCDLへデータを転送する処理とを、コマンドシーケンスを受け付ける処理のバックグラウンドで実行することができる。
また、NAND型フラッシュメモリ2は、コマンドシーケンス間でビジー信号を出力しない。これにより、データイン動作にかかる時間をより短くすることができる。なお、第3実施形態を第2実施形態に適用することも可能である。
[4] その他の変形例
なお、上記実施形態では、1つのメモリセルトランジスタが3ビットのデータを記憶する場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、1つのメモリセルトランジスタは、2ビットのデータを記憶可能であってもよいし(MLC:Multilevel Cell)、4ビット以上のデータを記憶可能であってもよい。このような実施例においても、上記実施形態で説明した各種動作を実現できる。
なお、上記実施形態では、1つのメモリセルトランジスタが3ビットのデータを記憶する場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、1つのメモリセルトランジスタは、2ビットのデータを記憶可能であってもよいし(MLC:Multilevel Cell)、4ビット以上のデータを記憶可能であってもよい。このような実施例においても、上記実施形態で説明した各種動作を実現できる。
上記実施形態において、メモリセルにMONOS膜を使用した場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、フローティングゲート型のメモリセルを用いてもよい。
メモリセルアレイの構成については、例えば、“三次元積層不揮発性半導体メモリ”という2009年3月19日に出願された米国特許出願12/407,403号に記載されている。また、“三次元積層不揮発性半導体メモリ”という2009年3月18日に出願された米国特許出願12/406,524号、“不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法”という2010年3月25日に出願された米国特許出願12/679,991号、“半導体メモリ及びその製造方法”という2009年3月23日に出願された米国特許出願12/532,030号に記載されている。これらの特許出願は、その全体が本願明細書において参照により援用されている。
データの消去は、ブロックBLK単位、またはブロックBLKよりも小さい単位で行うことができる。消去方法に関しては、例えば“NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE”という2011年9月18日に出願された米国特許出願13/235,389号に記載されている。また、“NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE”という2010年1月27日に出願された米国特許出願12/694,690号に記載されている。更に、“NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA ERASE METHOD THEREOF”という2012年5月30日に出願された米国特許出願13/483,610号に記載されている。これらの特許出願は、その全体が本願明細書において参照により援用されている。
本明細書において、“接続”とは、電気的に接続されていることを示し、例えば、接続された2つの素子の間に、別の素子を介することを除外しない。
上記実施形態には、下記(1)〜(4)の変形例を適用できる。
(1)読み出し動作では、“A”レベルの読み出し動作で選択されたワード線に印加される電圧は、例えば0〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1〜0.24V、0.21〜0.31V、0.31〜0.4V、0.4〜0.5V、0.5〜0.55Vのいずれかの間にしてもよい。
“B”レベルの読み出し動作で選択されたワード線に印加される電圧は、例えば1.5〜2.3Vの間である。これに限定されることなく、1.65〜1.8V、1.8〜1.95V、1.95〜2.1V、2.1〜2.3Vのいずれかの間にしてもよい。
“C”レベルの読み出し動作で選択されたワード線に印加される電圧は、例えば3.0V〜4.0Vの間である。これに限定されることなく、3.0〜3.2V、3.2〜3.4V、3.4〜3.5V、3.5〜3.6V、3.6〜4.0Vのいずれかの間にしてもよい。
読み出し動作の時間(tRead)としては、例えば25〜38μs、38〜70μs、70〜80μsの間にしてもよい。
(1)読み出し動作では、“A”レベルの読み出し動作で選択されたワード線に印加される電圧は、例えば0〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1〜0.24V、0.21〜0.31V、0.31〜0.4V、0.4〜0.5V、0.5〜0.55Vのいずれかの間にしてもよい。
“B”レベルの読み出し動作で選択されたワード線に印加される電圧は、例えば1.5〜2.3Vの間である。これに限定されることなく、1.65〜1.8V、1.8〜1.95V、1.95〜2.1V、2.1〜2.3Vのいずれかの間にしてもよい。
“C”レベルの読み出し動作で選択されたワード線に印加される電圧は、例えば3.0V〜4.0Vの間である。これに限定されることなく、3.0〜3.2V、3.2〜3.4V、3.4〜3.5V、3.5〜3.6V、3.6〜4.0Vのいずれかの間にしてもよい。
読み出し動作の時間(tRead)としては、例えば25〜38μs、38〜70μs、70〜80μsの間にしてもよい。
(2)書き込み動作は、上述した通りプログラム動作とベリファイ動作とを含む。プログラム動作時に選択されたワード線に最初に印加される電圧は、例えば13.7〜14.3Vの間である。これに限定されることなく、例えば13.7〜14.0V、14.0〜14.6Vのいずれかの間にしてもよい。プログラム動作時に非選択のワード線に印加される電圧としては、例えば6.0〜7.3Vの間としてもよい。この場合に限定されることなく、例えば7.3〜8.4Vの間としても良く、6.0V以下としてもよい。
書き込み動作において、奇数番目のワード線を選択した際に、選択されたワード線に最初に印加される電圧と、偶数番目のワード線を選択した際に、選択されたワード線に最初に印加される電圧とは、異なっていてもよい。書き込み動作において、非選択のワード線が奇数番目のワード線であるか、偶数番目のワード線であるかで、印加するパス電圧を変えてもよい。
プログラム動作をISPP方式(Incremental Step Pulse Program)とした場合における、プログラム電圧のステップアップ幅としては、例えば0.5V程度が挙げられる。
書き込み動作の時間(tProg)としては、例えば1700〜1800μs、1800〜1900μs、1900〜2000μsの間にしてもよい。
書き込み動作において、奇数番目のワード線を選択した際に、選択されたワード線に最初に印加される電圧と、偶数番目のワード線を選択した際に、選択されたワード線に最初に印加される電圧とは、異なっていてもよい。書き込み動作において、非選択のワード線が奇数番目のワード線であるか、偶数番目のワード線であるかで、印加するパス電圧を変えてもよい。
プログラム動作をISPP方式(Incremental Step Pulse Program)とした場合における、プログラム電圧のステップアップ幅としては、例えば0.5V程度が挙げられる。
書き込み動作の時間(tProg)としては、例えば1700〜1800μs、1800〜1900μs、1900〜2000μsの間にしてもよい。
(3)消去動作では、半導体基板上部に形成され、且つ上記メモリセルが上方に配置されたウェルに最初に印加する電圧は、例えば12.0〜13.6Vの間である。この場合に限定されることなく、例えば13.6〜14.8V、14.8〜19.0V、19.0〜19.8V、19.8〜21.0Vの間であってもよい。
消去動作の時間(tErase)としては、例えば3000〜4000μs、4000〜5000μs、4000〜9000μsの間にしてもよい。
消去動作の時間(tErase)としては、例えば3000〜4000μs、4000〜5000μs、4000〜9000μsの間にしてもよい。
(4)メモリセルの構造は、半導体基板(シリコン基板)上に、膜厚が4〜10nmのトンネル絶縁膜を介して配置された電荷蓄積層を有している。この電荷蓄積層は、膜厚が2〜3nmのSiN又はSiON等の絶縁膜と、膜厚が3〜8nmのポリシリコンとの積層構造にすることができる。また、ポリシリコンには、Ru等の金属が添加されていてもよい。電荷蓄積層の上には絶縁膜を有している。この絶縁膜は、例えば、膜厚が3〜10nmの下層High−k膜と、膜厚が3〜10nmの上層High−k膜とに挟まれた、膜厚が4〜10nmのシリコン酸化膜を有している。High−k膜としては、HfO等が挙げられる。また、シリコン酸化膜の膜厚は、High−k膜の膜厚よりも厚くすることができる。絶縁膜上には、膜厚が3〜10nmの材料を介して、膜厚が30〜70nmの制御電極が形成されている。ここで材料は、TaO等の金属酸化膜、TaN等の金属窒化膜である。制御電極には、W等を用いることができる。また、メモリセル間には、エアギャップを形成することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…メモリシステム、2…NAND型フラッシュメモリ、3…メモリコントローラ、10…ホストインターフェース回路、11…プロセッサ、12…RAM、13…バッファメモリ、14…NANDインターフェース回路、15…ECC回路、20…メモリセルアレイ、21…入出力回路、22…ロジック制御回路、23…レジスタ、24…制御回路、25…電圧生成回路、26…ロウデコーダ、27…カラムデコーダ、28…センスアンプユニット、29…データレジスタ、30…ウェル領域、31〜33…配線層、34…メモリホール、35…半導体層、36…ゲート絶縁膜、37…電荷蓄積層、38…ブロック絶縁膜、39…金属配線層、40,43…拡散層、41,44…コンタクトプラグ、42,45…金属配線層
Claims (8)
- 第1及び第2メモリセルアレイをそれぞれが含み、前記第1及び第2メモリセルアレイの各々は、第1及び第2ビットからなる2ビットデータを記憶可能なメモリセルを含む、第1及び第2プレーンと、
前記第1プレーンに対応して設けられ、外部から入力されかつデータ列からなるページを保持する第1ラッチ回路と、
前記第1プレーンに対応して設けられ、前記第1ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第2ラッチ回路と、
前記第1プレーンに対応して設けられ、前記第1ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第3ラッチ回路と、
前記第2プレーンに対応して設けられ、外部から入力されたページを保持する第4ラッチ回路と、
前記第2プレーンに対応して設けられ、前記第4ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第5ラッチ回路と、
前記第2プレーンに対応して設けられ、前記第4ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第6ラッチ回路と、
書き込み動作を制御する制御回路と
を具備し、
前記制御回路は、第1コマンド、アドレス、データ、及び第2コマンドを含む第1コマンドシーケンスを外部から受信する第1処理に並行して、前記第1ラッチ回路から前記第2ラッチ回路又は前記第3ラッチ回路へデータを転送する第2処理を実行する
半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、第2コマンドシーケンスを外部から受信する第3処理に並行して、前記第4ラッチ回路から前記第5ラッチ回路又は前記第6ラッチ回路へデータを転送する第4処理を実行する
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記第1処理に並行して、外部から入力されたページを前記第1ラッチ回路に転送する
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記第3処理に並行して、外部から入力されたページを前記第4ラッチ回路に転送する
請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記第2コマンドを受信した後、第1時間だけビジー信号を外部に送信し、
前記第1時間は、前記第1ラッチ回路から前記第2ラッチ回路にデータを転送する第2時間より短い
請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記第2コマンドを受信した後、ビジー信号を外部に出力しない
請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記第2及び第3ラッチ回路に保持されたデータと、前記第5及び第6ラッチ回路に保持されたデータとを用いて、前記第1及び第2プレーンに並行して書き込み動作を実行する
請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 半導体記憶装置と、
前記半導体記憶装置を制御するメモリコントローラと
を具備し、
前記半導体記憶装置は、
第1及び第2メモリセルアレイをそれぞれが含み、前記第1及び第2メモリセルアレイの各々は、第1及び第2ビットからなる2ビットデータを記憶可能なメモリセルを含む、第1及び第2プレーンと、
前記第1プレーンに対応して設けられ、前記メモリコントローラから入力されかつデータ列からなるページを保持する第1ラッチ回路と、
前記第1プレーンに対応して設けられ、前記第1ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第2ラッチ回路と、
前記第1プレーンに対応して設けられ、前記第1ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第3ラッチ回路と、
前記第2プレーンに対応して設けられ、前記メモリコントローラから入力されたページを保持する第4ラッチ回路と、
前記第2プレーンに対応して設けられ、前記第4ラッチ回路から転送されかつ第1ビットを含むページを保持する第5ラッチ回路と、
前記第2プレーンに対応して設けられ、前記第4ラッチ回路から転送されかつ第2ビットを含むページを保持する第6ラッチ回路と、
書き込み動作を制御する制御回路と
を含み、
前記メモリコントローラは、第1コマンド、アドレス、データ、及び第2コマンドを含むコマンドシーケンスを前記半導体記憶装置に送信し、
前記制御回路は、前記コマンドシーケンスを前記メモリコントローラから受信する第1処理に並行して、前記第1ラッチ回路から前記第2ラッチ回路又は前記第3ラッチ回路へデータを転送する第2処理を実行する
メモリシステム。
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